CN201433250Y - 晶体生长炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。
背景技术
目前，现有的晶体生长装置一般采用单室结构，例如美国专利(US6200917)采用石英玻璃作为真空生长室，感应线圈位于石英玻璃外，由密封圈、下法兰、石英管及顶盖构成真空生长室；例如中国专利(CN200310113521.X)采用放置了感应线圈的金属腔体作为单一的真空生长室。每次晶体生长前的装料及生长结束后取出晶体都要打开真空生长室，引起真空生长室接触大气，极易受到大气的污染和氮吸附，很难实现晶体生长以及对杂质精确控制的晶体生长。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服在先技术的缺点，提出一种晶体生长炉。
本实用新型的关键在于考虑到生长晶体时，晶体生长室和送样室形成双室结构可有效避免晶体生长体系在装料及取样时暴露在大气中，最大程度地减少生长室对污染物的吸附，有效降低生长晶体中非故意掺杂浓度。
本实用新型包括晶体生长室(1)、送样室(2)、真空插板阀(3)、生长坩埚(4)、保温材料(5)、真空系统(5)、进气系统(6)、传递装置(7)；
晶体生长室(1)和送样室(2)之间相互为上下排列方式或左右排列方式排列；
所述的排列方式优选上下排列；
真空插板阀(3)位于晶体生长室(1)与送样室(2)之间并连接晶体生长室(1)与送样室(2)，真空插板阀(3)可开启或关闭；
传递装置(7)连接于送样室上；生长坩埚(4)通过传递装置(7)由送样室(2)经真空插板阀(3)送入晶体生长室(1)；
所述晶体生长室(1)和送样室(2)分别连接有真空系统(5)和进气系统(6)；
所述的进气系统(6)优选多路进气系统；
所述晶体生长室(1)和/或送样室(2)优选包括开门器或观测窗(8)。
本实用新型所采用的送样室和晶体生长室(双室)中间采用真空插板阀隔离；双室连接真空系统，来获得双室的高真空；生长坩埚在送样室和晶体生长室之间的传递依靠传递装置实现；双室上可以预留开门器或观测窗，实时观察晶体生长系统中的坩埚位置及生长情况；送样室和晶体生长室分别连接进气系统，可实现气氛保护和生长压力调控，或掺杂气体进气量的精确控制。
本实用新型所述的晶体生长炉，可实现晶体生长对杂质精确控制，可生长出高质量晶体。
附图说明
图1是本实用新型示意图。图中，(1)为晶体生长室、(2)为送样室、(3)为插板阀、(4)为生长坩埚、(5)为真空系统、(6)为进气系统、(7)为传递装置、(8)为开门器或观测窗。
具体实施方式
为了进一步说明本实用新型的结构和特征，以采用上下放置型的双室结构(图1)为例，对本实用新型进行进一步的描述，但并非仅限于实施例。
具体实施方法：
在晶体生长准备阶段，先用真空系统(5)抽晶体生长室(1)和送样室(2)的高真空，真空达到10-4Pa量级。关闭真空插板阀(3)，隔离晶体生长室(1)和送样室(2)，晶体生长室(1)通过进气系统(6)充高纯Ar气至一个大气压保护。打开送样室开门器(8)，在传递装置(7)托上放置已装好原料及籽晶的生长坩埚(4)，关闭送样室开门器(8)，用真空机组(5)抽送样室(2)的高真空，通过进气管(6)充高纯Ar气至一个大气压，打开真空插板阀(3)，使双室相通，运行旋转传递装置(7)，把石墨坩埚(4)送进晶体生长室(1)中进行晶体生长。
Claims (4)
1、晶体生长炉，包括晶体生长室(1)、送样室(2)、真空插板阀(3)、生长坩埚(4)、真空系统(5)、进气系统(6)、传递装置(7)，其特征在于：
晶体生长室(1)和送样室(2)之间相互为上下排列方式或左右排列方式排列；
真空插板阀(3)位于晶体生长室(1)与送样室(2)之间并连接晶体生长室(1)与送样室(2)，真空插板阀(3)可开启或关闭；
传递装置(7)连接于送样室上；生长坩埚(4)通过传递装置(7)由送样室(2)经真空插板阀(3)送入晶体生长室(1)；
所述晶体生长室(1)和送样室(2)分别连接有真空系统(5)和进气系统(6)。
2、按权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述的排列方式为上下排列。
3、按权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述的进气系统(6)为多路进气系统。
4、按权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长室(1)和/或送样室(2)包括开门器或观测窗(8)。
Priority Applications (1)
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| CN2009200767959U CN201433250Y (zh) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 晶体生长炉 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2009200767959U CN201433250Y (zh) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 晶体生长炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN201433250Y true CN201433250Y (zh) | 2010-03-31 |
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Family Applications (1)
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| CN2009200767959U Expired - Fee Related CN201433250Y (zh) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | 晶体生长炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201433250Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010149017A1 (zh) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 双室结构碳化硅晶体生长装置 |
| CN103210127A (zh) * | 2010-11-09 | 2013-07-17 | 新日铁住金株式会社 | n型SiC单晶的制造方法 |
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2009
- 2009-06-22 CN CN2009200767959U patent/CN201433250Y/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2010149017A1 (zh) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 双室结构碳化硅晶体生长装置 |
| CN103210127A (zh) * | 2010-11-09 | 2013-07-17 | 新日铁住金株式会社 | n型SiC单晶的制造方法 |
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