CN201395550Y - 12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计 - Google Patents

12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计 Download PDF

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李能
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Xiaogan Jineng Special Lighting Co., Ltd.
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XIAOGAN JINENG SPECIAL LIGHTING CO Ltd
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Abstract

一种12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计，工作部分由熔化池1、出料道2、存料池3组成。其中，熔化池1主要由侧壁砖6、底砖7、侧插电极4、底插电极5组成。侧壁砖6和底砖7均用高温耐火材料制成，侧壁砖6长1900，底砖长1500，分别为熔化池的高度和宽度，减少熔化池砖的拼缝。电极4和5均采用难熔金属钼棒制成，安装于侧壁砖6和底砖7内。熔化池的长、宽、高分别为2000、1500、1900，可容纳液态玻璃12吨以上。出料道2和存料池3也用大块高温耐火砖制成。存料池3上部的垂直两侧设计有人工挑料池8和机动滴料池9。熔化后的液态玻璃从熔化池底部经出料道2由下而上进入存料池3，逐步进行沉清，之后进入工作位置机动滴料池9和人工挑料池8。

Description

12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计
技术领域：
本实用新型涉及一种高硼硅玻璃电熔池炉，特别是12吨高硼硅玻璃电熔池炉的炉体设计。适用于高硼硅玻璃和一般玻璃电熔池炉炉体设计使用，
技术背景：
玻璃及其制品有着广泛的用途。用于电真空器件、电光源照明的玻璃，对耐高温性能、膨胀系数、玻璃的应力、玻璃的透光性能等要求非常严格。本电熔池炉生产的高硼硅玻璃，便是满足上述要求的特种玻璃。随着国民经济的发展和国际市场的需求，对这种玻璃的要求量越来越大。
我国传统的，直至今天还维持的玻璃生产工艺大多是采用坩埚炉制作，这种工艺生产的玻璃产品质量差，污染环境，西方国家几十年前早已淘汰。
高硼硅玻璃，采用电熔池炉生产，因工艺复杂，难度较高，国内仅有几家厂商采用。目前常用的设计，均采用熔化池-出料道-沉清池-出料道-存料池(含滴料、挑料池)的设计路线，体积庞大，材料浪费，能耗较高。炉体设计中，熔化池加热电极为侧插式，加热方式不科学。高温耐火砖，多用小砖，炉腔内拼缝很多，长期、连续在1500℃以上高温下工作，容易损坏，寿命不长。
发明内容：
本实用新型的目的是提供一种高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计技术，用以解决目前玻璃电熔池炉设计中体积大，材料浪费大，能源消耗高，炉体易损坏的问题。
本实用新型的技术方案是：一种12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计，其工作部分由熔化池1、出料道2、存料池3组成(含机动出料池和人工出料池)其中，熔化池1主要由侧壁砖6、底砖7、侧插电极4、底插电极5组成。侧壁砖6和底砖7均用耐高温耐火材料制成大块整砖，侧壁砖6的长度为熔化池1的高度，底砖7的长度为熔化池1的宽度，这样熔化池1侧壁无横向拼缝，底部无纵向拼缝，侧插电极4和底插电极5均采用带循环水冷却的工作部分用难熔金属钼棒制成的组合电极，安装于侧壁砖6和底砖7上。熔化池1的长、宽、高分别为2000、1500、1900，可容纳液态玻璃12吨以上。出料道2和存料池3也用大块高温耐火砖制成。存料池3上部的垂直两侧设计有机动滴料池9和人工挑料池8，能同时或单独进行人工作业和机动作业。出料道2和存料池3也安装了侧插电极，对液态玻璃进行保温。当玻璃原料11投入池内加热熔化后，达到1500℃以上温度的液态玻璃，缓慢地从熔化池1底部经出料道2逐步进入存料池3，并在存料池3中缓慢上升，直到液态玻璃液面上升进入人工挑料池8和机动滴料池9，其过程中液态玻璃起着良好的沉清作用，液态玻璃进入机动滴料池9和人工挑料池8并达到工作位置后，即可进行玻璃制品加工作业。
本适用新型12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计的有益效果是：用上升料道(从出料道2到存料池3)取代传统设计中的沉清池，结构紧凑，节省耐火材料和钼电极，简化制造工艺，降低生产能耗；大块侧壁砖6和底砖7的设计和使用，减少熔化池3内的拼缝，从而减少炉体的损坏，延长炉体使用寿命；侧插电极4和底插电极5同时使用的设计技术，使炉内加热源分布更加合理，降低能源消耗；机动滴料池9和人工挑料池8的设计，增加了功能，满足多种生产方式作业。
附图说明：
说明书附图和摘要附图是实用新型12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计的示意图。
图中，(1)为熔化池、(2)为出料道、(3)为存料池、(4)为侧插电极、(5)为底插电极、(6)为熔化池侧壁砖、(7)为熔化池底砖、(8)为人工挑料池、(9)为机动滴料池、(10)为熔体保温材料、(11)为玻璃原材料。
具体实施方式：
下面参照说明书附图，说明本实用新型12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计。如附图所示，炉体工作部份主要由熔化池(1)、出料道(2)、存料池(3)组成。其中熔化池(1)主要由侧壁砖(6)、底砖(7)、侧插电极(4)、底插电极(5)组成。侧壁砖(6)和底砖(7)均用高温耐火材料制成。侧壁砖(6)长1900，底砖(7)长1500分别为熔化池的高度和宽度。这样，在熔化池(1)的高度上无横向拼缝，在底部无纵向拼缝，侧插电极(4)和底插电极(5)均采用带循环水冷却的工作部分用难熔金属钼棒制成的组合电极，安装于侧壁砖(6)和底砖(7)内，熔化池长、宽、高分别为2000、1500、1900，可容纳液态玻璃12吨以上。出料道(2)和存料池(3)也用大块高温耐火砖制成，也安装了侧插电极对液态玻璃进行保温，存料池(3)上部的垂直方向两侧设计了人工挑料池(8)和机动滴料池(9)，能同时或单独进行人工作业和机动作业。当玻璃原材料(10)投入池内加热熔化后，达到1500℃以上的高温液态玻璃从熔化池(1)的底部缓慢地经出料道(2)逐步进入存料池(3)，并在存料池(3)中缓慢上升，直到液态玻璃液面上升进入人工挑料池(8)和机动滴料池(9)，其过程中液态玻璃起着良好的沉清作用。当液态玻璃在存料池(3)中上升进入人工挑料池(8)和机动滴料池(9)并达到工作位置后，即可进行玻璃制品的加工作业。

Claims (1)

1、一种12吨高硼硅玻璃电熔池炉炉体设计，其特征为：炉体有效工作部分由熔化池(1)，出料道(2)，存料池(3)组成，其中，熔化池(1)主要由侧壁砖(6)，底砖(7)，侧插电极(4)，底插电极(5)组成，侧壁砖(6)和底砖(7)均用高温耐火材料制成大块整砖，侧壁砖(6)长1900毫米，底砖长1500毫米，分别为熔化池的高度和宽度，在熔化池高度上无横向拼缝，在底部无纵向拼缝，侧插电极(4)和底插电极(5)均采用带循环水冷却的工作部分用难熔金属钼棒制成的组合电极，安装于侧壁砖(6)和底砖(7)内，熔化池(1)的长、宽、高分别为2000毫米、1500毫米、1900毫米，出料道(2)和存料池(3)也用大块高温耐火砖制成，也安装了侧插电极，出料道(2)与熔化池(1)和存料池(3)相通，设计在熔化池(1)和存料池(3)的底部位置，熔化以后的玻璃，从熔化池(1)底部经出料道(2)进入存料池(3)的底部，并在存料池(3)内由下而上逐步上升，其过程对液态玻璃起着沉清作用，存料池(3)上部的垂直两侧分别设计了机动滴料池(9)和人工挑料池(8)，并与存料池(3)连通。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102503078A (zh) * 2011-11-01 2012-06-20 河南国控宇飞电子玻璃有限公司 两槽式玻璃池炉

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Assignee: Hubei Huiwei Sci&Tech Co., Ltd.

Assignor: Xiaogan Jieneng Special Lighting Co Ltd|Xiaogan City, Hui Wei Lighting Electrical Appliance Co. Ltd.

Contract record no.: 2011420000024

Denomination of utility model: Design of 12-ton high-borosilicate glass electric melting tank furnace body

Granted publication date: 20100203

License type: Exclusive License

Record date: 20110329

EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract

Assignee: Hubei Huiwei Sci&Tech Co., Ltd.

Assignor: Xiaogan Jieneng Special Lighting Co Ltd|Xiaogan City, Hui Wei Lighting Electrical Appliance Co. Ltd.

Contract record no.: 2011420000024

Date of cancellation: 20120202

ASS Succession or assignment of patent right

Free format text: FORMER OWNER: XIAOGAN HUIWEI LIGHTING AND ELECTRONICS INC.

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TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20120223

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Patentee after: Xiaogan Jineng Special Lighting Co., Ltd.

Address before: 432100 Xiao Tian Industrial Park, hi tech Development Zone, Hubei, Xiaogan

Co-patentee before: Xiaogan Huiwei Lighting and Electronics Inc.

Patentee before: Xiaogan Jineng Special Lighting Co., Ltd.

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