CN201362597Y - 多晶硅还原炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉罩，底盘，多晶硅硅棒，进料管和喷头。炉罩安装在底盘上，底盘上安装有一组或几组多晶硅硅棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管连通的喷头，喷头为三个或三个以上。本实用新型解决了现有的多晶硅还原炉采用单管喷射式，而造成硅棒沉积不均匀且厚而不彻底，收率低的问题。其结构简单，还原速度大大提高的同时也大大提高了吸收率。
Description
技术领域
本实用新型属于化工行业用于多晶硅生产的设备，即多晶硅还原炉。
背景技术
现有的多晶硅还原炉均采用单管喷射式，即将氢气、三氯化硅以一定的比例混合后由一根喷管进入还原炉，这样往往会造成硅棒沉积不均匀，使得吸收率低还原不彻底。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种结构简单、沉积率高、还原速度快、收率高的多晶硅还原炉。
为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案，一种多晶硅还原炉，包括有炉罩、底盘、多晶硅硅棒、进料管和喷头。炉罩安装在底盘上，底盘上安装有一组或几组多晶硅硅棒，同时底盘上还设有与底盘下部的进料管和出料管相连通的喷头，喷头为三个或三个以上。所述的喷头由3个独立管道组合而成，其中位于喷头顶端开口的为进料管道口，喷头两侧面开口的分别为出料管道口。
本实用新型采用低速三管进料方式，大大的提高了还原速度和沉积率，使得收率从之前的30％左右提高到了80％左右。同时将进料管道和出料管道组合在一起，也使得本实用新型生产成本低，使用时占用场地小。
附图说明
图1多晶硅氢还原炉结构示意图；
图2多晶硅氢还原炉其喷头结构示意图；
图中：1-炉罩；2-底盘；3-多晶硅硅棒；4-进料管；5-出料管；6-喷头；7-导轨；8-进料管道口；9-出料管道口；10-出料管道口。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的说明：
如图1所示，一种多晶硅还原炉，包括有炉罩1、底盘2、多晶硅硅棒3、进料管4、出料管5和喷头6。炉罩1安装在底盘2上，底盘2上安装有一组或几组多晶硅硅棒3，同时底盘2上还设有与底盘下部的进料管4和出料管5相连通的喷头6.喷头6为三个或三个以上。这样便使由喷头6进入炉内的进料与多晶硅硅棒3有充分的接触面，大大的提高了还原速度和沉积率。如图2所示，所述的喷头6由3个独立管道组合而成，其中位于喷头6顶端开口的为进料管道口8，喷头6两侧面开口的分别为出料管道口9和10。将进料管道和出料管道组合在一起，也使得本实用新型生产成本低，也为充分利用生产场地提供了有利条件。
Claims (2)
1.一种多晶硅还原炉，包括有炉罩(1)、底盘(2)、多晶硅硅棒(3)、进料管(4)、出料管(5)和喷头(6)，其特征在于：所述炉罩(1)安装在底盘(2)上，底盘(2)上安装有一组或几组多晶硅硅棒(3)，同时底盘(2)上还设有与底盘下部的进料管(4)和出料管(5)相连通的喷头(6)，且喷头(6)为三个或三个以上。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述的喷头(6)由3个独立管道组合而成，其中位于喷头顶端开口的为进料管道口(8)，喷头两侧面开口的分别为出料管道口(9)和出料管道口(10)。
Priority Applications (1)
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| CNU2009200786292U CN201362597Y (zh) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | 多晶硅还原炉 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN (1) | CN201362597Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101993080B (zh) * | 2009-08-21 | 2012-12-19 | 张家港市华凌化工机械有限公司 | 多晶硅还原炉 |
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2009
- 2009-01-13 CN CNU2009200786292U patent/CN201362597Y/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101993080B (zh) * | 2009-08-21 | 2012-12-19 | 张家港市华凌化工机械有限公司 | 多晶硅还原炉 |
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