CN201358291Y - 一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,包括生长区、放肩区、籽晶区三部分,所述生长区为一段圆柱形管筒,所述放肩区为与所述生长区下端连接的倒锥台形管筒,所述籽晶区为与所述放肩区下端连接的圆柱形盲管。本实用新型把金属镓的纯度在4N的基础上进一步提纯到6N、7N的极高纯度;本实用新型装置机构简单、方法操作方便、提纯定量控制便捷。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种提纯装置,尤其涉及一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置。
背景技术
一种物质当其由液态部分凝固成固态时,由于杂质在其液态和固态中的溶解度不同,往往固态中的杂质浓度要低于液态中的杂质浓度,这种现象为分凝作用。利用这种现象可以把物质提纯,但凝固后的固相的重量,用肉眼不易控制,又由于镓具有较低的熔点,与常温相差不多,环境温度的变化对结晶的速度有较大的影响,生产时定量操作比较困难。目前还没有利用分凝作用实现定量提纯金属镓的装置和方法。现有技术中,金属镓的精炼提纯一般采用化学萃取、电解等传统工艺,由于工艺水平和成本的限制,生产的成品镓的纯度一般也只有4N,导致6N、7N这样高纯度金属镓的生产非常困难,生产成本也居高不下,严重制约了高纯度金属镓材料的应用。
实用新型内容:
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置。
本实用新型的技术方案如下:一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,包括生长区、放肩区、籽晶区三部分,所述生长区为一段圆柱形管筒,所述放肩区为与所述生长区下端连接的倒锥台形管筒,所述籽晶区为与所述放肩区下端连接的圆柱形盲管。
所述籽晶区设有冷却装置,所述冷却装置为冷盘。
所述提纯装置有非极性塑料制成,所述塑料为PE或者Teflon或者Nylon。
所述生长区管壁设有刻度线。
本实用新型装置的提纯方法,包括如下步骤:将金属镓籽晶放入所述籽晶区;将液态金属镓注入所述提纯装置;对所述籽晶区进行冷却。
所述籽晶为高纯度金属镓。
所述液态金属镓温度为35℃到40℃。
所述籽晶区的冷却温度为0℃-5℃。
本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是:本实用新型可以把金属镓的纯度在4N的基础上进一步提纯到6N、7N的极高纯度;本实用新型装置机构简单、方法操作方便、提纯定量控制便捷,适合于大规模生产;大大降低了极高纯度金属镓的生产成本,提高了生产效率,奠定了极高纯度金属镓材料的未来广泛应用的基础。
附图说明:
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式:
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作详细描述。
实施例1:如图1所示,一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,包括生长区3、放肩区5、籽晶区1三部分,所述生长区3为一段圆柱形管筒,所述放肩区5为与所述生长区3下端连接的倒锥台形管筒,所述籽晶区1为与所述放肩区5下端连接的圆柱形盲管。所述籽晶区1设有冷却装置,所述冷却装置为冷盘8,其中装有冷却液7。所述提纯装置由非极性塑料Nylon制成。所述生长区3管壁设有刻度线4。
提纯操作方法,包括如下步骤:将金属镓籽晶6放入所述籽晶区1;将液态金属镓2注入所述提纯装置;对所述籽晶区1进行冷却。所述籽晶为高纯度金属镓。所述液态金属镓温度为35℃。所述籽晶区的冷却温度为0℃。通过籽晶区1的冷却,液态金属镓开始从籽晶区1向放肩区5、生长区3逐渐凝固,先凝固的固态镓纯度比后凝固的要高,根据生产需要,生长区3管壁设有刻度线4可以定量的选择金属镓凝固的比例,以调整镓的纯度。为了得到极高纯度的金属镓,需要对凝固的固态镓再次加热后使用上述装置凝固提纯,如此方法直到达到要求的纯度。
实施例2:其与实施例1不同之处在于,所述提纯装置由非极性塑料制成,所述塑料为PE,所述液态金属镓温度为37℃。所述籽晶区的冷却温度为3℃。
实施例3:其与实施例1不同之处在于,所述提纯装置由非极性塑料Teflon制成,所述液态金属镓温度为40℃。所述籽晶区的冷却温度为5℃。
除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方式,凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,其特征在于所述装置包括生长区、放肩区、籽晶区三部分,所述生长区为一段圆柱形管筒,所述放肩区为与所述生长区下端连接的倒锥台形管筒,所述籽晶区为与所述放肩区下端连接的圆柱形盲管。
2.根据权利要求1所述的一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,其特征在于所述籽晶区设有冷却装置。
3.根据权利要求2所述的一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,其特征在于所述冷却装置为冷盘。
4.根据权利要求1所述的一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,其特征在于所述提纯装置有非极性塑料制成。
5.根据权利要求4所述的一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,其特征在于所述塑料为PE或者Teflon或者Nylon。
6.根据权利要求1所述的一种金属镓纵向温度梯度凝固提纯装置,其特征在于所述生长区管壁设有刻度线。
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Cited By (2)
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CN103898600A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 |
RU2765034C1 (ru) * | 2020-02-27 | 2022-01-24 | Фудзикоси Мэшинери Корп. | Устройство для получения кристалла оксида галлия |
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2009
- 2009-03-02 CN CNU2009200369311U patent/CN201358291Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103898600A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 |
CN103898600B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-05-18 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法 |
RU2765034C1 (ru) * | 2020-02-27 | 2022-01-24 | Фудзикоси Мэшинери Корп. | Устройство для получения кристалла оксида галлия |
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