CN201307602Y - Smd发光二极管支架改良结构 - Google Patents

Abstract

一种SMD发光二极管支架改良结构，其透过将设置于第一支架以及第二支架两侧的凹陷部部分地埋置于胶座内，当水气由胶座与第一支架以及第二支架两侧所产生微小空隙渗入时，借由凹陷部来增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，并同时在凹陷部转折处形成虹吸现象将水气聚集于凹陷部转折处，使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，可以有效的防止发光二极管芯片受到水气的影响，可以解决SMD发光二极管支架结构无法有效防止水气渗入的问题，借此可以达成SMD发光二极管支架结构有效防止水气渗入的技术功效。

Description

SMD发光二极管支架改良结构

技术领域

一种SMD发光二极管支架改良结构，尤其是指一种借由设置凹陷部转折处所形成的虹吸现象，将水气聚集于凹陷部转折处的SMD发光二极管支架改良结构。

背景技术

近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。

通常发光二极管芯片透过表面黏贴技术(Surface Mount Device，SMD)固接于SMD发光二极管支架内，而SMD发光二极管支架的内部结构对于发光二极管芯片的出光效果具有直接性的影响，以下将说明一种现有的SMD发光二极管支架结构。

请参考图1、图2以及图3所示，图1为SMD发光二极管支架结构立体图；图2为SMD发光二极管支架结构微小空隙立体放大图；图3为SMD发光二极管支架结构俯视图。

现有SMD发光二极管支架结构，其包含：第一支架10、第二支架20、胶座30。

第一支架10用以固接发光二极管芯片(图中未绘示)于第一支架10一端，发光二极管芯片可以透过第一支架10产生电性连接，以提供发光二极管芯片所需的一种电性极性，或是可以与其它电子装置(图中未绘示)进行电性连接。

第二支架20一端与发光二极管芯片透过打线接合(wire bonding)技术形成电性连接，以提供发光二极管芯片所需的另外一种电性极性，或是可以与其它电子装置进行电性连接(图中未绘示)。

其中，在第一支架10以及第二支架20两侧分别设置至少一第一凹陷部11以及至少一第一凹陷部21，第一支架10以及第二支架20所设置的第一凹陷部11以及第一凹陷部21部分地埋置于胶座30内。

第一支架10所设置的第一凹陷部11以及第二支架20所设置的第一凹陷部21，其作用将说明如下。

在将第一支架10以及第二支架20部分地埋置于胶座30时，由于胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧分别会产生微小空隙31(如图2所示，为加大示意效果，图中以显著方式表现出胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧所产生的微小空隙31)，一般来说水气会借由此微小空隙31渗入，当水气渗入至发光二极管芯片(图中未绘示)时，则会影响到发光二极管芯片的发光效率，甚至会使得发光二极管芯片的失效。

当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗入时，则可以借由于第一支架10所设置的第一凹陷部11，或是借由于第二支架20所设置的第一凹陷部21，增加水气的行进路径，并同时增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，以延长发光二极管芯片的使用寿命，但是无法有效的防止水气的继续渗入。

现有的SMD发光二极管支架结构所使用的技术手段是增加水气的行进路径，并同时增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，以延长发光二极管芯片的使用寿命，但是无法有效的防止水气的继续渗入，在长时间使用发光二极管时，在水气渗入至发光二极管芯片即会影响到发光二极管的发光效率，甚至会使得发光二极管芯片失去效用。

综上所述，可知现有技术中长期以来一直存在SMD发光二极管支架结构无法有效防止水气渗入的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。

实用新型内容

有鉴于现有技术存在SMD发光二极管支架结构无法有效防止水气渗入的问题，本实用新型遂提供一种SMD发光二极管支架改良结构，其中：

本实用新型所提供的SMD发光二极管支架改良结构，其包含：第一支架、第二支架以及胶座。

其中第一支架是用以固接发光二极管芯片于第一支架一端，第一支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；第二支架一端与发光二极管芯片产生电性连接，第二支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；胶座，第一支架及第二支架所设置的至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部部分地埋置于胶座内。

本实用新型所提供的结构如上，与现有技术之间的差异在于本实用新型将设置于第一支架以及第二支架两侧的第一凹陷部以及第二凹陷部部分地埋置于胶座内，由于胶座与第一支架以及第二支架两侧分别会产生微小空隙，水气则会借由此微小空隙渗入；首先，借由第一支架以及第二支架两侧分别设置的第二凹陷部更能增加水气的行进路径，以增加水气渗入至发光二极管芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命；接着，借由所设置的第二凹陷部于第二凹陷部转折处形成虹吸现象，由于产生虹吸现象即可以将水气聚集于第二凹陷部转折处，使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，可以有效的防止发光二极管芯片受到水气渗入的影响。

透过上述的技术手段，本实用新型可以达成SMD发光二极管支架结构有效防止水气渗入的技术功效。

附图说明

图1为SMD发光二极管支架结构立体图。

图2为SMD发光二极管支架结构微小空隙立体放大图。

图3为SMD发光二极管支架结构俯视图。

图4A为本实用新型SMD发光二极管支架改良结构第一实施态样俯视图。

图4B为本实用新型SMD发光二极管支架结构第一实施态样第二凹陷部局部放大图。

图5A为本实用新型SMD发光二极管支架改良结构第二实施态样俯视图。

图5B为本实用新型SMD发光二极管支架结构第二实施态样第一凹陷部及第二凹陷部局部放大图。

【主要元件符号说明】

10     第一支架

11     第一凹陷部

12     第二凹陷部

13     延伸区

20     第二支架

21     第一凹陷部

22     第二凹陷部

23     延伸区

30     胶座

31     微小空隙

32     功能区

33     端面

具体实施方式

以下将配合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

在介绍本实用新型之前，首先要先说明水气渗入至发光二极管芯片的方式，并说明现有技术如何对于水气渗入至发光二极管芯片的解决方式。

请同时参照图1、图2、图3所示，在将第一支架10以及第二支架20部分地埋置于胶座30时，由于胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧分别会产生微小空隙31(如图2所示，为加大示意效果，图中以显著方式表现出胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧所产生的微小空隙31)，一般来说水气会借由此微小空隙31渗入，当水气渗入至发光二极管芯片(图中未绘示)时，则会影响到发光二极管芯片的发光效率，甚至会使得发光二极管芯片的失效。

当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗入时，则可以借由于第一支架10所设置的第一凹陷部11，或是借由于第二支架20所设置的第一凹陷部21，增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命，但是无法有效的防止水气的继续渗入。

对于上述所产生的问题，本实用新型提出一种改良结构，可以有效的解决上述的问题，以下将说明本实用新型所提出的解决方式，本实用新型所提供的SMD发光二极管支架改良结构，请参考图4A所示，图4A为本实用新型SMD发光二极管支架改良结构第一实施态样俯视图。

如图4A所示，本实用新型所提供的SMD发光二极管支架改良结构，于第一实施态样包含：第一支架10、第二支架20以及胶座30。

第一支架10以及第二支架20用以固接发光二体芯片(图中未绘示)并产生电性连接的方式如同现有技术相同，在此不再进行赘述。

如图4A所示，本实用新型主要在第一支架10以及第二支架20两侧分别设置至少一第一凹陷部11以及至少一第二凹陷部12，以及至少一第一凹陷部21以及至少一第二凹陷部22，第一支架10以及第二支架20所设置的第一凹陷部11及第二凹陷部12，以及第一凹陷部21及第二凹陷部22部分地埋置于胶座30内。

以下将以第二支架20所设置的第一凹陷部21以及第二凹陷部22进行说明，第一支架10所设置的第一凹陷部11及第二凹陷部12其为相同功能，因此不再进行赘述，但并不以此局限本实用新型，其作用说明如下。

当水气沿着胶座30与第二支架20两侧微小空隙31(请参考图2)渗入时，水气首先会行进至第二支架20所设置的第一凹陷部21其功用如同现有技术相同，即为增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命，但无法防止水气继续的渗入。

接着，水气会行进至第二支架20所设置的第二凹陷部22时，第二凹陷部22除了可以增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至发光二极管芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命之外，由于第二凹陷部22在转折处形成虹吸现象，由于产生虹吸现象即可以将水气聚集于第二凹陷部12或第二凹陷部22的转折处，借由第二凹陷部12或第二凹陷部22则可以使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，可以有效的防止发光二极管芯片受到水气的影响。

在图4A中，第一凹陷部21以及第二凹陷部22的配置为于第二支架20接近微小空隙31的端部配置有第一凹陷部21，并向内配置第二凹陷部22，使得水气会先增加行进路径，再将水气聚集于胶座30内部，而不会影响到发光二极管芯片；第一凹陷部21以及第二凹陷部22的配置亦可以先配置第二凹陷部22再配置第一凹陷部21，第一凹陷部21以及第二凹陷部22的配置方式在此仅为举例，并不以此局限本实用新型。

接着，要说明本实用新型的第二实施态样，并请同时参考图4A、图4B、图5A以及图5B所示。

图4B为本实用新型SMD发光二极管支架结构第一实施态样第二凹陷部局部放大图；图5A为本实用新型SMD发光二极管支架改良结构第二实施态样俯视图；图5B为本实用新型SMD发光二极管支架结构第二实施态样第二凹陷部局部放大图。

以下将说明第二实施态样与第一实施态样差异之处，相同之处将不再进行赘述，第二实施态样与第一实施态样主要差别在于第一支架10以及第二支架20所设置的第二凹陷部12，以及第二凹陷部22的形状不同，以下将以第二支架20所设置的第二凹陷部22进行说明，第一支架10所设置的第二凹陷部12其为相同功能，因此不再进行赘述，但并不以此局限本实用新型。

如图4B所示，第一实施态样的多个第二凹陷部22皆呈现梯形形状，并且直接由第二支架20两侧向内凹设成形，并形成四处的转折处。

如图5B所示，第二实施态样的多个第二凹陷部22所呈现的形状包含有梯形形状、矩形形状以及圆形形状，因此，第二凹陷部22的组合事实上可以选自梯形形状、矩形形状以及圆形形状的组合中任意的组合。

除此之外，自第二支架20两侧透过延伸区23设置第二凹陷部22，延伸区23为自第二支架20两侧直接设置，并于延伸区23底部直接设置第二凹陷部22，透过增加设置的延伸区23借以增加转折处。

如图4B以及图5B所示，在第二凹陷部22为梯形形状并且未设置延伸区23时，第二凹陷部22所产生的转折处为四处，而在第二凹陷部22为梯形形状并且设置延伸区23时，第二凹陷部22所产生的转折处为六处，增加了二处的转折处，其余第二凹陷部22的形状不再进行赘述。

借由延伸区23的设置更能将水气借由虹吸现象将水气聚集于转折处，借此使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，更可以有效的防止发光二极管芯片受到水气渗入的影响。

综上所述，可知本实用新型与现有技术之间的差异在于本实用新型将设置于第一支架以及第二支架两侧的第一凹陷部以及第二凹陷部部分地埋置于胶座内，由于胶座与第一支架以及第二支架两侧分别会产生微小空隙，水气则会借由此空隙渗入；首先，借由第二凹陷部更能增加水气的行进路径，以增加水气渗入至发光二极管芯片的时间，并延长发光二极管芯片的使用寿命；接着，借由所设置的第二凹陷部于第二凹陷部转折处形成虹吸现象，由于产生虹吸现象即可以将水气聚集于第二凹陷部转折处，使得水气难以进一步渗入至发光二极管芯片，可以有效的防止发光二极管芯片受到水气渗入的影响。

借由此一技术手段可以来解决现有技术所存在SMD发光二极管支架结构无法防止水气渗入的问题，进而达成SMD发光二极管支架结构有效防止水气渗入的技术功效。

虽然本实用新型所公开的实施方式如上，惟所述的内容并非用以直接限定本实用新型的专利保护范围。任何本实用新型所属技术领域中技术人员，在不脱离本实用新型所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许的更动。本实用新型的专利保护范围，仍须以所附的权利要求所界定者为准。

Claims (6)

1.一种SMD发光二极管支架改良结构，其包含：

一第一支架，用以固接一发光二极管芯片于该第一支架一端，该第一支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；

一第二支架，该第二支架一端与该发光二极管芯片产生电性连接，该第二支架两侧设置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；及

一胶座，该第一支架及该第二支架所设置的该些至少一第一凹陷部及该些第二凹陷部部分地埋置于该胶座内。

2.如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其中该第一支架以及该第二支架两侧更包含设置至少一延伸区。

3.如权利要求2所述的SMD发光二极管支架改良结构，其中该些第二凹陷部分别设置于该些延伸区。

4.如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其中该些第二凹陷部选自梯形形状、矩形形状以及圆形形状的组合中任意的组合。

5.如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其中自该胶座由外向内先配置该些第一凹陷部，再配置该些第二凹陷部。

6.如权利要求1所述的SMD发光二极管支架改良结构，其中自该胶座由外向内先配置该些第二凹陷部，再配置该些第一凹陷部。

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