CN201294227Y - 发光二极管的导线架结构 - Google Patents

发光二极管的导线架结构 Download PDF

Info

Publication number
CN201294227Y
CN201294227Y CN 200820139415 CN200820139415U CN201294227Y CN 201294227 Y CN201294227 Y CN 201294227Y CN 200820139415 CN200820139415 CN 200820139415 CN 200820139415 U CN200820139415 U CN 200820139415U CN 201294227 Y CN201294227 Y CN 201294227Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact
frame structure
conducting wire
heat
wire frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 200820139415
Other languages
English (en)
Inventor
林士杰
陈立敏
陈咏杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
I Chiun Precision Ind Co Ltd
Original Assignee
I Chiun Precision Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by I Chiun Precision Ind Co Ltd filed Critical I Chiun Precision Ind Co Ltd
Priority to CN 200820139415 priority Critical patent/CN201294227Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201294227Y publication Critical patent/CN201294227Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

本创作是有关一种发光二极管的导线架结构,尤指一种热电分离的发光二极管导线架结构,其主要是包含有一胶座、一正极接点、一负极接点以及一散热基座所构成,其中该胶座具有一中空的功能区,其该正、负极接点设置于该散热基座的两相对应侧,并部分暴露于该功能区中,且该正、负极接点与该散热基座的相邻边于功能区中略呈平行状,且该散热基座的底部具有一散热表面,暴露于该胶座底部表面,而该正、负极接点各向胶座外部延伸有至少一接触面,两接触面与该散热表面可呈共平面或呈高低落差;藉以,构成一热电分离且为双极性,并具有绝佳散热效果以及能提升封装效率的发光二极管的导线架结构。

Description

发光二极管的导线架结构
技术领域
本创作是为一种发光二极管的导线架结构,尤指一种热电分离且为双极性,并具有绝佳散热效果以及能提升封装效率的发光二极管导线架。
背景技术
如图1所示,为一种已知的发光二极管,该发光二极管主要是在一胶座10的功能区11中,形成有两个接点A、B,其中一接点A暴露在功能区11的面积较大,另一接点B所暴露在功能区11的面积则相对较小,其主要该面积较大的接点A,是用以承载一发光晶片50,而另一接点B则是利用一金属线60与发光晶片50进行电性连接,其两接点A、B分别延伸至胶体10外部形成接脚C,进而使该发光二极管得以电性连接于一电路板上。
但,由于该发光晶片50在运作时,会产生热能,功率越高所释放的热能就越大;因此,当该发光晶片50直接固定在接点A上时,该接点A除了进行电能的传递外,尚需进行热能的传递,即热电共体。
只是,此种热电共体结构,容易受到发光晶片50所释放热能的影响,造成散热效率较差,而无法使用较高功率的发光晶片50,进而限制了发光二极管的发展。
因此,如何提供一种可提升散热效率且具有绝佳散热效果以及能提升封装效率的发光二极管的导线架结构,即为本创作中所欲解决的问题。
发明内容
缘此,本创作人乃鉴于上述的种种问题,积多年从事该项产品的研究、设计、制造等丰硕经验,积极投入大量心血及精力加以研创,终于成功的开发出本创作“发光二极管的导线架结构”。
本创作主要目的在于,提供一种热电分离且具有绝佳散热效果以及能提升封装效率的发光二极管的导线架结构。
为达上述目的,本创作发光二极管的导线架结构是可用以承载至少一发光晶片,其主要是包含有一胶座、一正极接点、一负极接点以及一可承载发光晶片的散热基座所构成,其中该胶座具有一中空的功能区,其该正、负极接点设置于该散热基座的两相对应侧,并部分暴露于该功能区中,且该正、负极接点与该散热基座的相邻边于功能区中略呈平行状,而该散热基座是贯穿该胶座,且该散热基座的底部具有一散热表面,暴露于该胶座的底部端缘所形成的底表面上,同时该正、负极接点各向胶座外部延伸有至少一接触面,两接触面与该散热表面可呈共平面或呈高低落差。
上述该正极接点、负极接点以及散热基座是将该胶座的功能区区分成三个区块,且利用胶座将正、负极接点以及散热基座区隔形成绝缘,进而达到热电分离的效果。
此外,该散热基座是贯穿该胶座,使该散热基座的上端表面暴露于该功能区中,而该散热基座的散热表面则暴露于胶座的底部端缘的底表面处,藉以可通过散热表面与空气达到热交换的效果,亦可通过该散热表面与其他散热装置连接,进而达到提升散热效率的效果。
再者,由于当发光晶片承载于散热基座上时,必须与正、负极接点利用金属线进行电性连接,因此,本创作中正极接点与负极接点的双极性设计结构,可使该胶座的功能区中仅暴露有散热基座以及一正极接点以及一负极接点,因此可有效增加该正极接点与该负极接点所暴露的面积,除可提升金属线与正、负极接点连接的面积外,更能确保金属线与正、负极接点有效的连接,避免造成短路的现象,进而提高其封装效率,且可提升封装良率。
附图说明
图1为已知发光二极管的上视图。
图2为本创作的正面立体示意图。
图3为本创作的部分剖面立体示意图。
图4为本创作的背部立体示意图。
图5为本创作的上视图。
图6为本创作散热基座与正负极接点的立体示意图。
图7为本创作的剖面示意图。
图8为本创作第二实施例的剖面示意图。
图9为本创作第三实施例的剖面示意图。
图10为本创作第四实施例的散热基座与正、负极接点的立体示意图。
具体实施方式
兹依附图实施例将本创作结构特征及其他作用、目的详细说明如下:
首先请同时参阅图2、图3及图4所示,该发光二极管的导线架结构,主要是包含有:
一胶座10,具有一中空的功能区11,其底部端缘面形成有一底表面12。
一正极接点20,设于胶座10内部,部分暴露于功能区11中,且延伸至胶体10外侧形成有至少一第一接触面22,本实施例中以两个第一接触面22为最佳实施例,且第一接触面22与正极接点20间利用第一连接部21相互连接。
一负极接点30,设于胶座10内部,部分暴露于功能区11中,且延伸至胶体10外侧形成有至少一第二接触面32,本实施例中以两个第二接触面32为最佳实施例,且第二接触面32与负极接点30间利用第二连接部31相互连接。以及
一散热基座40,设于胶座10内部并介于该正极接点20与该负极接点30间,该散热基座40与该正极接点20及该负极接点30略呈平行且绝缘;此外,该散热基座40是贯穿该胶座10,其上方形成有一上端表面41,下方则形成有一散热表面42,该上端表面41是部分暴露于功能区11中,而散热表面42则暴露于胶座10的底表面12。
又如图5及图6所示,该正极接点20与该负极接点30是设置于散热基座40的相对应两侧,使正极接点20、负极接点30与散热基座40间形成有一间隙,进而利用胶座10填塞于该间隙中,令正极接点20、负极接点30与散热基座40达到绝缘的效果,而将胶座10的功能区11被区隔成三个区块,使该散热基座40与正极接点20及负极接点30的相邻边,于功能区11中呈现略为平行的状态。
此外,该正极接点20、负极接点30以及散热基座40是可为相同厚度或为不同的厚度,于本实施例中是以不同厚度作为最佳实施例;而该正极接点20、负极接点30以及散热基座40,是可利用两块不同厚度的金属板材加以耦合而成,亦可利用具有不同厚度的金属异型材所构成,或是于单一金属板材加工成不同厚度后再予以成型,其不论利用何者方式构成,凡其构成是利用本创作的精神所完成的创作,皆为本创作所保护的范畴。
如,参阅图7所示,当发光晶片50被封装于该胶座10的功能区11内时,该发光晶片50是被承载于该散热基座40的上端表面41处,其最佳的置放位置是在散热基座40的中央位置(本实施例中是以单晶结构为其主要实施例,亦即承载单一发光晶片50;但,在实际运用上,亦可使用一个以上的发光晶片50,形成并联方式,形成多晶结构),再利用两金属线60分别将发光晶片50与正极接点20及负极接点30形成电性连结,使该发光晶片50得以通过正极接点20及负极接点30导入电流后驱动。
当该发光晶片50被驱动运作时,由于该发光晶片50的运作会产生热能,且该发光晶片50是被独立的承载于该散热基座40上,因此,其热能即可通过散热基座40的传递,而被导引到该散热基座40底部的散热表面42,以藉由该散热表面42直接与空气形成热交换作用或是连接一散热装置(图式中未表示),而达到散热的目的,进而构成一热电分离的发光二极管的导线架结构。
此外,在本实施例中,该正极接点20的第一接触面22及该负极接点30的第二接触面32是与该散热基座40底部的散热表面42形成共平面。当然,该第一接触面22及该第二接触面32亦可如图8及图9所示,与该散热表面42形成有高低落差;亦即该散热表面42可高于或低于第一接触面22与第二接触面32,以避免造成导线架在固定于电路板上时,因为锡膏的扩散,而造成短路的现象,进而确保该导线架被固定于电路板上时,得以正常的运作。
最后,请参阅图10所示,其中,该散热基座40与该正极接点20及该负极接点30的相邻边,除略呈平行外,尚可呈相互对应的构型;如图中所示,在该散热基座40的中央位置处的两侧分别向外形成有一凸出部43,而该正极接点20及该负极接点30与该散热基座40的相邻边则各形成有一与该凸出部43相对应的凹陷部23、33,进而使散热基座40与正极接点20及负极接点30的相邻边达到相互对应的构型。
当然,其构型除可相互对应外,亦可呈现不对应的构型,其主要精神在于该散热基座40与该正极接点20及该负极接点30将该胶座10的功能区11区分为三区域,使该发光二极管的导线架形成热电分离及双电极的构型。
综上所述,本创作“发光二极管的导线架结构”的设计,已确具创新性与进步性,技术手段的运用亦出于新颖无疑,且功效与设计目的诚然符合,已称合理进步至明。为此,依法提出新型专利申请,惟恳请钧局惠予详审,并赐准专利为祷,至感德便。

Claims (12)

1、一种发光二极管的导线架结构,是指一种热电分离的导线架结构,用以承载至少一发光晶片,其特征在于,是包含有:
一胶座,具有中空的功能区,其底部端缘形成有一底表面;
一正极接点,设于该胶座内部,部分暴露于该功能区中,且延伸至胶座外部形成有至少一第一接触面;
一负极接点,设于该胶座内部,部分暴露于该功能区中,且延伸至胶座外部形成有至少一第二接触面;以及
一散热基座,设于胶座内部介于该正极接点与该负极接点间,并贯穿该胶座且与该正极接点与该负极接点绝缘,同时该散热基座与该正极接点及该负极接点的相邻边略呈平行,其具有一上端表面及一散热表面,该上端表面部分暴露于该功能区中用以承载至少一发光晶片,而散热表面则暴露于该底表面,并与该第一接触面及该第二接触面形成有高低差。
2、如权利要求1所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该正极接点与该第一接触面间以及负极接点与该第二接触面间分别利用一连接部连接。
3、如权利要求1所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热基座与该正极接点以及该负极接点的相邻边进一步可呈相互对应的构型。
4、如权利要求1或3所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热基座上承载一发光晶片时,其发光晶片是设于该散热基座的上端表面的中央位置处。
5、如权利要求1或3所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热基座上承载复数以上的发光晶片时,其发光晶片是成并联状态。
6、如权利要求1或3所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热表面的高度略低于第一接触面以及第二接触面。
7、如权利要求1或3所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热表面的高度略高于第一接触面以及第二接触面。
8、一种发光二极管的导线架结构,是指一种热电分离的导线架结构,用以承载至少一发光晶片,其特征在于,是包含有:
一胶座,具有中空的功能区,其底部端缘形成有一底表面;
一正极接点,设于该胶座内部,部分暴露于该功能区中,且延伸至胶座外部形成有至少一第一接触面;
一负极接点,设于该胶座内部,部分暴露于该功能区中,且延伸至胶座外部形成有至少一第二接触面;以及
一散热基座,设于胶座内部介于该正极接点与该负极接点间,并贯穿该胶座且与该正极接点与该负极接点绝缘,同时该散热基座与该正极接点及该负极接点的相邻边略呈平行,其具有一上端表面及一散热表面,该上端表面部分暴露于该功能区中用以承载至少一发光晶片,而散热表面则暴露于该底表面,并与该第一接触面及该第二接触面是呈共平面。
9、如权利要求8所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该正极接点与该第一接触面间以及负极接点与该第二接触面间分别利用一连接部连接。
10、如权利要求8所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热基座与该正极接点以及该负极接点的相邻边进一步可呈相互对应的构型。
11、如权利要求8或10所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热基座上承载一发光晶片时,其发光晶片是设于该散热基座的上端表面的中央位置处。
12、如权利要求8或10所述的发光二极管的导线架结构,其特征在于,该散热基座上承载复数以上的发光晶片时,其发光晶片是成并联状态。
CN 200820139415 2008-10-30 2008-10-30 发光二极管的导线架结构 Expired - Fee Related CN201294227Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200820139415 CN201294227Y (zh) 2008-10-30 2008-10-30 发光二极管的导线架结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200820139415 CN201294227Y (zh) 2008-10-30 2008-10-30 发光二极管的导线架结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201294227Y true CN201294227Y (zh) 2009-08-19

Family

ID=41007709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200820139415 Expired - Fee Related CN201294227Y (zh) 2008-10-30 2008-10-30 发光二极管的导线架结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201294227Y (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214647A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 惠州科锐光电有限公司 表面安装器件薄型封装
CN102368497A (zh) * 2011-09-23 2012-03-07 浙江英特来光电科技有限公司 一种led光源
CN102763218A (zh) * 2010-02-12 2012-10-31 欧司朗股份有限公司 用于发光模块的基板和发光模块
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102763218A (zh) * 2010-02-12 2012-10-31 欧司朗股份有限公司 用于发光模块的基板和发光模块
CN102214647A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 惠州科锐光电有限公司 表面安装器件薄型封装
WO2011127636A1 (en) * 2010-04-12 2011-10-20 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
CN102214647B (zh) * 2010-04-12 2016-03-23 惠州科锐光电有限公司 表面安装器件薄型封装
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
CN102368497A (zh) * 2011-09-23 2012-03-07 浙江英特来光电科技有限公司 一种led光源
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201294227Y (zh) 发光二极管的导线架结构
CN104521012B (zh) 晶圆级发光二极管阵列及其制造方法
US9159895B2 (en) Vertical light emitting device and manufacturing method thereof
CN102683534B (zh) 垂直式交流发光二极管器件及其制作方法
CN102135244B (zh) 多发光二极管光源灯件
TW523942B (en) package socket and package legs structure for LED and manufacturing of the same
CN104409617B (zh) 一种倒装led芯片及其制作方法
CN101473452A (zh) 面板形半导体模块
CN209199975U (zh) 一种倒装led芯片
WO2008078880A1 (en) A luminous element having a plurality of cells
CN205508807U (zh) 一种半导体芯片封装结构
TWI307175B (en) Non-substrate light emitting diode and fabrication method thereof
CN105493300B (zh) 板上芯片式发光元件封装及其制作方法
CN217306492U (zh) 一种新型半导体分立器件
CN103094274B (zh) 半导体发光装置
CN216213439U (zh) 一种全彩led显示单元及led线路板
CN102237353A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN202150488U (zh) 一种用于led晶片的贴装结构
CN201681961U (zh) 粗化表面的led封装
CN201594549U (zh) 三维垂直结构的半导体外延薄膜贴片式封装
CN110752278A (zh) 一种发光二极管及其制作方法
US8866002B1 (en) Through wafer via structures for concentrated photovoltaic cells
CN201741719U (zh) 大功率的垂直结构led芯片的封装
CN219778909U (zh) 一种螺旋形倒装cob基板
CN220106574U (zh) 一种多合一led支架、led光源模组及led电子显示屏

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090819

Termination date: 20161030