CN201174588Y - 静电放电电路 - Google Patents

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一种静电放电电路，其用于一输出电路中，防止该输出电路受到一静电破坏，该ESD电路包括：一电压源，用以提供一电压；一ESD箝制电路耦接至该电压源，用以引导一静电放电电流的流向；一PMOS，耦接至该电压源；一NMOS，耦接至该PMOS；一二极管，耦接至该电压源；一输出单元，耦接至该二极管、该PMOS及该NMOS。本实用新型所述的静电放电电路，可以避免静电对电路造成的破坏。

Description

静电放电电路
技术领域
本实用新型有关于一种ESD电路，尤指一种用于输出电路中的ESD电路。
背景技术
在一般电路设计中，由于需要避免因为环境或人体静电对电路造成的伤害，通常会在电路中设置一个电路组，以使整个电路避免因为静电的伤害破坏而减损电路的寿命。
这样的电路通常称为静电放电(ESD；ElectrostaticDischarge)防护电路，在已知技术中，考虑ESD电路设计通常会在电路中装设镇流电阻器(Ballast resistor)，可避免因为电路中的寄生(parasitic)NMOS，因为不正常的打开，因而降低静电保护的等级，在电路中装设镇流电阻器可改善NMOS不正常打开的问题。
但是在大尺寸的输出电路应用上，普遍都有低通导电阻(RDS ON)的需求，但是镇流电阻器会使通导电阻升高，因此在参考通导电阻以及电路布局尺寸所反应出的成本，大尺寸输出电路中一般都是不加或只是加极小的镇流电阻器，因此寄生NPN非常容易有不正常打开的情形发生，而如果发生在大尺寸的ODNMOS(open drain NMOS)，则ESD的问题将会更加的严重。因为此时缺少顺偏二极管，所以会使静电电流必须流经NMOS，从而使NMOS导通的阻抗过高，因而降低了静电防护的表现，另外NMOS如果处于打开的状态下，也会更进一步的将NMOS的栅极电位拉低至接地端，使静电放电防护的表现更差。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种ESD电路，其用于一输出电路中，防止该输出电路受到一静电破坏，该ESD电路包括：一电压源，用以提供一电压；一ESD箝制电路耦接至该电压源，用以引导一静电放电电流的流向；一PMOS，耦接至该电压源；一NMOS，耦接至该PMOS；一二极管，耦接至该电压源；一输出单元，耦接至该二极管、该PMOS及该NMOS。
本实用新型所述的静电放电电路，可以避免静电对电路造成的破坏。
附图说明
图1是显示本实用新型较佳实施例的ESD电路。
具体实施方式
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1是显示根据本实用新型一实施例的ESD电路电路图，请参阅图1，其为具有ESD箝制电路的输出电路电路图，如图1所示，输出电路1中包括ESD箝制电路11，连接于电压源VCC以及接地端12之间，输出电路1另外包括PMOS13，PMOS13的源极耦接于电压源VCC、漏极耦接于输出单元16，以及NMOS14，NMOS14的源极耦接至接地端12，漏极耦接至输出单元16，二极管15的阴极耦接于电压源VCC，输出单元16耦接于二极管15的阳极。因为ESD箝制电路可引导静电电流按照二极管15、电压源VCC、ESD箝制电路11到接地端12的路线行走，因此可以避免静电对电路造成的破坏。
以上所述仅为本实用新型较佳实施例，然其并非用以限定本实用新型的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本实用新型的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
1：输出电路
11：ESD箝制电路
VCC：电压源
12：接地端
13：PMOS
14：NMOS
15：二极管
16：输出单元。

Claims (1)

1.一种静电放电电路，其特征在于，用于一输出电路中，防止该输出电路受到一静电破坏，该静电放电电路包括：
一电压源，用以提供一电压；
一静电放电箝制电路耦接至该电压源，用以引导一静电放电电流的流向；
一PMOS，耦接至该电压源；
一NMOS，耦接至该PMOS；
一二极管，耦接至该电压源；
一输出单元，耦接至该二极管、该PMOS及该NMOS。
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Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Pucheng Science and Technology Co., Ltd.

Assignor: Universal technology (Shenzhen) Co., Ltd.

Contract record no.: 2010990000885

Denomination of utility model: Electrostatic discharge circuit for high speed, high voltage cricuit

Granted publication date: 20081231

License type: Exclusive License

Record date: 20101108

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Universal technology (Shenzhen) Co., Ltd.

Assignor: Pucheng Science and Technology Co., Ltd.

Contract record no.: 2010990000885

Denomination of utility model: Electrostatic discharge circuit for high speed, high voltage cricuit

Granted publication date: 20081231

License type: Exclusive License

Record date: 20101108

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081231

Termination date: 20140328