CN201038156Y - 点式电镀引线框架 - Google Patents

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曹光伟
段华平
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Abstract

一种点式电镀引线框架，包括由芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成，所述的电镀层为在引线框架上呈点状分布。因引线框架上还需电镀金属层及用塑封料封装，且引线框架、电镀层、塑封料由不同的材料制作，材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同，尤其电镀层与塑封料的结合力不理想。现采用点电镀引线框架，仅在小焊点或芯片部进行双点或单点电镀，既满足封装要求又大面积减少了金属电镀层材料的消耗，降低了生产成本又减少了电镀时带来的有害物质排放污染，且增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度。

Description

点式电镀引线框架
技术领域
本实用新型涉及一种引线框架，特别是一种适宜在三极管上使用的点式电镀引线框架。
背景技术
引线框架是制作生产半导体元件的基本部件，还需在其表面大部分地方电镀金属层，再利用树脂塑封芯片固定成一整体的半导体元件。
现有的TO-126引线框架如图3所示，根据装芯片和焊接连接线的需要，其电镀区域覆盖了芯片部1和小焊点2的全部面积，电镀成本高。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种点式电镀引线框架，既能在满足原有封装要求的同时，又增强引线框架与塑封料间的结合力和密封强度，并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境的污染。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：点式电镀引线框架包括由芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成，所述的电镀层为在引线框架上呈点状分布。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于，因引线框架上还需电镀金属层及用塑封料封装，且引线框架、电镀层、塑封料分别由不同的材料制作，各材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同，尤其电镀层与塑封料的结合力不理想，与其这样干脆缩小电镀区域的范围，采用点电镀引线框架，仅在小焊点或芯片部进行点状电镀，相对就增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度，既满足封装要求又大面积减少了电镀层，减少金属镀层材料的消耗，降低了生产成本又减少了电镀时带来的有害物质排放污染。
附图说明
图1、本实用新型双点电镀结构示意图。
图2、本实用新型单点电镀结构示意图。
图3、现有技术结构及电镀层覆盖示意图(电镀区间L)。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步描述。
主体由带通孔的芯片部1，与芯片部1连成整体的中间管脚4和两带小焊点2且与中间管脚4连接在一起的侧管脚3所组成。
电镀金属层，在两侧管脚3上端小焊点2的全部区域内进行点状电镀，电镀层为电镀点5，其形状与小焊点2形状相匹配，电镀点5的大小为完全覆盖着原有的小焊点2，为对称的双点电镀层，如图1所示。
电镀金属层，在芯片部1下端中间需要封装芯片的位置处进行单点电镀，电镀层为电镀点6，电镀点6为方形，边长在1.8～2.2mm范围内，为单点电镀层，如图2所示。

Claims (3)

1.一种点式电镀引线框架，包括由芯片部(1)、小焊点(2)、侧管脚(3)、中间管脚(4)构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成，其特征在于所述的电镀层为在引线框架上呈点状分布。
2.根据权利要求1所述的点式电镀引线框架，其特征在于所述电镀层为在引线框架上的两侧管脚(3)上端小焊点(2)的全部区域的电镀点(5)，电镀点(5)与小焊点(2)形状相匹配，为对称的双点电镀层。
3.根据权利要求1所述的点式电镀引线框架，其特征在于所述电镀层为在芯片部(1)上需要封装芯片地方的方形电镀点(6)，为单点电镀层。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102117792A (zh) * 2011-01-05 2011-07-06 无锡市玉祁红光电子有限公司 三端稳压器框架镀层结构
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WO2014094436A1 (zh) * 2012-12-21 2014-06-26 华为技术有限公司 金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管
US8916970B2 (en) 2012-12-21 2014-12-23 Huawei Technologies Co., Ltd. Method for welding gold-silicon eutectic chip, and transistor

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