CN200979881Y - 大功率发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯具 - Google Patents

大功率发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯具 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种大功率发光二极管光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内，所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。本实用新型还公开了一种具有上述大功率发光二极管光源装置的灯具。

Description

大功率发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯具
【技术领域】
本实用新型涉及发光二极管的封装技术领域，更确切地说，涉及一种大功率发光二极管光源装置的封装结构。
【背景技术】
与本实用新型相关的现有技术可参阅2002年3月27日公开的公开号为CN1341966A的中国专利申请，该实用新型专利申请揭示了一种大功率发光二极管发光装置，请参阅图5所示，该大功率发光二极管发光装置包括至少两个发光二极管芯片1’，并被安装在至少一个反射体2’上，反射体2’被安装在基板3’和散热器4’上，基板3’和散热器4’之间设置有导热胶5’。然而，该技术方案在封装过程中，由于荧光粉沉淀及点胶量不一致等原因，导致单个发光二极管芯片发出的光颜色很难保持一致，从而导致产品的整体光色不均匀，影响了整个发光二极管发光装置的发光效果。
【实用新型内容】
本实用新型所要解决的技术问题是克服上述缺陷，提供一种光色一致性较好的大功率发光二极管光源装置及具有该光源装置的灯具。
本实用新型是通过以下技术方案实现的：本实用新型一种大功率发光二极管光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内，所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。
一种灯具，包括一外壳、若干光源装置及出光板，所述光源装置收容于所述外壳内，所述出光板与外壳相连将光源装置封入外壳中，所述光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内，其特征在于：所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。
与现有技术相比，本实用新型大功率发光二极管光源装置通过在陶瓷基座上直接开设阶梯型凹陷部，使得发光二极管芯片置于第一凹陷部内，同时在发光二极管芯片与第一凹陷部侧面之间的侧面间隙及所述发光二极管芯片上表面与所述第二凹陷部底面之间形成的上表面间隙内分别设置透光材料，从而使发光粉只设置在发光二极管芯片的光出射面上方的第二凹陷部内，在改善光效的同时，也很大程度上的提高了光色一致性。
【附图说明】
图1为本实用新型大功率发光二极管光源装置的局部剖视图。
图2为本实用新型大功率发光二极管光源装置基座的局部放大剖视图。
图3为本实用新型大功率发光二极管光源装置基座上阶梯型凹陷部内装入发光二极管芯片后的局部放大剖视图。
图4为本实用新型大功率发光二极管光源装置基座上阶梯型凹陷部内封入硅胶和荧光分后的局部放大剖视图。
图5为现有技术大功率发光二极管发光装置结构图。
【具体实施方式】
请参阅图1所示，本实用新型一种大功率发光二极管发光装置10包括一陶瓷基座100、散热结构102、连接散热结构102和陶瓷基座100的导热胶101、若干发光二极管芯片3、覆盖所有发光二极管芯片3的透镜8以及用于连接外电源的电连接装置(未示出)，所述发光二极管芯片3与该电连接装置电性连接。
请一并参阅图2、图3及图4所示，所述陶瓷基座100上设置有若干收容发光二极管芯片3的阶梯型凹陷部2，该阶梯型凹陷部2具有由第一凹陷部21和第二凹陷部22形成，所述第一凹陷部21侧面210与底面211围合有一第一收容空间212，所述第二凹陷部22侧面220与底面221围合有一第二收容空间222。
所述发光二极管芯片3安装于所述阶梯形凹陷部2之第一凹陷部21的底面221，所述第一收容空间212大于所述发光二极管芯片3，在第一收容空间212与所述发光二极管芯片3之间形成有一侧面间隙213。所述发光二极管芯片3的上表面30低于所述第二凹陷部22底面221，在所述发光二极管芯片3的上表面30与所述第二凹陷部22底面221之间形成有上表面间隙214。该发光二极管芯片3可以正置或倒置于所述第一收容空间210内。为了提高发光二极管的光效，所述发光二极管芯片3与所述第一凹陷部21之间的侧面间隙213以及所述发光二极管芯片3上表面30与所述第二凹陷部22底面221之间形成的上表面间隙214内均设有透光材料4(在本实施例中，透光材料为高折射率硅胶)，所述透光材料4填充在第一凹陷部21内，该透光材料4形成的上表面40平齐于所述第一凹陷部21的上端面(未标号)与第二凹陷部22的底面221之间的台阶面6。
所述第二凹陷部22形成的第二收容空间220内点入有发光粉5(本实施例为荧光粉)，形成一分布均匀的发光粉层50；该发光粉层50整体覆盖在第一凹陷部21的上方。
所述散热结构102包括基部1020及由该基部1020向外凸伸设置的若干散热片1021构成，1021与基座可以一体成型，当然也可以以热传导方式连接形成。
所述透镜8可以通过覆盖封装材料直接封装形成，也可以用现成的透镜通过常用的连接方式固定连接形成。该等技术为业界习知技术，在此不再赘述。
另外，本实用新型还揭示了一种灯具，该等具内的发光光源为上述大功率发光二极管发光装置10。
本实用新型大功率发光二极管光源装置10通过在陶瓷基座100上直接开设阶梯型凹陷部2，使得发光二极管芯片3置于第一凹陷部21内，同时在发光二极管芯片3与第一凹陷部21侧面210之间的侧面间隙213及所述发光二极管芯片3上表面30与所述第二凹陷部22底面221之间形成的上表面间隙214内分别设置透光材料4，从而使发光粉5只设置在发光二极管芯片3的光出射面上方的第二凹陷部22内，在改善光效的同时，也很大程度上的提高了光色一致性。
以上描述仅为本实用新型的实施例，谅能理解，在不偏离本实用新型构思的前提下，对本实用新型的简单修改和替换，皆应包含在本实用新型的技术构思之内。

Claims (10)

1.一种大功率发光二极管光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内，其特征在于：所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。
2.如权利要求1所述的大功率发光二极管光源装置，其特征在于：所述发光二极管芯片上表面低于所述第二凹陷部底面，所述透光材料填充在第一凹陷部内，该透光材料形成的上表面平齐于所述第一凹陷部的上端面与第二凹陷部的底面之间形成的台阶面。
3.如权利要求1所述的大功率发光二极管光源装置，其特征在于：所述发光二极管芯片与所述第一凹陷部之间的侧面间隙内设有透光材料。
4.如权利要求1所述的大功率发光二极管光源装置，其由特征在于：所述透光材料为高折射率硅胶，所述发光粉为荧光粉。
5.如权利要求1所述的大功率发光二极管光源装置，其特征在于：所述基座由陶瓷材料制成。
6.如权利要求1所述的大功率发光二极管光源装置，其特征在于：还设有一散热结构，在基座和散热结构之间设置有导热胶。
7.一种灯具，包括一外壳、若干光源装置及出光板，所述光源装置收容于所述外壳内，所述出光板与外壳相连将光源装置封入外壳中，所述光源装置，包括一基座、若干发光二极管芯片及一覆盖所有发光二极管芯片的透镜，所述发光二极管芯片分别配置于所述基座上设置的若干凹陷部内，其特征在于：所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的阶梯形凹陷部，所述发光二极管芯片安装于所述阶梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述发光二极管上表面与所述第二凹陷部的底面之间形成的上表面间隙内设有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部内设有发光粉层。
8.如权利要求7所述的灯具，其特征在于：所述发光二极管芯片与所述第一凹陷部之间的侧面间隙内设有透光材料。
9.如权利要求7所述的灯具，其特征在于：所述发光二极管芯片上表面低于所述第二凹陷部底面，所述透光材料填充在第一凹陷部内，该透光材料形成的上表面平齐于所述第一凹陷部的上端面与第二凹陷部的底面之间形成的台阶面。
10如权利要求7所述的灯具，其特征在于：所述透光材料为高折射率硅胶，所述发光粉为荧光粉，所述基座由陶瓷材料制成。
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