CN200955018Y - 微机电模块封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型一种微机电模块封装结构，包含有一基板、一硅芯片、多数根导线以及一封装层；硅芯片设于基板且具有一作用区以及一非作用区，非作用区设于作用区周围，该导线用以连接硅芯片与基板，封装层设于非作用区以及基板之间且包覆非作用区、该导线以及基板局部；通过此，本实用新型微机电模块封装结构运用模造成型(molding)制程封合非作用区取代现有的封盖制程(cap)package)，具有简化制程以及节省成本的特色；此外，本实用新型适用于可暴露的微机电模块，相较于现有技术，具有较佳的适用性。

Description

微机电模块封装结构

技术领域

本实用新型是与微机电模块有关，特别是关于一种用于制作微机电模块的封装结构。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems；MEMS)受到广泛地应用，其为结合光学、机械、电子、材料、物理、生医、化学等多重技术领域的整合型微小化系统的制造技术。随着市场的需求，电子产品以精巧化以及多功能为诉求，微机电模块具有使产品因微小化而提高性能、质量、可靠度以及附加价值的特色。为了提高微机电模块的性能，微机电模块在封装时，必须考虑到机械支持、环境因素如：湿度或腐蚀性物质、电性连接以及耐热程度的问题。

现有微机电模块的封装结构是以封盖制程(cap)package)进行封装；请参阅(图1)，其为微机电模块以封盖制程(cap)package)方式封装的结构示意图，其结构主要是在一基板1上设置一封盖(cap)2，透过该封盖2遮蔽该硅芯片3，通过以达到上述目的；然而，使用封盖制程(cap)package)时会增加制程步骤且提高生产成本；再者，对需要硅芯片于暴露状态下使用的微机电模块，此种封装结构会影响工作效能而不适用。

综上所陈，现有微机电模块封装结构具有上述缺失而有待改进。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种微机电模块封装结构，其具有简化制程以及节省成本的特色。

为达成上述目的，本实用新型所提供一种微机电模块封装结构，包含有一基板、一硅芯片、多数根导线以及一封装层；该硅芯片设于该基板，且具有一作用区以及一非作用区，该非作用区设于该作用区周围；该导线用以连接该硅芯片与该基板；该封装层设于该非作用区以及该基板之间且包覆该非作用区、该导线以及该基板局部。

通过此，本实用新型的微机电模块封装结构运用模造成型(molding)制程封合非作用区取代现有的封盖制程(cap package)，具有简化制程以及节省成本的特色。

通过此，经由以上所提供的实施例可知，本实用新型的微机电模块封装结构运用模造成型(molding)制程封合非作用区取代现有的封盖制程(cap package)，具有简化制程以及节省成本的特色；此外，本实用新型适用于可暴露的微机电模块，相较于现有技术，具有较佳的适用性。

附图说明

图1为现有封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型第一较佳实施例的加工示意图一；

图3为本实用新型第一较佳实施例的加工示意图二；

图4为本实用新型第一较佳实施例的加工示意图三；

图5为本实用新型第二较佳实施例的结构示意图；

图6为本实用新型第三较佳实施例的加工示意图一；

图7为本实用新型第三较佳实施例的加工示意图二；

图8为本实用新型第三较佳实施例的加工示意图三；

图9为本实用新型第三较佳实施例的加工示意图四。

具体实施方式

为了详细说明本实用新型的结构、特征及功效所在，兹举以下较佳实施例并配合附图说明如后：

首先请参阅图2至图4，其是为本实用新型第一较佳实施例所提供的微机电模块封装结构10，其主要包含有一基板20、一硅芯片30、多数根导线40以及一封装层50。

该基板20是选自环氧聚化合物(Epoxy)、有机基板(organicfiber glass substrates)、玻璃纤维板(glass fibre board)、聚氧化二甲基苯(Polyphenylene Ether；PPE)或陶瓷(Ceramic)材质所制成，本实施例中选以陶瓷(Ceramics)质为例。

该硅芯片30设于该基板20，且具有一作用区32以及一非作用区34；其中，该作用区32为薄膜且位于该硅芯片30中央位置，该非作用区34的厚度大于该作用区32的厚度且围合环绕于该作用区32而包围该作用区32。

该导线40连接该基板20与该硅芯片30的非作用区34顶侧。

该封装层50设于该基板20以及该硅芯片30的非作用区34之间的连接处，用以包覆该基板20局部、该非作用区34以及该导线40。

请参阅图2至图4，其是为本实用新型第一较佳实施例所提供微机电模块封装结构10的封装流程，其步骤说明如下：

一.将该硅芯片30的非作用区34固设于该基板20顶侧如图2所示。

二.将该导线40以打线方式连接于该基板20与该硅芯片30的非作用区34顶侧如图3所示。

三.以模造成型(molding)制程封合该硅芯片30的非作用区34，并包覆该基板20局部、该非作用区34以及该导线40且显露该作用区32如图4所示。

经由上述结构，本实施例所提供微机电模块封装结构10运用模造成型(molding)制程封合该非作用区34，以结构而言，本实用新型适用于需要使该作用区32暴露以进行量测的环境，其相较于现有的，具有较佳的适用性；再者，本实用新型能简化加工步序而降低工时，具有简化制程以及节省成本的特色。

请参阅图5，其是为本实用新型第二较佳实施例所提供微机电模块封装结构12，其与第一较佳实施例大体结构相同，同样包含有一基板20、一硅芯片30、多数根导线40以及一封装层50，但，其差异在于，该微机电模块封装结构12更包含有一保护膜60，该保护膜60设于该封装层50顶侧而遮蔽该硅芯片30的作用区32，用以对该硅芯片30的作用区32进行保护。

请参阅图6至图9，其是为本实用新型第三较佳实施例所提供的微机电模块封装结构70，其主要包含有一硅芯片80、多数根导线架90、一传导层100、多数根导线110、一封装层120以及一保护膜130。

该硅芯片80具有一作用区82以及一非作用区84；其中，该作用区82为薄膜且位于该硅芯片80中央位置，该非作用区84的厚度大于该作用区82的厚度且围合环绕该作用区82。

该导线架90布设于该硅芯片80周围。

该传导层100设于该硅芯片80底侧且具有多数根氧化铟锡导电玻璃(Indium Tin Oxide Conductive Glass；ITO Conductive Glass)102以及多数根焊垫104；其中，各该氧化铟锡导电玻璃102位于该传导层100顶段且分别电性连接于设于该硅芯片80的非作用区84底侧，该焊垫104位于该传导层100底段而电性连接相对应的各该氧化铟锡导电玻璃102，使该传导层100可电性连接该硅芯片80与其它组件(图未示)。

该导线110电性连接该硅芯片80的非作用区84顶侧与相对应的各该导线架90。

该封装层120设于该硅芯片80以及该导线架90之间，用以包覆该硅芯片80的非作用区84、该导线架90局部以及该导线110。

该保护膜130设于该封装层130顶侧而遮蔽该硅芯片80的作用区82，用以对该硅芯片80的作用区82进行保护。

请参阅图6至图9，其是为本实用新型第三较佳实施例所提供微机电模块封装结构70的封装流程，其步骤说明如下：

一.先对该硅芯片80底侧预先设置该传导层100，并将该硅芯片80以及该导线架90依预定位置配置如图6所示。

二.将该导线110以打线方式连接该硅芯片80的非作用区84顶侧以及相对应的各该导线架90，如图7所示。

三.以模造成型(molding)制程封合该硅芯片80的非作用区84，并包覆该硅芯片80的非作用区84、该导线架90局部以及该导线110，且显露该作用区32，如图8所示。

四.将该保护膜130设于该封装层130顶侧而遮蔽该硅芯片80的作用区82，如图9所示。

经由上述结构，本实施例所提供的微机电模块封装结构70，其主要揭示微机电模块透过该导线架90电性连接于外界的实施方式，其与第一较佳实施例中以该基板20电性连接于外界的方式不同，而同样可达到前述实施例所能达成的功效。

综上所陈，本实用新型于前揭实施例中所揭露的构成组件，仅是为举例说明，并非用来限制本实用新型的保护范围，其它等效组件的替代或变化，亦应为本实用新型的权利要求保护范围所涵盖。

Claims (14)

1.一种微机电模块封装结构，其特征在于，包含有：

一基板；

一硅芯片，设于该基板，且具有一作用区以及一非作用区，该非作用区位于该作用区周围；

多数根导线，用以连接该硅芯片与该基板；以及

一封装层，设于该非作用区以及该基板之间且包覆该非作用区、该导线以及该基板局部。

2.依据权利要求1所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该封装结构包含有一传导层，设于该基板与该硅芯片之间，用以连接该基板与该硅芯片。

3.依据权利要求2所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该传导层具有多数根氧化铟锡导电玻璃，其设于该基板与该硅芯片之间，用以电性连接该基板与该硅芯片。

4.依据权利要求2所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该传导层具有多数根焊垫，其设于该基板与该硅芯片之间，用以电性连接该基板与该硅芯片。

5.依据权利要求1所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该作用区为薄膜且位于该硅芯片中央位置。

6.依据权利要求1所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该封装结构包含有一保护膜，该保护膜设于该封装层而遮蔽该作用区。

7.依据权利要求1所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该基板是选自环氧聚化合物、有机基板、玻璃纤维板、聚氧化二甲基苯或陶瓷材质所制成。

8.依据权利要求1所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该基板为层迭结构。

9.一种微机电模块封装结构，其特征在于，包含有：

一硅芯片，且具有一作用区以及一非作用区，该非作用区位于该作用区周围；

多数根导线架，设于该硅芯片周围；

多数根导线，用以连接该硅芯片与该导线架；以及

一封装层，设于该非作用区以及该导线架之间，用以包覆该非作用区、该导线以及该导线架局部。

10.依据权利要求9所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该封装结构包含有一传导层，设于该硅芯片底侧，用以电性连接其它组件。

11.依据权利要求10所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该传导层具有多数根氧化铟锡导电玻璃，用以电性连接该硅芯片与其它组件。

12.依据权利要求10所述微机电模块封装结构，其特征在于，该传导层具有多数根焊垫，用以电性连接该硅芯片与其它组件。

13.依据权利要求9所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该作用区为薄膜且位于该硅芯片中央位置。

14.依据权利要求9所述微机电模块封装结构，其特征在于，所述该封装结构包含有一保护膜，该保护膜设于该封装层而遮蔽该作用区。

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