CN1997941A - 判断光刻系统的照射器的照射强度轮廓的装置及方法 - Google Patents

Abstract

一种产生照射器(14)的照射强度轮廓的系统(30)及方法，该照射器(14)形成投射光刻系统(10)的一部分。投射由该照射器产生的辐射至具有多个开孔(34)的照射轮廓掩膜(32)上，使得每个开孔都递送该辐射的特定部分。检测辐射的每个特定部分的强度，然后组合而形成照射强度轮廓。

Description

判断光刻系统的照射器的照射强度轮廓的装置及方法

技术领域

本发明大体上关于集成电路制成领域，详言之，为关于一种用来特征化照射器的照射强度轮廓的装置及方法，该照射器例如为使用于集成电路产品形成光学光刻系统的一部分的照射器。

背景技术

于晶片上各种集成电路(IC)结构的制造通常依赖于光刻工艺，有时称之为光学光刻术(photolithography)，或简称为光刻(lithography)。众所周知，光刻工艺可用以转移光屏蔽(photomask)(这里也称作掩膜(mask)或屏蔽(reticle))之图案至晶片上。

例如，藉由传送光能量通过掩膜，而从配设于该晶片上的光刻胶层形成图案，该掩膜具有将所需要的图案成像于光刻胶层的配置。因此，该图案转移至该光刻胶层。在光刻胶经过充分曝光，并经过显影周期后的区域，该光刻胶材料变成为可溶性的，从而可以方便去除该光刻胶并选择性曝光底层(例如半导体层、金属或包含金属层、介电层及硬质掩膜等等)。该光刻胶层曝光未达到光能临限值的部分将不会被去除，从而可用来在晶片的进一步工艺中(例如蚀刻该底层已曝光部分，将离子植入晶片中等)保护该底层。其后，可以去除该光刻胶层的剩余部分。

IC制造中有个普遍的趋势即提高各种已排列好的结构的密度。例如，日益减小特征结构尺寸、线宽及特征尺寸与线之间的分隔。又如，提出采用大约45nm至大约65nm之间的关键尺寸节点。

在这些次微米工艺中，产量会受到光学邻近效应及光刻胶处理等因素的影响。用于光刻胶上方成像所期望的图案的设备的性能对于最终的集成电路的品质及其图像逼真度均有很大影响。因此，希望能特征化或量化光刻设备性能。同时，光刻胶成像通常用于量化光刻设备性能。然而，这项技术相当不够精确，而且不能有效地特征化光刻系统的个别次组件，例如用于与步进机或扫描仪连接的照射器。

因此，如何改善光刻设备的某些特征结构的特性的装置及方法，尤其是如何改善集成电路制造以弥补此类设备的变化性能，实乃目前亟需解决的课题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种判定投射光刻系统的照射强度轮廓的方法(illumination intensity profile，照射强度分布曲线，本文中称为照射强度轮廓)，该轮廓系横跨于对应期望晶片曝光位置的平面上。该方法包括：放置照射轮廓掩膜于由照射器所界定的照射场中，该照射轮廓掩膜具有多个开孔(operture)，而且每个开孔都供由照射器所产生的辐射输出的特定部分穿过；放置传感器阵列于该照射场中，用以分别检测每个辐射的特定部分；以及依据传感器阵列的检测结果，建立该照射强度轮廓。

本发明的另一目的在于提供一种产生照射器的照射强度轮廓方法，该照射器形成投射光刻系统的一部分。该方法可包括，投射由该照射器产生的辐射至具有多开孔的照射轮廓掩膜，使得每个开孔都递送该辐射的特定部分；检测辐射的每个特定部分的强度；以及依据强度检测结果，组合该照射强度轮廓。

本发明的又一目的在于提供一种产生照射器的照射强度轮廓系统，该照射器形成投射光刻系统的一部分。该系统可包括：具有多个开孔的照射轮廓掩膜，该掩膜安置于该照射器的照射场中，使得每个开孔递送由该照射器产生的辐射的特定部分；以及具有感光区的传感器阵列，安置于测量平面上，用以分别检测每个辐射特定部分的强度。

本发明的再一目的在于提供一种光学邻近效应校正(OPC)方法，藉由光学光刻技术而于晶片中实施对应层的集成电路布线。该方法可包括：提供该布线；使用OPC程序校正该布线，用以补偿由于照射器的照射强度轮廓内所包含的变更而预计会遭受的光学失真(distortion)，该照射器形成投射光刻系统的一部分；输出已校正的布线，用以配合在屏蔽制作中的使用。

附图说明

藉由以下的图式说明本发明的各种特征，其中：

图1为显示本发明的集成电路工艺配置的示意方块图；

图2为显示本发明中用来特征化集成电路工艺配置的照射器组件的测量组合的示意方块图；

图3为显示用来特征化照射器组件的照射轮廓掩膜部分；

图4为显示可执行光学邻近效应校正(OPC)仿真工具的计算机系统；以及

图5为显示OPC仿真工具操作的实施范例的高阶流程图。

具体实施方式

以下本发明的详细说明中，不同的实施例中各组件只要相同，则对应的标号也相同。为使本说明书简洁易懂，将不必按比例绘制图式，某些特征结构系以示意的方式显示。

本发明提供一种照射器的特征化行为的方法及系统，该照射器系用作为光刻成像组装之辐射源。详言之，该方法及系统系用以产生光刻工艺组合的照射强度轮廓(这里也称作照射器轮廓)。此种照射强度轮廓能用于，例如，特征化交叉场(cross-field)成像性能。而且，使用光学邻近效应校正(OPC)方式来校正希望的布线(例如，对应于集成电路的层)，至少可以部分补偿由于照射器轮廓的变化造成的失真。因此，该照射器轮廓可以视为于照射器的输出中的失真模型，而且当该照射器的输出通过屏蔽传递时，也可用于预测最终图案的失真。

本发明于预备工艺的具体实施例中，提供了最终图案化形成部分集成电路的材料层(例如，多晶硅闸极或字符线层、介电层、源极/汲极层、金属互连层及接触层等)。集成电路范例包括由数以千计或数以百万计的晶体管、闪存阵列或其它专用电路所制成的通用处理器。然而，熟悉此技术的人士可了解到此处所述的方法、软件工具及设备也可用于使用光学光刻的任何对象，例如，微机械、磁盘驱动器头、基因芯片以及微电子机械系统(MEMS)等等的制造流程中。

如图1所示者用以说明本发明之集成电路工艺配置范例的示意方块图，该配置包括用以于晶片12或其中的一个区域上形成图案的光刻系统10。该系统10可以为，例如，步进及重复机(步进机)曝光系统或步进及扫描仪(扫描机)曝光系统，但是不以此等范例系统为限。该系统10可包括辐射(例如光)源，或把能量16导向屏蔽18的照射器14。该照射器14可以是任何形式的照射器14，用于光学光刻工艺中，包括设计用以增强分辨率的照射器，当然并不以此为限。分辨率增强技术(RET)可采用多极照射器(例如，偶极或四极)、环形照射器等等。该屏蔽18定义了光学屏蔽平面20。能量16可以具有，例如，深紫外线波长(例如，大约248nm或大约193nm)或真空紫外波长(例如，大约157nm)，但是可以使用其它的波长，包括远紫外(extremeultraviolet)波长。

屏蔽18选择性地阻隔(或者于一些例子中，选择性地反射)该能量16，使得由该屏蔽18定义的能量图案22转移至晶片12。成像子系统24，例如，步进机装配或扫描仪装配，依序地将从屏蔽18传送过来的能量图案22导向晶片12上一连串的所希望位置。该成像子系统24可以包括透镜及/或反射镜，用以缩放比例及将能量图案22以成像能量图案或照射剂量26的形式导向晶片12。该照射剂量26可以聚焦于成像平面28上，该平面28一般与所期望得到照射剂量的晶片12位置相一致，因此该位置通常称作理想的晶片曝光位置。应了解到，使该照射剂量26达到最好的聚焦点的成像平面28位置一般是与晶片12的上表面位置相一致的地方(例如，对应光刻胶层上表面的成像平面形成晶片的一部分，而使得该理想晶片曝光位置为合成光刻胶层、集成电路层及基板的上表面)。或者，该成像平面28可以位于该晶片12的上表面的下方，例如，位于受照射剂量26曝光的光刻胶层中。于另一个实施例中，该成像平面28可以位于实际晶片12上方，包括已曝光的光刻胶层。

参阅图2，显示可用以特征化该光源14输出的照射强度轮廓的范例测量组合30。该组合30包括该照射器14。该照射器将能量16导向照射轮廓掩膜32。

参阅图3，显示范例照射器轮廓掩膜32的部分。该照射器轮廓掩膜32可包括开孔34(例如针孔开孔)的矩阵。于一个实施例中，开孔34具有相对大小的开口并且相互间是间隔开的，使得衍射干扰不会大幅地影响通过任一开孔34传送的辐射的照射强度。例如开孔34的直径可以大约为10μm，X轴和Y轴方向间距大约为1.0mm。于一个实施例中，该开孔34的大小大约为与其它任一开孔距离的1/100。于一个实施例中，该开孔34的直径大约为10μm至2000μm。显然，开孔34的大小可以根据照射器轮廓测量过程中系统进行集成时所需的辐射量而予选择。

该照射器轮廓掩膜32可由例如具有形成开孔34的石英基板及铬层的掩膜板的标准遮掩膜板(reticle mask blank)制成。本说明中描述的开孔34为圆形，但是开孔34可以有其它的形状，例如椭圆形、矩形等等。

该照射器轮廓掩膜32选择性地阻隔能量16，而使得测试图案36由该照射器轮廓掩膜32传送。于一个实施例中，该测试图案36包括来自能量16的特定辐射部分。每个辐射特定部分能对应照射器轮廓掩膜32的其中一个开孔34。

该测试图案36可通过聚焦光件38。该聚焦光件38将由该照射器轮廓掩膜32传送的测试图案36以聚焦测试图案36′的方式导向于传感器阵列40。从照射器14至传感器阵列40的区域，该区域有从照射器14放射出来的辐射贯穿(例如任何形式的能量16、测试图案36及聚焦测试图案36′)于其中，而被视为照射场。

于一个实施例中，该聚焦光件38可以为光刻系统10(第1图)的成像子系统24。于另一个实施例中，该聚焦光件38系由一个或多个例如透镜的光学组件组成。于再一个实施例中，该聚焦光件38可包括该成像子系统24及附加的光学组件。有些情况中，采用由例如一个或多个透镜之较的成像子系统24为非常简单的架构组成的聚焦光件38的方案更可取，有利于减少测量过程中导入至测量图案36的失真。该聚焦光件38的性能系可通过例如测试或由该聚焦光件38的生产商提供的数据而获知。照射器轮廓的测量结果系可调节的，用以减少也许由该聚焦光件38所引入的任何失真，譬如系藉由执行减少或移除由聚焦光件38从侦测之辐射图导引入之失真之软件程序来达成。

于本具体实施例中，测量该照射轮廓于对应于成像平面28之处，例如于已聚焦照射剂量24以暴露晶片12接受光刻工艺的平面处。因而，传感器阵列40的检测组件被设置于测量平面42中。依于光刻工艺过程关于晶片12所期望焦点的关系，于其上测量照射器轮廓之该测量平面42，能够将所谓的相对物理位置对应至晶片12的上表面对应至晶片12内(例如光刻胶层内)的平面、或是对应至晶片12上方的平面。将于下文中更容易明白，于该照射强度轮廓的特征化过程中，该测量平面42的位置系可不同于该测量组合30的测试图案成像平面44的位置。于下文中将更详细地讨论，于对应该焦点上成像平面28处测量照射轮廓，能够包括制造不在焦点上成像的该照射轮廓掩膜32。

于本实施例中，该传感器阵列40可以为光传感器阵列，该检测组件可以为多个感光区。如图所示，该测试图案36及如此对应的聚焦测试图案36′可包括对应于该照射器轮廓掩膜32的开孔34的辐射特定部分。于一个实施例中，特定的感光区可作为传感器阵列40的一部分用于辐射的各特定部分。以这种方式，由各个开孔34传送的辐射强度可单独测量。辐射特定部分的各个测量结果可以以照射强度轮廓方式组合，并可获知横跨整个照射场的强度变化。于一个实施例中，用于照射器14的该组合照射场强度轮廓可以映像成虚像。例如，由其中一个开孔34传送的照射场的特定部分与在传感器阵列40的对应特定感光区上所测量的照射强度可形成相互关系，照射场的如此部分投射于该传感器阵列40上。于一个实施例中，入射照射传感器阵列40的测量经过一段时间，例如约100μs至约100ms之间。对于步进机系统，由于保留于传感器阵列40的阶段系周期移动来扫描该照射器轮廓，因此测量结果的综合时间(integration time)会相对大些。对于扫描系统，阶段系持续移进的，倾向于减少综合时间。然而，使用多重扫描，有利于提高讯号对噪声比。

如前所述，照射强度轮廓的特征化过程中，该测量平面42之位置可相异于该测量组合30的测试图案成像平面44。该测试图案成像平面44系由该照射轮廓掩膜32建立的图像聚焦于此的平面。于一个实施例中，该聚焦光件38配置成具有相对大的正散焦(positive defocus)，从而使该测试图案成像平面44与该测量平面42间隔开。例如，该聚焦光件38可聚焦该测试图案成像平面44，而该成像平面44距该传感器阵列40的测量平面42约50μm至5000μm距离。散焦量能相关于开孔34的大小。于一个例子中，该开孔34能具有约30μm的直径，并且该聚焦光件38可位于距该传感器阵列40的测量平面42约50μm处的测试图案成像平面44。于另一个例子中，该开孔34能具有约1500μm的直径，且散焦可达大约3400μm。

显然，藉由测量由位于该照射场的屏蔽平面20不同位置的开孔34传送的图像强度，可以建立横跨该照射场的照射器轮廓。此测试可形成用于特征化整个光刻系统10的一组测试的一部分，测试结果可用于工具控制及/或光刻系统10的匹配。该照射器轮廓测量过程系自动的。于另一个实施例中，该照射器轮廓掩膜32的功能可以藉由光刻系统10的可程序化开孔，例如步进机组件的可程序开孔而实行。于包含扫描仪之光刻系统10中，可使用软件程序来平均如上所述的沿着扫描方向建立扫描仪用之照射器轮廓的“静态”照射器轮廓。

如上述，当屏蔽用来成像晶片，于布线于屏蔽上而试图增进影像逼真度之前，光学邻近效应校正，或OPC，可用于制备期望的布线。一般而言，目前的OPC技术包含执行带有OPC描述语言程序(script)的OPC软件程序。该OPC程序/描述语言程序执行计算机仿真，该仿真取得具有相关期望图案信息的初始资料组，并执行该资料组以获取已校正的资料组，以便补偿例如光学邻近效应及光刻胶处理的因素。一些更为普遍的技术包括线段末端回折(pullback)、圆角及线宽变化。这些技术大部分依赖于局部图案密度及拓扑。依照已校正的资料组可制成该屏蔽。简言之，该OPC工艺可由一组光学规则(例如，采用固定规则进行资料组几何操作之“基于规则的OPC”)、一组建模原则(例如，采用预定性能资料以驱动资料组几何操作的“基于模型的OPC”)、或为基于规则的OPC及基于模型的OPC的混合组合来操纵。

参阅图4，显示本发明之可执行光学邻近效应校正(OPC)仿真工具52的计算机系统50的方块示意图。为辅助该OPC校正工艺，计算机系统50可存放照射轮廓54。该照射轮廓54可采用任何适当的格式，该格式包括例如与OPC仿真工具关联执行的描述语言程序、照射器轮廓建模资料、OPC规格、OPC规则以及这些格式之组合。于一个实施例中，该OPC仿真工具52及/或该照射器轮廓54以一种或多种计算机可读格式体现，该格式包括数据库结构、计算机程序(例如，一个或多个包含可执行代码编译的应用软件)等等。该计算机可读格式以例如磁性或光储存装置(例如硬盘、光盘(CD-ROM)、数字式视频光盘(DVD-ROM)等等)的计算机可读媒介加以表现出来。

该照射器轮廓54可以通过任何有效方式获取，包括例如如上所述的采用照射轮廓掩膜及传感器组合的技术。其它技术可包括例如利用照射器的设计来仿真照射轮廓之光线追踪程序。可选择使用，该照射器轮廓54可结合关于成像子系统24性能之信息，以建立用于照射器系统10的成像模型。应了解到，该照射器轮廓54及/或用于照射器系统10的成像模型包含横跨该照射器场的照射器强度的变化。结果，由照射器轮廓54及/或成像模型获取的OPC校正模型将会依赖于照射器场位置。由下文中将更清楚了解，当该OPC模型应用到空间“平面(flat)”布线设计资料时(例如，假设横跨该照射场照射器强度没有变化的设计资料)，该预期布线便可接收依赖OPC校正的像场。因此，依据已校正的资料组，可制成更精确的屏蔽。

使用照射器轮廓54执行该OPC仿真工具28，该计算机系统50可包括一个或多个处理器56，该处理器56用于执行运行特定逻辑程序的指令。另外，该计算机系统50可具有用来存储资料、软件、逻辑程序指令、计算机程序、档案、操作系统指令等的内存58。该内存58可包括多个设备并且包括例如挥发性及非挥发性内存组件。本实例中，该内存58可包括例如随机存取内存(RAM)、只读存储器(ROM)、硬盘、软盘、光盘(例如，CD-ROM、DVD-ROM、CD-RW等)、磁带及/或其它存储元件、加上用于这些内存类型的关联驱动器及播放器。使用本地接口60耦接处理器56及内存58。该本地接口60可以为例如附带控制总线的数据总线、网络、或其它子系统。

该计算机系统50可具有各种视频及输入/输出接口62和一个和多个通信接口64。该接口62可用于耦接计算机系统50至各种例如显示器(例如，阴极射线管显示器或液晶显示器)、键盘、鼠标、麦克风、摄像头、扫描仪、打印机、喇叭等的外围设备及网络设备。该接口64可包括例如调制解调器及/或网络适配卡，并可以令计算机系统26通过例如网际网络、广域网络(WAN)、局域网络(LAN)、直接数据链接或类似的有线或无线系统的外部网络收发资料信号、声音信号、视频信号等。

该内存58储存由处理器56执行的操作系统(未图标)，用以控制计算机系统50的资源分配及使用。详言之，该操作系统控制该内存58的分配与使用，该处理器56的处理时间专用于各种由处理器56、外围设备及执行其它功能的设备所操作的器件。以这种方式，熟悉此技术的人士均可知该操作系统可作为例如OPC仿真工具52的设备的基础。

参阅图5，显示OPC仿真工具52的操作实施例流程图。图5的流程图可视为于计算机系统50中执行的方法66的说明步骤。

该方法66系用于说明该OPC仿真工具52的实施例，于方块68开始该方法，提供已校正之期望布线。该布线以电子数据库来具体实施，用表征例如GDSII文件的几何资料的格式来表示。用以表征布线的电子档案通常称作“技术性档案”或“技术档案”。因此，用于方块68中提供的期望布线的电子档案也可称作设计资料技术档案。

接着，于该方法66的方块70中，该期望布线采用OPC来校正于晶片成像过程中产生之失真，该晶片包含由照射器轮廓54的变化引起的失真。简言之，该OPC工艺可包括使用边缘布置误差(EPE)值作为基准而反复改进该所希望布线用于补偿工艺。例如，将该期望(或目标)图案的特征构造及线路分裂成边缘片段(或边缘片断)。

基于规则及/或基于模型处理该片段的资料组，使得该资料组接收依赖OPC校正的像场，以校正包含于照射器轮廓54的特定变化。作为校正工艺的一部分，该边缘片段可以向内或向外移动。然后，藉由操作图案于晶片上的仿真“成像”(或“转印”)来执行仿真，以判定该预测配置的边缘。该预测边缘与他们所期望的配置相比较；以及当以容许的限制将该测试图案的转印仿真会聚于该期望布线时，该OPC程序能够结束。最终，该OPC仿真工具能以例如最终掩膜技术档案的形式输出已校正的图案。

其后，于该方法66的方块72中，由该最终掩膜技术档案定义的布线可用以制作相对应的屏蔽。例如，该计算机系统50可将该最终掩膜技术档案转移至图案产生器74(图4所示)。反过来，该图案产生器74可以将最终掩膜技术档案定义的图案写入掩膜板76(图4)，然后加工该掩膜板76并使用适当之屏蔽制造技术形成最终屏蔽。于一个实施例中，该最终掩膜技术档案系透过通信接口64传送。于另一个实施例中，该最终掩膜技术档案系储存于计算机可读取媒介中，并加载到该图案产生器。基于方块72中制造的屏蔽的制成，使用方块72的屏蔽成像制成集成电路的晶片，便于方块78中制成集成电路。例如，该屏蔽可加载该光刻系统10及包含光刻胶层的晶片12中，使用该照射器14产生的辐射曝光该屏蔽。熟悉此技术的可了解到，可采用其它工艺来形成该成像光刻胶以及采用图案光刻胶作为例如蚀刻掩膜或植入掩膜来加工期望的晶片。

于集成电路制造过程中，采用于方块70中制成的用于校正的相同的或同类型的照射器，将该屏蔽的图案成像于该晶片。以此种方式，使用能说明照射强度轮廓54的技术和技术档案资料，可制成改进的集成电路。

应了解到，对方法66的变化系可能的，而这些变化均应为本发明的范畴所涵盖。例如，用以说明该照射强度轮廓的OPC校正可分别由习知用来补偿例如光学干扰因素的OPC校正制成。另一方面，该设计资料技术档案可使用对应于该照射强度轮廓的传输函数进行“预矫正(predistorted)”(例如，过滤)。其后，该预矫正的图案资料可以采用习知OPC技术进行校正。

众所周知，以习知方式，OPC通常于一个时间段及布线的小区域内执行。虽然本发明的流程图未予显示说明，但是熟知此技术的人士依据一组的OPC规格可以了解到，工艺回路能以区域的方式包含于后续的工艺布线，直至布线的所有区域均分别得到校正为止。

虽然已以特定次序步骤例示性说明采用照射器轮廓54的OPC处理方法，但是任何熟习此项技艺的人士均可了解到任何运用本发明所揭示的内容而完成的改变均应为本发明的范畴及后述的权利要求所涵盖。例如，某些图标方块及/或步骤可以删除。另外，其它的方块及/或步骤可予以添加。各种方块及/或步骤的执行次序可不同于上述的次序。再者，某些方块及/或步骤可予以同步或部分同步执行。

本发明的特定实施例已作了详细说明，但是并非用来限制本发明的范畴。任何等效的修饰与改变均应落入后述的权利要求所列的精神与技术范畴内。

Claims (10)

1.一种判定投射光刻系统(10)照射强度轮廓的方法，该光刻系统(10)横跨于对应所期望晶片(12)曝光位置的平面，该方法包括：

放置照射轮廓掩膜(32)于由照射器(14)定义的照射场中，该照射轮廓掩膜具有多个开孔(34)，而且每个开孔都供由该照射器所输出的辐射特定部分穿过；

放置传感器阵列(40)于该照射场中，以分别检测辐射的各特定部分；以及

依据该传感器阵列的检测结果，建构该照射强度轮廓。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该传感器阵列包括多个特定感光区，每个感光区对应辐射的特定部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括，放置聚焦光件(38)于介于该照射器与该传感器阵列之间的照射场中，其中，该聚焦光件包括至少一个透镜，用以将该照射轮廓掩膜的成像进行正散焦。

4.根据权利要求1至3的任何一项所述的方法，还包括，聚焦该照射轮廓掩膜的成像于距离该传感器阵列的测量平面约50μm至约5000μm处。

5.根据权利要求1至4的任何一项所述的方法，其中，每个开孔的尺寸及位置的设置要参照其它开孔，从而使得辐射的各特定部分不会包含显著的衍射干扰成分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，每个开孔的大小至少小于与其它任一开孔距离的1/100。

7.根据权利要求1至6的任何一项所述的方法，还包括：

提供对应于层的集成电路布线，该层通过光刻技术而实施于晶片中；以及

使用光学邻近效应校正程序校正该布线，以补偿预测将遭受到的包含于建构的照射强度轮廓内的变化结果的光学失真。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

依照已校正的布线制作屏蔽；以及

使用屏蔽成像光刻胶材料层，从而制作集成电路。

9.一种产生照射器(14)的照射强度轮廓的方法，该照射器形成投射光刻系统(10)的一部分，该方法包括：

投射由该照射器产生的辐射至具有多个开孔(34)的照射器轮廓掩膜(32)，使得每个开孔递送该辐射的特定部分；

检测每个辐射的特定部分的强度；以及

依据检测的强度结果，组合该照射强度轮廓。

10.一种用来产生照射器(14)的照射强度轮廓的系统(30)，该照射器形成投射光刻系统(10)的一部分，该系统包括：

具有多个开孔(34)的照射器轮廓掩膜(32)，该照射器轮廓掩膜(32)设置于该照射器的照射场中，使得每个开孔递送由该照射器产生的辐射的特定部分；以及

具有感光区的传感器阵列(40)，这些感光区设置于测量平面上，用以分别检测辐射的各特定部分的强度。

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