CN1989606A - 晶片检验用各向异性导电性连接器及其制造方法和其应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种晶片的被检验电极即使以小间距高密度加以配置，也能可靠地达到所需的电气连接，可能以低成本制造的晶片检验用各向异性导电性连接器和其制造方法及其应用。本发明的连接器包括与晶片上被检验电极所配置的电极区域对应形成了多个开口的框架板、和象堵塞该开口一样配置的多个弹性各向异性导电膜，弹性各向异性导电膜是这样得到的：与被检验电极对应配置的沿厚度方向伸长的多个连接用导电部，用绝缘部相互进行绝缘、通过激光加工被脱模性支承板上支承的导电性弹性体层，使之形成多个连接用导电部、使连接用导电部浸入到象堵塞框架板开口一样形成的液状绝缘部用材料层中，硬化处理绝缘部用材料层。

Description

晶片检验用各向异性导电性连接器及其制造方法和其应用

技术领域

本发明涉及一种在晶片状态下对晶片上形成的多个集成电路进行电气检验要使用的晶片检验用各向异性导电性连接器及其制造方法、具有该晶片检验用各向异性导电性连接器的晶片检验用探测器构件，以及具有该探测器构件的晶片检验装置和使用该探测器构件的晶片检验方法。

背景技术

一般地说，在半导体集成电路装置的制造工序方面，例如由硅构成的晶片上形成多个集成电路，而后，通过对这些集成电路各自检验基础性的电气特性，实行筛选有缺陷集成电路的探测试验。接着，通过切断此晶片而形成半导体芯片，将该半导体芯片安装在适合的封装内加以密封。进而，对封装后的各个半导体集成电路装置，经过高温环境下检验其电气特性，实行筛选有潜在缺陷集成电路的老化试验。

就这样的探测试验或老化试验等的集成电路电气特性检验而言，为了把检验对象物上的被检验电极各自电气连接到测试器上就要使用探测器构件。就这样的探测器构件来说，大家都知道是由按照与被检验电极图形对应的图形形成了检验电极的检验用电路基板和该检验用电路基板上所配置的各向异性导电性弹性体片组成的。

就这样的各向异性导电性弹性体片来说，以往，都知道有各种各样的构造，例如在专利文献1等上，公开了一种在弹性体中均匀分散金属粒子而得到的各向异性导电性弹性体片(下面，称为“分散型各向异性导电性弹性体片”)，而且，专利文献2等上，公开了一种采用在弹性体中不均匀分布导电性磁性体粒子的办法，形成沿厚度方向伸长的多个导电部和使其相互绝缘的绝缘部的各向异性导电性弹性体片(下面，称为“偏在型各向异性导电性弹性体片”)，还有，专利文献3等上，公开了一种在导电部表面与绝缘部之间形成了台阶的偏在型各向异性导电性弹性体片。

这些各向异性导电性弹性体片之中，偏在型各向异性导电性弹性体片因为是按照与应检验集成电路的被检验电极图形对应的图形来形成导电部，跟分散型各向异性导电性弹性体片相比较，即使对于被检验电极的排列间距即相邻被检验电极的中心之间距离小的集成电路等，在能够以高可靠性达到电极间电气连接这方面也是有利的。因此，在被检验电极间距小的半导体集成电路装置的探测试验或老化试验中使用偏在型各向异性导电性弹性体片。

至于对晶片上所形成的集成电路进行探测试验，从来，都采用把晶片划分为多个集成电路之中例如16个或32个集成电路形成的多个区域，对其区域内所形成的全部集成电路一并进行探测试验，顺序对其它区域内形成的集成电路进行探测试验的方法。近年来，为了提高检验效率，降低检验成本，要求对晶片上形成的多个集成电路之中例如64个、128个或者全部的集成电路一并进行探测试验。

另一方面，至于老化试验，因为作为检验对象的集成电路装置既微小又不便操作，由于一个个进行多个集成电路的电气检验需要很长的时间，因此，检验成本就相当高。根据这个理由，提出对晶片上形成的多个集成电路，以晶片的状态一并进行其老化试验的WLBI(Wafer Level Burn-in：晶片状态老化)。

可是，作为检验对象的晶片是，例如直径8英寸以上的大型晶片，其被检验电极数为例如5000个以上，特别是10000个以上时，因为各集成电路上的被检验电极间距极其之小，将偏在型各向异性导电性弹性体片用于探测试验或WLBI试验的话，就存在如下的问题。

(1)为了检验直径为例如8英寸(约20cm)的晶片，作为偏在型各向异性导电性弹性体片，就需要使用其直径约8英寸的片。这样的偏型各向异性导电性弹性体片虽然整个面积相当大，但是各导电部却微细，导电部表面占有该偏在型各向异性导电性弹性体片表面的比率很小，所以可靠地制造该偏在型各向异性导电性弹性体片极其困难。因此，在各向异性导电性弹性体片的制造方面，极度降低成品率的结果，使各向异性导电性弹性体片的制造成本增加，进而使检验成本增大。

(2)对偏在型各向异性导电性弹性体片而言，关于检验用电路基板和作为检验对象晶片的电气连接作业，对于此需要以特定位置关系保持固定。然而，因为各向异性导电性弹性体片既柔软、容易变形，其操作性又差，对作为检验对象晶片上的被检验电极进行电气连接之际，偏在型各向异性导电性弹性体片的定位和保持固定都极其困难。

(3)构成晶片的材料，例如硅的线热膨胀系数约为3.3×10^-6/K；另一方面，构成各向异性导电性弹性体片的材料，例如硅酮橡胶的线热膨胀系数约为2.2×10^-4/K。因此，例如25℃下，分别把各自直径为20cm的晶片和各向异性导电性弹性体片从25℃加热到125℃时，理论上，晶片直径的变化不超过0.0066cm，而各向异性导电性弹性体片直径的变化则高达到0.44cm。这样，构成检验对象的集成电路装置的材料(例如硅)与构成偏在型各向异性导电性弹性体片的材料(例如硅酮橡胶)之间的热膨胀率差别很大，所以老化试验中，即使一度实现了晶片和偏在型各向异性导电性弹性体片的所需定位和保持固定的情况下，经受了温度变化的热过程场合，在偏在型各向异性导电性弹性体片的导电部与集成电路装置的被检验电极之间发生位置偏移的结果，电气连接状态起变化就难以维持稳定的连接状态。

为了解决上述问题，有人已经提出一种各向异性导电性连接器，它包括：与作为检验对象晶片上的集成电路所形成的被检验电极的电极区域对应形成了多个开口的框架板、和象堵塞该框架板的各个开口一样配置的多个弹性各向异性导电膜(例如，参照专利文献4)。

倘若使用这样的各向异性导电性连接器，就获得如下的效果。

(1)框架板中所形成的各开口具有与作为检验对象晶片上的集成电路电极区域对应的尺寸，因此，该开口各自配置的弹性各向异性导电膜尺寸也可以很小，所以容易形成各个弹性各向异性导电膜。

(2)弹性各向异性导电膜各自都为框架板所支承，难以变形而且容易操作，通过预先在框架板上形成定位用标记(例如孔)，在集成电路装置的电气连接作业中，就很容易进行对该集成电路装置的定位并保持固定。

(3)小尺寸的弹性各向异性导电膜，即使经受了热过程的场合，由于热膨胀绝对量也少，借助于框架板限制弹性各向异性导电膜的热膨胀，但是，整个各向异性导电性连接器的热膨胀取决于构成框架板的材料热膨胀，所以通过使用热膨胀率小的材料作为构成框架板的材料，即使经受了温度变化的热过程场合，防止该各向异性导电性连接器的导电部与晶片上的被检验电极间的位置偏移的结果，也会稳定地维持良好的电气连接状态。

而且，这样的各向异性连接器的制造如下。

准备弹性各向异性导电膜成型用的金属模，包括如图28所示的上模80和与之相对的下模85。该金属模的上模80和下模85各自在基板81、86上，设有按照与应成型各向异性导电性弹性体片的导电部图形对应的图形配置的多个强磁性体层82、87和在形成了这些强磁性体层82、87之处以外的地方配置的非磁性体层83、88，用强磁性体层82、87和非磁性体层83、88形成成型面。使上模80和下模85象上模80的强磁性体层82和与其对应的下模85的强磁性体层87相互对置一样进行配置。

在这种金属模内，如图29所示，与作为检验对象晶片上的电极区域对应，定位配置形成了开口91的框架板90，同时象堵塞框架板90的各开口91一样形成通过硬化处理将变成弹性高分子物质的高分子物质形成材料中分散了呈现磁性的导电性粒子P的成型材料层95A。这里，成型材料层95A中所含有的导电性粒子P为分散在该成型材料层95A里的状态。

而且，通过在上模80的上面和下模85的下面例如配置一对电磁铁并使之动作，对成型材料层95A而言，在上模80的强磁性体层82和与此对应的下模85的强磁性体层87之间的部分即形成导电部的部分，沿着该成型材料层95A的厚度方向作用磁场强度大于导电部部分以外部分的强度。其结果，成型材料层95A中所分散的导电性粒子P集合在该成型材料层95A内磁场作用强度大的部分，即上模80的强磁性体层82和与之对应的下模85的强磁性体层87之间的部分，进而象沿成型材料层95A的厚度方向排列一样取向。在这种状态下，通过对成型材料层95A进行硬化处理，如图30所示，沿着厚度方向象排列一样取向的状态含有导电性粒子P的多个导电部96和使这些导电部96互相绝缘的绝缘部97构成的弹性各向异性导电膜95，在框架板90的开口缘部支承其周缘部的状态下成型，并且制造各向异性导电性连接器。

然而，在这样的制造方法中有如下问题。

对被检验电极以小间距、高密度配置的晶片进行电气检验的情况而言，必须使用导电部的间距小而且高密度配置的各向异性导电性连接器。因而，在这样的各向异性导电性连接器的制造方面，当然连带必须使用强磁性体层82、87以极其之小的间距配置的上模80和下模85。

然而，用这样的上模80和下模85，如上述那样形成弹性各向异性导电膜95时，因为上模80和下模85各自互相邻接的强磁性体层82、87之间的分开距离很小，如图31所示，不仅从上模80的某个强磁性体层82a朝着与其对应下模85的强磁性体层87a的方向(用箭头X表示)，而且变成了例如从上模80的强磁性体层82a朝着与其对应下模85的强磁性体层87a邻接的强磁性体层87b的方向(用箭头Y表示)，或者从上模80的强磁性体层82b朝着与其对应下模85的强磁性体层87b邻接的强磁性体层87a的方向也有磁场作用。因此，在成型材料层95A中，难以在位于上模80的强磁性体层82a和与其对应下模85的强磁性体层87a之间的部分使导电性粒子P集合，即使位于上模80的强磁性体层82a和下模85的强磁性体层87b之间的部分的导电性粒子P集合了，并且，也难以在成型材料层95A的厚度方向使导电性粒子P充分取向，其结果，不可能获得有期望的导电部和绝缘部的各向异性导电性连接器。

在弹性各向异性导电膜的形成方面，如上所述，需要包括上模80和下模85的特殊金属模。这种金属模是按照作为检验对象的晶片个别制造的，因其制造工序繁杂，故各向异性导电性连接器的制造成本极为昂贵，进而导致晶片检验成本的增加。

专利文献1：特开昭51-93393号

专利文献2：特开昭53-147772号

专利文献3：特开昭61-250906号

专利文献4：特开2002-334732号

发明内容

本发明就是基于以上这些情况而研发的，其第一目的在于提供一种作为检验对象晶片上的被检验电极即使以小间距高密度进行配置，也能可靠地对该晶片达到所要求的电气连接，而且，能以低成本制造的晶片检验用各向异性导电性连接器及其制造方法。

本发明的第二目的在于提供一种作为检验对象晶片上的被检验电极即使以小间距高密度进行配置，也能可靠地对该晶片实现所要求的电气连接，而且，能以低成本制造的晶片检验用探测器构件。

本发明的第三目的在于提供一种使用上述探测器构件，在晶片状态对晶片上形成后的多个集成电路进行电气检验的晶片检验装置和晶片检验方法。

本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法是，制造包括与作为检验对象晶片上所形成的全部或一部分集成电路的被检验电极配置的电极区域对应地形成了多个开口的框架板、和象堵塞该框架板的各个开口一样配置的多个弹性各向异性导电膜，上述弹性各向异性导电膜各自具有与上述晶片上所形成的集成电路的被检验电极对应配置的，在弹性高分子物质中含有呈现磁性的导电性粒子的沿厚度方向伸长的多个连接用导电部、和由使这些连接用导电部相互绝缘的弹性高分子物质构成的绝缘部的晶片检验用各向异性导电性连接器的方法，其特征是具有：

通过激光加工为脱模性支承板上所支承的弹性高分子物质中含有呈现磁性的导电性粒子的导电性弹性体层，在该脱模性支承板上形成多个连接用导电部，

把该脱模性支承板上形成的连接用导电部，各自浸入象堵塞框架板开口一样形成的、硬化并变成弹性高分子物质的液状高分子物质形成材料构成的绝缘部用材料层中，在这种状态下通过硬化处理上述绝缘部用材料层而形成绝缘部的工序。

在本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，理想的是，激光加工是用二氧化碳气体激光或紫外线激光的加工。

并且，理想的是在导电性弹性体层表面上按照应形成连接用导电部的图形来形成金属掩模，而后，通过激光加工该导电性弹性体层，形成多个连接用导电部。

并且，理想的是通过电镀处理导电性弹性体层表面，形成金属掩模。

并且，理想的是其特征为在导电性弹性体层表面形成金属薄层，该金属薄层表面上又形成按照指定图形形成了开口的抗蚀剂层，通过电镀处理上述金属薄层上从上述抗蚀剂层开口中露出部分的表面而形成金属掩模。

并且，在本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，对硬化并变成弹性高分子物质的液状导电性弹性体用材料层中含有呈现磁性的导电性粒子的导电性弹性体用材料层，通过沿其厚度方向作用磁场，同时硬化处理该导电性弹性体用材料层，就能够形成导电性弹性体层。

并且，在本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，理想的是使用线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料制作框架板。

本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器，其特征是按照上述制造方法获得的。

本发明的探测器构件是为了对晶片上形成的多个集成电路，在晶片状态下各自进行该集成电路的电气检验而使用的探测器构件，其特征是具有：

按照与作为检验对象的晶片上所形成的集成电路的被检验电极图形对应的图形，在表面上形成检验电极的检验用电路基板；和在该检验用电路基板表面配置的上述晶片检验用各向异性导电性连接器而构成。

在本发明的探测器构件中，在晶片检验用各向异性导电性连接器上，也可以配置有由绝缘性片、和沿其厚度方向贯通该绝缘性片延伸并按照与被检验电极图形对应配置的多个电极构造体构成的片状探测器。

本发明的晶片检验装置，关于晶片上所形成的多个集成电路，在晶片的状态下各自进行该集成电路的电气检验的晶片检验装置，其特征是：

具有上述探测器构件，通过该探测器构件达到对作为检验对象的晶片上所形成的集成电路的电气连接。

本发明的晶片检验方法，其特征是通过上述的探测器构件，将晶片上形成的多个集成电路各自电气连接到检测器上，对该晶片上形成的集成电路实行电气检验。

根据本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，通过激光加工导电性弹性体层而形成连接用导电部，所以能够可靠地获得具有期望导电性的连接用导电部。并且，在脱模性支承板上形成了连接用导电部以后，将该连接用导电部浸入绝缘部用材料层中，通过硬化处理该绝缘部用材料层而形成绝缘部，所以能够可靠地获得导电性粒子完全不存在的绝缘部。因而，不需要为制造现有各向异性导电性连接器而排列所使用的多个强磁性体层的特殊金属模。

根据用这种方法得到的本发明晶片检验用各向异性导电性连接器，作为检验对象晶片上的被检验电极即使以小间距高密度进行配置，也能各自可靠地达到对该被检验电极所需的电气连接，而且，能以低成本进行制造。

根据本发明的探测器构件，由于具有上述晶片检验用各向异性导电性连接器，作为检验对象的晶片上的被检验电极即使以小间距高密度进行配置，也能可靠地达到对该晶片所需的电气连接，而且，能以低成本进行制造。

根据本发明的晶片检验装置和晶片检验方法，由于使用上述探测器构件，作为检验对象晶片上的被检验电极即使以小间距高密度进行配置，也能可靠地实行对该晶片所需的电气检验。

附图说明

图1表示本发明的各向异性导电性连接器的一例平面图。

图2放大表示图1中示出的各向异性导电性连接器的一部分平面图。

图3放大表示图1中示出的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜的平面图。

图4放大表示图1中示出的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜的说明用剖面图。

图5表示脱模性支承板上形成了导电性弹性体用材料层后的状态说明用剖面图。

图6放大表示导电性弹性体用材料层的说明用剖面图。

图7表示导电性弹性体用材料层内沿其厚度方向作用磁场的状态说明用剖面图。

图8表示脱模性支承板上形成了导电性弹性体层的状态说明用剖面图。

图9表示导电性弹性体层上形成了金属薄层的状态说明用剖面图。

图10表示金属薄层上形成了有开口的抗蚀剂层的状态说明用剖面图。

图11表示抗蚀剂层的开口内形成了金属掩模的状态说明用剖面图。

图12表示脱模性支承体上按照指定图形，形成了多个连接用导电部的状态说明用剖面图。

图13表示脱模性支承体上与配置框架板同时形成了绝缘部用材料层的状态说明用剖面图。

图14表示形成了绝缘部用材料层的脱模性支承板上，重叠形成连接用导电部后的脱模性支承板的状态说明用剖面图。

图15表示连接用导电部周围整体形成了绝缘部的状态说明用剖面图。

图16表示使用了本发明各向异性导电性连接器的晶片检验装置一例结构说明用剖面图。

图17表示本发明探测器构件一例的重要部分结构说明用剖面图。

图18表示使用了本发明各向异性导电性连接器的晶片检验装置的另一例结构说明用剖面图。

图19放大表示本发明各向异性导电性连接器的另一例中的弹性各向异性导电膜的平面图。

图20放大表示本发明各向异性导电性连接器的又一例中的弹性各向异性导电膜的平面图。

图21是通过仅除去导电性弹性体层上的变为连接用导电部部分的周边部分，形成了连接用导电部的状态说明图。

图22是通过仅除去导电性弹性体层上的变为连接用导电部部分的周边部分，形成了连接用导电部的状态说明用剖面图。

图23是实施例中使用的试验用晶片的顶视图。

图24是图23示出的试验用晶片上形成了集成电路被检验电极区域位置的说明图。

图25表示图23示出的试验用晶片上形成了集成电路被检验电极的说明图。

图26是实施例中制作的框架板的顶视图。

图27放大表示图26示出的框架板局部说明图。

图28表示制造现有各向异性导电性连接器用的金属模结构说明用剖面图。

图29表示在制造现有各向异性导电性连接器的工序中，与金属模内配置框架板同时形成了成型材料层的状态说明用剖面图。

图30表示沿成型材料层的厚度方向磁场作用的状态说明用剖面图。

图31表示在现有各向异性导电性连接器的制造方法中，作用于成型材料层的磁场方向说明用剖面图。

具体实施方式

下面，详细说明用于实施本发明的方式。

[各向异性导电性连接器]

图1表示本发明的晶片检验用各向异性导电性连接器一例的平面图。图2放大表示图1中示出的各向异性导电性连接器的一部分平面图。图3放大表示图1中示出的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜的平面图。图4放大表示图1中示出的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜的说明用剖面图。

图1中示出的晶片检验用各向异性导电性连接器(下面，简单地也称为“各向异性导电性连接器”)，就是关于例如形成了多个集成电路的晶片，在晶片的状态下对该集成电路各自进行电气检验所用的连接器，如图2所示，它有形成了多个开口11(用虚线表示)的框架板10。该框架板10的开口11是与作为检验对象的晶片上形成的全部集成电路上的被检验电极配置的电极区域对应形成的。该框架板10上，分别象堵塞一个开口11一样配置了沿厚度方向有导电性的多个弹性各向异性导电膜20，并以该开口缘部支承。本例的框架板10，在后述的晶片检验装置中采用减压方式的加压装置的情况下，在该各向异性导电性连接器和与其邻接的构件之间形成让空气流通用的空气流通孔12，进而，形成用于进行作为检验对象的晶片与检验用电路基板定位的定位孔13。

弹性各向异性导电膜20由弹性高分子物质形成，如图3所示，由象位于框架板10的开口11内一样配置的沿厚度方向(图3中与页面垂直的方向)伸长的多个连接用导电部21、和这些连接用导电部21的各自周围形成，使该连接用导电部21各自相互绝缘的绝缘部22而构成。连接用导电部21各自按照作为检验对象晶片上所形成的集成电路被检验电极的图形进行配置，就是在该晶片的检验中与其被检验电极电气连接。

弹性各向异性导电膜20上的连接用导电部21内，如图4所示，象沿厚度方向排列一样取向的状态，紧密地含有呈现磁性的导电性粒子P。相反，绝缘部22则完全不合导电性粒子P。

在图示的例子中，象从绝缘部22的一个表面突出一样形成各自连接用导电部21，因此，弹性各向异性导电膜20的一个表面上形成了有关连接用导电部21的突出部23。

框架板10的厚度因其材质而不同，但较好是25～600μm，更好是40～400μm。

这一厚度不到25μm的情况下，使用各向异性导电性连接器的时候，没有达到需要的强度，耐久性容易降低，并且，未得到维持该框架板10形状的刚性程度，各向异性导电性连接器的操作性便会降低。另一方面，厚度超过600μm的情况下，开口11内所形成的弹性各向异性导电膜20，其厚度过厚，有时难以得到连接用导电部21的良好导电性。

位于框架板10的开口11的平面方向的形状和尺寸，根据作为检验对象晶片的被检验电极尺寸、间距和图形进行设计。

就构成框架板10的材料来说，只要是该框架板10不容易变形，有稳定维持其形状的刚性程度就没有特别限定，例如，可以使用金属材料、陶瓷材料、树脂材料等各种材料，例如用金属材料构成框架板10时，也可以在该框架板10的表面上形成绝缘性涂膜。

作为构成框架板10的金属材料具体例，可以举出：铁、铜、镍、铬、钴、镁、锰、钼、铟、铅、钯、钛、钨、铝、金、铂、银等的金属或两种以上金属组合的合金或者合金钢等。

作为构成框架板10的树脂材料具体例，可以举出：液晶聚合物、聚酰亚胺树脂等。

将各向异性导电性连接器用于WLBI试验时，作为构成框架板10的材料，较好的是使用线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料、更好为-1×10^-7/K～1×10^-5/K、极好为1×10^-6/K～8×10^-6/K。

作为这种材料的具体例，可以举出：殷钢等的铁镍合金型合金、恒弹性弹性钢等的恒弹性弹性钢型合金、超殷钢、科瓦铁镍钴合金、42合金等的磁性金属合金或合金钢等。

弹性各向异性导电膜20的整个厚度(图示例子中为连接用导电部21的厚度)，较好的为50～2000μm、更好为70～1000μm、极好为80～500μm。这一厚度要是50μm以上的话，就能可靠地得到有足够强度的弹性各向异性导电膜20。另一方面，这一厚度要是2000μm以下的话，就能可靠地得到具有所需导电气特性的连接用导电部21。

突出部23的突出高度，较好的是其总计高度为该突出部23的厚度10％以上，更好为20％以上。采用形成具有这样突出高度的突出部23的办法，以小的加压力充分压缩连接用导电部21，所以能可靠地得到良好的导电性。

突出部23的高度，较好为该突出部23的最短宽度或直径的100％以下，更好为70％以下。采用形成具有这样突出高度的突出部23的办法，由于该突出部23被加压的时候没有纵向弯曲，所以能可靠地得到要求的导电性。

就形成弹性各向异性导电膜20的弹性高分子物质来说，理想的是具有交联构造的耐热性高分子物质。作为要得到这样的交联高分子物质而使用的硬化性高分子物质材料，可以使用各种材料，但液状硅酮橡胶是理想的。

液状硅酮橡胶既可以是加合型的也可以是缩合型的，但加合型液状硅酮橡胶是理想的。该加合型液状硅酮橡胶就是通过乙烯基与Si-H键的反应而硬化，有由含有乙烯基与Si-H键两者的聚硅氧烷构成的单液型(单成分型)的、和由含有乙烯基的聚硅氧烷和含有Si-H键的聚硅氧烷构成的双液型(双成分型)的硅酮橡胶，但是本发明中，理想的是使用双液型的加合型液状硅酮橡胶。

就加合型液状硅酮橡胶来说，较好的是使用其23℃下的粘度为100～1250Pa·s、更好为150～800Pa·s、最好为250～500Pa·s的硅酮橡胶。该粘度不到100Pa·s时，对于用以得到后述的弹性各向异性导电膜20的成型材料，该加合型液状硅酮橡胶中的导电性粒子容易发生沉降，就不可能得到良好的保存稳定性，给成型材料层作用平行磁场的时候，不会使导电性粒子沿厚度方向象排列一样取向，往往难以以均匀状态形成导电性粒子的链接。另一方面，该粘度超过1250Pa·s时，因为所得的成型材料粘度很高，往往变得难以在金属模内形成成型材料层，即使给成型材料层作用平行磁场，导电性粒子也不会充分移动，因此，往往难以使导电性粒子沿着厚度方向象排列一样取向。

这种加合型液状硅酮橡胶的粘度，可用B型粘度计做测定。

用液状硅酮橡胶的硬化物(下面，称为“硅酮橡胶硬化物”)形成弹性各向异性导电膜20的情况下，该硅酮橡胶硬化物，其150℃下的压缩永久形变较好为10％以下、更好为8％以下、最好为6％以下。如果该压缩永久形变超过10％时，连续多次重复使用所得的各向异性导电性连接器的时候或高温环境下重复使用的时候，容易使连接用导电部21发生永久性形变，因此，在连接用导电部21中的导电性粒子链接上造成紊乱的结果，难以维持所需的导电性。

这里，硅酮橡胶硬化物的压缩永久形变，可以采用按照JIS K6249的方法进行测定。

形成弹性各向异性导电膜20的硅酮橡胶硬化物，其23℃下的硬度计A硬度较好为10～60、更好为15～60、极好为20～60。该硬度计A硬度不到10的情况下，加压时，容易使连接用导电部21相互绝缘的绝缘部22过度形变，往往难以维持连接用导电部21间的所需绝缘性。另一方面，该硬度计A硬度超过60的情况下，为了给连接用导电部21造成适当的形变而需要用相当大载荷的加压力，所以变得容易引起例如作为检验对象的晶片很大的变形和破坏。

作为硅酮橡胶硬化物，硬度计A硬度在使用上述范围以外的情况下，连续多次重复使用所得的各向异性导电性连接器时，容易使连接用导电部21发生永久形变，因此，给连接用导电部21中的导电性粒子链造成紊乱的结果，就难以维持所需的导电性。进而，把各向异性导电性连接器用于高温环境下的试验例如WLBI试验的情况下，形成弹性各向异性导电膜20的硅酮橡胶硬化物，其23℃下的硬度计A硬度为25～40是理想的。

作为硅酮橡胶硬化物，硬度计A硬度在使用上述范围以外的情况下，当高温环境下的试验重复使用所得的各向异性导电性连接器时，容易使连接用导电部21发生永久形变，因此，给连接用导电部21中的导电性粒子链造成紊乱的结果，就难以维持所需的导电性。

这里，硅酮橡胶硬化物的硬度计A硬度，可以采用按照JIS K6249的方法进行测定。

形成弹性各向异性导电膜20的硅酮橡胶硬化物，其23℃下的撕裂强度较好为8kN/m以上、更好为10kN/m以上、最好为15kN/m以上、极好为20kN/m以上。该撕裂强度不到8kN/m的情况下，给弹性各向异性导电膜20造成过度形变的时候，容易引起耐久性降低。

这里，硅酮橡胶硬化物的撕裂强度，可以采用按照JIS K 6249的方法进行测定。

就具有这种特性的加合型液状硅酮橡胶来说，可以使用信越化学工业株式会社制造作为液状硅酮橡胶的“KE2000”系列和“KE1950”系列出售的产品。

在本发明中，为了使加合型液状硅酮橡胶硬化，可以适当使用硬化催化剂。就这种硬化催化剂来说，可使用铂系的催化剂，作为其具体例，可以举出：氯化铂酸及其盐、铂-不饱和基含有硅氧烷络合物、乙烯硅氧烷和铂的络合物、铂和1，3-联乙烯四甲基二甲硅醚的络合物、三有机磷化氢或磷化物和铂的络合物、乙酰乙酸盐铂螯合物、环状二烯和铂的络合物等公知硬化催化剂。

考虑到硬化催化剂的种类、以及其它硬化处理条件，适当选择硬化催化剂的使用量，但一般，相对于加合型液状硅酮橡胶100份重量为3～15份重量。

以提高加合型液状硅酮橡胶的触变性、调整粘度、提高导电性粒子的分散稳定性、或者得到高强度的基材等为目的，根据需要，在加合型液状硅酮橡胶中也可以含有通常的二氧化硅粉、胶态二氧化硅、气态二氧化硅、氧化铝等的无机充填材料。

这些无机充填材料的使用量并不特别限定于此，使用量大时，由于变得不能充分达到由磁场而引起导电性粒子取向，这是不希望的。

就弹性各向异性导电膜20的连接用导电部21内所含有的导电性粒子P来说，采用在呈现磁性的芯粒子(下面，称为“磁性芯粒子”)的表面上涂有高导电性金属是理想的。

为了取得导电性粒子P的磁性芯粒子，其平均数粒子直径为3～40μm是理想的。

在这里，将磁性芯粒子的平均数粒子直径称为用激光衍射散射法测定的平均数粒子直径。

上述平均数粒子直径在3μm以上的话，容易加压变形，容易得到电阻值低而且连接可靠性高的连接用导电部21。另一方面，上述平均数粒子直径在40μm以下的话，则很容易形成微细的连接用导电部21，并且，所得到的连接用导电部21容易成为有稳定导电性的构件。

磁性芯粒子，其BET比表面积较好为10～500m²/kg、更好为20～500m²/kg、最好为50～400m²/kg。

该BET比表面积在10m²/kg以上的话，因为该磁性芯粒子有足够大的可电镀区域，能可靠地给该磁性芯粒子进行要求量的电镀，因此，能够获得导电性很大的导电性粒子P，同时该导电性粒子P间有足够大的接触面积，所以稳定地得到高的导电性。另一方面，该BET比表面积在500m²/kg以下的话，该磁性芯粒子就不会脆弱，外加物理性的应力时受破坏的情况少，因而能稳定地保持高的导电性。

磁性芯粒子其粒子直径的变动系数，较好为50％以下、更好为40％以下、最好为30％以下、极好为20％以下。

这里，粒子直径的变动系数可用式：(σ/Dn)×100(其中，σ表示粒子直径的标准偏差值，Dn表示粒子平均数粒子直径)求得。

上述粒子直径的变动系数在50％以下的话，粒子直径的均匀性就很高，所以能够形成导电性偏差很小的连接用导电部21。

就构成磁性芯粒子的材料来说，可以使用铁、镍、钴、用铜、树脂涂覆这些金属后的材料等，但可以使用其饱和磁化为0.1Wb/m²以上的材料较好、更好为0.3Wb/m²以上、极好为0.5Wb/m²以上的材料，具体点说，可以举出铁、镍、钴或这些金属的合金等。

该饱和磁化在0.1Wb/m²以上的话，按照后述的方法，就很容易在形成该弹性各向异性导电膜20用的成型材料层中移动导电性粒子P，因此，在该成型材料层中变成连接用导电部的部分，能够可靠地使导电性粒子P移动以形成导电性粒子P的链接。

为得到连接用导电部21而使用的导电性粒子P就是上述磁性芯粒子表面涂覆了高导电性金属而成的。

这里，所谓“高导电性金属”，就是其0℃的导电率在5×10⁶Ω^-1m^-1以上的金属。

就这样的高导电性金属来说，可以使用金、银、铑、铂、铬等，其中从化学上稳定性而且有高导电率的角度，使用金是理想的。

导电性粒子P，设其高导电性金属对芯粒子的比例[(高导电性金属质量/芯粒子质量)×100]为15质量％以上，较好设为25～35质量％以上。

高导电性金属的比例不到15质量％以上的情况下，高温环境下重复使用所得的各向异性导电性连接器时，结果显著降低该导电性粒子P的导电性，不能维持要求的导电性。

导电性粒子P由下列的式(1)算出，设高导电性金属的涂覆层厚度t为50μm以上，较好为100～200μm。

式(1)t＝[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]

[其中，t表示高导电性金属的涂覆层厚度(m)、Sw表示芯粒子的BET比表面积(m²/kg)、ρ表示高导电性金属的比重(kg/m³)、N表示(高导电性金属重量/导电性粒子全部重量)的比值]

上述数学式推导如下。

(I)假设磁性芯粒子重量为Mp(kg)，磁性芯粒子表面积S(m²)按照

S＝Sw·Mp......式(2)

求出。

(II)假设用高导电性金属形成的涂覆层重量为m(kg)，该涂覆层体积V(m³)按照

V＝m/ρ......式(3)

求出。

(III)这里，假定涂覆层厚度在导电性粒子的整个表面上连续均匀时，t＝V/S，将其代入上述式(2)和式(3)，于是涂覆层厚度按照

t＝(m/ρ)/(Sw·Mp)＝m/(Sw·ρ·Mp)......式(4)

求出。

(IV)并且，因为N是涂覆层质量对导电性粒子全部质量之比，其N值按照

N＝m/(Mp+m)......(5)

求出。

(V)用Mp除该式(5)右边的分子和分母时，就得到：

N＝(m/Mp)/(1+m/Mp)，

两边乘以(1+m/Mp)时，

则N(1+m/Mp)＝m/Mp

进而得到：N+N(m/Mp)＝m/Mp，

把N(m/Mp)移到右边时，就得到：

N＝m/Mp-N(m/Mp)＝(m/Mp)(1-N)，

以(1-N)除两边，就得到：

N/(1-N)＝m/Mp

因此，磁性芯粒子的重量Mp按照

Mp＝m/[N/(1-N)]＝m(1-N)/N......式(6)

求出。

(VI)而且，给式(4)代入式(6)时，推导出：

t＝1/[Sw·ρ·(1-N)/N]

＝[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]。

该涂覆层的厚度t在50nm以上的话，高温环境下重复使用该各向异性导电性连接器的情况下，即使构成磁性芯粒子的强磁性体转移到构成涂覆层的高导电性金属中，该导电性粒子P的表面由于高导电性金属也以高比例存在，所以不会显著降低该导电性粒子P的导电性，仍维持期望的导电性。

导电性粒子P的平均数粒子直径，较好为3～40μm，更好为6～25μm。

通过使用这样的导电性粒子P，所得的弹性各向异性导电膜20就容易加压变形，在该弹性各向异性导电膜20的连接用导电部21中得到导电性粒子P之间充分的电接触。

导电性粒子P的形状并没有特别限定，但在高分子物质形成材料中能够容易使其分散这一点，理想的是球状、星形状或由其凝集后的二次粒子形成块状的粒子。

这样的导电性粒子P可用例如下面的方法获得。

首先，准备用常规方法使强磁性体材料粒子化或市场上出售的强磁性体粒子，通过对这种粒子进行分级处理，调制成具有所需粒子直径的磁性芯粒子。

这里，粒子分级处理可用例如空气分级装置、声波筛网装置等分级装置来进行。

分级处理的具体条件，可根据作为目标的磁性芯粒子平均数粒子直径、分级装置的种类等适当加以设定。

接着，通过用酸处理磁性芯粒子表面，再用例如纯水进行清洗，除去存在于磁性芯粒子表面的污染、异物、氧化膜等杂质，然后，采用给该磁性芯粒子表面上涂覆高导电性金属的办法，得到导电性粒子。

这里，对处理磁性芯粒子表面而使用的酸而言，可以举出盐酸等。

就给磁性芯粒子表面上涂覆高导电性金属的方法来说，可使用无电解电镀法、置换电镀法等，但并不是仅限定于这些方法。

用无电解电镀法或置换电镀法说明制造导电性粒子的方法时，首先，给电镀液中添加酸处理和清洗处理过的磁性芯粒子并调制成浆液，一边搅拌该浆液一边继续进行该磁性芯粒子的无电解电镀或置换电镀。然后，使浆液中的粒子与电镀液分离，而后，通过例如用纯水清洗处理该粒子，得到磁性芯粒子表面涂覆了高导电性金属的导电性粒子。

也可以在磁性芯粒子表面实行基底电镀并形成了基底镀层以后，给该基底镀层表面形成高导电性金属构成的镀层。对于基底镀层和其表面上所形成的镀层形成的方法并没有特别限定，但理想的是，用无电解电镀法，形成磁性芯粒子表面上的基底镀层，而后，用置换电镀法，形成基底镀层表面上由高导电性金属构成的镀层。

就无电解电镀或置换电镀中所用的电镀液来说，并没有特别限定，而可以使用各种市场出售的电镀液。

给磁性芯粒子表面涂覆高导电性金属之际，由于粒子凝集作用，往往产生大粒子直径的导电性粒子，可根据需要，进行导电性粒子的分级处理是所希望的，因此，能可靠地得到具有期望粒子直径的导电性粒子。

就导电性粒子进行分级处理用的分级处理装置来说，可以举出上述例子示出的装置作为调制磁性芯粒子用的分级处理中使用的分级装置。

连接用导电部21中含有导电性粒子P的比例，按体积百分率使用10～60％、较好为15～50％的比例是理想的。该比例不到10％的情况下，往往不能得到足够小电阻值的连接用导电部21。另一方面，该比例超过60％的情况下，所得的连接用导电部21容易变成脆弱，作为连接用导电部21，有时无法获得必要的弹性。

上述的各向异性导电性连接器可如下制造。

《框架板的制作》

制作与配置在作为检验对象晶片上所形成的全部集成电路中被检验电极的电极区域对应形成了开口11的框架板10。这里，作为框架板10上形成开口11的方法，根据构成该框架板10的材料适当地加以选择，可以利用例如蚀刻法等。

《导电性弹性体层的形成》

在硬化并成为弹性高分子物质的液状导电性弹性体用材料或者加合型液状硅酮橡胶中，调制由分散了呈现磁性的导电性粒子构成的导电性弹性体用材料。接着，如图5所示，在导电部形成用脱模性支承板16上，通过涂布导电性弹性体用材料以形成导电性弹性体用材料层21A。在这里，如图6所示，导电性弹性体用材料层21A中以分散的状态含有呈现磁性的导电性粒子P。

接着，通过对导电性弹性体用材料层21A沿其厚度方向作用磁场，如图7所示，使导电性弹性体用材料层21A中分散了的导电性粒子P沿着该导电性弹性体用材料层21A的厚度方向象排列一样取向。而且，一边继续磁场对导电性弹性体用材料层21A的作用或停止磁场作用以后，通过对导电性弹性体用材料层21A进行硬化处理，如图8所示，在弹性高分子物质中沿厚度方向象排列一样取向的状态含有导电性粒子P的导电性弹性体层21B，被脱模性支承板16上支承的状态得到形成。

以上，就构成脱模性支承板16的材料来说，可以使用金属、陶瓷、树脂及其复合材料等。

就涂布导电性弹性体用材料的方法来说，可以利用丝网印刷等的印制法、辊涂法、刮涂法等。

导电性弹性体用材料层21A的厚度，根据应形成连接用导电部的厚度予以设定。

就对导电性弹性体用材料层21A作用磁场的装置来说，可以使用电磁铁、永久磁铁等。

作用于导电性弹性体用材料层21A的磁场强度，理想大小为0.2～2.5忒斯拉。

一般，通过加热处理实施导电性弹性体用材料层21A的硬化处理。具体的加热温度和加热时间，就要考虑到构成导电性弹性体用材料层21A的导电性弹性体用材料的种类、移动导电性粒子需要的时间等适当地予以设定。

《连接用导电部的形成》

如图9所示，在脱模性支承板16上所支承的导电性弹性体层21B表面上，形成电镀电极用的金属薄层17。接着，如图10所示，该金属薄层17上，用光刻的办法，按照应形成连接用导电部的图形即与作为检验对象晶片上的被检验电极图形对应的指定图形，形成已形成了多个开口18a的抗蚀剂层18。然后，如图11所示，以金属薄层17为电镀电极，在经过该金属薄层17上抗蚀剂层18的开口18a而露出的部分，通过施行电解电镀处理，使抗蚀剂层18的开口18a内形成金属掩模19。而且，在该状态下，通过对导电性弹性体层21B、金属薄层17和抗蚀剂层18施行激光加工，除去抗蚀剂层18、金属薄层17和导电性弹性体层21B的一部分，其结果，如图12所示，以脱模性支承板16支承的状态，形成按照指定图形配置的多个连接用导电部21。然后，从连接用导电部21的表面剥离残留的金属薄层17和金属掩模19。

以上，作为导电性弹性体层21B的表面上形成金属薄层17的方法，可以利用无电解电镀法、溅射法等的方法。

就构成金属薄层17的材料来说，可使用铜、金、铝、铑等材料。

金属薄层17的厚度，较好为0.05～2μm、更好为0.1～1μm。该厚度过薄时，不能形成均匀的薄层，往往不适合用作电镀电极。另一方面，其厚度过厚时，往往难以用激光加工法除去。

抗蚀剂层18的厚度，根据要形成金属掩模19的厚度加以设定。

就构成金属掩模19的材料来说，可使用铜、铁、铝、金、铑等材料。

金属掩模19的厚度，较好为2μm以上、更好为5～20μm。该厚度过薄时，往往不适合用作对激光的掩模。

激光加工理想的是用二氧化碳激光或紫外线激光的加工，因此，能够可靠地形成作为目标形态的连接用导电部21。

《绝缘部的形成》

如图13所示，准备绝缘部形成用的脱模性支承板16A，在该脱模性支承板16A的表面配置框架板10，同时通过涂布硬化而变成绝缘性弹性高分子物质的液状弹性体用材料，形成绝缘部用材料层22A。这里，对形成绝缘部用材料层22A而言，准备两枚片状形成了开口形状适合应形成绝缘部的表面轮廓形状的板状隔片，在脱模性支承板16A上按以下顺序，使一个隔片、框架板10和另一个隔片重叠，通过向各隔片的开口内和框架板10的开口内充填弹性体用材料，就可以形成绝缘部用材料层22A。按照这种方法，能够可靠地形成期望形态的绝缘部22。

接着，如图14所示，通过将形成了多个连接用导电部21的脱模性支承板16重叠到形成了绝缘部用材料层22A的脱模性支承板16A上，使连接用导电部21各自浸入绝缘部用材料层22A中并与脱模性支承板16A接触。因此，邻接的连接用导电部21之间成为形成了绝缘部用材料层22A的状态。然后，在这种状态下，通过进行绝缘部用材料层22A的硬化处理，如图15所示，在连接用导电部21的各自周围，与连接用导电部21一体地形成其相互绝缘的绝缘部22，而且形成弹性各向异性导电膜20。

并且，通过使弹性各向异性导电膜20离开脱模性支承板16、16A，得到图1中示出结构的各向异性导电性连接器。

以上，就构成脱模性支承板16A的材料来说，可以使用与导电部形成用的脱模性支承板16同样的材料。

就涂布弹性体用材料的方法来说，可以利用丝网印刷法等的印制法、辊涂法、刮涂法等的方法。

绝缘部用材料层22A的厚度根据应形成绝缘部的厚度予以设定。

一般，通过加热处理，实行绝缘部用材料层22A的硬化处理。具体的加热温度和加热时间，应考虑到构成绝缘部用材料层22A的弹性体用材料的种类等适当地予以设定。

按照上述的制造方法，通过激光加工导电性粒子P沿厚度方向象排列一样取向的状态分散的导电性弹性体层21B并除去其一部分，形成作为目标形态的连接用导电部21，所以能够可靠地得到充填了导电性粒子P的具有期望导电性的连接用导电部21。

脱模性支承板16上形成了按照指定图形配置的多个连接用导电部21之后，在这些连接用导电部21之间形成绝缘部用材料层22A并通过硬化处理以形成绝缘部22，所以能够可靠地得到完全不存在导电性粒子P的绝缘部22。

而且，不需要使用现有的为了制造各向异性导电性连接器而使用的多个强磁性体层排列的高价金属模。

按照利用这样的方法得到的各向异性导电性连接器，作为检验对象晶片上的被检验电极即使以小间距高密度进行配置，也能可靠地达到对该被检验电极的各自所需的电气连接，而且，能够实现降低制造成本。

由于弹性各向异性导电膜20各自为框架板10的开口缘部所支承，难以变形又容易操作，与作为检验对象晶片的电气连接作业中很容易对该晶片进行定位和保持固定。

与作为检验对象晶片上形成的全部集成电路被检验电极配置的电极区域对应形成框架板10的各个开口11，该开口11内各自配置的弹性各向异性导电膜20因为其面积可以很小，所以容易形成一个个弹性各向异性导电膜20。

面积小的弹性各向异性导电膜20，即使经受了热过程的场合，因该弹性各向异性导电膜20平面方向的热膨胀绝对量少，借助于框架板能可靠地限制弹性各向异性导电膜20平面方向的热膨胀。然而，各向异性导电性连接器全体热膨胀量取决于构成框架板10的材料热膨胀率，所以通过采用将热膨胀率小的材料用作构成框架板10的材料，即使经受了温度变化的热过程场合，防止该各向异性导电性连接器中的连接用导电部和晶片上的被检验电极的位置偏移的结果，也稳定地维持良好的电气连接状态。

由于框架板10中形成了定位孔13，很容易对作为检验对象的晶片或检验用电路基板进行定位。

由于框架板10中形成了空气流通孔12，对于后述的晶片检验装置，利用减压方式的装置作为按压探测器构件手段的情况下，使盒内减压时，经由框架板10的空气流通孔12排出各向异性导电性连接器与检验用电路基板之间存在的空气，因此，可以使各向异性导电性连接器和检验用电路基板可靠地贴紧，所以能够可靠达到所需的电气连接。

[晶片检验装置]

图16是表示使用了本发明各向异性导电性连接器的晶片检验装置的一例结构概略说明用剖面图。这一晶片检验装置就是对于晶片上所形成的多个集成电路，以晶片状态各自进行该集成电路的电气检验。

图16中示出的晶片检验装置具有作为检验对象晶片6的被检验电极7和各自与检测器进行电气连接的探测器构件1。至于该探测器构件1，如图17放大所示，也具有按照与作为检验对象晶片6的被检验电极7图形对应的图形，在表面(图中为下面)形成了多个检验电极31的检验用电路基板30，该检验用电路基板30的表面上，其弹性各向异性导电膜20内的各个连接用导电部21，象与检验用电路基板30的检验电极31各自对接一样设置图1～图4中示出结构的各向异性导电性连接器2，在该各向异性导电性连接器2的表面(图16和图17中为下面)，象各个该电极构造体42与各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20上的连接用导电部21各自对接一样，在绝缘性片41设置有按照与作为检验对象晶片6的被检验电极7图形对应的图形配置的多个电极构造体42的片状探测器40。

探测器构件1的检验用电路基板30的背面(图16中为上面)设置向下方对该探测器构件1加压的加压板3，探测器构件1的下方设有载置作为检验对象晶片6的晶片载置台4，将加热器5分别与加压板3和晶片载置台4连接起来。

就构成检验用电路基板30的基板材料来说，可以使用现有公知的各种材料，作为其具体例，可以举出：玻璃纤维增强型环氧树脂、玻璃纤维增强型酚醛树脂、玻璃纤维增强型聚酰亚胺树脂、玻璃纤维增强型双马来酰亚胺三嗪树脂等的复合树脂材料，玻璃、二氧化硅、氧化铝之类的陶瓷材料等。

构成进行WLBI试验用的晶片检验装置时，较好的是使用线热膨胀系数为3×10^-5/K以下、更好为1×10^-7～3×10^-5/K、极好为1×10^-6～6×10^-6/K。

作为这样基板材料的具体例，可以举出：バィレックス(灯具商标)玻璃、石英玻璃、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化铝、氮化硼等。

具体地说明探测器构件1的片状探测器40时，该片状探测器40有柔软的绝缘性片41，该绝缘性片41上按照与作为检验对象晶片6的被检验电极7图形对应的图形，沿着该绝缘性片41的平面方向互相分开，配置有沿该绝缘性片41的厚度方向伸出由多个金属构成的电极构造体42。

各个电极构造体42露出绝缘性片41表面(图中为下面)的突起状表面电极部43和露出绝缘性片41背面的板状背面电极部44，由贯通绝缘性片41的厚度方向延伸的短路部45互相连接成一体而构成。

作为绝缘性片41，只要是柔软的有绝缘性材料就没有特别限定，可以使用例如由聚酰亚胺树脂、液晶聚合物、聚酯、氟系树脂等构成树脂薄片，编织纤维的布上浸含上述树脂的薄片等。

绝缘性片41的厚度只要该绝缘性片41是柔软的就没有特别限定，较好为10～50μm、更好为10～25μm。

就构成电极构造体42的金属来说，可以使用镍、铜、金、银、鈀、铁等金属。作为电极构造体42，其整体既可以由单一金属构成，也可以由二种以上的金属合金构成或二种以上金属层叠构成的。

在防止该电极部氧化，同时得到接触电阻小的电极部方面，电极构造体42的表面电极部43和背面电极部44的表面形成金、银、钯等化学上稳定且有高导电性的金属涂膜是理想的。

在对晶片6的被检验电极7能够达到稳定的电气连接这一点上，电极构造体42上的表面电极部43的突出高度，较好为15～50μm、更好为15～30μm。表面电极部43的直径可根据晶片6的被检验电极7尺寸和间距加以设定，例如30～80μm，较好为30～50μm。

电极构造体42的背面电极部44的直径只要是大于短路部45的直径而且小于电极构造体42的配置间距就行，但理想的是在限度范围内尽可能地大些，因此，即使对于各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部21也能可靠地达到稳定的电气连接。在强度足够高并得到优良重复耐久性方面，背面电极部44的厚度较好为20～50μm，更好为35～50μm。

在得到足够高的强度这个方面，电极构造体42的短路部45直径较好为30～80μm，更好为30～50μm。

片状探测器40例如可以制造如下。

即，准备在绝缘性片41上层叠金属层的层叠材料，对层叠材料下的绝缘性片41通过激光加工、干式蚀刻加工等，按照与应形成电极构造体42的图形对应的图形，形成贯穿该绝缘性片41厚度方向的多个贯通孔。接着，通过对该层叠材料施行光刻和电镀处理，在绝缘性片41的贯通孔内形成与金属层整体连接的短路部45，同时在该绝缘性片41的表面形成与短路部45整体连接的突起状表面电极部43。而后，通过对层叠材料上的金属层施行光蚀刻处理并除去其一部分，形成背面电极部44并形成电极构造体42，因而得到片状探测器40。

至于这样的电气检验装置，在晶片载置台4上载置作为检验对象的晶片6，接着，通过用加压板3向下方给探测器构件1加压，使该片状探测器40的电极构造体42上的表面电极部43各自接触晶片6的各自被检验电极7，进而，借助于该表面电极部43各自对晶片6上的各自被检验电极7加压。在这种状态下，借助于检验用电路基板30上的各个检验电极31和片状探测器40的电极构造体42的表面电极部43，挤压各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部21并使其沿厚度方向压缩，因此，在该连接用导电部21的厚度方向形成导电路径，其结果，达到晶片6的被检验电极7与检验用电路基板30的检验电极31之间的电气连接。然后，用加热器5，经由晶片载置台4和加压板3将晶片6加热到规定的温度，在该状态下，对该晶片6上的多个集成电路各自实行要求的电气检验。

按照这种晶片检验装置，介以有上述各向异性导电性连接器2的探测器构件1，达到对作为检验对象晶片6的被检验电极7的电气连接，所以即使被检验电极7的间距很小，也能容易地对该晶片的定位和保持固定，而且，连续多次重复使用的情况和高温环境下的试验例如WLBI试验中重复使用的情况下，也能持续长时间稳定地实行要求的电气检验。

并且，各向异性导电性连接器2内的弹性各向异性导电膜20，其自身面积很小，即使经受了热过程的场合，因该弹性各向异性导电膜20的平面方向热膨胀的绝对量很少，由于使用线热膨胀系数小的材料作为构成框架板10的材料，所以借助于框架板就能可靠地限制弹性各向异性导电膜20的平面方向热膨胀。因此，即使对大面积的晶片进行WLBI试验的情况下，也能稳定地维持良好的电气连接状态。

图18是表示使用了本发明各向异性导电性连接器的另一例晶片检验装置结构的概略说明用剖面图。

这种晶片检验装置具有收纳作为检验对象晶片6的上面开了口的箱状盒50。这个盒50的侧壁设有排出该盒50内部空气的排气管51，此排气管51上连接着例如真空泵等排气装置(图中省略)。

盒50上气密地象堵塞该盒50的开口一样配置与图16中示出的晶片检验装置的探测器构件1同样结构的探测器构件1。具体点说，在盒50的侧壁上端面上，紧贴地配置有弹性的O型环55，探测器构件1是以在盒50内收容其各向异性导电性连接器2和片状探测器40、其检验用电路基板30的周边部紧贴于O型环55的状态进行配置，进而，检验用电路基板30借助于其背面(图中为上面)所设的加压板3成为向下方加压的状态。

并且，将加热器5与盒50和加压板3连接起来。

至于这种晶片检验装置，通过驱动连接到盒50的排气管51上的排气装置，结果将盒50内的气压降到例如1000Pa以下，借助于大气压，朝下方给探测器构件1加压。因此，O型环55弹性形变，结果探测器构件1向下方移动，依靠片状探测器40的电极构造体42上的表面电极部43，各自对晶片6的各个被检验电极7加压。至于其状态，各向异性导电性连接器2的弹性各向异性导电膜20中的连接用导电部21，各自由检验用电路基板30的检验电极31与片状探测器40的电极构造体42的表面电极部43加以挤压并向厚度方向压缩，因此，经该连接用导电部21沿着其厚度方向形成导电路径，其结果，达到晶片6的被检验电极7与检验用电路基板30的检验电极31之间的电气连接。然后，用加热器5，经由盒50和加压板3，将晶片6加热到规定的温度，在此状态下，对该晶片6上的多个集成电路各自实行要求的电气检验。

按照这种晶片检验装置，获得与图16中示出的晶片检验装置同样的效果，因为不需要大型加压机构，能够实现检验装置整体小型化，同时作为检验对象晶片6即使是例如直径为8英寸以上的大面积片，也能以均匀之力整体按压该晶片6。而且，因为在各向异性导电性连接器2上的框架板10中形成了空气流通孔12，在盒50内降压的时候，各向异性导电性连接器2与检验用电路基板30之间存在的空气经由各向异性导电性连接器2上的框架板10中空气流通孔12排出，因此，能够使各向异性导电性连接器2与检验用电路基板30可靠地紧贴，所以能够可靠地达到所需的电气连接。

[其它实施方式]

本发明并非只是限定于上述实施方式，还可能给予如下各种变更。

(1)对各向异性导电性连接器而言，弹性各向异性导电膜20内除连接用导电部21外，也可以形成不与晶片的被检验电极电气连接的非连接用导电部。下面，对具有弹性各向异性导电膜形成了非连接用导电部的各向异性导电性连接器进行说明。

图19是放大表示本发明各向异性导电性连接器的另一例弹性各向异性导电膜的平面图。对这种各向异性导电性连接器的弹性各向异性导电膜20而言，在与作为检验对象晶片的被检验电极电气连接的厚度方向(图19中就是与页面垂直的方向)伸出的多个连接用导电部21，按照与被检验电极图形对应的图形象排成两列一样加以配置，以呈现磁性的导电性粒子沿厚度方向象排列一样取向的状态各自紧密地含有这些连接用导电部21，并依靠完全不含有导电性粒子的绝缘部22相互加以绝缘。

而且，在连接用导电部21排列方向，位于最外侧的连接用导电部21与框架板10之间，形成了不与作为检验对象晶片的被检验电极电气连接的厚度方向伸出的非连接用导电部26。以呈现磁性的导电性粒子沿厚度方向象排列一样取向的状态紧密地含有该非连接用导电部26，并依靠完全不含导电性粒子的绝缘部22与连接用导电部21相互绝缘。

图示的例子中，象各自从绝缘部22的一个面上突出一样形成非连接用导电部26，因此，在弹性各向异性导电膜20的一个面上形成有关非连接用导电部26的突出部27。

其它的结构基本上都与图1～图4中示出的各向异性导电性连接器结构同样。

图20是放大表示有关本发明的各向异性导电性连接器的又一例弹性各向异性导电膜平面图。对该各向异性导电性连接器的弹性各向异性导电膜20而言，按照与被检验电极的图形对应的图形象排列一样配置在与作为检验对象晶片的被检验电极电气连接的厚度方向(图20中为与页面垂直的方向)伸出的多个连接用导电部21，以呈现磁性的导电性粒子沿厚度方向象排列一样取向的状态紧密地含有这些连接用导电部21，并依靠完全不含导电性粒子的绝缘部22相互加以绝缘。

这些连接用导电部21之中位于中央互相邻接的两个连接用导电部21，以间隔距离大于其它互相邻接的连接用导电部21间的间隔距离进行配置。而且，在位于中央互相邻接的两个连接用导电部21之间形成不与作为检验对象晶片的被检验电极电气连接的厚度方向伸出的非连接用导电部26。以呈现磁性的导电性粒子沿厚度方向象排列一样取向的状态紧密含有该非连接用导电部26，并依靠完全不含导电性粒子的绝缘部22与连接用导电部21相互绝缘。

图示的例子中，象从绝缘部22的一个面上突出一样形成各个非连接用导电部26，因此，弹性各向异性导电膜20的双面都形成非连接用导电部26的突出部27。

其它的具体结构基本上都与图1～图4中示出的各向异性导电性连接器结构同样。

(2)对各向异性导电性连接器而言，象从绝缘部22的双面各自突出一样形成各个连接用导电部21，因此，在弹性各向异性导电膜20的双面上都可以形成连接用导电部21的突出部结构。这样的连接用导电部21可以如下得到。即，关于绝缘部22的形成，用脱模性支承板16、16A沿厚度方向给连接用导电部21加压压缩，在该状态下通过硬化处理绝缘部用材料层22A，形成绝缘部22。然后，解除脱模性支承板16、16A对连接用导电部21的加压，使被压缩了的连接用导电部21恢复原来形态，因此，得到绝缘部22的双面有突出部的连接用导电部21。

(3)弹性各向异性导电膜20上的突出部23并不是必须的，弹性各向异性导电膜20的双面也可以形成平坦面、或者凹形部。

(4)就形成被脱模性支承板16上支承的导电性弹性体层21B的方法来说，也可以利用，借助于该导电性弹性体片有的粘合性或者用适合的粘合剂，把预先制成的绝缘性弹性高分子物质中沿厚度方向象排列一样取向的状态分散了呈现磁性的导电性粒子的导电性弹性体片粘附到脱模性支承板16上加以支承的方法。在这里，导电性弹性体片可以是这样制造的，例如，在两枚树脂片之间形成导电性弹性体用材料层，通过对该导电性弹性体层沿其厚度方向作用磁场，使导电性弹性体用材料层中的导电性粒子沿厚度方向象排列一样取向，经过一边继续磁场的作用或停止磁场作用以后，一边进行导电性弹性体用材料层硬化处理而制成。

(5)对连接用导电部21的形成而言，通过用激光加工法除去导电性弹性体层21B上的变为连接用导电部部分以外的所有部分，也可以形成连接用导电部，如图21和图22所示，然而仅仅除去导电性弹性体层21B上的成为连接用导电部部分的周边部分，也能形成连接用导电部21。这种情况下，导电性弹性体层21B的残留部分可以通过机械地剥离脱模性支承板16将其除去。

(6)对探测器构件而言，片状探测器40并非必须，也可以是使各向异性导电性连接器2上的弹性各向异性导电膜20与作为检验对象晶片接触而达到电气连接的结构。

(7)本发明的各向异性导电性连接器，也可以是与作为检验对象晶片上所形成的一部分集成电路的被检验电极配置的电极区域对应来形成该框架板的开口，在这些开口内各自配置弹性各向异性导电膜。

按照这样的各向异性导电性连接器，就将晶片分成两个以上的区域，在分开后的每个区域，对该区域上形成的集成电路能一并进行探测试验。

即，至于使用本发明的各向异性导电性连接器或本发明的探测器构件的晶片检验方法，并非必须对晶片上形成的全部集成电路一并进行检验。

对老化试验而言，集成电路各自需要的检验时间因为长达数小时，若对晶片上形成的全部集成电路一并进行检验就能得到很高的时间效率，但是对探测试验而言，集成电路各自需要的检验时间因为短至数分钟，即使把晶片分成两个以上区域，在分开后的每个区域，对该区域上形成的集成电路一并进行探测试验，也获得足够高的时间效率。

这样，对晶片上形成的集成电路，按照分开后的每个区域进行电气检验的方法，对于直径8英寸或12英寸的晶片上以高集成度形成的集成电路进行电气检验的情况与对全部集成电路一并进行检验的方法相比较，能够减少使用检验用电路基板的检验电极个数和布线数目，因此，能够实现降低检验装置的制造成本。

(8)本发明的各向异性导电性连接器或本发明的探测器构件，除检测已形成了有铝构成平面状电极的集成电路晶片外，也能用于检验晶片上形成了有金或焊料等构成突起状电极(凸块)的集成电路晶片。

由金和焊料等构成的电极与铝构成的电极比较，由于其表面难以形成氧化膜，在检验形成了有这种突起状电极的集成电路晶片方面，不需要为了刺破氧化膜而用很大的载荷加压，所以使用片状探测器，可在各向异性导电性连接器的连接用导电部直接接触被检验电极的状态实行检验。

实施例

下面，说明本发明的具体实施例，但本发明并非只限定于这些实施例。

[试验用晶片的制作]

如图23所示，在直径8英寸的硅(线热膨胀系数3.3×10^-6/K)制造的晶片6上，分别形成尺寸9mm×9mm正方形的总计393个形集成电路L。晶片6上形成的集成电路L，如图24所示，其中央各自具有被检验电极区域A，该被检验电极区域A，如图25所示，分别纵向(图25中为上下方向)的尺寸为200μm、横向(图25中为左右方向)的尺寸为60μm的矩形的共40个被检验电极7，将其按间距120μm沿横向排成一列。该晶片6上全部被检验电极7的总数共15720个，所有被检验电极7互相电气绝缘。下面，把该晶片称为“试验用晶片W1”。

除集成电路(L)上的40个被检验电极之中从最外侧被检验电极(7)数起，每隔一个将每两个电极互相电气连接而不用互相电气绝缘全部被检验电极(7)以外，在晶片(6)上形成与上述试验用晶片W1同样结构的393个集成电路(L)。下面，把这种晶片称为“试验用晶片W2”。

(实施例1)

[框架板的制作]

根据图26和图27中所示的结构，按下列条件，制作与上述试验用晶片W1的各被检验电极区域对应形成的有393个开口(11)的直径8英寸框架板(10)。

该框架板(10)的材质为科瓦铁镍钴合金(线热膨胀系数5×10^-6/K)，其厚度为60μm。框架板(10)的开口(11)各自其横向(图26和图27中为左右方向)的尺寸为5.5mm、纵向(图26和图27中为上下方向)的尺寸为0.4mm。

在纵向相邻开口(11)之间的中央位置形成圆形空气流通孔(12)，其直径为1mm。

[成型用隔片的制作]

按下列条件，制成两枚与试验用晶片W1上的被检验电极区域对应形成的有多个开口的弹性各向异性导电膜成形用隔片。

这些隔片的材质为不锈钢(SUS304)，其厚度为20μm。隔片的各个开口，其横向尺寸为7mm、纵向尺寸为4mm。

[磁性芯粒子[A]的调制]

采用市场出售的镍粒子(Westaim社制“FC1000”)，象如下那样调制成磁性粒子[A]。

采用日清工程株式会社制造的空气分级机“涡轮式分级机TC-15N”，按比重8.9、风量2.5m³/min、转翼转数1600rpm、分级点为25μm、镍粒子供应速度16g/min的条件，分级处理2kg镍粒子，收集到1.8kg镍粒子；再次按比重8.9、风量2.5m³/min、转翼转数3000rpm、分级点为10μm、镍粒子供应速度14g/min的条件，分级处理1.8kg该镍粒子，收集到1.5kg镍粒子。

接着，采用简井理化学机器株式会社制造的声波筛网器“SW-20AT型”，用空气分级机进一步分级处理分级后的120g镍粒子。具体地说，分别把直径200mm、孔径25μm、20μm、16μm和8μm的四种筛网按上面这样的顺序四级重叠，向筛网各自投入直径2mm的10g陶瓷球、向最上级筛网(孔径为25μm)投入20g镍粒子，以55Hz用12分钟和以125Hz用15分钟的条件进行分级处理，在最下级的筛网(孔径为8μm)处回收捕捉到的镍粒子。通过总计25次进行该操作，调制出110g磁性芯粒子[A]。

所得到的磁性芯粒子[A]为：平均数粒子直径为10μm、粒子直径变动系数为10％、BET比表面积是0.2×10³m²/kg、饱和磁化是0.6Wb/m²。

[导电性粒子[a]的调制]

向粉末电镀装置的处理槽内投入100g磁性芯粒子[A]，加上0.32N的盐酸水溶液2L并加以搅拌，得到含有磁性芯粒子[A]的浆液。通过在常温下对该浆液搅拌30分钟，进行磁性芯粒子[A]的酸处理，而后，静置1分钟使磁性芯粒子[A]沉淀，除去上部的澄清液。

接着，给施行酸处理后的磁性芯粒子[A]中添加纯水2L，常温下搅拌2分钟，而后，静置1分钟使磁性芯粒子[A]沉淀，除去上部的澄清液。再通过二次重复该操作，进行磁性芯粒子[A]的清洗处理。

而且，向施行酸处理和清洗处理后的磁性芯粒子[A]中加上含金比例为20g/L的金镀液2L，通过使处理层内的温度上升到90℃并加以搅拌，调制成浆液。在该状态下，边搅拌浆液边对磁性芯粒子[A]进行了镀金置换。然后，通过边冷却浆液边静置沉淀粒子，除去上部澄清液，调成了本发明用的导电性粒子[a]。

给这样得到的导电性粒子[a]加上纯水2L，常温下搅拌2分钟，而后，静置1分钟使导电性粒子[a]沉淀，除去上部澄清液。再通过二次重复该操作，然后添加加热到90℃的纯水2L并加以搅拌，用滤纸过滤所得的浆液，回收导电性粒子[a]。而且，用设定于90℃的干燥机，干燥处理该导电性粒子[a]。

得到的导电性粒子[a]为：平均数粒子直径为12μm、BET比表面积是0.15×10³m²/kg、涂覆层厚度t为111nm、(形成涂覆层的金质量)/(导电性粒子[a]的全部质量)的比值N是0.3。

[导电性弹性体层的形成]

在加合型液状硅酮橡胶100重量成分中，通过分散上述导电性粒子[a]400重量成分，调制成导电性弹性体用材料。在由厚度5mm的不锈钢构成的脱模性支承板(16)的表面，通过用丝网印刷法涂布该导电性弹性体用材料，使该脱模性支承板(16)上形成厚度0.15mm的导电性弹性体用材料层(21A)(参照图5和图6)。

接着，对导电性弹性体用材料层(21A)，用电磁铁沿厚度方向边作用2忒斯拉磁场，边在120℃、1小时的条件下进行硬化处理，形成了被脱模性支承板(16)上支承的厚度为0.15mm的导电性弹性体层(21B)(参照图7和图8)。

在上面，使用的加合型液状硅酮橡胶是由粘度分别为250Pa·s的A液和B液组成的双液型硅酮橡胶，其硬化物的永久压缩形变为5％、硬度计A硬度为32、撕裂强度为25KN/m。

这里，加合型液状硅酮橡胶及其硬化物的特性是如下测定的。

(I)加合型液状硅酮橡胶的粘度，用B型粘度计测定在23±2℃下的值。

(II)硅酮橡胶硬化物的永久压缩形变要测定如下。

按等量比例，搅拌混合以双液型的加合型液状硅酮橡胶的A液和B液。接着，使该混合物流入金属模，对混合物进行了减压脱泡处理以后，通过120℃、30分钟的条件下进行硬化处理，制成厚度12.7mm、直径29mm的硅酮橡胶硬化物构成的圆柱体，在200℃、4小时的条件下对该圆柱体进行后固化。把这样得到的圆柱体用作试验片，按照JIS K 6349标准，测定150±2℃下的永久压缩形变。

(III)硅酮橡胶硬化物的撕裂强度测定如下。

按照与上述(II)同样的条件，通过进行加合型液状硅酮橡胶的硬化处理和后固化处理，制成厚度2.5mm的薄片。

用该薄片通过冲切制作新月状试验片，按照JIS K 6249标准，测定23±2℃下的撕裂强度。

(IV)硬度计A硬度是，把与上述(III)同样制成的薄片的5片重叠一起，将得到的层叠体用作试验片，按照JIS K 6249标准，测定23±2℃下的值。

[连接用导电部的形成]

在为脱模性支承板(16)上所支承的导电性弹性体层(21B)的表面，通过施加无电解电镀处理，形成了由厚度0.3μm的铜构成的金属薄层(17)(参照图9)。

该金属薄层(17)上，用光刻办法，按照与试验用晶片W1上形成的被检验电极图形对应的图形，分别形成尺寸为60μm×200μm矩形的15720个开口(18a)，并形成了厚度25μm的抗蚀剂层(18)(参照图10)。

然后，通过给金属薄层(17)的表面施加电解镀铜处理，在抗蚀剂层(18)的开口(18a)内形成了由厚度20μm的铜构成的金属掩模(19)(参照图11)。

而且，在此状态下，通过用二氧化碳激光装置，对导电性弹性体层(21B)、金属薄层(17)和抗蚀剂层(18)施行激光加工，分别形成为脱模性支承板(16)上所支承的15720个连接用导电部(21)，而后，从连接用导电部(21)的表面剥离残留的金属薄层(17)和金属掩模(19)，同时从脱模性支承板(16)的表面机械剥离导电性弹性体层(21B)的残留部分(参照图12)。

以上，用二氧化碳激光装置的激光加工条件如下。即，作为装置，采用二氧化碳激光加工机“ML-605GTX”(三菱电机(株)制造)的激光束径为直径60μm、激光输出为0.8mJ的条件下，通过对一个加工点照射10发激光束进行了激光加工。

[绝缘部的形成]

准备由厚度5mm的不锈钢构成的绝缘部形成用的脱模性支承板(16A)。在该脱模性支承板(16A)的表面配置一个成型用隔片，这个成型用隔片上定位配置框架板(10)，该框架板(10)上定位配置另一个成型用隔片。

其次，准备调制导电性弹性体用材料中使用的加合型液状硅酮橡胶。对该加合型液状硅酮橡胶进行了减压脱泡处理后，通过用丝网印刷法，将该加合型液状硅酮橡胶涂布于脱模性支承板(16A)上，使加合型液状硅酮橡胶充填到两枚成型用隔片的各个开口内和框架板(10)的开口(11)内，形成了绝缘部用材料层(22A)(参照图13)。

接着，采用在形成了绝缘部用材料层(22A)的脱模性支承板(16A)上重叠形成了多个连接用导电部(21)的脱模性支承板(16)的办法，使连接用导电部(21)各自浸入绝缘部用材料层(22A)中并使之与脱模性支承板(16A)接触(参照图14)。而后，在这种状态下，随着给脱模性支承板(16)和脱模性支承板(16A)施加1500kgf的压力，一面沿厚度方向压缩连接用导电部(21)，一面对绝缘部用材料层(22A)进行硬化处理，在连接用导电部(21)的各自周围使其互相绝缘的绝缘部(22)，形成了与连接用导电部(21)整体地形成的弹性各向异性导电膜(20)(参照图15)。

而且，通过使弹性各向异性导电膜(20)脱离脱模性支承板(16)、(16A)，除去成型用隔片，制成本发明的各向异性导电性连接器。

具体地说明所得到的各向异性导电性连接器中的弹性各向异性导电膜时，弹性各向异性导电膜的各自横向尺寸为5.5mm、纵向尺寸为0.4mm。

在弹性各向异性导电膜内，各自有40个连接用导电部按120μm的间距沿横向排成一列。连接用导电部各自横向尺寸60μm、纵向尺寸200μm、厚度约140μm、绝缘部厚度100μm。

弹性各向异性导电膜上的各自被支承部分厚度(双叉部分的一个厚度)为20μm。

对弹性各向异性导电膜上的各自连接用导电部中含有导电性粒子的比例进行了研究的结果，就全部连接用导电部而言，按体积率约为30％。

[检验用电路基板的制作]

使用氧化铝陶瓷(线热膨胀系数4.8×10^-6/K)作为基板材料，按照与试验用晶片W1上的被检验电极图形对应的图形，制作形成了检验电极的检验用电路基板。该检验用电路基板的全体尺寸为30cm×30cm的矩形，其检验电极横向尺寸60μm、纵向尺寸200μm。下面，把这样的检验用电路基板称为“检验用电路基板T”。

[片状探测器的制作]

准备在厚度20μm的聚酰亚胺构成的绝缘性片的一个面上层叠厚度为15μm铜层的叠层材料。通过对这种叠层材料中的绝缘性片施行激光加工，按照与试验用晶片W1上的被检验电极图形对应的图形，形成贯通该绝缘性片厚度方向的各自直径为40μm的15720个贯通孔。接着，通过对这一叠层材料施行光刻和镀镍处理，在绝缘性片的贯通孔内形成与铜层整体连接的短路部，同时在该绝缘性片的表面形成了与短路部整体连接的突起状表面电极部。该表面电极部直径为50μm，距离绝缘性片表面的高度为20μm。然后，通过对叠层材料上的铜层施行光刻处理并除去其一部分，形成70μm×210μm矩形的背面电极部分，进而，随着对表面电极和背面电极施加镀金处理而形成电极构造体，因而制成了片状探测器，下面，把这种片状探测器称为“片状探测器M”。

[各向异性导电性连接器的评价]

(1)试验1：

在试验台上配置试验用晶片W1，再在该试验用晶片W1上配置各向异性导电性连接器，象位于该试验用晶片W1的被检验电极上一样定位其各个连接用导电部。接着，在该各向异性导电性连接器上配置检验用电路基板T，象位于该各向异性导电性连接器的连接用导电部上一样定位固定其各个检验电极，进而，朝下方用160kg的载荷给检验用电路基板T加压。

而且，在室温(25℃)下，给检验用电路基板T的各个检验电极顺序地施加电压，同时测定加上了电压的检验电极和与其相邻的检验电极之间的电阻，作为各向异性导电性连接器上的连接用导电部间的电阻(下面，称作“绝缘电阻”)，求出绝缘电阻在5MΩ以下的连接用导电部对的个数。这里，就连接用导电部间的绝缘电阻在5MΩ以下的而言，对于晶片上所形成的集成电路的电气检验，往往难以实际上使用。

上面，将结果表示在下列表1里。

(2)试验2：

在具有电加热器的试验台上配置试验用晶片W2，在该试验用晶片W2上配置各向异性导电性连接器，象位于该试验用晶片W2的被检验电极上一样定位其各个连接用导电部。在该各向异性导电性连接器上配置检验用电路基板T，象位于该各向异性导电性连接器的连接用导电部上一样定位其各个检验电极，进而，朝下方用32kg的载荷(给每一个连接用导电部加上约2g平均载荷)给检验用电路基板T加压。

而且，在室温(25℃)下，对检验用电路基板T上的15720个检验电极，顺序测定通过各向异性导电性连接器和试验用晶片W2互相电气连接的两个检验电极之间的电阻，记录测得的电阻值的1/2值作为各向异性导电性连接器上的连接用导电部间的电阻(下面，称作“导通电阻”)，求出导通电阻在0.5MΩ以上的连接用导电部对的个数。设上面的操作为“操作(1)”。

接着，将给检验用电路基板T加压的载荷变更为126kg(给每一个连接用导电部加上约8g平均载荷)，然后，把试验台加热到125℃，待试验台温度稳定以后，在该状态下放置1小时。设上面的操作为“操作(2)”。

接着，让试验台冷却到室温，而后，解除对检验用电路基板T的加压。设上面的操作为“操作(3)”。

而且，把上述的操作(1)、操作(2)和操作(3)作为一个循环，合计连续进行500个循环。

以上，就连接用导电部间的导通电阻在0.5MΩ以上的而言，对于晶片上所形成的集成电路的电气检验，难以实际上使用。

将以上结果表示在下列表2里。

(3)试验3：

在试验台配置的试验用晶片W2上配置片状探测器M，象位于该试验用晶片W2的被检验电极上一样定位其背面电极部，该片状探测器M上配置各向异性导电性连接器，象位于片状探测器M上一样定位其连接用导电部，并且，除朝下方用126kg的载荷(给每一个连接用导电部加上约8g平均载荷)给检验用电路基板T加压以外，与试验2同样测定连接用导电部的导通电阻，求出导通电阻在0.5MΩ以上的连接用导电部对的个数。

将结果表示在下列表3里。

<比较例>

使用与实施例1同样的框架板，按照特开2002-334732号公报上记载的方法，通过在框架板的各个开口形成下列规格的弹性各向异性导电膜，制造出比较用的各向异性导电性连接器。

说明所得比较用的各向异性导电性连接器的弹性各向异性导电膜时，弹性各向异性导电膜的各自横向尺寸为5.5mm、纵向尺寸为0.4mm。

弹性各向异性导电膜内，各自有40个连接用导电部按120μm的间距沿横向排成一列。连接用导电部各自横向尺寸60μm、纵向尺寸200μm、厚度约为140μm、绝缘部厚度为100μm。

各个弹性各向异性导电膜的被支承部分厚度(双叉部分的一个厚度)为20μm。

对弹性各向异性导电膜的各自连接用导电部中含有导电性粒子的比例进行了研究的结果，按体积率约为20％。

而且，与实施例1同样对该比较用的各向异性导电性连接器进行评价。把以上结果都表示在表1～表3里。

[表1]

	试验1：绝缘电阻在5MΩ以下的连接用导电部的成对数
		实施例1	0
比较例1	10

[表2]

	试验2：导通电阻在0.5Ω以上的连接用导电部的个数
									循环数	1	20	50	100	200	300	400	500
实施例1	0	0	0	0	0	0	0	14
									比较例1	0	0	0	0	16	46	182	386

[表3]

	试验3：导通电阻在0.5Ω以上的连接用导电部的个数
									循环数	1	20	50	100	200	300	400	500
实施例1	0	0	0	0	0	0	8	38
									比较例1	0	0	0	0	10	54	168	420

从表1～表3的结果很清楚，按照实施例1的各向异性导电性连接器，即使各向异性导电性连接器中的连接用导电部间距很小，该连接用导电部也能得到良好的导电性，同时相邻的连接用导电部间也得到充分的绝缘性，而且对于因温度变化而引起热过程等的环境变化，也稳定地维持良好的电气连接状态，可以确定即使高温环境下重复使用时，全部连接用导电部也都会连续长时间维持良好的导电性。

之所以获得这样的特性，可以认为是因为以下的理由。

(1)脱模性支承板上形成了连接用导电部以后，把该连接用导电部浸入绝缘部用材料层中，通过硬化处理该绝缘部用材料层而形成绝缘部，所以绝缘部内完全不存在导电性粒子，因而，可靠地得到具有充分绝缘性的绝缘部。

(2)由于用激光加工导电性弹性体层来形成连接用导电部，所以各连接用导电部中含有导电性粒子的比例偏差极其之小，因而所有连接用导电部都得到良好稳定的导电性。

(3)各弹性各向异性导电膜，其面积很小而且平面方向的热膨胀绝对量少，所以借助于框架板能可靠地限制弹性各向异性导电膜平面方向的热膨胀。然而，各向异性导电性连接器的全部热膨胀量取决于构成框架板的材料热膨胀率，因而即使经受了温度变化的热过程情况下，防止连接用导电部与被检验电极的位置偏移的结果，也稳定地维持良好的电气连接状态。

相反，对比较例1的各向异性导电性连接器而言，由于绝缘部内残留有导电性粒子，存在绝缘电阻低的连接用导电部对，并且，因为各连接用导电部内含有导电性粒子的比例偏差很大，高温环境下重复使用时，可以认为是使一部分连接用导电部的导电性降低了。

Claims (12)

1.一种晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，包括与配置了作为检验对象晶片上所形成的全部或一部分集成电路的被检验电极的电极区域相对应地形成了多个开口的框架板、和象堵塞该框架板的各个开口一样配置的多个弹性各向异性导电膜，上述弹性各向异性导电膜各自具有与上述晶片上所形成的集成电路被检验电极相对应配置的在弹性高分子物质中含有呈现磁性的导电性粒子的沿厚度方向伸长的多个连接用导电部、和由使这些连接用导电部相互绝缘的弹性高分子物质构成的绝缘部，其特征是：

通过激光加工为脱模性支承板上所支承的弹性高分子物质中含有呈现磁性的导电性粒子的导电性弹性体层，在该脱模性支承板上形成多个连接用导电部，

把该脱模性支承板上形成的连接用导电部，各自浸入象堵塞框架板开口一样形成的、硬化并变成弹性高分子物质的液状高分子物质形成材料构成的绝缘部用材料层中，在此状态下通过硬化处理上述绝缘部用材料层而形成绝缘部的工序。

2.按照权利要求1所述的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，其特征是激光加工是用二氧化碳气体激光或紫外线激光的加工。

3.按照权利要求1或2所述的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，其特征是在导电性弹性体层表面上按照应形成连接用导电部的图形来形成金属掩模，而后，通过激光加工该导电性弹性体层，形成多个连接用导电部。

4.按照权利要求3所述的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，其特征是通过电镀处理导电性弹性体层表面，形成金属掩模。

5.按照权利要求3所述的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，其特征是在导电性弹性体层表面形成金属薄层，该金属薄层表面上又形成按照指定图形形成了开口的抗蚀剂层，通过电镀处理上述金属薄层上从上述抗蚀剂层开口中露出的部分表面，形成金属掩模。

6.按照权利要求1到5任一项所述的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，其特征是对硬化并变成弹性高分子物质的液状导电性弹性体用材料层中含有呈现磁性的导电性粒子的导电性弹性体用材料层，通过沿其厚度方向作用磁场，同时硬化处理该导电性弹性体用材料层以形成导电性弹性体层。

7.按照权利要求1到6任一项所述的晶片检验用各向异性导电性连接器的制造方法，其特征是使用线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料作为框架板。

8.一种按照权利要求1到7任一项所述的制造方法获得的晶片检验用各向异性导电性连接器。

9.一种探测器构件，是为了对晶片上形成的多个集成电路，在晶片状态下各自进行该集成电路的电气检验而使用的，其特征是探测器构件具有：

按照与作为检验对象的晶片上所形成的集成电路的被检验电极图形对应的图形，在表面上形成检验电极的检验用电路基板；和在该检验用电路基板表面配置的按照权利要求8所述的晶片检验用各向异性导电性连接器。

10.按照权利要求9所述的探测器构件，其特征是在各向异性导电性连接器上，配置有由绝缘性片、和沿其厚度方向贯通该绝缘性片延伸，并按照与被检验电极图形对应的图形配置的多个电极构造体构成的片状探测器。

11.一种晶片检验装置，是对晶片上所形成的多个集成电路，在晶片的状态下各自进行该集成电路的电气检验，其特征是：

具有按照权利要求9和权利要求10所述的上述探测器构件，通过该探测器构件达到对作为检验对象的晶片上所形成的集成电路的电气连接。

12.一种晶片检验方法，其特征是通过按照权利要求9或权利要求10所述的的探测器构件，将晶片上形成的多个集成电路各自电气连接到检测器上，对该晶片上形成的集成电路实行电气检验。

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