CN1962556A - 纳米防污抛光砖的生产工艺 - Google Patents
纳米防污抛光砖的生产工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1962556A CN1962556A CN 200610123726 CN200610123726A CN1962556A CN 1962556 A CN1962556 A CN 1962556A CN 200610123726 CN200610123726 CN 200610123726 CN 200610123726 A CN200610123726 A CN 200610123726A CN 1962556 A CN1962556 A CN 1962556A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quartz
- brick
- polished brick
- nano material
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种纳米防污抛光砖的生产工艺。该工艺是将无机液态纳米材料经纳米导入反应器渗入未打蜡的抛光砖坯体表面和内层的毛气孔中,并经600℃±50℃高温烘烤后,使得液态纳米材料与坯体中的硅一起进行β石英转化成α石英的晶型转换,在毛气孔中结晶,从而融为一体,填充深度为0.3~2.0mm。本发明是将液态纳米材料导入坯体的毛气孔中,并经高温结晶形成纳米晶体与瓷砖硅融为一体,不改变瓷砖原有的耐磨性和硬度等理化性质,因此既不影响原有抛光砖的光洁度、耐磨性、硬度,又实现了持久防污。
Description
技术领域:
本发明涉及瓷砖生产工艺技术领域,特指一种纳米防污抛光砖的生产工艺。
背景技术:
目前抛光砖生产厂家对抛光砖防污处理主要采用以下两种技术手段:
一是给抛光砖表面涂一层有机硅防污蜡,封闭微细毛孔。但是,由于石蜡在抛光砖上的附着力差,一经洗衣粉、洗洁精等洗涤,防污能力变差,并且在防污剂凝固后,体积缩小或膜变薄,对于一些渗透力较强,或带有亲油基团的污渍来说,防污效果不明显。再者石蜡不耐候,易分解挥发消失失去防污作用。
二是高光亮防污涂层技术。这种防污方法是通过机器加压研磨抛光,将一种接近纳米级有机防污材料涂附在抛光砖表面,经过抛头打磨形成一极薄高亮度防护层,来达到防污效果。由于这种涂层技术工艺复杂,防污材料质量不一,使这种方法的防污效果稳定性受到较大影响。不同厂家、不同批次的产品之间会存在明显差别。高光亮防污涂层最大的特点就是光泽度高,经其处理后的抛光砖,光泽度增光20度以上,瓷砖的光泽度一般在85度以上,这种高亮度产品的大范围使用极易造成像玻璃幕墙一样的光污染。其次,由于这种覆盖在瓷砖表面的高光亮防污涂层是一种有机材料,因其耐磨性差,耐候性差,在铺贴和使用过程中容易在其表面形成划痕或磨成亚光或分解失效,形成明暗不均的色差,同时还会受环境影响发生涂层变色,影响装饰效果。
发明内容:
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处,为根本上解决瓷砖吸污问题提供一种纳米持久防污抛光砖的生产工艺。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案为:该工艺是将无机硅化合物液态纳米材料经纳米导入反应器渗入未打蜡的抛光砖坯体表面和内层的毛气孔中,并经600℃±50℃高温烘烤后,使得液态纳米材料与坯体中的硅一起进行β石英转化成α石英的晶型转换,在毛气孔中结晶,从而融为一体,填充深度为0.3~2.0mm。
所述的液态纳米材料至少经五次导入,并且导入后均要和坯体在600℃±50℃高温下烘烤。
该工艺的具体流程是:未打蜡抛光砖—清洗处理—在200℃±50℃的温度下烘烤处理—将20~40g的液态纳米材料进行第一次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行第二次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行第三次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行四次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行第五次导入反应—在150℃±50℃的温度下烘烤处理—分级包装。
本发明是将液态纳米材料导入坯体的毛气孔中,并经高温结晶形成纳米晶体与瓷砖硅融为一体,不改变瓷砖原有的耐磨性和硬度等理化性质,因此既不影响原有抛光砖的光洁度、耐磨性、硬度,又实现了持久防污。
综上所述,经本发明处理后的新产品将逐步代替目前流行的大量同质化产品,提高资源的利用率,减少天然资源浪费,摆脱低技术含量和低附加值产品的低端市场恶性竞争,提高行业及企业的国际市场竞争力,对我国建材陶瓷产业的可持续发展将发挥较大促进作用。因此本发明对推动我国建筑陶瓷行业的技术创新与优化升级,具有革命性的正面意义。
具体实施方式:
本实施例的具体工艺流程为:未打蜡抛光砖—清洗处理—在200℃的温度下烘烤处理—将30g的液态无机硅进行第一次导入反应—在600℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将30g的液态无机硅进行第二次导入反应—在600℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将30g的液态无机硅进行第三次导入反应—在600℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将30g的液态无机硅进行四次导入反应—在600℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将30g的液态无机硅进行第五次导入反应—在150℃的温度下烘烤处理—分级包装。
经过上述五次导入并经五次高温烘烤后,使表里反应更为均匀,防污效果更佳,而且渗入深度超过0.3mm,从而实现持久防污。另外,每次进行高温烘烤后,须对表面进行研磨处理,对坯体表面进行清洁处理,避免下一次液态无机硅导入时有不洁杂物,影响渗入效果。
Claims (3)
1、纳米防污抛光砖的生产工艺,其特征在于:该工艺是将无机硅化合物液态纳米材料经纳米导入反应器渗入未打蜡的抛光砖坯体表面和内层的毛气孔中,并经600℃±50℃高温烘烤后,使得液态纳米材料与坯体中的硅一起进行β石英转化成α石英的晶型转换,在毛气孔中结晶,从而融为一体,填充深度为0.3~2.0mm。
2、根据权利要求1所述的纳米防污抛光砖的生产工艺,其特征在于:所述的液态纳米材料至少经一至六次导入,并且导入后均要和坯体在600℃±50℃高温下烘烤。
3、根据权利要求1或2所述的纳米防污抛光砖的生产工艺,其特征在于:该工艺的具体流程是:未打蜡抛光砖—清洗处理—在200℃±50℃的温度下烘烤处理—将20~40g的液态纳米材料进行第一次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行第二次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行第三次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行四次导入反应—在600℃±50℃的温度下烘烤处理—研磨处理—将20~40g的液态纳米材料进行第五次导入反应—在150℃±50℃的温度下烘烤处理—分级包装。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200610123726 CN1962556A (zh) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 纳米防污抛光砖的生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200610123726 CN1962556A (zh) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 纳米防污抛光砖的生产工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1962556A true CN1962556A (zh) | 2007-05-16 |
Family
ID=38081807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200610123726 Pending CN1962556A (zh) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 纳米防污抛光砖的生产工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1962556A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102557731A (zh) * | 2012-02-02 | 2012-07-11 | 佛山市纳德精工科技有限公司 | 建筑陶瓷和石材产品生产过程中的烧洁防污方法及设备 |
CN117185842A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-12-08 | 广东方向陶瓷有限公司 | 一种防污耐磨陶瓷砖及其制备方法 |
-
2006
- 2006-11-21 CN CN 200610123726 patent/CN1962556A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102557731A (zh) * | 2012-02-02 | 2012-07-11 | 佛山市纳德精工科技有限公司 | 建筑陶瓷和石材产品生产过程中的烧洁防污方法及设备 |
CN102557731B (zh) * | 2012-02-02 | 2014-05-21 | 佛山市纳铭精工科技有限公司 | 建筑陶瓷和石材产品生产过程中的烧洁防污方法及设备 |
CN117185842A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-12-08 | 广东方向陶瓷有限公司 | 一种防污耐磨陶瓷砖及其制备方法 |
CN117185842B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-02-13 | 广东方向陶瓷有限公司 | 一种防污耐磨陶瓷砖及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102189847B1 (ko) | 미끄럼 방지 내마모성 유약, 미끄럼 방지 내마모성 이지클리닝 세라믹타일 및 그 제조 방법 | |
CN110642521B (zh) | 高耐磨防污微晶装饰陶瓷厚板及其制备方法 | |
CN104529553B (zh) | 用陶瓷废物制造的表面如碎钻砂闪烁星光的釉面砖及制备 | |
CN109320202A (zh) | 一种古石质感瓷砖及其制备方法 | |
CN111116235B (zh) | 一种细干粒陶瓷砖及其制备方法、细干粒釉 | |
EP1731330B1 (en) | Method for manufacturing material like antique tiles | |
CN102503359B (zh) | 一种瓷质抛光砖及其生产方法 | |
CN104385106A (zh) | 一种哑光效果的抛釉砖的生产方法 | |
CN105000916A (zh) | 用陶瓷废料制造的表面具有石状光泽的釉面砖及其制备方法 | |
CN105060843B (zh) | 一种强化玉质瓷的制备方法及其制得的产品 | |
CN111099923A (zh) | 一种炫彩效果陶瓷砖及其制备方法 | |
CN108752057B (zh) | 一种表面光泽度为4-8度的柔面耐磨易洁复古砖 | |
CN111646786B (zh) | 一种微粉复合喷墨定位干粒工艺的瓷质砖及其制备方法 | |
CN114773093B (zh) | 一种干粒釉、具有时光印记效果的陶瓷砖及其制备方法 | |
CN105330256B (zh) | 一种通体白度高的瓷砖 | |
CN109574711A (zh) | 一种表面具精细凹凸纹理的瓷质砖及其制造方法 | |
CN111348832B (zh) | 一种利用CaTi2O5表面改性剂制备的亲水陶瓷釉及其制备和应用方法 | |
CN110615694A (zh) | 一种臻石釉瓷砖及其生产方法 | |
CN110885256A (zh) | 具有立体感发光效果的数码干粒内墙砖及其制备方法 | |
CN110790507A (zh) | 一种底釉及其制备方法、黑色喷墨陶瓷砖及其制造方法 | |
CN110981200A (zh) | 一种微晶釉料及其制备方法 | |
CN101037321A (zh) | 一种高白度无辐射瓷砖及其制造方法 | |
CN104909545B (zh) | 一种大规格仿真花岗岩瓷质薄板及其制备方法 | |
CN113402264A (zh) | 一种三维立体大尺寸晶花装饰陶瓷板及其制备方法 | |
CN210855865U (zh) | 一种臻石釉瓷砖 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |