CN1958302A - 激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于成像施主薄膜的成像层到受体基板上的激光诱导热成像设备。该激光诱导热成像设备包括：基板台和施主薄膜，其中，该基板台包括磁铁，并且适于容放具有有机光发射装置的象素区的受体基板，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的永磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。

Description

激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法
技术领域
本发明涉及激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法，特别是，涉及通过利用磁力执行施主薄膜(donor film)和受体基板(acceptors substrate)的层压过程的激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法。
背景技术
有机光发射装置是具有设置在第一电极和第二电极之间的发光层的装置。当电压施加在该电极之间时，该有机光发射装置通过结合该发光层中的空穴和电子而发射光。在下文中，将参照用于制造有机光发射装置的激光诱导热成像设备描述现有技术和本发明，然而，本发明不限于此。
该激光诱导热成像方法用激光照射包括基板、光-热转换层和传输层(成像层)的施体基板，并且转换通过该基板的激光成为该光-热转换层中的热量，这样该光-热转换层变形和膨胀以使邻近的传输层变形和膨胀。这样，该传输层粘附到该受体基板上，从而该传输层可以转换成该受体基板。
当执行该激光诱导热成像方法时，完成成像的腔体的内部应该是真空状的，以与形成该发光装置的沉积过程相一致。然而，当根据现有技术在该真空态下执行该激光诱导热成像时，有一个问题是，由于在该施体基板和该受体基板之间产生的外来物质(不纯物)或间隔(空隙或间隙)的影响，成像层中的像不能很好的显示出来。因此，在该激光诱导热成像方法中，层压该施体基板和该受体基板的方法就很重要，并且考虑了多种解决该间隔或不纯物问题的方案。
图1是根据现有技术中用于克服上述问题的激光诱导热成像设备的部分截面图。根据图1，激光诱导热成像设备10包括位于腔体11内侧的基板台(substrate stage)12和位于该腔体11上部的激光振荡器13。
该基板台12是放置受体基板14和施主薄膜15的台阶，他们都引入该腔体11中。
在这种情况下，为了层压受体基板14和该施主薄膜15，而同时不在该受体基板14和该施体基板15之间产生外来物质(foreign substance)或间隔，执行该激光诱导热成像的该腔体11的内侧不保持真空态，而是通过连接软管16到该基板台12的下部，用真空抽气机P抽气，从而粘附该受体基板14和该施主薄膜15。然而，在这样的现有技术中，由于不能完全防止该受体基板14和该施主薄膜15之间的外来物质1和空隙的产生，而且不能保持该腔体11内部的真空态，因此对产品的可靠性和有效期会产生不利影响。
发明内容
本发明的一个方面是提供激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法，用于采用磁力在真空条件下层压受体基板和施主薄膜。
在根据本发明的示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备。该设备包括：基板台，其中，该基板台包括电磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架(contact frame)，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案开口部分和用于与该基板台形成磁力的磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备。该设备包括：基板台，其中，该基板台包括永磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备。该设备包括：基板台，其中，该基板台包括永磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的电磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备。该设备包括：基板台，其中，该基板台包括磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间并且包括用于激光通过的透明材料的至少一个传输部分和用于与该基板台形成磁力的磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备。该设备包括：基板台，其中，该基板台包括磁性物质，并且适应于容放该受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间并且包括用于激光通过的透明材料的至少一个传输部分和用于与该基板台形成磁力的磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备。该设备包括：基板台，其中，该基板台包括磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间并且包括用于激光通过的透明材料的至少一个传输部分和用于与该基板台形成磁力的磁性物质；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像方法。该方法包括：在包括电磁铁的接触框架和包括永磁铁的基板台之间，设置具有有机光发射装置的象素区的受体基板和包括成像在该象素区上的该有机光发射层的施主薄膜；利用在该接触框架和该基板台之间形成的电磁力粘附该受体基板和该施主薄膜；和通过发射激光到对应于该有机光发射层的该施主薄膜上，成像该施主薄膜的该有机光发射层到该受体基板上。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像方法。该方法包括：在包括永磁铁的接触框架和包括永磁铁的基板台之间，设置具有有机光发射装置的象素区的受体基板和包括成像在该象素区上的该有机光发射层的施主薄膜；利用在该接触框架和该基板台之间形成的电磁力粘附该受体基板和该施主薄膜；和通过发射激光到对应于该有机光发射层的该施主薄膜上，成像该施主薄膜的该有机光发射层到该受体基板上。
在根据本发明的另一个示范性实施例中，提供有用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像方法。该方法包括：在包括永磁铁的接触框架和包括电磁铁的基板台之间，设置具有有机光发射装置的象素区的受体基板和包括成像在该象素区上的该有机光发射层的施主薄膜；利用在该接触框架和该基板台之间形成的电磁力粘附该受体基板和该施主薄膜；和通过发射激光到对应于该有机光发射层的该施主薄膜上，成像该施主薄膜的该有机光发射层到该受体基板上。
附图说明
结合附图，通过下面对示范性实施例的描述，本发明的这些和/或其它方面和特征将会变得更加明显和更加容易理解，其中：
图1展示了根据现有技术的激光热成像设备的部分截面图。
图2是根据本发明第一实施例至第六实施例的激光诱导热成像设备的分解透视图。
图3展示了用于本发明的激光诱导热成像设备中激光振荡器实施例的结构视图。
图4是沿着图2中A-A′线剖取的激光诱导热成像设备的接触框架的示意性截面图。
图5展示了根据本发明的激光诱导热成像设备的接触框架移动机构的透视图。
图6是展示根据本发明实施例的激光诱导热成像方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的特定示范性实施例。图2是根据本发明第一实施例至第六实施例的激光诱导热成像设备的分解透视图。根据该图，激光诱导热成像设备100包括基板台110、激光振荡器120、接触框架130、接触框架移动机构140和腔体150。
<第一实施例>
根据本发明的第一实施例阐述了采用基板台110的施主薄膜200和受体基板300的接触过程(或粘附过程)，该基板台110包括电磁铁、具有开口部分预定图案和永磁铁的接触框架130。该接触框架130上的该开口部分可以是开口或用透明材料，如玻璃或透明聚合物覆盖的传输部分。该基板台110包括一个或多个磁铁111，其可以是永磁铁、电磁铁、磁性物质、或任何其它具有磁性的合适材料。
该腔体150可以是用在传统的激光诱导热成像设备中的腔体，并且该腔体150的内部至少安装有基板台110并且适应于容放该接触框架130等。在该腔体150内侧，该施主薄膜200和该受体基板300可以传送或定位，在此，用于传送该施主薄膜200和该受体基板300至该腔体150内侧的传送机构(未示出)提供在该腔体150的外侧。从制造过程的观点来看，该腔体150的内侧应该保持为真空态，但本发明不限于此。
该基板台110位于该腔体150上或其底侧附近，在该第一实施例中，该基板台110至少提供有电磁铁(图2中未示出)。在所述实施例中，电磁铁提供在该基板台110的内侧。在此，该电磁铁可以设置在一个平面内。然而，当用到多个电磁铁时，该电磁铁可以形成为同心圆模式或具有长度和宽度的多列。
该基板台110还可以包括移动该基板台的驱动机构(未示出)。当该基板台110移动时，可以设置该激光振荡器120使其只在一个方向发射激光。例如，当该激光纵向发射并且该基板台110还包括移动该基板台的驱动机构时，该激光可以发射在该施主薄膜200的整个区域上。
同样，该基板台110可以包括容放和安装该受体基板300和该施主薄膜200的安装机构。该安装机构允许利用该传送机构传送该受体基板300和该施主薄膜200到该腔体150的内侧，以便精确安装在期望的位置(例如，预定的位置)。
在本实施例中，该安装机构可以形成为具有通孔410、510、导向杆420、520、移动板430、530、支座440、40、和安装凹槽450、550。在此，沿着该移动板430和该支座440的提供提升动作或下降动作的该导向杆420具有这样的结构，以使其通过并且穿过该通孔410提升时容放该受体基板300，当通过并且穿过该通孔410下降时允许该受体基板300安全地到达形成在该基板台110上的该安装凹槽450。对该安装机构的多种修改可以由本领域的一般技术人员实现，因此，在此略去对其的详细解释。
该激光振荡器120可以安装在该腔体150的内侧或外侧。在所述实施例中，该激光振荡器120安装在该腔体的内侧以使激光可以从该腔体150的上部发射。根据图3，其为该激光振荡器120的示意性结构图，在本实施例中，该激光振荡器120采用CW ND:YAG激光(1604mm)并且包括两个振镜(galvanometer scanners)121、123、扫描透镜125和圆柱透镜127，但不限于此。
图4是沿着图2中A-A′线剖取的接触框架130的示意性截面图。该接触框架130包括一个或多个永磁铁以形成与该基板台的电磁铁之间的磁力，从而有力地层压(彼此粘附)位于该基板台110和该接触框架130之间的该施主薄膜200和该受体基板300。在此，该接触框架130本身可以形成为永磁铁，或一个或多个永磁铁形成在该接触框架130的上侧或下侧。在所述实施例中，该永磁铁包括永磁铁纳米粒子。该接触框架130也包括开口部分(或开口)133，在其它实施例中，该开口部分可以为由透明材料(例如，玻璃或透明聚合物)覆盖的传输部分。
该接触框架130包括激光束通过的一个或多个开口部分。即，对应于该施主薄膜200的成像部分，该施主薄膜200的期望区域可以采用该图案的开口部分成像在(或传送到)该受体基板300上。因此，该接触框架130可以在一个或多个期望的位置或部位(例如，预定位置)并行执行发射激光的屏蔽。
该接触框架130可以彼此交换或替换和操作，形成有至少一个开口部分，对应于该开口部分，形成有采用有机光发射层成像的有机光发射装置的每个子象素。
该接触框架移动机构140为向该基板台移动该接触框架130的机构，其可以制造成各种形式。然而，根据图5中展示的实施例，其包括：托架141，包括托架槽142；连接杆143，连接到该腔体150上侧的该托架141上；和驱动机构(未示出)，用于驱动连接杆143和连接到其上的该托架141上下运动。当图5所示的移动机构移动时，该接触框架130安装并移动在包括托架投影134的托盘135上。该接触框架130包括一个或多个磁铁137，其可以为电磁铁、永磁铁或磁性物质。
交换机构如机器臂等可以用来交换该第一接触框架和该第二接触框架。例如，在形成设置在该托架上的第一接触框架的第一子象素和第二子象素后，该机器臂可以从该托架传送该第一接触框架至外侧，并且可以放置第二接触框架到该托架上，以便它们可以彼此交换。
接下来，将参照图2和图6描述采用上述激光诱导热成像设备的有机光发射装置的形成方法。在形成该有机光发射装置时，采用上述激光诱导热成像设备的方法包括以下步骤：传送(放置)该受体基板ST100；传送(放置)该施主薄膜ST200；接触(或粘附)该接触框架ST300；成像(或传送)对应于该子象素ST400的有机层；分隔该接触框架ST500。
在传送该受体基板ST100的步骤中，放置或安放形成该有机光发射层的该受体基板300在包括磁铁或磁性物质的该基板台110上。该象素区限定在该受体基板300上，其上形成有从该施主薄膜上成像的发光层。
在传送该施主薄膜ST200的步骤中，传送或放置包括成像的该发光层的该施主薄膜在(或传送到)该受体基板300上。同时，该发光层可以构造成具有任何合适的颜色，如红色。
在接触(或粘附)该接触框架ST300的步骤中，用磁引力移动该接触框架向该基板台，其中，该接触框架包括开口部分和永磁铁，其中，成像该施主薄膜的有机光发射层的激光通过该开口部分。因此，该施主薄膜和位于其间的该受体基板彼此层压或紧密接触或粘附在一起。在所述的实施例中，该接触框架首先采用该接触框架移动结构移动并且朝着和/或与该受体基板接触。然后，采用磁引力更有力地与其接触(或粘附)。
在成像该子象素ST400的步骤中，通过该接触框架的该开口部分发射激光到该施主薄膜上来扩张提供在该施主薄膜中的该有机光发射层，并且成像(或传送)该有机光发射层到该受体基板的该象素区域中。同时，控制激光的发射范围以使激光只发射在对应于该开口部分的象素区域中。
在分隔该接触框架ST500的步骤中，采用该接触框架移动机构把该接触框架从该受体基板分隔开来，其中，在所述实施例中，首先通过磁引力分隔该接触框架，然后，用该接触框架移动机构把该接触框架提升到该腔体的上部。
尽管参照第一实施例已经基本解释了本发明，但在不偏离本发明的精神和范围的条件下可以对其进行多种修改和变化。例如，基于本申请中的揭示，在该接触框架移动机构的结构上，在传输部分的形状上，在开口部分的形状上，在包括的磁铁(采用磁铁纳米粒子等)的形状上等的变化可以通过本领域的一般技术人员获得。下文中，将描述与参照图2的第一实施例的结构一致的第二至第六个实施例，然而，各自的基板台和接触框架应用的范围不同。因此，除了基板台和接触框架外，由于对第一实施例的描述可以应用到其它组件和过程方法的描述中，下文将略去对其的描述。
<第二实施例>
根据本发明的第二实施例阐述了采用基板台的施主薄膜200和受体基板300的接触(或粘附)过程，其中该基板台包括一个或多个永磁铁和包括开口部分图案(例如，预定的图案)和一个或多个永磁铁的接触框架。
参照图2，该基板台110位于该腔体150上或其底侧附近，并且在该第二实施例中，该基板台110至少提供有一个永磁铁。在所述的实施例中，永磁铁提供在该基板台110的内侧。
该接触框架130包括一个或多个永磁铁以与该基板台的该一个或多个电磁铁形成磁力，从而有力地层压位于该基板台110和该接触框架130之间的该施主薄膜200和该受体基板300。在所述的实施例中，该接触框架130本身可以形成为永磁铁，或一个或多个形成在该接触框架130的上侧或下侧。在所述实施例中，该永磁铁包含(或包括)永磁铁纳米粒子。
该接触框架130包括开口部分(或传输部分)133(图5中所示)，其中激光可以通过。即，通过对应于该施主薄膜200的成像(或传送)部分的图案的开口部分，该施主薄膜200的期望区域可以成像在(或传送到)该受体基板300上。因此，该接触框架130可以只在一个期望的位置(例如，预定位置)同时执行发射激光的屏蔽任务。
该接触框架130可以彼此交换或替换，其形成有至少一个开口部分，对应于该开口部分，利用有机光发射层成像(或传送)形成有机光发射装置的每个子象素。
<第三实施例>
根据本发明的第三实施例阐述了采用基板台的施主薄膜200和受体基板300的接触过程，其中该基板台包括一个或多个永磁铁和包括开口部分预定图案和一个或多个永磁铁的接触框架。
该基板台110位于该腔体150上或其底侧附近，并且在该第三实施例中，该基板台110至少提供有一个永磁铁。在所述的实施例中，永磁铁提供在该基板台110的内侧。在所述的实施例中，该永磁铁可以包含(或包括)永磁铁纳米粒子。
在所述的实施例中，该接触框架130包括一个或多个电磁铁以与该基板台110的一个或多个永磁铁形成电磁力，从而有力地层压位于该基板台110和该接触框架130之间的该施主薄膜200和该受体基板300。在此，该电磁铁可以设置在一个平面内，然而，当用到多个电磁铁时，该电磁铁可以形成为同心圆模式或具有长度和宽度的多列。
该接触框架130包括开口部分133，其中激光可以通过。即，通过对应于该施主薄膜200的成像部分的图案的开口部分，该施主薄膜200的期望区域可以成像在(或传送到)该受体基板300上。因此，该接触框架130可以只在一个期望的位置(例如，预定位置)同时执行发射激光的屏蔽任务。
该接触框架130可以彼此交换或替换，其形成有至少一个开口部分，对应于该开口部分，采用有机光发射层成像形成有机光发射装置的每个子象素。
<第四实施例>
根据本发明的第四实施例阐述了采用基板台的施主薄膜200和受体基板300的接触过程，其中该基板台包括一个或多个磁铁和包括由透明材料制造的传输部分和一个或多个磁铁的接触框架。
该基板台110位于该腔体150上或其底侧附近，并且在该第四实施例中，该基板台110提供有至少一个磁铁。在所述的实施例中，一个或多个磁铁提供在该基板台110的内侧。
该接触框架130包括一个或多个磁铁以与该基板台110的一个或多个磁铁形成电磁力，从而有力地层压(或彼此紧密地粘结)位于该基板台110和该接触框架130之间的该施主薄膜200和该受体基板300。在此，该基板台110和该接触框架130可以各自形成为(或包括)电磁铁和永磁铁；该基板台110和该接触框架130可以各自形成为(或包括)永磁铁和电磁铁；并且该基板台110和该接触框架130都可以形成为(或包括)电磁铁和永磁铁。在所述的实施例中，该永磁铁包含(或包括)永磁铁纳米粒子。
该接触框架130包括传输部分133，其可以允许激光通过。图4是沿着图2中A-A′线剖取的展示该传输部分133的结构的示意性截面图。由于该传输部分133，该接触框架130可以只在一个期望的位置(例如，预定位置)同时执行发射激光的屏蔽任务。对该传输部分133的透明材料没有限制。在所述的实施例中，可以用玻璃或透明聚合物作为该传输部分的材料。同样，由于在所述的实施例中该传输部分133不能有磁性，因此，保持该传输部分133在适当的水平，以便用该接触框架130的磁力把该施主薄膜和该受体基板层压在一起。因此，在所述的实施例中，该传输部分133的总面积限制到该接触框架130总面积的1％至50％。
该接触框架130可以彼此交换或替换，其形成有至少一个开口部分(传输部分)，其中采用有机光发射层成像形成有机光发射装置的每个子象素。
<第五实施例>
根据本发明的第五实施例阐述了采用基板台110的施主薄膜200和受体基板300的接触过程，其中该基板台包括磁性物质和包括透明材料的传输部分133和至少一个磁铁的接触框架130。
该基板台110位于该腔体150上或其底侧附近，并且在该第五实施例中，该基板台110至少提供有一种磁性物质。在所述的实施例中，该磁性物质可以是强磁材料或弱磁材料，并且包括选自由Fe、Ni，、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其组合物组成的组中的其中之一。
该接触框架130包括磁铁以与该基板台110的磁性物质形成电磁力，从而有力地层压(或彼此紧密地粘结)位于该基板台110和该接触框架130之间的该施主薄膜200和该受体基板300。在此，该基板台110和该接触框架130可以各自形成为电磁铁和永磁铁；并且该基板台110和该接触框架130可以各自形成为永磁铁和电磁铁。
该接触框架130包括传输部分133，其可以允许激光通过。图4是沿着图2中A-A′线剖取的展示该传输部分133的结构的示意性截面图。由于该传输部分133，该接触框架130可以只在该施主薄膜200的期望位置(例如，预定位置)同时执行发射激光的屏蔽任务。对该传输部分133的透明材料没有限制。在所述的实施例中，可以用玻璃或透明聚合物作为该传输部分的材料。同样，由于该传输部分133典型地不具有磁性，因此，该传输部分133所在的区域应该保持在适当的水平，以便给该接触框架130提供有足够的磁力来层压该施主薄膜和该受体基板。通过示例，在一个实施例中，该传输部分133的面积限制到该接触框架130总面积的1％至50％。
该接触框架130可以彼此交换或替换，其形成有至少一个开口部分(即，传输部分)，通过该开口部分，采用有机发光层成像形成有机发光装置的每个子象素。
<第六实施例>
根据本发明的第六实施例阐述了采用基板台110的施主薄膜200和受体基板300的接触(或粘附)过程，其中该基板台包括一个或多个磁铁和包括透明材料的透明部分133和磁性物质的接触框架130。
参照图2，该基板台110位于该腔体150上或其底侧附近，并且在该第六实施例中，该基板台110提供有至少一种磁性物质。在所述的实施例中，该磁性物质可以是电磁铁或永磁铁，当该磁铁是永磁铁时，其可以包括永磁铁纳米粒子。
该接触框架130包括磁性物质以与该基板台110的磁铁形成电磁力，从而有力地层压(或彼此紧密地粘结)位于该基板台110和该接触框架130之间的该施主薄膜200和该受体基板300。该磁性物质可以包括强磁材料或弱磁材料，并且包括选自由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其组合物组成的组中的其中之一。该基板台110和该接触框架130可以各自形成为(或包括)一个或永磁铁和电磁铁；或该基板台110和该接触框架130可以各自形成为(或包括)电磁铁和永磁铁。
该接触框架130包括传输部分133，其可以允许激光通过。图5是沿着图2中A-A′线剖取的展示该传输部分133的结构的示意性截面图。由于该传输部分133，该接触框架130可以只在该施主薄膜200的期望位置(例如，预定位置)同时执行发射激光的屏蔽任务。对该传输部分133的透明材料没有限制。在一个实施例中，可以用玻璃或透明聚合物作为透明材料。同样，由于该传输部分133典型地不具有磁性，因此，该传输部分133的总面积应该保持在适当的水平，以便该接触框架130提供有足够的磁力层压该施主薄膜和该受体基板。这例如通过限制该传输部分133的面积到该接触框架130总面积的1％至50％来完成。
该接触框架130可以彼此交换或替换，其形成有至少一个开口部分(即，传输部分)，其中采用有机光发射层成像形成有机发光装置的每个子象素。
根据本发明的激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法适用于在真空下采用磁力层压施体基板和受体基板，因此，能同现有的有机光发射装置过程一样保持该真空态，并且可以层压该施体基板和该受体基板，而在其间不产生外来物质或空隙(间隔)，因此，使得该有机光发射装置的发光层更加有效地成像。
尽管已经展示和描述了本发明的特定示范性实施例，但是本领域的技术人员应该理解，可以在这些实施例上作变化，而不脱离本发明的原理和精神，本发明的范围限定在所附权利要求中及其等同物。

Claims (20)

1、一种用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备，该设备包括：
基板台，其中，该基板台包括磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有该有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的该有机光发射层；
激光振荡器，用于在该施主薄膜上发射激光；
接触框架，适于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于该施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的磁铁；和
接触框架移动机构，用于向该基板台移动该接触框架。
2、根据权利要求1所述的激光诱导热成像设备，还包括真空腔体，该基板台设置在其中，并且适应于容放该接触框架。
3、根据权利要求1所述的激光诱导热成像设备，其中，该接触框架形成为磁铁，或该磁铁形成在该接触框架的上侧或下侧。
4、根据权利要求1所述的激光诱导热成像设备，其中，该基板台中的该磁铁包括电磁铁或永磁铁，并且该接触框架中的该磁铁包括永磁铁或电磁铁。
5、根据权利要求4所述的激光诱导热成像设备，其中，该基板台或该接触框架至少一个的该磁铁包括永磁铁纳米粒子。
6、一种用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像设备，该设备包括：
基板台，其中，该基板台包括磁铁，并且适应于容放受体基板和施主薄膜，该受体基板具有有机光发射装置的象素区，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；
激光振荡器，用于在该施主薄膜上发射激光；
接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括用于允许激光通过的透明材料的至少一个传输部分和用于与该基板台形成磁力的磁铁；和
接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
7、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，还包括真空腔体，该基板台设置在其中，并且适应于容放该接触框架。
8、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，其中，该接触框架的该传输部分的总面积为该接触框架总面积的1％至50％。
9、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，其中，该透明材料包括玻璃或透明聚合物。
10、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，其中，提供在该接触框架中的该磁铁为电磁铁或永磁铁。
11、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，其中，提供在该基板台中的该磁铁为电磁铁或永磁铁。
12、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，其中，该基板台中的该磁铁包括磁性物质。
13、根据权利要求12所述的激光诱导热成像设备，其中，该磁性物质是选自由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其组合物组成的组中的其中之一。
14、根据权利要求6所述的激光诱导热成像设备，其中，该接触框架的该磁铁包括磁性物质。
15、根据权利要求14所述的激光诱导热成像设备，其中，该磁性物质是选自由Fe、Ni、Cr、Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4和其组合物组成的组中的其中之一。
16、一种用于形成有机光发射装置的发光层的激光诱导热成像方法，该方法包括：
设置具有该有机光发射装置的象素区的受体基板和包括成像在该象素区上的该有机光发射层的施主薄膜在包括磁铁的接触框架和包括磁铁的基板台之间；
利用在该接触框架和该基板台之间形成的磁力粘结该受体基板和该施主薄膜；和
通过发射激光到对应于该有机光发射层的该施主薄膜上，成像该施主薄膜的该有机光发射层到该受体基板上。
17、根据权利要求16所述的激光诱导热成像方法，其中，该接触框架的该磁铁包括电磁铁，并且该基板台的该磁铁包括永磁铁。
18、根据权利要求16所述的激光诱导热成像方法，其中，该接触框架的该磁铁包括永磁铁，并且该基板台的该磁铁包括永磁铁。
19、根据权利要求16所述的激光诱导热成像方法，其中，该接触框架的该磁铁包括永磁铁，并且该基板台的该磁铁包括电磁铁。
20、根据权利要求16所述的激光诱导热成像方法，其中，该磁铁中的其中之一包括磁性物质。
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