CN1956819A - 具有振荡式路径凹槽网络的抛光垫 - Google Patents

Abstract

一种用来抛光晶片(32)或其它制品的抛光垫(20)，该抛光垫具有设计用来增加抛光介质(46)在抛光垫上的滞留时间的凹槽网络(60)。所述凹槽网络具有第一部分(72)和振荡部分(74)，所述第一部分基本沿径向向外延伸，振荡部分起始于转变点(76)，设计成用来减慢抛光介质沿径向向外的流动。

Description

具有振荡式路径凹槽网络的抛光垫

发明背景

本发明一般涉及化学机械抛光领域。更具体来说，本发明涉及具有设计用来控制抛光介质在被抛光制品上的滞留时间的凹槽网络的化学机械抛光垫。

在集成电路和其他电子器件的制造中，在半导体晶片的表面上沉积多层导电材料、半导体材料和介电材料，或者将多层导电材料、半导体材料和介电材料从半导体晶片的表面上蚀刻除去。导电材料、半导体材料和介电材料的薄层可通过许多种沉积技术沉积。现代晶片处理中常规的沉积技术包括物理气相沉积(PVD，也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)和电化学镀敷(ECP)。常规的蚀刻技术包括湿法和干法的各向同性蚀刻和各向异性蚀刻等。

随着各材料层按照顺序被沉积和蚀刻，晶片的最上层表面变得不平坦。由于随后的半导体加工(例如光刻)要求该晶片具有平坦表面，所以需要对晶片进行平面化。平面化适合于除去不希望有的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面、成团材料、晶格损坏、划痕和被污染的层或材料。

化学机械平面化，即化学机械抛光(CMP)是一种用来对半导体晶片之类的工件进行平面化的常规技术。在使用双轴旋转抛光机的常规CMP中，在支架组件上安装有晶片支架或抛光头。所述抛光头固定着晶片，使晶片定位在与抛光机中抛光垫的抛光层相接触的位置。所述抛光垫的直径大于被平面化晶片的直径的两倍。在抛光过程中，抛光垫和晶片各自围绕其中心旋转，同时使晶片与抛光层相接触。所述晶片的旋转轴通常相对于抛光垫的旋转轴偏移一段大于晶片半径的距离，使得抛光垫的旋转在抛光垫的抛光层上扫出一个环形的“晶片轨迹”。晶片轨迹内边界和外边界之间的径向距离限定了该晶片轨迹的宽度。当晶片仅进行旋转运动的时候，所述晶片轨迹的宽度通常等于晶片的直径。所述支架组件在晶片和抛光垫之间提供了可控制的压力。在抛光过程中，例如在晶片轨迹内边界以内，靠近抛光垫旋转轴的位置施与新鲜的抛光介质。该抛光介质由内边界进入晶片轨迹，流入晶片和抛光垫之间的间隙，与晶片表面相接触，并从晶片轨迹靠近抛光垫边缘的外边界离开晶片轨迹。由于抛光垫旋转对抛光介质造成的离心力，所述抛光介质基本是沿径向向外的方向运动的。通过抛光层和抛光介质对晶片表面的化学作用和机械作用，晶片表面得到抛光并变平。

在抛光介质中使用反应剂的常规CMP处理中，当抛光介质在抛光垫的晶片轨迹内与晶片表面接触的时候，反应剂与被抛光晶片上的结构发生相互作用，例如铜冶金，从而形成反应产物。随着施用的抛光介质由晶片轨迹的内边界流向外边界，抛光介质暴露于晶片表面的时间(滞留时间)增加。抛光介质与晶片材料的相互作用使得沿抛光垫半径测得的抛光介质中反应剂和反应产物的相对比例有变化。晶片轨迹内边界附近的抛光介质具有较高的反应剂比例(非常像新鲜的抛光介质)，晶片轨迹外边界附近的抛光介质具有较低的反应剂比例和较高的反应产物比例(非常像用过的抛光介质)。

在晶片上任意特定位置进行的抛光受到反应剂和反应产物相对比例的影响。在其它因素相同的情况下，特定区域内反应产物相对量的增加通常会加快或减缓该区域的抛光速率。为了在整个晶片上达到获得平坦化表面所需的抛光速率，仅仅控制在特定径向区域向晶片提供的抛光介质的量是不够的。相反地，晶片应当均匀地暴露于包含不同浓度的反应剂和反应产物的抛光介质。遗憾的是，已知的CMP系统和相关的抛光垫通常无法以能够为反应产物确保适当的滞留时间的方式分布抛光介质。

已知在抛光垫中提供向外延伸的凹槽，这些凹槽或者增大宽度、或者增大深度、或者二者兼有，以减缓施加到抛光垫上的浆液的径向流速。Burke等人在美国专利第5,645,469中描述了这种凹槽式样。尽管在第′469号专利中所述的凹槽试样能够在一定程度上减缓浆液的径向流速，但是该专利是使用直的径向延伸的凹槽做到这一点的。

                            发明内容

在本发明一个方面中，涉及用来抛光制品的抛光垫，该抛光垫包括具有旋转轴和多个凹槽的抛光层，所述多个凹槽中的每一个凹槽都包括(a)相对于旋转轴向外延伸的第一部分，(b)在转变位与所述第一部分连通的振荡部分。

在本发明另一方面中，涉及一种使用具有旋转轴的抛光垫和抛光介质抛光制品的方法，该方法包括以下步骤：

a.提供具有从旋转轴向外延伸的凹槽的抛光垫；

b.使抛光垫与制品的表面相接触；

c.使所述抛光垫和制品进行相对的旋转，使得抛光垫的轨迹接触该制品；

d.使抛光介质以一种方式在抛光垫和制品表面之间、在凹槽内流动，使得抛光介质到达转变点之前均为第一滞留时间，在此转变点处，滞留时间以阶跃函数的形式增加至第二滞留时间，使得抛光介质在达到转变点之后，沿振荡路径流动。

在本发明另一方面中，涉及一种用来抛光制品的抛光垫，所述抛光垫包括：具有旋转轴和多个凹槽的抛光部分，所述多个凹槽中的每个凹槽包括：

a.相对于旋转轴向外延伸的第一部分；

b.相对于旋转轴向外延伸的第二部分，所述第二部分在转变位与所述第一部分连通，设计成通过使抛光介质沿振荡路径流动而减缓抛光介质向外的流动。

                                附图简述

图1是用于本发明的双轴抛光机的一部分的透视图。

图2是本发明抛光垫一个实施方式的俯视图，图中透视地显出了被抛光晶片的轮廓。

图3是图2所示抛光垫的一部分的放大俯视图。

图4是本发明抛光垫另一实施方式的俯视图，图中透视地显示出了被抛光晶片的轮廓。

图5是本发明抛光垫另一实施方式的俯视图，图中透视地显示了被抛光晶片的轮廓。

发明详述

参见图1，本发明涉及一种可用于对晶片32或其它工件进行平面化的化学机械抛光(CMP)器30的抛光垫20。除非所用的上下文明显地另有说明，晶片32也应包括其它工件。如下文所述，设计抛光垫20，以最优化用于CMP处理的抛光介质的滞留时间，以提高晶片32平面化的均匀性。在本文中，术语“抛光介质”表示其最广义的含义，包括但不限于在使用CMP抛光机对制品进行平面化时所用的任何浆液或其它材料。术语“抛光介质”可包括初始加入CMP抛光机的新鲜抛光介质，以及由于抛光过程而使得组成已经随时间变化的抛光介质。这些变化可包括例如抛光介质中所含反应产物的增加和反应剂的减少，或者抛光介质中所含磨料的特性的改变。

在详细描述抛光垫20之前，首先简要描述抛光机30。抛光机30可包括在其上安装抛光垫20的台板34。台板34可通过台板驱动器(未显示)围绕旋转轴36旋转。晶片32可由晶片支架38所支承，所述晶片支架38可围绕与台板34的旋转轴36平行，并与之隔开的旋转轴40旋转。晶片支架38可具有装有万向接头的连接(未显示)，使得晶片32可以具有与抛光垫20轻微不平行的取向，在此情况下，旋转轴36和40可以非常轻微地倾斜。晶片32包括被抛光的表面42，该表面42朝向抛光垫20，在抛光过程中被平面化。晶片支架38可以被支架支承组件(未显示)所支承，该组件适于在抛光过程中使晶片32旋转，并提供向下的作用力F，将被抛光的表面42压向抛光垫20，使得在被抛光表面和抛光垫之间存在所需的压力。抛光机30还可包括用来向抛光垫20输送抛光介质46的抛光介质入口44。抛光介质44通常应置于旋转轴36处或旋转轴36附近，以最优化抛光垫20的效果，但是这种设置并非抛光垫操作的必需要求。

本领域技术人员将会理解，抛光机30可包括其它的部件(未显示)，例如系统控制器、抛光介质存储和分配系统、加热系统、淋洗系统和用来控制抛光过程各方面的各种控制装置，例如(1)用来控制晶片32和抛光垫20中一者或二者的转速的速度控制器和选择器；(2)用来改变向抛光垫输送抛光介质46的速率和位置的控制器和选择器；(3)用来控制向晶片和抛光垫之间施加的力F的大小的控制器和选择器，(4)以及用来控制晶片旋转轴40相对于抛光垫旋转轴36的位置的控制器、调节器和选择器，等等。本领域技术人员应了解这些部件如何构建，以及如何运行，因此无需详细解释这些内容，本领域技术人员便可理解和实施本发明。尽管抛光垫20可以在上述抛光机30之类的抛光机中有效地工作，但是该抛光垫也可用于其它抛光机。

在抛光过程中，抛光垫20和晶片32围绕它们各自的旋转轴36和40旋转，抛光介质46从抛光介质入口44分散到旋转的抛光垫上。抛光介质46在抛光垫20上铺展开来，包括进入晶片32下表面和抛光垫之间的间隙中。抛光垫20和晶片32通常以0.1-150rpm的转度旋转，但是并非必须如此。通常通过选择力F的大小，使得晶片32和抛光垫20之间达到0.1-15psi(0.7-103千帕)的所需压力，但是并非必须如此。

抛光垫20具有抛光层50，该抛光层用来与半导体晶片32(处理过的或未处理的)或其它工件，例如玻璃、平板显示器或信息存储磁盘等制品接触，从而在抛光介质46或其它抛光介质的存在下对工件的待抛光表面进行抛光。为了方便起见，在下文中使用术语“晶片”和“抛光介质”而不失其普遍性。

下面来看图1-3，抛光垫20包括凹槽网络60，设计该凹槽网络60以增加由于抛光介质46中的反应剂与被抛光晶片32的部分之间的相互作用形成的反应产物在凹槽网络中的滞留时间。抛光垫20包括由假想的径向外部圆周64和假想的径向内部圆周66限定的晶片轨迹62。晶片轨迹62是抛光垫20实际抛光晶片32的部分。外部圆周64通常位于抛光垫20周边68的径向内侧，内部圆周66通常位于抛光垫旋转轴36的径向外侧。

凹槽网络60包括多个凹槽70，其有助于将抛光介质46沿径向向外快速地输送到抛光垫20的周边68。凹槽70包括第一部分72，该第一部分具有由旋转轴36基本沿径向向外延伸的主轴72′。出于本说明书的目的，主轴72′表示当凹槽70从旋转轴36附近的区域向周边68延伸时的中线。在本文中，“基本沿径向”包括精确地沿径向发散到与轴向呈30°角发散的情况。第一部分72沿其主轴通常为直的结构。第一部分72中的凹槽70的宽度和深度可根据所需的抛光性能、所提供凹槽的数量、所需的抛光介质滞留时间和其它因素变化。在抛光垫20的一些示例性实施方式中，第一部分72中的凹槽70的宽度为5-50密耳(0.127-1.27毫米)，深度为10-50密耳(0.254-1.27毫米)。

通常形成的第一部分72使得其径向内端73(图3)沿径向位于内部圆周66以内，位于较靠近旋转轴36的位置。内端73的确切位置将受抛光介质入口44的位置影响，通常需要将内端73置于抛光介质入口沿径向的外部。但是这种相对位置并非必需的，本领域技术人员可通过经验决定内端73相对于抛光介质入口44最佳的相对位置。在图3中，以透视图的形式显示出了抛光介质入口44的合适位置。这种定位仅应视作例举性的，而不是限制性的。

凹槽70还包括沿径向位于第一部分72以外的振荡部分74。第一部分72在转变点76与振荡部分74连通，与所述振荡部分液体连通。如图2和图3所示，振荡部分74具有正弦曲线构型，随着其从旋转轴36向外延伸，其振幅可以增大。作为一种替代或另外的特征，振荡部分74可以设计成随着从旋转轴36向外延伸，其正弦曲线构型的频率增大。出于本说明书的目的，频率表示沿凹槽70主轴72′每单位距离的周期数。频率与振荡部分74的波长成反比，波长表示振荡部分74沿主轴72′延伸一个周期的距离。尽管在许多应用中不是优选的，但是在一些情况下可适当地对一个或多个凹槽70的振荡部分74的一些部分进行设计，使得在从旋转轴36沿轴向向外延伸的同时，振幅和频率中的一者或二者发生变化。例如，振幅、频率以及振幅和频率的组合可以沿从旋转轴36向外的方向减少或增加。振荡部分74的振幅和频率的变化通常是线性的，但是本发明包括阶跃函数和其它非线性变化。根据在旋转轴36和周边68之间进行的测定，振荡部分74的波长通常小于且经常显著小于抛光垫20的半径。抛光垫20可任选地包括一些不含与凹槽70连通的振荡部分74的凹槽。

在抛光垫20的一个示例性实施方式中，根据在转变点76和振荡部分沿径向最靠外的部分之间进行的测定，振荡部分74的振幅增大了0.1-2.0英寸(2.54-50毫米)。在此实施方式中，根据沿凹槽72的主轴72′在转变点76和振荡部分径向最靠外部分之间进行的测定，振荡部分74的频率每厘米增加0.1-1个周期。振幅和频率取决于凹槽70的尺寸(宽度和深度)。

对于许多应用，如图2和图3所示，凹槽70在限定振荡部分74的正弦曲线中的峰和谷的部分具有平滑弯曲的构型。但是在一些应用中，可以在峰和谷部分提供尖锐的转变，使得振荡部分74具有锯齿状构型。

振荡部分74具有从旋转轴36向外延伸的主轴75。主轴75可以基本上沿径向从旋转轴36向外延伸。在本文中，“基本沿径向”包括主轴75完全沿径向发散至沿与径向成30°夹角的方向发散的情况。通常第二部分74的主轴75具有基本笔直的构型，但是振荡部分的主轴也可具有弯曲的构型。

如图2和图3所示，振荡部分74中的凹槽70可具有恒定的宽度。但是本发明并不限于这种情况。凹槽70可具有沿凹槽长度变化的宽度。另外，可通过改变振荡部分74中的凹槽深度来影响滞留时间。在本发明一示例性的实施方式中，凹槽在第二部分74中具有均匀的宽度，在最大宽度点，宽度为70-100密耳(1.78-2.54毫米)。在许多应用中，需要将凹槽70的宽度从转变点76处的宽度逐渐增大到最大宽度点的宽度。凹槽70的最大宽度点通常位于外部圆周64，如果需要的话，宽度可以随着凹槽继续沿径向朝着周边68向外延伸而减小。

振荡部分74可沿径向朝外延伸到周边68、外部圆周64、或沿径向位于外部圆周64内部的点。抛光介质46的所需滞留时间将会是对振荡部分74终止位置的主要影响因素，但是其它的设计和操作标准也会影响这些定位。

当振荡部分74终止于周边68沿径向的内部时，可能需要提供与振荡部分74流体连通的周边部分78。周边部分78缺少振荡部分74的振荡路径结构。周边部分78可以相对于旋转轴36笔直地沿径向向外延伸向周边68，可以是笔直的，但是沿与从旋转轴36延伸出的半径成一角度的方向向外延伸，或者可以以弯曲的方式向外延伸向周边。尽管经常需要周边部分78，但是周边部分是凹槽网络60的一个任选的特征。

通常对于所有的凹槽，凹槽70的转变点76与旋转轴36间隔的径向距离是相同的。例如，参见图3，第一部分72₁的转变点76₁位于与旋转轴36具有径向距离R₁的位置，所述R₁与第一部分72₂的转变点76₂距旋转轴36的径向距离R₂相等。制造中的变化会造成转变点76与旋转轴36间隔的距离有略微的差异。另外，在一些情况下，可能需要改变一些凹槽70的变换点76的位置。通常，转变点76位于内部圆周66沿径向外部的位置，但是在一些情况下，可能也需要将转变点76止于内部圆周66的径向内部。通常，转变点76与旋转轴36相隔的距离等于旋转轴36和晶片32的旋转轴40之间距离的5-50％。

再参见图1-3，下面将讨论抛光垫20的使用和操作。如上所述，抛光垫20适于与包含磨料、反应剂和(使用一段时间后得到的)反应产物的抛光介质46一起使用。例如，通过抛光介质入口44在旋转轴36附近引入抛光介质46，然后通过抛光垫20的旋转使抛光介质具有离心力，使其沿径向向外流动。抛光介质46基本上在凹槽70的第一部分72中沿径向向外流动，但是少量抛光介质也可在凹槽之间的区域向外输送。

当抛光介质46接触晶片32时，抛光介质中的反应剂与晶片上的结构发生相互作用，例如铜冶金，从而形成反应产物。根据抛光介质46的化学性质，与反应剂发生相互作用的晶片32的结构的组成，以及其它的因素，所述反应产物会减缓或加快抛光速率。相对于抛光介质46在第一部分72中的运动，振荡部分74通过使抛光介质沿振荡路径移动，减缓了抛光介质沿径向向外的运动。这种抛光介质46路径的变化通常会在转变点76很快地发生，即以阶跃函数的形式发生。换而言之，通常是在抛光介质46沿径向从转变点76向外流动的时候，抛光介质的滞留时间立刻增大。但是如果对于某些应用需要较慢的转变，可以通过使转变点76附近的振荡部分74的一些部分具有非常缓和的曲率，随着从旋转轴36向外移动，增大其振幅和频率，从而很容易地进行调节。

通过增加抛光介质46在沿与振荡部分74相交的半径的任意特定位置的滞留时间，抛光介质46中的反应剂和反应产物暴露于晶片32的时间通常要长于本领域已知凹槽式样的情况。已知抛光垫中的凹槽结构通常不会通过使抛光介质沿振荡路径流动而减缓抛光介质沿径向向外的运动。由于上文所述的反应产物对抛光速率的影响，当使用会生成反应产物的抛光介质组合物的时候，很难对被抛光的晶片进行均匀的平面化。

在决定振荡部分74的最佳构型，转变点76的最佳定位，附加的非振荡凹槽与具有振荡部分74的凹槽的任选组合，以及设计抛光垫20的其它方面的时候，设计目标是提供能够使晶片32的平整度最大化的抛光介质46在整个晶片轨迹62上的滞留时间分布。本领域技术人员知道，可以通过评价抛光介质46的化学性质及其与晶片32的相互作用，考虑和分析晶片中所含的材料，对抛光垫20进行计算机模拟，以及经验性地采用具有上述不同设计特征的圆形抛光垫，来达成该设计目标。

下面来看图1和图4，在本发明另一实施方式中，提供了具有另一种凹槽网络160的抛光垫120。凹槽网络160包括多个凹槽170，每个凹槽具有第一部分172，振荡部分174，以及转变点176，所述第一部分172在转变点176与振荡部分174连通。凹槽170的第一部分172与凹槽的振荡部分174流体连通。

第一部分172与第一部分72不同，不是从旋转轴36沿径向向外延伸的。相反，第一部分172具有起始于其内端173或内端173附近的弯曲构型。如图4所示，第一部分172可以在内部圆周66以内绕旋转轴36呈螺旋构型缠绕，在进入晶片轨迹62之后，保持其弯曲构型。图4所示的第一部分172的弯曲程度仅是示例性的，并不对第一部分可能的构型构成限制。关于这一点，第一部分172可仅略微地偏离由旋转轴36向外延伸的径向，可具有略大的曲率(例如通过提供较小的曲率半径和/或较大的长度)，或者可以如图4所示发生显著的弯曲。另外，第一部分172可以在内端173和转变点176之间具有非弯曲部分。

振荡部分174与上文所述的振荡部分74相同。关于这一点，振荡部分174可具有笔直的构型，沿其主轴相对于旋转轴36径向向外延伸，或者可以相对于径向偏离高达30°。振荡部分174通常向外延伸超过外部圆周64，终止于周边168附近或周边168处，但是本发明包括使振荡部分终止于外部圆周64以内。在一些情况下，需要在凹槽170的径向外端提供周边部分178。周边部分178可与上文所述的周边部分78相同。

如上所述，转变点176通常是(但不一定)与旋转轴36径向等间隔的。这种结构与上文所述凹槽70的转变点76的相对位置相同，因而本发明包括如上文关于凹槽70的讨论那样，在制造时偏离这些相等的间距，还包括故意设计的变化。与凹槽70一样，凹槽170通常尽可能致密地设置于抛光垫160上，但是凹槽的这种设置并不是必需的。关于这一点，预期凹槽网络160中的凹槽170比图4所示更密。对于许多应用，需要如图4所示，将转变点176置于相对靠近内部圆周66的位置。但是转变点176的设置会很大程度地被转变点176位置的变化对晶片32抛光造成影响程度的经验性检验所影响。

在操作中，抛光垫120的凹槽170通过与上述凹槽70基本相同的方式控制凹槽中抛光介质46内反应产物的滞留时间。具体来说，振荡部分174通过使抛光介质沿振荡路径流动而减缓了抛光介质46沿径向向外的流动。如上文关于凹槽70所述，凹槽170的确切结构通常会受抛光介质46的化学性质、晶片32的组成以及本领域技术人员已知的其它因素的影响。

下面来看图1和图5，在本发明另一实施方式中，提供了具有另一种凹槽网络260的抛光垫220。凹槽网络260包括多个凹槽270，每个凹槽具有与上述第一部分72类似的第一部分272，其不同之处在于其沿着大部分(如果不是全部的)的主轴弯曲。各凹槽270还包括与振荡部分74类似的振荡部分274，其不同之处在于，振荡部分274是弯曲的。该弯曲可以沿振荡部分274的一部分或全部主轴延伸。凹槽270的第一部分272与凹槽的振荡部分274流体连通，并且在转变点276与第二部分连通。凹槽270可任选地包括周边部分278，该周边部分278可与上述周边部分78相同。与凹槽70相同，抛光垫260上的凹槽270通常尽可能地密，但是本发明也包括凹槽密度小于最大密度的情况。

在操作中，抛光垫220的凹槽270依照与上述凹槽70相同的方式控制凹槽中抛光介质46内的反应产物的滞留时间。如上文关于凹槽70所述，凹槽270的确切构型通常会受抛光介质46的化学性质、晶片32的组成以及本领域技术人员已知的其它因素的影响。

Claims (10)

1.一种用来抛光制品的抛光垫，该抛光垫包括：

a.具有旋转轴和多个凹槽的抛光部分，所述多个凹槽中的每个凹槽包括：

i.相对于旋转轴向外延伸的第一部分；

ii.在一转变位与所述第一部分连通的振荡部分。

2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述多个凹槽的转变位与旋转轴等间隔。

3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第一部分具有弯曲的构型。

4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述振荡部分具有正弦曲线构型，所述正弦曲线构型具有频率和振幅，沿从旋转轴向外延伸并与振荡部分相交的半径进行测定，该正弦曲线构型的频率和振幅中的一种或两种发生变化。

5.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述振荡部分具有相对于旋转轴沿径向延伸的主轴。

6.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述振荡部分的至少一部分具有呈弯曲构型的主轴。

7.一种使用具有旋转轴的抛光垫和抛光介质抛光制品的方法，该方法包括以下步骤：

a.提供具有从旋转轴向外延伸的凹槽的抛光垫；

b.使所述抛光垫接触制品的表面；

c.使抛光垫和制品相对旋转，使得抛光垫的轨迹接触制品；

d.使抛光介质以一种方式在抛光垫和制品表面之间、在凹槽内流动，使得抛光介质在到达转变点之前，具有第一滞留时间，在转变点处，滞留时间以阶跃函数增大到第二滞留时间，所述抛光介质在达到转变点之后，沿振荡路径流动。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二滞留时间大于第一滞留时间。

9.一种用来抛光制品的抛光垫，该抛光垫包括：

a.具有旋转轴和多个凹槽的抛光部分，所述多个凹槽中的各个凹槽包括：

i.相对于旋转轴向外延伸的第一部分；

ii.具有相对于旋转轴向外延伸的主轴的第二部分，所述第二部分在转变位与第一部分连通，设计成通过使抛光介质沿振荡路径流动而减缓抛光介质的向外流动。

10.如权利要求9所述的抛光垫，其特征在于，所述第二部分具有以下的至少一种情况：宽度在所述转变位增大，深度在转变位减小。

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