CN1917107A - 积层电容器 - Google Patents

Abstract

积层电容器具有积层体和形成在积层体的侧面上的多个端子电极。积层体具有，多个电介质层和多个内部电极被交替积层而成的内层部，和多个电介质层被积层而成的外层部。在外层部内设置有导通路，该导通路电连接多个端子电极的至少任意一个端子电极上的不同的多个位置。在导通路中，在与该导通路电连接的端子电极中流动的电流分流而流动。由此，减小了积层电容器的等效串联电感。

Description

积层电容器

技术领域

本发明涉及一种积层电容器。

背景技术

近年来，随着在电子设备中使用的电源电路的高频化，对于应用于电源电路的积层电容器，进一步要求其能够适应高频电路。为了在高频电路中实现低阻抗，需要在积层电容器中降低等效串联电感(ESL)。为了适应这一要求，在日本特开2002-299152号公报中公开有如下积层电容器，其将多个端子电极配置成使相邻的端子电极的极性相反，由此使发生的磁场相互抵消，从而实现了降低等效串联电感的目的。

但是，在日本特开2002-299152号公报中记载的积层电容器中，由于不能实现等效串联电感的进一步降低化，因此适应于更高频率的电路，有必要进一步降低等效串联电感。

发明内容

本发明正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种可实现进一步降低等效串联电感的目的的积层电容器。

为了达到上述目的，本发明的积层电容器具有：交替积层有多个电介质层和多个内部电极的内层部；具有积层有多个电介质层的外层部的积层体；和在该积层体的平行于积层方向的侧面上形成的多个端子电极；其中，在外层部内形成有导通路，该导通路电连接多个端子电极的至少任意一个端子电极中的不同的多个位置。

另外，本发明的积层电容器具有：积层体，该积层体具有交替积层有多个电介质层和多个内部电极的内层部，和积层有多个电介质层的外层部；形成在该积层体的侧面上的多个端子电极；其中，多个内部电极包括交替设置的多个第1内部电极和多个第2内部电极；多个端子电极包括多个第1端子电极和多个第2端子电极；多个第1端子电极和第2端子电极相互电绝缘，各第1内部电极通过引出导体分别与多个第1端子电极电连接；各第2内部电极通过引出导体分别与多个第2端子电极电连接；在外层部内形成有导通路，该导通路电连接多个端子电极的至少任意一个端子电极中的不同的多个位置。

另外，本发明的积层电容器具有：积层体，该积层体具有交替积层有多个电介质层和多个内部电极的内层部，和积层有多个电介质层的外层部；形成在该积层体的侧面上的多个端子电极；其中，多个内部电极包括交替设置的多个第1内部电极和多个第2内部电极；多个端子电极包括多个第1端子电极和多个第2端子电极；多个第1端子电极和第2端子电极相互电绝缘。并且，各第1内部电极通过引出导体与多个第1端子电极的任意一个电连接，同时，多个第1端子电极通过引出导体分别与多个第1内部电极的至少一个电连接；各第2内部电极通过引出导体与多个第2端子电极的任意一个电连接，同时，多个第2端子电极通过引出导体分别与多个第2内部电极的至少一个电连接；在外层部内形成有导通路，该导通路电连接多个端子电极的至少任意一个端子电极中的不同的多个位置。

另外，本发明的积层电容器具有：积层体，该积层体具有交替积层有多个电介质层和多个内部电极的内层部，和积层有多个电介质层的外层部；形成在该积层体的侧面上的多个端子电极；其中，在外层部内形成有导通路，该导通路电连接多个端子电极的至少任意一个端子电极中的不同的多个位置。

在本发明的这些积层电容器中，在外层部内形成有导通路。该导通路电连接多个端子电极的至少任意一个端子电极中的不同的多个位置。因此，在该导通路中，在与该导通路电连接的端子电极中流过的电流被分流而流过。其结果是，降低了积层电容器的等效串联电感。

优选导通路在外层部内由隔着至少1层电介质层而被积层的多个引出导体，和将该多个引出导体电连接的通孔(through hole)导体形成。多个引出导体分别延伸并引出至形成有与导通路电连接的端子电极的积层体的侧面，并与该端子电极上的不同多个位置分别电连接。

优选引出导体为3个以上，同时，其在外层部内分别隔着至少1层电介质层而被积层，3个以上的引出导体由通孔导体电连接着。在此情况下，由于实际上形成有多个导通路，因此可进一步减小等效串联电感。

优选为：端子电极形成在平行于积层方向的侧面上，以同时覆盖与积层方向平行的积层体的侧面的至少一部分，和与积层方向交叉的积层体侧面的至少一部分；导通路由在外层部内的电介质层间被积层的至少1个引出导体，和与该引出导体电连接的通孔导体形成；引出导体延伸并引出至形成有与导通路电连接的端子电极的积层体侧面，并与该端子电极上的不同的多个位置中的至少一个位置电连接；通孔导体，与电连接于导通路的端子电极的不同的多个位置中的至少一个位置电连接；与引出导体电连接的端子电极的位置位于，覆盖与积层方向平行的积层体的侧面的至少一个部分的该端子电极的部分上；与通孔导体电连接的端子电极的位置位于，覆盖与积层方向相交的积层体的侧面的至少一个部分的该端子电极的部分上。在此情况下，由于可使导通路的长度较短，因此，可进一步减小等效串联电感。

优选为，引出导体为2个以上，同时，其在外层部内分别隔着至少一层电介质层而被积层，2个以上的引出导体由通孔导体电连接着。在此情况下，由于实际上形成有多个导通路，因此可进一步减小等效串联电感。

优选通孔导体为多个。在此情况下，具有多个并列连接的导通路，可进一步减小等效串联电感。

优选形成有导通路的外层部，相对于内层部而位于积层体侧面中的与安装面相对的侧面侧。在将积层电容器安装在基板等上的情况下，由于在安装面侧具有导通路，可有效地对从基板流入或向基板流入的电流进行分流。因此，可进一步减小等效串联电感。

另外，为了实现上述目的，本发明的积层电容器具有：积层体，该积层体具有多个第1内部电极和多个第2内部电极隔着电介质层进行积层的内层部，和位于夹持该内层部的位置并积层有多个电介质层的外层部；和形成在该积层体上并相互绝缘的多个第1端子电极和多个第2端子电极；其中，多个第1端子电极和多个第2端子电极分别具有形成在积层体的平行于积层方向的侧面上的部分；各第1内部电极具有，与第1端子电极的形成在积层体的侧面上的部分电连接的第1引出导体；各第2内部电极具有，与第2端子电极的形成在积层体的侧面上的部分和电连接的第2引出导体；在外层部上形成有导通路，该导通路电连接多个第1内部电极中的位于与外层部最接近的第1内部电极，和至少1个第1端子电极。

在本发明的积层电容器中，由于在外层部中形成有电连接第1内部电极和第1端子电极(形成在积层体的平行于积层方向的侧面上的部分)的导通路，因此，使在第1端子电极和第1内部电极之间流过的电流被分流为，在第1引出导体中流过的部分，和在导通路中流过的部分。从而可以减小等效串联电感。另外，由于导通路电连接于第1内部电极中的位于与外层部最接近的位置上的第1内部电极，因此可使导通路的线路长度相对缩短。从而，可以抑制在导通路中发生的等效串联电感。另外，在本发明的积层电容器中，由于在外层部中形成有导通路，因此，可以容易地形成导通路，可以形成制造相对容易的结构。

优选为：与导通路连接的第1端子电极还具有，形成在积层体的与积层方向垂直的侧面上的部分；导通路包括在积层方向上贯通外层部的通孔导体；通孔导体的一端电连接于第1内部电极中的位于与外层部最接近的第1内部电极；通孔导体的另一端电连接于第1端子电极的形成在积层体的垂直于积层方向的侧面上的部分。

在此情况下，由于导通路电连接于第1端子电极(形成在积层体的垂直于积层方向的侧面上的部分)，和第1内部电极中的位于与外层部最接近的位置上的第1内部电极，因此缩短了导通路的长度。从而，可进一步降低在导通路中发生的等效串联电感。由于在外层部中形成有通孔导体，因此，可以容易地形成通孔导体，可以形成制造相对容易的结构。

优选为，导通路设置在外层部中，并且其包括：第3引出导体，该第3引出导体与第1端子电极电连接；和通孔导体，该通孔导体电连接于第1内部电极中的位于与外层部最接近的第1内部电极、和第3引出导体，并且在积层方向上贯通外层部。

如上所述，由于导通路包括第3引出导体和通孔导体，因此，还通过第3引出导体使电流分流。从而可进一步减小等效串联电感。

优选为：导通路包括多个第3引出导体；多个第3引出导体并列设置在积层方向上；通孔导体与多个第3引出导体电连接。如上所述，由于导通路具有多个第3引出导体，因此，可形成更多分流路，可进一步减小等效串联电感。

优选为：导通路包括多个通孔导体，多个通孔导体与第3引出导体电连接。如此，由于导通路具有多个通孔导体，因此，可形成更多的分流路，可进一步减小等效串联电感。

优选在外层部中还形成有导通路，该导通路电连接第2内部电极中的位于与外层部最接近的第2内部电极，和至少1个第2端子电极。通过成为上所述结构，不仅在第1端子电极侧使电流分流，还在第2端子电极侧使电流分流。从而可进一步减小等效串联电感。

优选为：第1内部电极具有多个第1引出导体，它们分别与多个第1端子电极相对应；第2内部电极具有多个第2引出导体，它们分别与多个第2端子电极相对应。

根据本发明可以提供一种实现了进一步减小等效串联电感的目的的积层电容器。

根据以下给出的详细说明和参照附图，本发明将会变得更加明了，但这些不能被视为是对本发明的限定。

根据以下给出的详细说明本发明的应用范围会变得更加清楚。然而，应当理解的是，这些详细说明和特殊实例只是通过举例说明的方式表明的本发明的优选实施方案，从这些详细说明，本领域的技术人员能够理解各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。

附图说明

图1为第1实施方式的积层电容器的立体图。

图2为第1实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图3为安装在基板上的第1实施方式的积层电容器的剖面图。

图4为第1实施方式的积层电容器的变形例的立体图。

图5为第1实施方式的积层电容器的变形例中包含的积层体的分解立体图。

图6为第2实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图7为安装在基板上的第2实施方式的积层电容器的剖面图。

图8为第3实施方式的积层电容器的立体图。

图9为第3实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图10为安装在基板上的第3实施方式的积层电容器的剖面图。

图11为第4实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图12为第4实施方式的积层电容器中包含的积层体的剖面图。

图13为在外层部中包含的引出导体的形状的变形例的图。

图14为在外层部中包含的引出导体的形状的另一变形例的图。

图15为第5实施方式的积层电容器的立体图。

图16为第5实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图17为安装在基板上的第5实施方式的积层电容器的剖面图。

图18为第5实施方式的积层电容器的变形例的立体图。

图19为第5实施方式的积层电容器的变形例中包含的积层体的分解立体图。

图20为第6实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图21为安装在基板上的第6实施方式的积层电容器的剖面图。

图22为第7实施方式的积层电容器的立体图。

图23为第7实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图24为安装在基板上的第7实施方式的积层电容器的剖面图。

图25为第8实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

图26为安装在基板上的第8实施方式的积层电容器的剖面图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。而且，在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，省略重复的说明。

第1实施方式

参照图1和图2对第1实施方式的积层电容器C1的结构进行说明。图1为第1实施方式的积层电容器的立体图。图2为第1实施方式的积层电容器中包含的积层体的分解立体图。

积层电容器C1，如图1所示，具有：包括内层部30和外层部10、60的积层体1；形成在该积层体1上的多个(本实施方式中为4个)第1端子电极3A～3D；和同样形成在积层体1上的多个(本实施方式为4个)第2端子电极5A～5D。

第1端子电极3A、3B和第2端子电极5A、5B位于积层体1的侧面1a侧。第1端子电极3C、3D和第2端子电极5C、5D位于积层体1的侧面1b侧。第1端子电极3A～3D和第2端子电极5A～5D相互电绝缘。

第1端子电极3A、3B分别包括：第1端子导体部301A、301B，该第1端子导体部301A、301B跨越内层部30和外层部10、60积层的方向(以下简称为积层方向)，覆盖积层体1的侧面1a；以及与第1端子导体部301A、301B连接的第2端子导体部302A、303A、302B、303B。第2端子导体部302A、302B分别覆盖侧面1c的一部分。在沿积层方向环绕积层体1的方向上，侧面1c与侧面1a相邻，且与积层体1的积层方向交叉。第2端子导体部303A、303B分别覆盖侧面1d的一部分。在沿积层方向环绕积层体1的方向上，侧面1d与侧面1a相邻，且与积层体1的积层方向交叉。积层体1的侧面1a和侧面1b为平行于积层方向的面。

第1端子电极3C、3D分别包括：第1端子导体部301C、301D，该第1端子导体部301C、301D跨越积层方向覆盖积层体1的侧面1b；以及与第1端子导体部301C、301D连接的第2端子导体部302C、303C、302D、303D。第2端子导体部302C、302D分别覆盖侧面1c的一部分。在沿积层方向环绕积层体1的方向上，侧面1c与侧面1b相邻，且与积层体1的积层方向交叉。第2端子导体部303C、303D分别覆盖侧面1d的一部分。在沿积层方向环绕积层体1的方向上，侧面1d与侧面1b相邻，且与积层体1的积层方向交叉。

第2端子电极5A、5B分别包括：第1端子导体部501A、501B，该第1端子导体部501A、501B跨越积层方向覆盖积层体1的侧面1a；以及与第1端子导体部501A、501B连接的第2端子导体部502A、503A、502B、503B。第2端子导体部502A、502B分别覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部503A、503B分别覆盖侧面1d的一部分。

第2端子电极5C、5D分别包括：第1端子导体部501C、501D，该第1端子导体部501C、501D跨越积层方向覆盖积层体1的侧面1b；以及与第1端子导体部501C、501D连接的第2端子导体部502C、503C、502D、503D。第2端子导体部502C、502D分别覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部503C、503D分别覆盖侧面1d的一部分。

如图2所示，积层体1具有内层部30和在中间夹持该内层部30的一对外层部10、60。

外层部10通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层11～13积层而成。在实际的积层电容器C1中，使其一体化至无法识别电介质层11～13之间的界限的程度。

在电介质层11、12之间以及电介质层12、13之间分别积层有引出导体14A～14D、15A～15D。即，引出导体14A～14D、15A～15D隔着1层电介质层积层在外层部10内的多个电介质层11～13之间。

引出导体14A延伸并引出至形成有端子电极3A的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极3A电连接。引出导体14B延伸并引出至形成有端子电极3B的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极3B电连接。引出导体14C延伸并引出至形成有端子电极3C的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极3C电连接。引出导体14D延伸并引出至形成有端子电极3D的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极3D电连接。

引出导体15A延伸并引出至形成有端子电极5A的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极5A电连接。引出导体15B延伸并引出至形成有端子电极5B的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极5B电连接。引出导体15C延伸并引出至形成有端子电极5C的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极5C电连接。引出导体15D延伸并引出至形成有端子电极5D的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极5D电连接。

在电介质层11上的与各引出导体14A～14D、15A～15D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层11的通孔导体16a～16d、17a～17d。

通孔导体16a，在其一端部上与第1端子电极3A的第2端子导体部302A电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14A电连接。通孔导体16b，在其一端部上与第1端子电极3B的第2端子导体部302B电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14B电连接。通孔导体16c，在其一端部上与第1端子电极3C的第2端子导体部302C电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14C电连接。通孔导体16d，在其一端部上与第1端子电极3D的第2端子导体部302D电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14D电连接。

通孔导体17a，在其一端部上与第2端子电极5A的第2端子导体部502A电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15A电连接。通孔导体17b，在其一端部上与第2端子电极5B的第2端子导体部502B电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15B电连接。通孔导体17c，在其一端部上与第2端子电极5C的第2端子导体部502C电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15C电连接。通孔导体17d，在其一端部上与第2端子电极5D的第2端子导体部502D电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15D电连接。

在电介质层12上的与各引出导体14A～14D、15A～15D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层12的通孔导体18a～18d、19a～19d。

通孔导体18a，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14A电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体14A电连接。通孔导体18b，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14B电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体14B电连接。通孔导体18c，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14C电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体14C电连接。通孔导体18d，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体14D电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体14D电连接。

通孔导体19a，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15A电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体15A电连接。通孔导体19b，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15B电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体15B电连接。通孔导体19c，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15C电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体15C电连接。通孔导体19d，在其一端部上与位于电介质层11、12间的引出导体15D电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的引出导体15D电连接。

通过使电介质层11～13及引出导体14A～14D积层，而使通孔导体16a、18a，通孔导体16b、18b，通孔导体16c、18c，以及通孔导体16d、18d在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体16a、18a和引出导体14A，通孔导体16b、18b和引出导体14B，通孔导体16c、18c和引出导体14C，以及通孔导体16d、18d和引出导体14D，在外层部10内形成导通路。如此，对各端子电极形成的导通路分别电连接于该端子电极中的不同的多个(本实施方式中为3个)位置。

由通孔导体16a、18a以及2个引出导体14A形成的导通路，在2个引出导体14A的各一端部上，与第1端子电极3A的第1端子导体部301A的不同位置分别电连接，在通孔导体16a的一端部上，与第1端子电极3A的不同于第1端子导体部301A的第2端子导体部302A电连接。由此，使对第1端子电极3A形成的导通路，电连接该第1端子电极3A上的不同的3个位置。

因此，引出导体14A，在第1端子电极3A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部301A的位置上，与第1端子电极3A电连接。通孔导体16a，在第1端子电极3A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部302A的位置上，与第1端子电极3A电连接。

由通孔导体16b、18b以及2个引出导体14B形成的导通路，在2个引出导体14B的各一端部上，与第1端子电极3B的第1端子导体部301B的不同位置分别电连接，在通孔导体16b的一端部上，与第1端子电极3B的不同于第1端子导体部301B的第2端子导体部302B电连接。由此，使对第1端子电极3B形成的导通路，电连接该第1端子电极3B上的不同的3个位置。

因此，引出导体14B，在第1端子电极3B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部301B的位置上，与第1端子电极3B电连接。通孔导体16b，在第1端子电极3B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部302B的位置上，与第1端子电极3B电连接。

由通孔导体16c、18c以及2个引出导体14C形成的导通路，在2个引出导体14C的各一端部上，与第1端子电极3C的第1端子导体部301C的不同位置分别电连接，在通孔导体16c的一端部上，与第1端子电极3C的不同于第1端子导体部301C的第2端子导体部302C电连接。由此，使对第1端子电极3C形成的导通路，电连接该第1端子电极3C上的不同的3个位置。

因此，引出导体14C，在第1端子电极3C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部301C的位置上，与第1端子电极3C电连接。通孔导体16c，在第1端子电极3C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部302C的位置上，与第1端子电极3C电连接。

由通孔导体16d、18d以及2个引出导体14D形成的导通路，在2个引出导体14D的各一端部上，与第1端子电极3D的第1端子导体部301D的不同位置分别电连接，在通孔导体16d的一端部上，与第1端子电极3D的不同于第1端子导体部301D的第2端子导体部302D电连接。由此，使对第1端子电极3D形成的导通路，电连接该第1端子电极3D上的不同的3个位置。

因此，引出导体14D，在第1端子电极3D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部301D的位置上，与第1端子电极3D电连接。通孔导体16d，在第1端子电极3D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部302D的位置上，与第1端子电极3D电连接。

另外，在外层部10内对第1端子电极3A～3D形成的导通路的任何一个，在外层部10内，均不与第2端子电极5A～5D连接而电绝缘。

通过使电介质层11～13及引出导体15A～15D积层，而使通孔导体17a、19a，通孔导体17b、19b，通孔导体17c、19c以及通孔导体17d、19d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体17a、19a和引出导体15A，通孔导体17b、19b和引出导体15B，通孔导体17c、19c和引出导体15C，以及通孔导体17d、19d和引出导体15D，分别在外层部10内形成导通路。如此，对各端子电极形成的导通路分别电连接该端子电极中的不同的多个(本实施方式中为3个)位置。

由通孔导体17a、19a以及2个引出导体15A形成的导通路，在2个引出导体15A的各一端部上，与第2端子电极5A的第1端子导体部501A的不同位置分别电连接，在通孔导体17a的另一端部上，与第2端子电极5A的不同于第1端子导体部501A的第2端子导体部502A电连接。由此，使对第2端子电极5A形成的导通路，电连接该第2端子电极5A上的不同的3个位置。

因此，引出导体15A，在第2端子电极5A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部501A的位置上，与第2端子电极5A电连接。通孔导体17a，在第2端子电极5A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部502A的位置上，与第2端子电极5A电连接。

由通孔导体17b、19b以及2个引出导体15B形成的导通路，在2个引出导体15B的各一端部上，与第2端子电极5B的第1端子导体部501B的不同位置分别电连接，在通孔导体17b的另一端部上，与第2端子电极5B的不同于第1端子导体部501B的第2端子导体部502B电连接。由此，使对第2端子电极5B形成的导通路，电连接该第2端子电极5B上的不同的3个位置。

因此，引出导体15B，在第2端子电极5B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部501B的位置上，与第2端子电极5B电连接。通孔导体17b，在第2端子电极5B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部502B的位置上，与第2端子电极5B电连接。

由通孔导体17c、19c以及2个引出导体15C形成的导通路，在2个引出导体15C的各一端部上，与第2端子电极5C的第1端子导体部501C的不同位置分别电连接，在通孔导体17c的另一端部上，与第2端子电极5C的不同于第1端子导体部501C的第2端子导体部502C电连接。由此，使对第2端子电极5C形成的导通路，电连接该第2端子电极5C上的不同的3个位置。

因此，引出导体15C，在第2端子电极5C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部501C内的位置上，与第2端子电极5C电连接。通孔导体17c，在第2端子电极5C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部502C的位置上，与第2端子电极5C电连接。

由通孔导体17d、19d以及2个引出导体15D形成的导通路，在2个引出导体15D的各一端部上，与第2端子电极5D的第1端子导体部501D的不同位置分别电连接，在通孔导体17d的另一端部上，与第2端子电极5D的不同于第1端子导体部501D的第2端子导体部502D电连接。由此，使对第2端子电极5D形成的导通路，电连接该第2端子电极5D上的不同的3个位置。

因此，引出导体15D，在第2端子电极5D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部501D的位置上，与第2端子电极5D电连接。通孔导体17d，在第2端子电极5D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1c的至少一部分的第2端子导体部502D的位置上，与第2端子电极5D电连接。

另外，在外层部10内对第2端子电极5A～5D形成的导通路的任何一个，在外层部10内，均不与第1端子电极3A～3D连接而电绝缘。

被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体14A通过通孔导体18a相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体14B通过通孔导体18b相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体14C通过通孔导体18c相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体14D通过通孔导体18d相互电连接。

被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体15A通过通孔导体19a相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体15B通过通孔导体19b相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体15C通过通孔导体19c相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体15D通过通孔导体19d相互电连接。

外层部60通过使多个(本实施方式中为3个)电介质层61～63积层而构成。在实际的积层电容器C1中，使其一体化至无法识别电介质层61～63之间的界限的程度。

在电介质层61、62之间、以及在电介质层62、63之间，分别积层有引出导体64A～64D、65A～65D。即，引出导体64A～64D、65A～65D隔着1层电介质层而积层在外层部60内的多个电介质层61～63之间。

引出导体64A延伸并引出至形成有端子电极3A的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极3A电连接。引出导体64B延伸并引出至形成有端子电极3B的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极3B电连接。引出导体64C延伸并引出至形成有端子电极3C的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极3C电连接。引出导体64D延伸并引出至形成有端子电极3D的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极3D电连接。

引出导体65A延伸并引出至形成有端子电极5A的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极5A电连接。引出导体65B延伸并引出至形成有端子电极5B的积层体1的侧面1a，在其一端部与端子电极5B电连接。引出导体65C延伸并引出至形成有端子电极5C的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极5C电连接。引出导体65D延伸并引出至形成有端子电极5D的积层体1的侧面1b，在其一端部与端子电极5D电连接。

在电介质层62上的与各引出导体64A～64D、65A～65D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层62的通孔导体66a～66d、67a～67d。

通孔导体66a，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体64A电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64A电连接。通孔导体66b，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体64B电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64B电连接。通孔导体66c，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体64C电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64C电连接。通孔导体66d，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体64D电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64D电连接。

通孔导体67a，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体65A电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65A电连接。通孔导体67b，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体65B电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65B电连接。通孔导体67c，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体65C电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65C电连接。通孔导体67d，在其一端部上与位于电介质层61、62间的引出导体65D电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65D电连接。

在电介质层63上的与各引出导体64A～64D、65A～65D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层63的通孔导体68a～68d、69a～69d。

通孔导体68a，在其一端部上与第1端子电极3A的第2端子导体部303A电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64A电连接。通孔导体68b，在其一端部上与第1端子电极3B的第2端子导体部303B电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64B电连接。通孔导体68c，在其一端部上与第1端子电极3C的第2端子导体部303C电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64C电连接。通孔导体68d，在其一端部上与第1端子电极3D的第2端子导体部303D电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体64D电连接。

通孔导体69a，在其一端部上与第2端子电极5A的第2端子导体部503A电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65A电连接。通孔导体69b，在其一端部上与第2端子电极5B的第2端子导体部503B电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65B电连接。通孔导体69c，在其一端部上与第2端子电极5C的第2端子导体部503C电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65C电连接。通孔导体69d，在其一端部上与第2端子电极5D的第2端子导体部503D电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的引出导体65D电连接。

通过使电介质层61～63及引出导体64A～64D积层，而使通孔导体66a、68a、通孔导体66b、68b、通孔导体66c、68c以及通孔导体66d、68d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体66a、68a和引出导体64A，通孔导体66b、68b和引出导体64B，通孔导体66c、68c和引出导体64C，以及通孔导体66d、68d和引出导体64D，分别在外层部60内形成导通路。如此，对各端子电极形成的导通路分别电连接于该端子电极中的不同的多个(本实施方式中为3个)位置。

由通孔导体66a、68a以及2个引出导体64A形成的导通路，在2个引出导体64A的各一端部上，与第1端子电极3A的第1端子导体部301A的不同位置分别电连接，在通孔导体68a的一端部上，与第1端子电极3A的不同于第1端子导体部301A的第2端子导体部303A电连接。由此，使对第1端子电极3A形成的导通路，电连接该第1端子电极3A上的不同的3个位置。

因此，引出导体64A，在第1端子电极3A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部301A的位置上，与第1端子电极3A电连接。通孔导体66a，在第1端子电极3A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部303A的位置上，与第1端子电极3A电连接。

由通孔导体66b、68b以及2个引出导体64B形成的导通路，在2个引出导体64B的各一端部上，与第1端子电极3B的第1端子导体部301B的不同位置分别电连接，在通孔导体68b的一端部上，与第1端子电极3B的不同于第1端子导体部301B的第2端子导体部303B电连接。由此，使对第1端子电极3B形成的导通路，电连接该第1端子电极3B上的不同的3个位置。

因此，引出导体64B，在第1端子电极3B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部301B的位置上，与第1端子电极3B电连接。通孔导体66b，在第1端子电极3B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部303B的位置上，与第1端子电极3B电连接。

由通孔导体66c、68c以及2个引出导体64C形成的导通路，在2个引出导体64C的各一端部上，与第1端子电极3C的第1端子导体部301C的不同位置分别电连接，在通孔导体68c的一端部上，与第1端子电极3C的不同于第1端子导体部301C的第2端子导体部303C电连接。由此，使对第1端子电极3C形成的导通路，电连接该第1端子电极3C上的不同的3个位置。

因此，引出导体64C，在第1端子电极3C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部301C的位置上，与第1端子电极3C电连接。通孔导体66c，在第1端子电极3C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部303C的位置上，与第1端子电极3C电连接。

由通孔导体66d、68d以及2个引出导体64D形成的导通路，在2个引出导体64D的各一端部上，与第1端子电极3D的第1端子导体部301D的不同位置分别电连接，在通孔导体68d的一端部上，与第1端子电极3D的不同于第1端子导体部301D的第2端子导体部303D电连接。由此，使对第1端子电极3D形成的导通路，电连接该第1端子电极3D上的不同的3个位置。

因此，引出导体64D，在第1端子电极3D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部301D的位置上，与第1端子电极3D电连接。通孔导体66d，在第1端子电极3D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部303D的位置上，与第1端子电极3D电连接。

另外，在外层部60内对第1端子电极3A～3D形成的导通路的任何一个，在外层部60内，不与第2端子电极5A～5D连接而电绝缘。

通过使电介质层61～63及引出导体65A～65D积层，而使通孔导体67a、69a，通孔导体67b、69b，通孔导体67c、69c以及通孔导体67d、69d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体67a、69a和引出导体65A，通孔导体67b、69b和引出导体65B，通孔导体67c、69c和引出导体65C，以及通孔导体67d、69d和引出导体65D分别在外层部60内形成导通路。如此，对各端子电极形成的导通路分别电连接于该端子电极中的不同的多个(本实施方式中为3个)位置。

由通孔导体67a、69a以及2个引出导体65A形成的导通路，在2个引出导体65A的各一端部上，与第2端子电极5A的第1端子导体部501A的不同位置分别电连接，在通孔导体67a的一端部上，与第2端子电极5A的不同于第1端子导体部501A的第2端子导体部503A电连接。由此，使对第2端子电极5A形成的导通路，电连接该第2端子电极5A上的不同的3个位置。

因此，引出导体65A，在第2端子电极5A中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部501A的位置上，与第2端子电极5A电连接。通孔导体67a，在第2端子电极5A中的位置上，具体地说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部503A的位置上，与第2端子电极5A电连接。

由通孔导体67b、69b以及2个引出导体65B形成的导通路，在2个引出导体65B的各一端部上，与第2端子电极5B的第1端子导体部501B的不同位置分别电连接，在通孔导体67b的一端部上，与第2端子电极5B的不同于第1端子导体部501B的第2端子导体部503B电连接。由此，使对第2端子电极5B形成的导通路，电连接该第2端子电极5B上的不同的3个位置。

因此，引出导体65B，在第2端子电极5B中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1a的至少一部分的第1端子导体部501B的位置上，与第2端子电极5B电连接。通孔导体67b，在第2端子电极5B中的位置上，具体地说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部503B的位置上，与第2端子电极5B电连接。

由通孔导体67c、69c以及2个引出导体65C形成的导通路，在2个引出导体65C的各一端部上，与第2端子电极5C的第1端子导体部501C的不同位置分别电连接，在通孔导体67c的一端部上，与第2端子电极5C的不同于第1端子导体部501C的第2端子导体部503C电连接。由此，使对第2端子电极5C形成的导通路，电连接该第2端子电极5C上的不同的3个位置。

因此，引出导体65C，在第2端子电极5C中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部501C的位置上，与第2端子电极5C电连接。通孔导体67c，在第2端子电极5C中的位置上，具体地说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部503C的位置上，与第2端子电极5C电连接。

由通孔导体67d、69d以及2个引出导体65D形成的导通路，在2个引出导体65D的各一端部上，与第2端子电极5D的第1端子导体部501D的不同位置分别电连接，在通孔导体67d的一端部上，与第2端子电极5D的不同于第1端子导体部501D的第2端子导体部503D电连接。由此，使对第2端子电极5D形成的导通路，电连接该第2端子电极5D上的不同的3个位置。

因此，引出导体65D，在第2端子电极5D中的位置上，具体的说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向平行的侧面1b的至少一部分的第1端子导体部501D的位置上，与第2端子电极5D电连接。通孔导体67d，在第2端子电极5D中的位置上，具体地说，是在位于覆盖与积层体1的积层方向交叉的侧面1d的至少一部分的第2端子导体部503D的位置上，与第2端子电极5D电连接。

另外，在外层部60内对第2端子电极5A～5D形成的导通路的任何一个，在外层部60内，均不与第1端子电极3A～3D连接而电绝缘。

被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体64A通过通孔导体66a相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体64B通过通孔导体66b相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体64C通过通孔导体66c相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体64D通过通孔导体66d相互电连接。

被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体65A通过通孔导体67a相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体65B通过通孔导体67b相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体65C通过通孔导体67c相互电连接。被积层在各电介质层间的多个(本实施方式中为2个)引出导体65D通过通孔导体67d相互电连接。

内层部30，如图2所示，通过将多个(在本实施方式中为7个)电介质层31～37和多个(在本实施方式中为各4个)第1和第2内部电极41～44、51～54交替积层而构成。在实际的积层电容器C1中，使其一体化至无法识别电介质层31～37之间的界限的程度。

各第1内部电极41～44呈矩形形状。第1内部电极41～44分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极41通过引出导体46A电连接于第1端子电极3A。第1内部电极42通过引出导体46B电连接于第1端子电极3B。第1内部电极43通过引出导体46C电连接于第1端子电极3C。第1内部电极44通过引出导体46D电连接于第1端子电极3D。由此，使多个第1端子电极3A～3D分别通过引出导体46A～46D，与多个第1内部电极41～44的至少一个电连接。

引出导体46A与第1内部电极41形成为一体，并从第1内部电极41伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体46B与第1内部电极42形成为一体，并从第1内部电极42伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体46C与第1内部电极43形成为一体，并从第1内部电极43伸出，以接近积层体1的侧面1b。引出导体46D与第1内部电极44形成为一体，并从第1内部电极44伸出，以接近积层体1的侧面1b。

各第2内部电极51～54呈矩形形状。第2内部电极51～54分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第2内部电极51通过引出导体56A电连接于第2端子电极5A。第2内部电极52通过引出导体56B电连接于第2端子电极5B。第2内部电极53通过引出导体56C电连接于第2端子电极5C。第2内部电极54通过引出导体56D电连接于第2端子电极5D。由此，使多个第2端子电极5A～5D分别通过引出导体56A～56D，与多个第2内部电极51～54的至少一个电连接。

引出导体56A与第2内部电极51为形成一体，并从第2内部电极51伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体56B与第2内部电极52形成为一体，并从第2内部电极52伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体56C与第2内部电极53形成为一体，并从第2内部电极53伸出，以接近积层体1的侧面1b。引出导体56D与第2内部电极54形成为一体，并从第2内部电极54伸出，以接近积层体1的侧面1b。

图3为表示安装在基板80上的积层电容器C1的，沿图1中I-I线的剖面图。在图3中，积层电容器C1被安装成为，使积层电容器C1的第1端子电极3A与形成在基板80上的阳极焊盘81(land)连接，使第2端子电极5D与形成在基板80上的阴极焊盘82连接。在阳极焊盘81、阴极焊盘82分别与设置在基板内的配线83、84连接。在图3中，为使附图容易观察，省略了与电介质层11～13、31～37、61～63及配线83、84相对应的区域的剖面线。

如图3所示，导通路(向其流入在第1端子电极3A中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3B～3D、5A～5D流入，而是再次向第1端子电极3A流入)分别由外层部10内的引出导体14A和通孔导体16a、18a形成，此外，由外层部60内的引出导体64A和通孔导体66a、68a形成。

导通路(向其流入在第1端子电极3B中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A、3C、3D、5A～5D流入，而是再次向第1端子电极3B流入)分别由外层部10内的引出导体14B和通孔导体16b、18b形成，此外，由外层部60内的引出导体64B和通孔导体66b、68b形成。

导通路(向其流入在第1端子电极3C中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A、3B、3D、5A～5D流入，而是再次向第1端子电极3C流入)分别由外层部10内的引出导体14C和通孔导体16c、18c形成，此外，由外层部60内的引出导体64C和通孔导体66c、68c形成。

导通路(向其流入在第1端子电极3D中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A～3C、5A～5D流入，而是再次向第1端子电极3D流入)分别由外层部10内的引出导体14D和通孔导体16d、18d形成，此外，由外层部60内的引出导体64D和通孔导体66d、68d形成。

导通路(向其流入在第2端子电极5A中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A～3D、5B～5D流入，而是再次向第2端子电极5A流入)分别由外层部10内的引出导体15A和通孔导体17a、19a形成，此外，由外层部60内的引出导体65A和通孔导体67a、69a形成。

导通路(向其流入在第2端子电极5B中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A～3D、5A、5C、5D流入，而是再次向第2端子电极5B流入)分别由外层部10内的引出导体15B和通孔导体17b、19b形成，此外，由外层部60内的引出导体65B和通孔导体67b、69b形成。

导通路(向其流入在第2端子电极5C中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A～3D、5A、5B、5D流入，而是再次向第2端子电极5C流入)分别由外层部10内的引出导体15C和通孔导体17c、19c形成，此外，由外层部60内的引出导体65C和通孔导体67c、69c形成。

导通路(向其流入在第2端子电极5D中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极3A～3D、5A～5C流入，而是再次向第2端子电极5D流入)分别由外层部10内的引出导体15D和通孔导体17d、19d形成，此外，由外层部60内的引出导体65D和通孔导体67d、69d形成。

如图3所示，在积层电容器C1中，形成有导通路的外层部60，相对于内层部30而位于与基板80的安装面相对的侧面1d侧。

在积层电容器C1中，对于各端子电极3A～3D、5A～5D，分别形成有使各端子电极上的不同的多个位置电连接的导通路。在将积层电容器C1安装于基板等上时，在这些导通路中，使在与各导通路电连接的端子电极中流过的电流进行分流而流过。通过使电流分流至多个导通路，减小电感值，因此，可在积层电容器C1中减小等效串联电感。

在积层电容器C1中，对在端子电极3A～3D、5A～5D中流过的电流的一部分进行分流的导通路，只形成在积层体1的外层部10、60内。因此，只在外层部10、60内的电介质层11、12、62、63上形成用于通孔导体的开口部即可。其结果，可容易地制造积层电容器C1。

形成在积层电容器C1的各外层部10、60内的导通路，分别与相对应的端子电极的第1端子导体部的位置和第2端子导体部的位置连接。因此，例如与导通路电连接的端子电极的多个位置均为第1端子导体部时相比，均可缩短形成在外层部内的导通路的长度。因此，在积层电容器C1中可进一步减小等效串联电感。

在积层电容器C1中，与各端子电极3A～3D、5A～5D电连接的外层部10、60内的引出导体14A～14D、15A～15D、64A～64D、65A～65D，在积层方向上分别为多个(2个)。另外，这些引出导体14A～14D、15A～15D、64A～64D、65A～65D隔着电介质层在外层部10、60内积层着。如上所述，在与各端子电极连接并形成导通路的引出导体，对于各端子电极为多个的情况下，实际上，使流过端子电极的电流分流的导通路为多个。由此，可进一步减小积层电容器C1的等效串联电感。

在积层电容器C1中，如图3所示，在外层部60内形成有导通路(引出导体64A～64D、65A～65D、以及、通孔导体66a～66d、67a～67d、68a～68d、69a～69d)。在如图3所示安装状态中，外层部60，相对于内层部30而位于与基板80的安装面相对的侧面1d侧。如此，通过在基板80侧上形成导通路，可有效地分流从基板80流入的电流和向基板80流入的电流，可进一步减小等效串联电感。另外，当在基板80的安装面侧上具有导通路的情况下，由于电流路径变短，因此可进一步减小等效串联电感。

在积层电容器C1中，端子电极3A～3D、5A～5D被交替地配置。因此，在将第1端子电极3A～3D和第2端子电极5A～5D以相反的极性进行连接的情况下，由于在相邻的引出导体46A～46D、56A～56D中流过的电流的方向彼此相反，而使由各引出导体46A～46D、56A～56D产生的磁场相抵消。其结果是，可在积层电容器C1中进一步减小等效串联电感。

参照图4和图5对本实施方式的积层电容器的变形例进行说明。图4为表示本实施方式的积层电容器的变形例的立体图。图5为本实施方式的积层电容器的变形例中所包含的积层体的分解立体图。如图4和图5所示，为了将包含在本变形例的积层电容器的外层部内的各引出导体电连接，在积层方向的一个方向上贯通电介质层的通孔导体的数量，相对各引出导体可以是多个(在本变形例中为2个)。

在本变形例中，连接各引出导体14A～14D及各第1端子电极3A～3D的各一对通孔导体16a～16d、18a～18d被形成为与积层方向平行。连接各引出导体64A～64D及各第1端子电极3A～3D的各一对通孔导体66a～66d、68a～68d被形成为与积层方向平行。因此，在积层电容器C1的变形例中，对于多个第1端子电极3A～3D的各个，分别在积层方向上形成有多个导通路。

连接各引出导体15A～15D及各第2端子电极5A～5D的各一对通孔导体17a～17d、19a～19d被形成为与积层方向平行。连接各引出导体65A～65D及各第2端子电极5A～5D的各一对通孔导体67a～67d、69a～69d被形成为与积层方向平行。因此，在积层电容器C1的变形例中，对于多个第2端子电极5A～5D的各个，分别在积层方向上形成有多个导通路。

如上所述，当电连接多个引出导体的通孔导体，在相对各引出导体为多个的情况下，对于各端子电极可形成多个导通路。如本变形例所示，通过具有并联的多个导通路，可进一步减小等效串联电感。

第2实施方式

参照图6对第2实施方式的积层电容器的结构进行说明。第2实施方式的积层电容器与第1实施方式的积层电容器C1的不同在于：前者的各内部电极通过引出导体与多个端子电极的各个进行连接。图6为第2实施方式的积层电容器中所包含的积层体的分解立体图。

第2实施方式的积层电容器，虽省略其图示，但其与第1实施方式的积层电容器C1相同，包括：积层体1，形成在该积层体1上的第1端子电极3A～3D，和同样形成在积层体1上的第2端子电极5A～5D。另外，各端子电极3A～3D、5A～5D包括第1端子导体部301A～301D、501A～501D及第2端子导体部302A～302D、303A～303D、502A～502D、503A～503D。

积层体1，如图6所示，具有内层部30和在中间夹持该内层部30的一对外层部10、60。

外层部10是通过将多个(在本实施方式中为3个)电介质层11～13及引出导体14A～14D、15A～15D交替积层而构成的。

各引出导体14A、14B、15A、15B延伸并引出至形成有端子电极3A、3B、5A、5B的积层体1的侧面1a，在其一端部上分别与对应的端子电极3A、3B、5A、5B电连接。各引出导体14C、14D、15C、15D延伸并引出至形成有端子电极3C、3D、5C、5D的积层体1的侧面1b，在其一端部上分别与对应的端子电极3C、3D、5C、5D电连接。

在各电介质层11、12中，在与引出导体14A～14D、15A～15D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层11的各通孔导体16a～16d、17a～17d、18a～18d、19a～19d。通孔导体16a～16d、17a～17d分别地，在其一端部上与各端子电极3A～3D、5A～5D的第2端子电极302A～302D、502A～502D电连接，在另一端部上与位于电介质层11、12间的各引出导体14A～14D、15A～15D电连接。通孔导体18a～18d、19a～19d分别地，在其一端部上与位于电介质层11、12间的各引出导体14A～14D、15A～15D电连接，在另一端部上与位于电介质层12、13间的各引出导体14A～14D、15A～15D电连接。

因此，通过使电介质层11～13及引出导体14A～14D积层，而使通孔导体16a、18a，通孔导体16b、18b，通孔导体16c、18c，以及通孔导体16d、18d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体16a、18a和引出导体14A，通孔导体16b、18b和引出导体14B，通孔导体16c、18c和引出导体14C，以及通孔导体16d、18d和引出导体14D，在外层部10内形成导通路。

各导通路在引出导体14A～14D的各一端部上，与第1端子电极3A～3D的第1端子导体部301A～301D电连接，在通孔导体16a～16d的各一端部上，与第1端子电极3A～3D的第2端子导体部302A～302D电连接。如上所述，对第1端子电极3A～3D形成的导通路分别电连接各第1端子电极3A～3D的不同的3个位置。

通过使电介质层11～13及引出导体15A～15D积层，而使通孔导体17a、19a，通孔导体17b、19b，通孔导体17c、19c，以及通孔导体17d、19d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体17a、19a和引出导体15A，通孔导体17b、19b和引出导体15B，通孔导体17c、19c和引出导体15C，以及通孔导体17d、19d和引出导体15D，在外层部10内形成导通路。

各导通路在引出导体15A～15D的各一端部上，与第2端子电极5A～5D的第1端子导体部501A～501D电连接，在通孔导体17a～17d的各一端部上，与第2端子电极5A～5D的第2端子导体部502A～502D电连接。如上所述，对第2端子电极5A～5D形成的导通路分别电连接各第2端子电极5A～5D的不同的3个位置。

外层部60是通过将多个(在本实施方式中为3个)电介质层61～63及引出导体64A～64D、65A～65D交替积层而构成的。

各引出导体64A、64B、65A、65B延伸并引出至形成有端子电极3A、3B、5A、5B的积层体1的侧面1a，在其一端部上分别与对应的端子电极3A、3B、5A、5B电连接。各引出导体64C、64D、65C、65D延伸并引出至形成有端子电极3C、3D、5C、5D的积层体1的侧面1b，在其一端部上分别与对应的端子电极3C、3D、5C、5D电连接。

在各电介质层61、62中，在与引出导体64A～64D、65A～65D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层62的各通孔导体66a～66d、67a～67d、68a～68d、69a～69d。通孔导体66a～66d、67a～67d分别地，在其一端部上与位于电介质层61、62间的各引出导体64A～64D、65A～65D电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的各引出导体64A～64D、65A～65D电连接。通孔导体68a～68d、69a～69d分别地，在其一端部上与位于电介质层62、63间的各引出导体64A～64D、65A～65D电连接，在其另一端部上与各端子电极3A～3D、5A～5D的第2端子导体部303A～303D、503A～503D电连接。

因此，通过使电介质层61～63及引出导体64A～64D积层，而使通孔导体66a、68a，通孔导体66b、68b，通孔导体66c、68c，以及通孔导体66d、68d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体66a、68a和引出导体64A，通孔导体66b、68b和引出导体64B，通孔导体66c、68c和引出导体64C，以及通孔导体66d、68d和引出导体64D，在外层部60内形成导通路。

各导通路在引出导体64A～64D的各一端部上，与第1端子电极3A～3D的第1端子导体部301A～301D电连接，在通孔导体68a～68d的各一端部上，与第1端子电极3A～3D的第2端子导体部303A～303D电连接。如上所述，对第1端子电极3A～3D形成的导通路分别电连接各第1端子电极3A～3D的不同的3个位置。

通过使电介质层61～63及引出导体65A～65D积层，而使通孔导体67a、69a，通孔导体67b、69b，通孔导体67c、69c，以及通孔导体67d、69d均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体67a、69a和引出导体65A，通孔导体67b、69b和引出导体65B，通孔导体67c、69c和引出导体65C，以及通孔导体67d、69d和引出导体65D，分别在外层部60内形成导通路。

各导通路在引出导体65A～65D的各一端部上，与第2端子电极5A～5D的第1端子导体部501A～501D电连接，在通孔导体69a～69d的各一端部上，与第2端子电极5A～5D的第2端子导体部503A～503D电连接。如上所述，对第2端子电极5A～5D形成的导通路分别电连接各第2端子电极5A～5D的不同的3个位置。

内层部30，也如图6所示，是通过将多个(在本实施方式中为7个)电介质层31～37和多个(在本实施方式中为各4个)第1和第2内部电极41～44、51～54交替积层而构成的。在实际的第2实施方式的积层电容器中，使其一体化至无法识别电介质层31～37之间的界限的程度。

各第1内部电极41～44呈大致矩形形状。第1内部电极41～44分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

各第1内部电极41～44通过引出导体46A～46D分别电连接于多个第1端子电极3A～3D的各个上。引出导体46A、46B均与第1内部电极41～44形成为一体，并从第1内部电极41～44分别伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体46C、46D均与第1内部电极41～44形成为一体，并从第1内部电极41～44分别伸出，以接近积层体1的侧面1b。

各第2内部电极51～54呈大致矩形形状。第2内部电极51～54分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

各第2内部电极51～54通过引出导体56A～56D分别电连接于多个第2端子电极5A～5D的各个上。引出导体56A、56B均与第2内部电极51～54形成为一体，并从第2内部电极51～54分别伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体56C、56D均与第2内部电极51～54形成为一体，并从第2内部电极51～54分别伸出，以接近积层体1的侧面1b。

图7为表示安装在基板80上的第2实施方式的积层电容器的剖面图。图7所示剖面图为，用与图1所示I-I线相对应的线将第2实施方式的积层电容器切断时的剖面图。在图7中，为了使附图容易观看，省略了与电介质层11～13、31～37、61～63以及配线83、84相当的区域的剖面线。

如图7所示，导通路(向其流入在各端子电极3A～3D、5A～5D中流过的电流的一部分即分流电流，同时该分流电流不向其余的端子电极流入，而是再次向该端子电极流入)分别由外层部10内的多个引出导体14A～14D、15A～15D和通孔导体16a～16d、18a～18d、17a～17d、19a～19d形成，另外，由外层部60内的多个引出导体64A～64D、65A～65D和通孔导体66a～66d、68a～68d、67a～67d、69a～69d形成。

如图7所示，在第2实施方式的积层电容器中，形成有导通路的外层部60，对于内层部30而位于与基板80的安装面相对的侧面1d侧。

在第2实施方式的积层电容器中，对于各端子电极3A～3D、5A～5D，分别形成有使各端子电极上的不同的多个位置电连接导通路。在将第2实施方式的积层电容器安装在基板等上时，在这些导通路中，使在与各导通路电连接的端子电极中流过的电流进行分流而流过。因此，可在第2实施方式的积层电容器中减小等效串联电感。

在第2实施方式的积层电容器中，对在端子电极3A～3D、5A～5D中流过的电流的一部分进行分流的导通路，只形成在积层体1的外层部10、60内。因此，只在外层部10、60内的电介质层11、12、62、63上形成用于通孔导体的开口部即可。其结果是，可使第2实施方式的积层电容器容易制造。

形成在第2实施方式的积层电容器的各外层部10、60内的导通路，分别与相对应的端子电极的第1端子导体部的位置和第2端子导体部的位置连接。因此，例如与导通路电连接的端子电极的多个位置均为第1端子导体部的情况相比，可缩短形成在外层部内的导通路的长度。因此，可在第2实施方式的积层电容器中进一步减小等效串联电感。

在第2实施方式的积层电容器中，在积层方向上隔着电介质层分别积层有多个(2个)与各端子电极3A～3D、5A～5D电连接的外层部10、60内的引出导体14A～14D、15A～15D、64A～64D、65A～65D。在此情况下，实际上使流过端子电极的电流分流的导通路变成为多个。由此，可进一步减小第2实施方式的积层电容器的等效串联电感。

在第2实施方式的积层电容器中，如图7所示实施状态下，在位于基板80的安装面侧的外层部60内，形成有导通路。由此，可有效分流从基板80流入的电流和向基板80流入的电流，可进一步减小等效串联电感。另外，当在基板80的安装面侧具有导通路的情况下，由于电流路径较短，可进一步减小等效串联电感。

在第2实施方式的积层电容器中，交替设置有端子电极3A～3D、5A～5D。因此，在相反的极性连接第1端子电极3A～3D和第2端子电极5A～5D的情况下，可相互抵消由各引出导体46A～46D、56A～56D发生的磁场，可进一步降低第2实施方式的积层电容器的等效串联电感。

第3实施方式

参照图8和图9对第3实施方式的积层电容器C2的结构进行说明。第3实施方式的积层电容器C2与第1实施方式的积层电容器C1的不同点在于，第1和第2端子电极的数量。图8为第3实施方式的积层电容器的立体图。图9为第3实施方式的积层电容器所包含的积层体的分解立体图。

积层电容器C2，如图8所示，具有：包括内层部30和外层部10、60的积层体1；形成在积层体1上的多个(在本实施方式中为5个)第1端子电极3A～3E；形成在积层体1上的多个(在本实施方式中为5个)第2端子电极5A～5E。

第1端子电极3A、3B和第2端子电极5A、5B位于积层体1的侧面1a侧。第1端子电极3D、3E和第2端子电极5C、5D位于积层体1的侧面1b侧。第1端子电极3C位于积层体1的侧面1e侧。第2端子电极5E位于积层体1的侧面1f侧。第1端子电极3A～3E和第2端子电极5A～5E相互电绝缘。

第1端子电极3A、3B分别包括：第1端子导体部301A、301B，该第1端子导体部301A、301B跨越积层方向，覆盖积层体1的侧面1a；以及，与第1端子导体部301A、301B连接的第2端子导体部302A、303A、302B、303B。第2端子导体部302A、302B分别覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部303A、303B分别覆盖侧面1d的一部分。

第1端子电极3C包括：在积层方向上跨越积层体1的侧面1e的第1端子导体部301C；以及与第1端子导体部301C连接的第2端子导体部302C、303C。第2端子导体部302C覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部303C覆盖侧面1d的一部分。

第1端子电极3D、3E分别包括：在积层方向上跨越并覆盖积层体1的侧面1b的第1端子导体部301D、301E；以及与第1端子导体部301D、301E连接的第2端子导体部302D、303D、302E、303E。第2端子导体部302D、302E分别覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部303D、303E分别覆盖侧面1d的一部分。

第2端子电极5A、5B分别包括：在积层方向上跨越并覆盖积层体1的侧面1a的第1端子导体部501A、501B；以及与第1端子导体部501A、501B连接的第2端子导体部502A、503A、502B、503B。第2端子导体部502A、502B分别覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部503A、503B分别覆盖侧面1d的一部分。

第2端子电极5C、5D分别包括：在积层方向上跨越并覆盖积层体1的侧面1b的第1端子导体部501C、501D；以及与第1端子导体部501C、501D连接的第2端子导体部502C、503C、502D、503D。第2端子导体部502C、502D分别覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部503C、503D分别覆盖侧面1d的一部分。

第2端子电极5E包括：在积层方向上跨越并覆盖积层体1的侧面1f的第1端子导体部501E；以及与第1端子导体部501E连接的第2端子导体部502E、503E。第2端子导体部502E覆盖侧面1c的一部分。第2端子导体部503E覆盖侧面1d的一部分。

积层体1如图9所示具有内层部30和在中间夹持该内层部30的一对外层部10、60。

外层部10通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层11～13和引出导体14A～14E、15A～15E交替积层而构成。在实际的积层电容器C2中，使其一体化至无法识别电介质层11～13之间的界限的程度。

在电介质层11、12之间以及电介质层12、13之间分别积层有引出导体14A～14E、15A～15E。即，引出导体14A～14E、15A～15E隔着1层电介质层积层在外层部10内的多个电介质层11～13之间。

各引出导体14A、14B、15A、15B延伸并引出至形成有端子电极3A、3B、5A、5B的积层体1的侧面1a，在其一端部上分别与对应的端子电极3A、3B、5A、5B电连接。引出导体14C延伸并引出至形成有端子电极3C的积层体1的侧面1e，在其一端部上与端子电极3C电连接。各引出导体15C、14D、15D、14E延伸并引出至形成有端子电极5C、3D、5D、3E的积层体1的侧面1b，在其一端部上分别与对应的端子电极5C、3D、5D、3E电连接。引出导体15E延伸并引出至形成有端子电极5E的积层体1的侧面1f，在其一端部上与端子电极5E电连接。

在各电介质层11、12中，在与引出导体14A～14E、15A～15E对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层11的各通孔导体16a～16e、17a～17e、18a～18e、19a～19e。各通孔导体16a～16e、17a～17e在其一端部上与各端子电极3A～3E、5A～5E的第2端子电极302A～302E、502A～502E电连接，在其另一端部上与位于电介质层11、12间的各引出导体14A～14E、15A～15E电连接。各通孔导体18a～18e、19a～19e分别在其一端部上与位于电介质层11、12间的各引出导体14A～14E、15A～15E电连接，在其另一端部上与位于电介质层12、13间的各引出导体14A～14E、15A～15E电连接。

因此，通过使电介质层11～13及引出导体14A～14E积层，而使通孔导体16a、18a，通孔导体16b、18b，通孔导体16c、18c，通孔导体16d、18d，以及通孔导体16e、18e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体16a、18a和引出导体14A，通孔导体16b、18b和引出导体14B，通孔导体16c、18c和引出导体14C，通孔导体16d、18d和引出导体14D，以及通孔导体16e、18e和引出导体14E，在外层部10内形成导通路。

各导通路，在引出导体14A～14E的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第1端子导体部301A～301E电连接，在通孔导体16a～16e的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第2端子导体部302A～302E电连接。如上所述，对第1端子电极3A～3E形成的导通路分别电连接各第1端子电极3A～3E的不同的3个位置。

通过使电介质层11～13及引出导体15A～15E积层，而使通孔导体17a、19a，通孔导体17b、19b，通孔导体17c、19c，通孔导体17d、19d，以及通孔导体17e、19e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体17a、19a和引出导体15A，通孔导体17b、19b和引出导体15B，通孔导体17c、19c和引出导体15C，通孔导体17d、19d和引出导体15D，以及通孔导体17e、19e和引出导体15E，在外层部10内形成导通路。

各导通路，在引出导体15A～15E的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第1端子导体部501A～501E电连接，在通孔导体17a～17e的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第2端子导体部502A～502E电连接。如上所述，对第2端子电极5A～5E形成的导通路分别电连接各第2端子电极5A～5E的不同的3个位置。

外层部60通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层61～63及引出导体64A～64E、65A～65E交替积层而构成。在实际的积层电容器C2中，使其一体化至无法识别电介质层61～63之间的界限的程度。

在电介质层61、62之间和电介质层62、63之间分别积层有引出导体64A～64E、65A～65E。即，引出导体64A～64E、65A～65E隔着1层电介质层而积层在外层部60内的多个电介质层61～63之间。

各引出导体64A、64B、65A、65B延伸并引出至形成有端子电极3A、3B、5A、5B的积层体1的侧面1a，在其一端部上分别与对应的端子电极3A、3B、5A、5B电连接。引出导体64C延伸并引出至形成有端子电极3C的积层体1的侧面1e，在其一端部上与端子电极3C电连接。各引出导体65C、64D、65D、64E延伸并引出至形成有端子电极5C、3D、5D、3E的积层体1的侧面1b，在其一端部上分别与对应的端子电极5C、3D、5D、3E电连接。引出导体65E延伸并引出至形成有端子电极5E的积层体1的侧面1f，在其一端部上与端子电极5E电连接。

在各电介质层62、63中，在与引出导体64A～64E、65A～65E对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层62的通孔导体66a～66e、67a～67e、68a～68e、69a～69e。各通孔导体66a～66e、67a～67e在其一端部上与位于电介质层61、62间的各引出导体64A～64E、65A～65E电连接，在其另一端部上与位于电介质层62、63间的各引出导体64A～64E、65A～65E电连接。各通孔导体68a～68e、69a～69e在其一端部上与位于电介质层62、63间的各引出导体64A～64E、65A～65E电连接，在其另一端部上与各端子电极3A～3E、5A～5E的第2端子导体部303A～303E、503A～503E电连接。

因此，通过使电介质层61～63及引出导体64A～64E积层，而使通孔导体66a、68a，通孔导体66b、68b，通孔导体66c、68c，通孔导体66d、68d，以及通孔导体66e、68e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体66a、68a和引出导体64A，通孔导体66b、68b和引出导体64B，通孔导体66c、68c和引出导体64C，通孔导体66d、68d和引出导体64D，以及通孔导体66e、68e和引出导体64E，在外层部60内形成导通路。

各导通路，在引出导体64A～64E的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第1端子导体部301A～301E电连接，在通孔导体66a～66e的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第2端子导体部302A～302E电连接。如上所述，对第1端子电极3A～3E形成的导通路分别电连接各第1端子电极3A～3E的不同的3个位置。

通过使电介质层61～63及引出导体65A～65E积层，而使通孔导体67a、69a，通孔导体67b、69b，通孔导体67c、69c，通孔导体67d、69d，以及通孔导体67e、69e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体67a、69a和引出导体65A，通孔导体67b、69b和引出导体65B，通孔导体67c、69c和引出导体65C，通孔导体67d、69d和引出导体65D，以及通孔导体67e、69e和引出导体65E，在外层部60内形成导通路。

各导通路，在引出导体65A～65E的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第1端子导体部501A～501E电连接，在通孔导体67a～67e的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第2端子导体部503A～503E电连接。如上所述，对第2端子电极5A～5E形成的导通路分别电连接各第2端子电极5A～5E的不同的3个位置。

内层部30，如图9所示，通过将多个(在本实施方式中为9个)电介质层31～39和多个(在本实施方式中为各5个)第1和第2内部电极41～45、51～55交替积层而构成。在实际的积层电容器C2中，使其一体化至无法识别电介质层31～39之间的界限的程度。

各第1内部电极41～45呈矩形形状。第1内部电极41～45分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极41通过引出导体46A电连接于第1端子电极3A。第1内部电极42通过引出导体46B电连接于第1端子电极3B。第1内部电极43通过引出导体46C电连接于第1端子电极3C。第1内部电极44通过引出导体46D电连接于第1端子电极3D。第1内部电极45通过引出导体46E电连接于第1端子电极3E。由此，使多个第1端子电极3A～3E分别通过引出导体46A～46E，与多个第1内部电极41～45的至少一个电连接。

各引出导体46A、46B与对应的第1内部电极41、42形成为一体，并从第1内部电极41、42伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体46C与对应的第1内部电极43形成为一体，并从第1内部电极43伸出，以接近积层体1的侧面1e。各引出导体46D、46E与对应的第1内部电极44、45形成为一体，并从第1内部电极44、45伸出，以接近积层体1的侧面1b。

各第2内部电极51～55呈矩形形状。第2内部电极51～55分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第2内部电极51通过引出导体56A电连接于第2端子电极5A。第2内部电极52通过引出导体56B电连接于第2端子电极5B。第2内部电极53通过引出导体56C电连接于第2端子电极5C。第2内部电极54通过引出导体56D电连接于第2端子电极5D。第2内部电极55通过引出导体56E电连接于第2端子电极5E。由此，使多个第2端子电极5A～5E分别通过引出导体56A～56E，与多个第2内部电极51～55的至少一个电连接。

各引出导体56A、56B与对应的第2内部电极51、52形成为一体，并从各第2内部电极51、52伸出，以接近积层体1的侧面1a。各引出导体56C、56D与对应的第2内部电极53、54形成为一体，并从第2内部电极53、54伸出，以接近积层体1的侧面1b。引出导体56E与对应的第2内部电极55形成为一体，并从第1内部电极55伸出，以接近积层体1的侧面1f。

图10为表示安装在基板80上的积层电容器C2的剖面图。图10所示剖面图为，利用与图8所示II-II线相对应的线将积层电容器C2切断时的剖面图。在图10中，积层电容器C2被安装成，使积层电容器C2的第1端子电极3A与形成在基板80上的阳极焊盘81连接，同时，使第1端子电极3E与形成在基板80上的阳极焊盘85连接。在各阳极焊盘81、85与设置在基板内的配线83、84连接。在图10中，为了使附图容易观看，省略与电介质层11～13、31～37、61～63以及配线83、84相当的区域的剖面线。

如图10所示，导通路(向其流入在各端子电极3A～3E、5A～5E中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极流入，而是再次向该端子电极流入)分别由外层部10内的多个引出导体14A～14E、15A～15E和通孔导体16a～16e和18a～18e，17a～17e和19a～19e构成，另外，由外层部60内的多个引出导体64A～64E、65A～65E和通孔导体66a～66e、68a～68e，67a～67e、69a～69e形成。

如图10所示，在积层电容器C2中，形成有导通路的外层部60，对于内层部30而位于与基板80的安装面相对的侧面1d侧。

在积层电容器C2中，对于各端子电极3A～3E、5A～5E，分别形成有使各端子电极上的不同的多个位置电连接导通路。在将积层电容器C2安装在基板等上时，在这些导通路中，使在与各导通路电连接的端子电极中流过的电流进行分流而流过。因此，可在积层电容器C2中减小等效串联电感。

在积层电容器C2中，对于在端子电极3A～3E、5A～5E中流过的电流的一部分进行分流的导通路，只形成在积层体1的外层部10、60内。因此，可只在外层部10、60内的电介质层11、12、62、63上形成用于通孔导体的开口部。其结果是，可容易地制造积层电容器C2。

形成在积层电容器C2的各外层部10、60内的导通路，分别与对应的端子电极的第1端子导体部的位置和第2端子导体部的位置连接。因此，例如与导通路电连接的端子电极的多个位置均为第1端子导体部的情况相比，可缩短形成在外层部内的导通路的长度。因此，可在积层电容器C2中进一步减小等效串联电感。

在积层电容器C2中，在积层方向上隔着电介质层分别积层有多个(2个)与各端子电极3A～3E、5A～5E连接的外层部10、60内的引出导体14A～14E、15A～15E、64A～64E、65A～65E。在此情况下，实际上使流过端子电极的电流分流的导通路形成为多个。由此，可进一步减小积层电容器C2的等效串联电感。

在积层电容器C2中，如图10所示实施状态下，在位于基板80的安装面侧的外层部60内形成有导通路。由此，可有效分流从基板80流入的电流和向基板80流入的电流，并可进一步减小等效串联电感。另外，当在基板80的安装面侧具有导通路的情况下，由于电流路径较短，可进一步减小等效串联电感。

在积层电容器C2中，交替设置有端子电极3A～3E、5A～5E。因此，在使第1端子电极3A～3E和第2端子电极5A～5E极性相反地连接的情况下，可相互抵消由各引出导体46A～46E、56A～56E发生的磁场，可进一步降低积层电容器C2的等效串联电感。

第4实施方式

参照图11对第4实施方式的积层电容器的结构进行说明。第4实施方式的积层电容器与第3实施方式的积层电容器C2的不同点在于，各内部电极通过引出导体与多个端子电极的各个进行连接。图11为第4实施方式的积层电容器中所包括的积层体的分解立体图。

第4实施方式的积层电容器虽省略其图示，但其与第3实施方式的积层电容器C2相同，包括：积层体1；形成在该积层体1上的第1端子电极3A～3E；和形成在相同积层体1上的第2端子电极5A～5E。另外，各端子电极3A～3E、5A～5E包括第1端子导体部301A～301E、501A～501E及第2端子导体部302A～302E、303A～303E、502A～502E、503A～503E。

积层体1，如图11所示，具有内层部30和在中间夹持该内层部30的一对外层部10、60。

外层部10是通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层11～13及引出导体14A～14E、15A～15E交替积层而构成的。在实际的第4实施方式的积层电容器中，使其一体化至无法识别电介质层11～13间的界限的程度。

在电介质层11、12之间及电介质层12、13之间分别积层有引出导体14A～14E、15A～15E。即，引出导体14A～14E、15A～15E隔着1层电介质层而积层在外层部10内的多个电介质层11～13之间。

各引出导体14A、14B、15A、15B延伸并引出至形成有端子电极3A、3B、5A、5B的积层体1的侧面1a，在其一端部上分别与对应的端子电极3A、3B、5A、5B电连接。引出导体14C延伸并引出至形成有端子电极3C的积层体1的侧面1e，在其一端部上与端子电极3C电连接。各引出导体15C、14D、15D、14E延伸并引出至形成有端子电极5C、3D、5D、3E的积层体1的侧面1b，在其一端部上分别与对应的端子电极5C、3D、5D、3E电连接。引出导体15E延伸并引出至形成有端子电极5E的积层体1的侧面1f，在其一端部上与端子电极5E电连接。

在各电介质层11、12中，在与引出导体14A～14E、15A～15E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层11的各通孔导体16a～16e、17a～17e、18a～18e、19a～19e。通孔导体16a～16e、17a～17e分别在其一端部上与各端子电极3A～3E、5A～5E的第2端子电极302A～302E、502A～502E电连接，在另一端部上与位于电介质层11、12之间的各引出导体14A～14E、15A～15E电连接。通孔导体18a～18e、19a～19e分别在其一端部上与位于电介质层11、12之间的各引出导体14A～14E、15A～15E电连接，在另一端部上与位于电介质层12、13之间的各引出导体14A～14E、15A～15E电连接。

因此，通过使电介质层11～13及引出导体14A～14E积层，而使通孔导体16a、18a，通孔导体16b、18b，通孔导体16c、18c，通孔导体16d、18d，以及通孔导体16e、18e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体16a、18a和引出导体14A，通孔导体16b、18b和引出导体14B，通孔导体16c、18c和引出导体14C，通孔导体16d、18d和引出导体14D，以及通孔导体16e、18e和引出导体14E，在外层部10内形成导通路。

各导通路，在引出导体14A～14E的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第1端子导体部301A～301E电连接，在通孔导体16a～16e的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第2端子导体部302A～302E电连接。如上所述，对第1端子电极3A～3E形成的导通路分别电连接各第1端子电极3A～3E的不同的3个位置。

通过使电介质层11～13及引出导体15A～15E积层，而使通孔导体17a、19a，通孔导体17b、19b，通孔导体17c、19c，通孔导体17d、19d，以及通孔导体17e、19e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体17a、19a和引出导体15A，通孔导体17b、19b和引出导体15B，通孔导体17c、19c和引出导体15C，通孔导体17d、19d和引出导体15D，以及通孔导体17e、19e和引出导体15E，在外层部10内形成导通路。

各导通路，在引出导体15A～15E的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第1端子导体部501A～501E电连接，在通孔导体17a～17e的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第2端子导体部502A～502E电连接。如上所述，对第2端子电极5A～5E形成的导通路分别电连接各第2端子电极5A～5E的不同的3个位置。

外层部60是通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层61～63及引出导体64A～64E、65A～65E交替积层而构成的。在实际的第4实施方式的积层电容器中，使其一体化至无法识别电介质层61～63间的界限的程度。

在电介质层61、62之间及电介质层62、63之间分别积层有引出导体64A～64E、65A～65E。即，引出导体64A～64E、65A～65E隔着1层电介质层而积层在外层部60内的多个电介质层61～63之间。

各引出导体64A、64B、65A、65B延伸并引出至形成有端子电极3A、3B、5A、5B的积层体1的侧面1a，在其一端部上分别与对应的端子电极3A、3B、5A、5B电连接。引出导体64C延伸并引出至形成有端子电极3C的积层体1的侧面1e，在其一端部上与端子电极3C电连接。各引出导体65C、64D、65D、64E延伸并引出至形成有端子电极5C、3D、5D、3E的积层体1的侧面1b，在其一端部上分别与对应的端子电极5C、3D、5D、3E电连接。引出导体65E延伸并引出至形成有端子电极5E的积层体1的侧面1f，在其一端部上与端子电极5E电连接。

在各电介质层62、63中，在与引出导体64A～64E、65A～65E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层62的各通孔导体66a～66e、67a～67e、68a～68e、69a～69e。通孔导体66a～66e、67a～67e分别在其一端部上与位于电介质层61、62间的各引出导体64A～64E、65A～65E电连接，在另一端部上与位于电介质层62、63间的各引出导体64A～64E、65A～65E电连接。通孔导体68a～68e、69a～69e分别在其一端部上与位于电介质层62、63间的各引出导体64A～64E、65A～65E电连接，在其另一端部上与各端子电极3A～3E、5A～5E的第2端子导体部303A～303E、503A～503E电连接。

因此，通过使电介质层61～63及引出导体64A～64E积层，而使通孔导体66a、68a，通孔导体66b、68b，通孔导体66c、68c，通孔导体66d、68d，以及通孔导体66e、68e在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体66a、68a和引出导体64A，通孔导体66b、68b和引出导体64B，通孔导体66c、68c和引出导体64C，以及通孔导体66d、68d和引出导体64D，以及通孔导体66e、68e和引出导体64E，在外层部60内形成导通路。

各导通路，在引出导体64A～64E的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第1端子导体部301A～301E电连接，在通孔导体66a～66e的各一端部上，与第1端子电极3A～3E的第2端子导体部302A～302E电连接。如上所述，对第1端子电极3A～3E形成的导通路分别电连接各第1端子电极3A～3E的不同的3个位置。

通过使电介质层61～63及引出导体65A～65E积层，而使通孔导体67a、69a，通孔导体67b、69b，通孔导体67c、69c，通孔导体67d、69d，以及通孔导体67e、69e均在积层方向上并列设置成大致直线状，相互电连接。如上所述，通孔导体67a、69a和引出导体65A，通孔导体67b、69b和引出导体65B，通孔导体67c、69c和引出导体65C，通孔导体67d、69d和引出导体65D，以及通孔导体67e、69e和引出导体65E，在外层部60内形成导通路。

各导通路，在引出导体65A～65E的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第1端子导体部501A～501E电连接，在通孔导体67a～67e的各一端部上，与第2端子电极5A～5E的第2端子导体部503A～503E电连接。如上所述，对第2端子电极5A～5E形成的导通路分别电连接各第2端子电极5A～5E的不同的3个位置。

内层部30，如图11所示，是通过将多个(在本实施方式中为9个)电介质层31～39和多个(在本实施方式中为各5个层)第1和第2内部电极41～45、51～55交替积层而构成的。在实际的第4实施方式的积层电容器中，使其一体化至无法识别电介质层31～39之间的界限的程度。

第1内部电极41～45呈大致矩形形状。第1内部电极41～45分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极41～45通过引出导体46A～46E电连接于多个第1端子电极3A～3E的各个上。各引出导体46A、46B与第1内部电极41～45形成为一体，并从第1内部电极41～45伸出，以接近积层体1的侧面1a。引出导体46C与第1内部电极41～45形成为一体，并从第1内部电极41～45伸出，以接近积层体1的侧面1e。各引出导体46D、46E与第1内部电极41～45形成为一体，并从第1内部电极41～45伸出，以接近积层体1的侧面1b。

各第2内部电极51～55呈大致矩形形状。第2内部电极51～55分别形成在，距积层体1的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第2内部电极51～55通过引出导体56A～56E电连接于多个第2端子电极5A～5E的各个上。各引出导体56A、56B与第2内部电极51～55形成为一体，并从第2内部电极51～55伸出，以接近积层体1的侧面1a。各引出导体56C、56D与第2内部电极51～55形成为一体，并从第2内部电极51～55伸出，以接近积层体1的侧面1b。引出导体56E与第2内部电极51～55形成为一体，并从第2内部电极51～55伸出，以接近积层体1的侧面1f。

图12为表示安装在基板80上的第4实施方式的积层电容器的剖面图。图12所示剖面图为，利用与图8所示II-II线相对应的线将第4实施方式的积层电容器切断时的剖面图。在图12中，为了使附图容易观看，省略了与电介质层11～13、31～37、61～63以及配线83、84相当的区域的剖面线。

如图12所示，导通路(向其流入在各端子电极3A～3E、5A～5E中流过的电流的一部分即分流电流，该分流电流不向其余的端子电极流入，而是再次向该端子电极流入)分别由外层部10内的多个引出导体14A～14E、15A～15E和通孔导体16a～16e、18a～18e、17a～17e、19a～19e形成，另外，由外层部60内的多个引出导体64A～64E、65A～65E和通孔导体66a～66e、68a～68e，67a～67e、69a～69e形成。

如图12所示，在第4实施方式的积层电容器中，形成有导通路的外层部60，对于内层部30而位于与基板80的安装面相对的侧面1d侧。

在第4实施方式的积层电容器中，对于各端子电极3A～3E、5A～5E，分别形成有使各端子电极上的不同的多个位置电连接的导通路。在将第4实施方式的积层电容器安装在基板等上时，在这些导通路中，使在与各导通路电连接的端子电极中流过的电流进行分流而流过。因此，可在第4实施方式的积层电容器中减小等效串联电感。

在第4实施方式的积层电容器中，对在端子电极3A～3E、5A～5E中流过的电流的一部分进行分流的导通路，只形成在积层体1的外层部10、60内。因此，只在外层部10、60内的电介质层11、12、62、63上形成用于通孔导体的开口部即可。其结果是，可使第4实施方式的积层电容器容易制造。

形成在第4实施方式的积层电容器的各外层部10、60内的导通路，分别与对应的端子电极的第1端子导体部的位置和第2端子导体部的位置连接。因此，例如与导通路电连接的端子电极的多个位置均为第1端子导体部的情况相比，可缩短形成在外层部内的导通路的长度。因此，可在第4实施方式的积层电容器中进一步减小等效串联电感。

在第4实施方式的积层电容器中，在积层方向上隔着电介质层分别积层有多个(2个)与各端子电极3A～3E、5A～5E连接的外层部10、60内的引出导体14A～14E、15A～15E、64A～64E、65A～65E。在此情况下，实际上使流过端子电极的电流分流的导通路形成为多个。由此，可进一步减小第4实施方式的积层电容器的等效串联电感。

在第4实施方式的积层电容器中，如图12所示实施状态下，在位于基板80的安装面侧的外层部60内，形成有导通路。由此，可有效分流从基板80流入的电流和向基板80流入的电流，并可进一步减小等效串联电感。另外，当在基板80的安装面侧具有导通路的情况下，由于电流路径变短，可进一步减小等效串联电感。

在第4实施方式的积层电容器中，交替设置有端子电极3A～3E、5A～5E。因此，在极性相反地连接第1端子电极3A～3E和第2端子电极5A～5E的情况下，可相互抵消由各引出导体46A～46E、56A～56E产生的磁场，可进一步降低第4实施方式的积层电容器的等效串联电感。

以上，作为本发明的优选实施方式，对第1～第4实施方式进行了详细说明，但是，本发明并不局限于上述第1～第4实施方式以及变形例。例如，也可以不对端子电极的第2端子导体部和引出导体部进行电连接。在此情况下，形成在外层部内的导通路，由例如，在外层部内中，隔着至少1个电介质层而被积层的多个引出导体，和电连接该多个引出导体的通孔导体形成。

此时，在外层部内被积层的多个引出导体，分别延伸并引出至形成有与导通路电连接的端子电极的积层体的侧面，并通过该多个引出导体的各端部，电连接于该端子电极上的不同的多个位置的各个上。

尤其优选为，形成在外层部的引出导体为3个以上，该3个以上的引出导体由通孔导体来进行电连接。在此情况下，由于实际上形成有多个导通路，因此可进一步减小等效串联电感。

引出导体14A～14E、15A～15E、64A～64E、65A～65E的形状，并不局限于上述实施方式及变形例的积层电容器所具有的引出导体的形状。图13、14表示了在外层部10、60内被积层的引出导体14A～14D、15A～15D、64A～64D、65A～65D的形状的变形例。图13的(a)～(c)表示了，利用1个通孔导体使积层在外层部内的各引出导体电连接的情况下的引出导体的形状。在图14的(a)～(c)中表示了，利用多个通孔导体使积层在外层部内的各引出导体电连接的情况下的引出导体的形状。

积层在外层部内的引出导体，既可以是如图13的(a)和图14的(a)所示的具有引出部分的圆形，也可以是如图13(b)和图14(b)所示的具有引出部分的矩形，或如图13(c)和图14(c)所示的具有引出部分的梯形。在图13(a)和(b)以及图14(a)和图14(b)所示引出导体中，例如使引出部分引出至积层体的侧面，并使其与端子电极电连接。在图13(c)和图14(c)所示形状的引出导体中，例如使梯形的一边引出至积层体的侧面，并使其与端子电极电连接。

在外层部10、60内被积层的引出导体14A～14D、15A～15D各自的数量，在上述实施方式和变形例的积层电容器中各为2个，但并不局限于此，也可分别为1个，或3个以上。

为了电连接包含在外层部10、60内的各引出导体14A～14E、15A～15E、64A～64E、65A～65E，在积层方向的一方向上贯通电介质层(11、12、62、63)的通孔导体16a～16e、17a～17e、18a～18e、19a～19e、66a～66e、67a～67e、68a～68e、69a～69e的数量，可以是对于各引出导体14A～14E、15A～15E、64A～64E、65A～65E为1个或2个以上。

电介质层11～13、31～39、61～63的积层数及第1和第2内部电极41～45、51～55的积层数并不局限于上述实施方式和变形例中记载的数量。积层体1所具有的外层部10、60也可以不是2个，例如也可以只有外层部60。端子电极3A～3E、5A～5E的数量，并不局限于上述实施方式和变形例中记载的数量。端子电极3A～3E、5A～5E的形状也并不局限于上述实施方式和变形例中记载的形状，例如，可以不覆盖积层体1的与积层方向相交的侧面的一部分。

导通路可不形成在外层部10、60的两者中，也可仅形成在例如与基板等安装面相对的侧面侧的外层部(例如外层部60)中。也可不对积层电容器所具有的全部端子电极而形成有导通路。例如，可以仅对第1或第2端子电极形成有导通路。此时，既可以对全部第1或第2端子电极形成有导通路，或者也可以仅对一部分端子电极形成有导通路。但是，为了高效地减小等效串联电感，优选对相同数量的第1和第2端子电极形成导通路，更优选对全部的第1和第2端子电极形成导通路。

第5实施方式

参照图15和图16对第5实施方式的积层电容器C101的结构进行说明。图15是第5实施方式的积层电容器的立体图。图16是第5实施方式的积层电容器中所包含的积层体的分解立体图。

积层电容器C101，如图15所示，具有：积层体101；形成在该积层体101上的多个(在本实施方式中为4个)第1端子电极103A～103D；和形成在积层体101上的多个(在本实施方式中为4个)第2端子电极105A～105D。

积层体101，如后面所述，由多个电介质层及第1和第2内部电极积层而被形成为长方体。积层体101具有：与电介质层及第1和第2内部电极被积层的方向(以下简称为积层方向)平行，且相向的一对侧面101a、101b；垂直于侧面101a和积层方向，且相互平行的一对侧面101c、101d；垂直于侧面101a～101d，且相向的一对端面101e、101f。

第1端子电极103A、103B和第2端子电极105A、105B位于积层体101的侧面101a侧。第1端子电极103C、103D和第2端子电极105C、105D位于积层体101的侧面101b。第1端子电极103A～103D和第2端子电极105A～105D相互电绝缘。

第1端子电极103A、103B分别具有：第1端子导体部1301A、1301B，该第1端子导体部1301A、1301B跨越积层方向，并覆盖积层体101的侧面101a；绕至侧面101c的第2端子导体部1302A、1302B；和绕至侧面101d的第2端子导体部1303A、1303B。第1端子电极103A的第2端子导体部1302A形成在侧面101c上。第1端子电极103A的第2端子导体部1303A形成在侧面101d上。第1端子电极103B的第2端子导体部1302B形成在侧面101c上。第1端子电极103B的第2端子导体部1303B形成在侧面101d上。第1端子电极103A、103B的第1端子导体部1301A、1301B形成在侧面101a上。

第1端子电极103C、103D分别具有：第1端子导体部1301C、1301D，该第1端子导体部1301C、1301D跨越积层方向，并覆盖积层体101的侧面101b；绕至侧面101c的第2端子导体部1302C、1302D；和绕至侧面101d的第2端子导体部1303C、1303D。第1端子电极103C的第2端子导体部1302C形成在侧面101c上。第1端子电极103C的第2端子导体部1303C形成在侧面101d上。第1端子电极103D的第2端子导体部1302D形成在侧面101c上。第1端子电极103D的第2端子导体部1303D形成在侧面101d上。第1端子电极103C、103D的第1端子导体部1301C、1301D形成在侧面101b上。

第2端子电极105A、105B分别具有：第1端子导体部1501A、1501B，该第1端子导体部1501A、1501B跨越积层方向，并覆盖积层体101的侧面101a；绕至侧面101c的第2端子导体部1502A、1502B；和绕至侧面101d的第2端子导体部1503A、1503B。第2端子电极105A的第2端子导体部1502A形成在侧面101c上。第2端子电极105A的第2端子导体部1503A形成在侧面101d上。第2端子电极105B的第2端子导体部1502B形成在侧面101c上。第2端子电极105B的第2端子导体部1503B形成在侧面101d上。第2端子电极105A、105B的第1端子导体部1501A、1501B形成在侧面101a上。

第2端子电极105C、105D分别具有：第1端子导体部1501C、1501D，该第1端子导体部1501C、1501D跨越积层方向，并覆盖积层体101的侧面101b；绕至侧面101c的第2端子导体部1502C、1502D；和绕至侧面101d的第2端子导体部1503C、1503D。第2端子电极105C的第2端子导体部1502C形成在侧面101c上。第2端子电极105C的第2端子导体部1503C形成在侧面101d上。第2端子电极105D的第2端子导体部1502D形成在侧面101c上。第2端子电极105D的第2端子导体部1503D形成在侧面101d上。第2端子电极105C、105D的第1端子导体部1501C、1501D形成在侧面101b上。

积层体101，如图16所示，具有内层部130和以在中间夹持内层部130的方式被积层的一对外层部110、160。对于内层部130和外层部110、160分别进行说明。

外层部110是通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层111～113积层而构成的。在实际的积层电容器C101中，使其一体化至无法识别电介质层111～113之间的界限的程度。

在电介质层111、112之间积层有相互绝缘的引出导体114A～114D、115A～115D(第3引出导体)。在电介质层112、113之间积层有相互绝缘的引出导体114A～114D、115A～115D(第3引出导体)。

引出导体114A延伸并引出至形成有第1端子电极103A的积层体101的侧面101a，在其一端部与第1端子电极103A电连接。引出导体114B延伸并引出至形成有第1端子电极103B的积层体101的侧面101a，在其一端部与第1端子电极103B电连接。引出导体114C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的侧面101b，在其一端部与第1端子电极103C电连接。引出导体114D延伸并引出至形成有第1端子电极103D的积层体101的侧面101b，在其一端部与第1端子电极103D电连接。

引出导体115A延伸并引出至形成有第2端子电极105A的积层体101的侧面101a，在其一端部与第2端子电极105A电连接。引出导体115B延伸并引出至形成有第2端子电极105B的积层体101的侧面101a，在其一端部与第2端子电极105B电连接。引出导体115C延伸并引出至形成有第2端子电极105C的积层体101的侧面101b，在其一端部与第2端子电极105C电连接。引出导体115D延伸并引出至形成有第2端子电极105D的积层体101的侧面101b，在其一端部与第2端子电极105D电连接。

积层在电介质层111和电介质层112之间的引出导体114A，和积层在电介质层112和电介质层113之间的引出导体114A，从积层方向观察，隔着电介质层112处于相互重叠的位置上。积层在电介质层111和电介质层112之间的引出导体114B～114D、115A～115D，和积层在电介质层112和电介质层113之间的引出导体114B～114D、115A～115D，从积层方向观察，分别隔着电介质层112与对应的引出导体114B～114D、115A～115D处于相互重叠的位置上。

在电介质层111中的与引出导体114A～114D，115A～115D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层111的通孔导体116a～116d、117a～117d。

通孔导体116a，在其一端上与第1端子电极103A的第2端子导体部1302A电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体114A电连接。通孔导体116b，在其一端上与第1端子电极103B的第2端子导体部1302B电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体114B电连接。通孔导体116c，在其一端上与第1端子电极103C的第2端子导体部1302C电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体114C电连接。通孔导体116d，在其一端上与第1端子电极103D的第2端子导体部1302D电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体114D电连接。

通孔导体117a，在其一端上与第2端子电极105A的第2端子导体部1502A电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体115A电连接。通孔导体117b，在其一端上与第2端子电极105B的第2端子导体部1502B电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体115B电连接。通孔导体117c，在其一端上与第2端子电极105C的第2端子导体部1502C电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体115C电连接。通孔导体117d，在其一端上与第2端子电极105D的第2端子导体部1502D电连接，在其另一端上与位于电介质层111、112之间的引出导体115D电连接。

在电介质层112中的与引出导体114A～114D、115A～115D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层112的通孔导体118a～118d、119a～119d。

通孔导体118a，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体114A电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114A电连接。通孔导体118b，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体114B电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114B电连接。通孔导体118c，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体114C电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114C电连接。通孔导体118d，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体114D电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114D电连接。

通孔导体119a，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体115A电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115A电连接。通孔导体119b，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体115B电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115B电连接。通孔导体119c，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体115C电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115C电连接。通孔导体119d，在其一端上与位于电介质层111、112间的引出导体115D电连接，在其另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115D电连接。

在电介质层113中的与各引出导体114A～114D、115A～115D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层113的通孔导体1116a～1116d、1117a～1117d。

引出导体1116a，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114A电连接。引出导体1116b，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114B电连接。引出导体1116c，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114C电连接。引出导体1116d，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114D电连接。

引出导体1117a，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115A电连接。引出导体1117b，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115B电连接。引出导体1117c，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115C电连接。引出导体1117d，在其一端上与位于电介质层112、113间的引出导体115D电连接。

在内层部130中，多个(在本实施方式中为6个)第1内部电极1121、141～144、1141和多个(在本实施方式中为6个)第2内部电极1122、151～154、1142，与各电介质层1111、1112、131～138、1131交替积层。在实际的积层电容器C101中，使其一体化至无法识别电介质层1111、1112、131～138、1131之间的界限的程度。下面，对于内层部130，分为第1内层部120、和以夹持第1内层部120的方式被积层的第2内层部1110、1130来进行说明。

第2内层部1110包括：上述第1内部电极1121、第2内部电极1122、和电介质层1111、1112。第1内部电极1121位于，在包含于内层部130中的第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部110最接近的位置。第2内部电极1122位于，在包含于内层部130中的第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部110最接近的位置。

第2内层部1130包括：上述第1内部电极1141、第2内部电极1142、和电介质层1131。第1内部电极1141位于，在包含于内层部130中的第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部160最接近的位置。第2内部电极1142位于，在包含于内层部130中的第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部160最接近的位置。

第1内层部120包括：第1内部电极141～144、第2内部电极151～154、和电介质层131～138。接下来，将按照积层顺序对各第1、第2内层部120、1110、1130进行详细说明。

在第2内层部1110中，如图16所示，依次积层有第1内部电极1121、电介质层1111、第2内部电极1122、电介质层1112。第1内部电极1121和第2内部电极1122呈矩形形状。第1内部电极1121和第2内部电极1122分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极1121具有与第1内部电极1121形成为一体的引出导体1114A～1114D(第1引出导体)。引出导体1114A～1114D分别形成在与通孔导体1116a～1116d对应的位置上，并与各自对应的通孔导体1116a～1116d的一端电连接。引出导体1115A～1115D分别形成在与通孔导体1117a～1117d对应的位置上，并与各自对应的通孔导体1117a～1117d的一端电连接。

引出导体1114A延伸并引出至形成有第1端子电极103A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103A的第1端子导体部1301A电连接。引出导体1114B延伸并引出至形成有第1端子电极103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103B的第1端子导体部1301B电连接。引出导体1114C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103C的第1端子导体部1301C电连接。引出导体1114D延伸并引出至形成有第1端子电极103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103D的第1端子导体部1301D电连接。第1内部电极1121通过引出导体1114A～1114D电连接于第1端子电极103A～103D。

第2内部电极1122具有与第2内部电极1122形成为一体的引出导体1115A～1115D(第2引出导体)。引出导体1115A～1115D形成在与引出导体115A～115D对应的位置上。

引出导体1115A延伸并引出至形成有第2端子电极105A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105A的第1端子导体部1501A电连接。引出导体1115B延伸并引出至形成有第2端子电极105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105B的第1端子导体部1501B电连接。引出导体1115C延伸并引出至形成有第2端子电极105C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105C的第1端子导体部1501C电连接。引出导体1115D延伸并引出至形成有第2端子电极105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105D的第1端子导体部1501D电连接。第2内部电极1122通过引出导体1115A～1115D电连接于第2端子电极105A～105D。

在电介质层1111中的与引出导体1114A～1114D，1115A～1115D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层1111的通孔导体1118a～1118d、1119a～1119d。

通孔导体1118a，在其一端上与位于电介质层113、1111间的引出导体1114A电连接。通孔导体1118b，在其一端上与位于电介质层113、1111间的引出导体1114B电连接。通孔导体1118c，在其一端上与位于电介质层113、1111间的引出导体1114C电连接。通孔导体1118d，在其一端上与位于电介质层113、1111间的引出导体1114D电连接。

通孔导体1119a，在其一端上与位于电介质层1111、1112间的引出导体1115A电连接。通孔导体1119b，在其一端上与位于电介质层1111、1112间的引出导体1115B电连接。通孔导体1119c，在其一端上与位于电介质层1111、1112间的引出导体1115C电连接。通孔导体1119d，在其一端上与位于电介质层1111、1112间的引出导体1115D电连接。

第1内部电极1121上的与通孔导体1117a～1117d对应的区域，以露出的方式形成有电介质层1111。即，第1内部电极1121与通孔导体1117a～1117d、1119a～1119d电绝缘。另外，第2内部电极1122上的与通孔导体1118a～1118d对应的区域，以露出的方式形成有电介质层1112。即，第2内部电极1122与通孔导体1118a～1118d电绝缘。

通过使外层部110和第2内层部1110积层，而使通孔导体116a、118a、1116a、1118a相互电连接，构成配置在平行于积层方向的大致直线状的一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a。通过使外层部110和第2内层部1110积层，而分别构成平行于积层方向的大致直线状的一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b，一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c，一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d，一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a，一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b，一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c，以及一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d。

一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第1内部电极1121物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103A的第2端子导体部1302A物理地连接且电连接。第1内部电极1121位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部110最接近的位置。一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a，与电连接于第1端子电极103A的2个引出导体114A物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a和2个引出导体114A构成导通路。该导通路，与第1端子电极103A上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部110最接近的位置的第1内部电极1121电连接。

一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第1内部电极1121物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103B的第2端子导体部1302B物理地连接且电连接。一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b，与电连接于第1端子电极103B的2个引出导体114B物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b和2个引出导体114B构成导通路。该导通路，与第1端子电极103B上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部110最接近的位置的第1内部电极1121电连接。

一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第1内部电极1121物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103C的第2端子导体部1302C物理地连接且电连接。一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c，与电连接于第1端子电极103C的2个引出导体114C物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c和2个引出导体114C构成导通路。该导通路，与第1端子电极103C上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部110最接近的位置的第1内部电极1121电连接。

一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第1内部电极1121物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103D的第2端子导体部1302D物理地连接且电连接。一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d，与电连接于第1端子电极103D的2个引出导体114D物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d和2个引出导体114D构成导通路。该导通路，与第1端子电极103D上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部110最接近的位置的第1内部电极1121电连接。

一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第2内部电极1122物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105A的第2端子导体部1502A物理地连接且电连接。第2内部电极1122位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部110最接近的位置。一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a，与电连接于第2端子电极105A的2个引出导体115A物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a和2个引出导体115A构成导通路。该导通路，与第2端子电极105A上的不同的3个位置，和位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部110最接近的位置的第2内部电极1122电连接。

一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第2内部电极1122物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105B的第2端子导体部1502B物理地连接且电连接。一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b，与电连接于第2端子电极105B的2个引出导体115B物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b和2个引出导体115B构成导通路。该导通路，与第2端子电极105B上的不同的3个位置，和位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部110最接近的位置的第2内部电极1122电连接。

一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第2内部电极1122物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105C的第2端子导体部1502C物理地连接且电连接。一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c，与电连接于第2端子电极105C的2个引出导体115C物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c和2个引出导体115C构成导通路。该导通路，与第2端子电极105C上的不同的3个位置，和位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部110最接近的位置的第2内部电极1122电连接。

一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d贯通外层部110和电介质层1111，其一端与第2内部电极1122物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105D的第2端子导体部1502D物理地连接且电连接。一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d，与电连接于第2端子电极105D的2个引出导体115D物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d和2个引出导体115D构成导通路。该导通路，与第2端子电极105D上的不同的3个位置，和位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部110最接近的位置的第2内部电极1122电连接。

第1内层部120，如图16所示，是通过使多个(在本实施方式中为各4个)第1内部电极141～144和多个(在本实施方式中为各4个)第2内部电极151～154，交替地隔着各多个(在本实施方式中为8个)电介质层131～138进行积层而构成的。

各第1内部电极141～144呈矩形形状。第1内部电极141～144分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极141具有引出导体146A(第1引出导体)，其与第1端子电极103A的第1端子导体部1301A物理地连接且电连接。第1内部电极142具有引出导体146B(第1引出导体)，其与第1端子电极103B的第1端子导体部1301B物理地连接且电连接。第1内部电极143具有引出导体146C(第1引出导体)，其与第1端子电极103C的第1端子导体部1301C物理地连接且电连接。第1内部电极144具有引出导体146D(第1引出导体)，其与第1端子电极103D的第1端子导体部1301D物理地连接且电连接。由此，使多个第1端子电极103A～103D分别通过引出导体146A～146D而电连接于多个第1内部电极141～144的至少1个上。

引出导体146A与第1内部电极141形成为一体，并从第1内部电极141伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体146B与第1内部电极142形成为一体，并从第1内部电极142伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体146C与第1内部电极143形成为一体，并从第1内部电极143伸出，以接近积层体101的侧面101b。引出导体146D与第1内部电极144形成为一体，并从第1内部电极144伸出，以接近积层体101的侧面101b。

各第2内部电极151～154呈矩形形状。第2内部电极151～154分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第2内部电极151具有引出导体156A(第2引出导体)，其与第2端子电极105A的第1端子导体部1501A物理地连接且电连接。第2内部电极152具有引出导体156B(第2引出导体)，其与第2端子电极105B的第1端子导体部1501B物理地连接且电连接。第2内部电极153具有引出导体156C(第2引出导体)，其与第2端子电极105C的第1端子导体部1501C物理地连接且电连接。第2内部电极154具有引出导体156D(第2引出导体)，其与第2端子电极105D的第1端子导体部1501D物理地连接且电连接。由此，使多个第2端子电极105A～105D分别通过引出导体156A～156D而电连接于多个第2内部电极151～154的至少1个上。

引出导体156A与对应的第2内部电极151形成为一体，并从第2内部电极151伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体156B与第2内部电极152形成为一体，并从第2内部电极152伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体156C与第2内部电极153形成为一体，并从第2内部电极153伸出，以接近积层体101的侧面101b。引出导体156D与第2内部电极154形成为一体，并从第2内部电极154伸出，以接近积层体101的侧面101b。

在第2内层部1130中，如图16所示，依次积层有第1内部电极1141、电介质层1131和第2内部电极1142。第1内部电极1141和第2内部电极1142呈矩形形状。第1内部电极1141和第2内部电极1142分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极1141具有与第1内部电极1141形成为一体的引出导体1134A～1134D(第1引出导体)。

引出导体1134A伸出并引出至形成有第1端子电极103A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103A的第1端子导体部1301A电连接。引出导体1134B伸出并引出至形成有第1端子电极103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103B的第1端子导体部1301B电连接。引出导体1134C伸出并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103C的第1端子导体部1301C电连接。引出导体1134D伸出并引出至形成有第1端子电极103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103D的第1端子导体部1301D电连接。第1内部电极1141通过引出导体1134A～1134D电连接于第1端子电极103A～103D。

第2内部电极1142具有与第2内部电极1142形成为一体的引出导体1135A～1135D(第2引出导体)。引出导体1135A～1135D形成在与引出导体115A～115D对应的位置上。

引出导体1135A伸出并引出至形成有第2端子电极105A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105A的第1端子导体部1501A电连接。引出导体1135B伸出并引出至形成有第2端子电极105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105B的第1端子导体部1501B电连接。引出导体1135C伸出并引出至形成有第2端子电极105C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105C的第1端子导体部1501C电连接。引出导体1135D伸出并引出至形成有第2端子电极105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105D的第1端子导体部1501D电连接。第2内部电极1142通过引出导体1135A～1135D电连接于第2端子电极105A～105D。

在电介质层1131中的与引出导体1134A～1134D、1135A～1135D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层1131的通孔导体1136a～1136d、1137a～1137d。

通孔导体1136a在其一端上与位于电介质层138、1131间的引出导体1134A电连接。通孔导体1136b在其一端上与位于电介质层138、1131间的引出导体1134B电连接。通孔导体1136c在其一端上与位于电介质层138、1131间的引出导体1134C电连接。通孔导体1136d在其一端上与位于电介质层138、1131间的引出导体1134D电连接。

引出导体1137a在其一端上与引出导体1135A电连接。引出导体1137b在其一端上与引出导体1135B电连接。引出导体1137c在其一端上与引出导体1135C电连接。引出导体1137d在其一端上与引出导体1135D电连接。

第1内部电极1141上的与通孔导体1137a～1137d对应的区域，以露出的方式形成有电介质层1131。即，第1内部电极1141与通孔导体1137a～1137d电绝缘。第2内部电极1142上的与通孔导体1136a～1136d对应的区域，以露出的方式形成有包含于外层部160、并与第2内部电极1142邻近的电介质层161。即，第2内部电极1142与通孔导体1136a～1136d电绝缘。

外层部160是通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层161～163积层而构成的。在电介质层161、162之间积层有相互绝缘的引出导体164A～164D、165A～165D(第3引出导体)。另外，在电介质层162、163之间积层有相互绝缘的引出导体164A～164D、165A～165D(第3引出导体)。引出导体164A～164D、165A～165D分别被积层在与各引出导体1134A～1134D、1135A～1135D相对应的位置上。

引出导体164A延伸并引出至形成有第1端子电极103A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103A电连接。引出导体164B延伸并引出至形成有第1端子电极103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103B电连接。引出导体164C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103C电连接。引出导体164D延伸并引出至形成有第1端子电极103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103D电连接。

引出导体165A延伸并引出至形成有第2端子电极105A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105A电连接。引出导体165B延伸并引出至形成有第2端子电极105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105B电连接。引出导体165C延伸并引出至形成有第2端子电极105C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105C电连接。引出导体165D延伸并引出至形成有第2端子电极105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105D电连接。

在电介质层161中的与各引出导体164A～164D、165A～165D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层161的通孔导体1138a～1138d、1139a～1139d。

通孔导体1138a在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164A电连接。通孔导体1138b在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164B电连接。通孔导体1138c在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164C电连接。通孔导体1138d在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164D电连接。

通孔导体1139a在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165A电连接，在其另一端上与位于电介质层1131、161之间的引出导体1135A电连接。通孔导体1139b在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165B电连接，在其另一端上与位于电介质层1131、161之间的引出导体1135B电连接。通孔导体1139c在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165C电连接，在其另一端上与位于电介质层1131、161之间的引出导体1135C电连接。通孔导体1139d在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165D电连接，在其另一端上与位于电介质层1131、161之间的引出导体1135D电连接。

在电介质层162中的与各引出导体164A～164D、165A～165D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层162的通孔导体166a～166d、167a～167d。

通孔导体166a在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164A电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164A电连接。通孔导体166b在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164B电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164B电连接。通孔导体166c在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164C电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164C电连接。通孔导体166d在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体164D电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164D电连接。

通孔导体167a在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165A电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165A电连接。通孔导体167b在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165B电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165B电连接。通孔导体167c在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165C电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165C电连接。通孔导体167d在其一端上与位于电介质层161、162之间的引出导体165D电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165D电连接。

在电介质层163中的与各引出导体164A～164D、165A～165D分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层163的通孔导体168a～168d、169a～169d。

通孔导体168a在其一端上与第1端子电极103A的第2端子导体部1303A电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164A电连接。通孔导体168b在其一端上与第1端子电极103B的第2端子导体部1303B电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164B电连接。通孔导体168c在其一端上与第1端子电极103C的第2端子导体部1303C电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164C电连接。通孔导体168d在其一端上与第1端子电极103D的第2端子导体部1303D电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体164D电连接。

通孔导体169a在其一端上与第2端子电极105A的第2端子导体部1503A电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165A电连接。通孔导体169b在其一端上与第2端子电极105B的第2端子导体部1503B电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165B电连接。通孔导体169c在其一端上与第2端子电极105C的第2端子导体部1503C电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165C电连接。通孔导体169d在其一端上与第2端子电极105D的第2端子导体部1503D电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的引出导体165D电连接。

通过使第2内层部1130和外层部160积层，而使通孔导体1136a、1138a、166a、168a相互电连接，构成与积层方向平行地配置的大致直线状的一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a。通过使第2内层部1130和外层部160积层，而分别构成平行于积层方向的大致直线状的一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b，一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c，一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d，一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a，一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b，一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c，一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d。

一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第1内部电极1141物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103A的第2端子导体部1303A物理地连接且电连接。第1内部电极1141位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部160最接近的位置。一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a，与电连接于第1端子电极103A的2个引出导体164A物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a和2个引出导体164A构成导通路。该导通路，与第1端子电极103A上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部160最接近的位置的第1内部电极1141电连接。

一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第1内部电极1141物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103B的第2端子导体部1303B物理地连接且电连接。一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b，与电连接于第1端子电极103B的2个引出导体164B物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b和2个引出导体164B构成导通路。该导通路，与第1端子电极103B上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部160最接近的位置的第1内部电极1141电连接。

一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第1内部电极1141物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103C的第2端子导体部1303C物理地连接且电连接。一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c，与电连接于第1端子电极103C的2个引出导体164C物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c和2个引出导体164C构成导通路。该导通路，与第1端子电极103C上的不同的3个位置，和位于第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部160最接近的位置的第1内部电极1141电连接。

一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第1内部电极1141物理地连接且电连接，其另一端与第1端子电极103D的第2端子导体部1303D物理地连接且电连接。一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d，与电连接于第1端子电极103D的2个引出导体164D物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d和2个引出导体164D构成导通路。该导通路，与第1端子电极103D上的不同的3个位置，和位于在第1内部电极1121、141～144、1141中与外层部160最接近的位置的第1内部电极1141电连接。

一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第2内部电极1142物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105A的第2端子导体部1503A物理地连接且电连接。第2内部电极1142位于在第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部160最接近的位置。一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a，与电连接于第2端子电极105A的2个引出导体165A物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a和2个引出导体165A构成导通路。该导通路，与第2端子电极105A上的不同的3个位置，和位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部160最接近的位置的第2内部电极1142电连接。

一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第2内部电极1142物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105B的第2端子导体部1503B物理地连接且电连接。一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b，与电连接于第2端子电极105B的2个引出导体165B物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b和2个引出导体165B构成导通路。该导通路，与第2端子电极105B上的不同的3个位置，和位于在第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部160最接近的位置的第2内部电极1142电连接。

一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第2内部电极1142物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105C的第2端子导体部1503C物理地连接且电连接。一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c，与电连接于第2端子电极105C的2个引出导体165C物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c和2个引出导体165C构成导通路。该导通路，与第2端子电极105C上的不同的3个位置，和位于第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部160最接近的位置的第2内部电极1142电连接。

一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d贯通外层部160和电介质层1131，其一端与第2内部电极1142物理地连接且电连接，其另一端与第2端子电极105D的第2端子导体部1503D物理地连接且电连接。一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d，与电连接于第2端子电极105D的2个引出导体165D物理地连接且电连接。

即，由一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d和2个引出导体165D构成导通路。该导通路，与第2端子电极105D上的不同的3个位置，和位于在第2内部电极1122、151～154、1142中与外层部160最接近的位置的第2内部电极1142电连接。

参照图17，就将积层电容器C101安装在基板上时的流过积层电容器C101的电流进行说明。图17是表示安装在基板180上的积层电容器C101的，沿图15的III-III线的剖面图。积层电容器C101的侧面101d与基板180的安装面相对地设置。外层部160位于积层电容器C101的内层部130和基板180的安装面之间。

如图17所示，积层电容器C101被安装成为，积层电容器C101的第1端子电极103A与形成在基板180上的阳极焊盘181连接，第2端子电极105D与形成在基板180上的阴极焊盘182连接。在阳极焊盘181、阴极焊盘182上分别连接有设置在基板内的配线183、184。另外，为了便于观察附图，在图17中省略了与电介质层111～113、1111、1112、131～138、1131、161～163以及配线183、184相当的区域的剖面线。

从第1端子电极103A向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a以及2个引出导体114A的导通路，和引出导体1114A分流而流动。流过该导通路的电流再分流为：流过通孔导体116a、118a、1116a的电流；流过引出导体1114A及通孔导体118a、1116a的电流；流过引出导体114A及通孔导体1116a的电流。即，电流从第1端子电极103A上的4个位置向第1内部电极1121流动。

从第1端子电极103A向第1内部电极1141流动的电流，向包括一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a以及2个引出导体164A的导通路，和引出导体1134A分流而流动。流过该导通路的电流再分流为：流过通孔导体168a、166a、1138a、1136a的电流；流过引出导体164A及通孔导体166a、1138a、1136a的电流；流过引出导体164A及通孔导体1138a、1136a的电流。即，电流从第1端子电极103A上的4个位置向第1内部电极1141流动。沿通孔导体168a、166a、1138a、1136a流动的电流流路，比通过第1端子电极103A的第1端子导体部1301A及引出导体1134A并向第1内部电极1141流动的电流流路短。

从第2内部电极1122向第2端子电极105D流动的电流，向包括一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d及2个引出导体115D的导通路，和引出导体1115D分流而流动。流过该导通路的电流再分流为：流过通孔导体1119d、1117d、119d、117d的电流；流过通孔导体1119d、1117d、119d及引出导体115D的电流；流过通孔导体1119d、1117d及引出导体115D的电流。即，电流从第2内部电极1122向第2端子电极105D上的4个位置流动。

从第2内部电极1142向第2端子电极105D流动的电流，向包括一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d及2个引出导体165D的导通路，和引出导体1135D分流而流动。流过该导通路的电流再分流为：流过通孔导体1139d、167d、169d的电流；流过通孔导体1139d及引出导体165D的电流；流过通孔导体1139d、167d及引出导体165D的电流。即，电流从第2内部电极1142向第2端子电极105D上的4个位置流动。流过通孔导体1139d、167d、169d的电流流路，比通过引出导体1135D从第2内部电极1142向第2端子电极105D流动的电流流路短。

从剖面未图示的其他第1端子电极103B～103D向第1内部电极1121、1141流动的电流，以及，从其他第2内部电极1122、1142向剖面未图示的第2端子电极105B～105D流动的电流，也和上述相同地通过导通路而分流流过。

从第1端子电极103B向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b及2个引出导体114B的导通路，和引出导体1114B分流而流动。即，电流从第1端子电极103B上的4个位置向第1内部电极1121流动。从第1端子电极103B向第1内部电极1141流动的电流，向引出导体1134B和包括一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b和2个引出导体164B的导通路分流而流动。即，电流从第1端子电极103B上的4个位置向第1内部电极1141流动。

从第1端子电极103C向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c及2个引出导体114C的导通路，和引出导体1114C分流而流动。即，电流从第1端子电极103C上的4个位置向第1内部电极1121流动。从第1端子电极103C向第1内部电极1141流动的电流，向引出导体1134C和包括一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c和2个引出导体164C的导通路分流而流动。即，电流从第1端子电极103C上的4个位置向第1内部电极1141流动。

从第1端子电极103D向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d及2个引出导体114D的导通路，和引出导体1114D分流而流动。即，电流从第1端子电极103D上的4个位置向第1内部电极1121流动。从第1端子电极103D向第1内部电极1141流动的电流，向引出导体1134D，和包括一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d和2个引出导体164D的导通路分流而流动。即，电流从第1端子电极103D上的4个位置向第1内部电极1141流动。

从第2内部电极1122向第2端子电极105A流动的电流，向包括一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a及2个引出导体115A的导通路，和引出导体1115A分流而流动。即，电流从第2内部电极1122向第2端子电极105A上的4个位置流动。从第2内部电极1142向第2端子电极105A流动的电流，向包括一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a及2个引出导体165A的导通路，和引出导体1135A分流而流动。即，电流从第2内部电极1142向第2端子电极105A上的4个位置流动。

从第2内部电极1122向第2端子电极105B流动的电流，向包括一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b及2个引出导体115B的导通路，和引出导体1115B分流而流动。即，电流从第2内部电极1122向第2端子电极105B上的4个位置流动。从第2内部电极1142向第2端子电极105B流动的电流，向包括一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b及2个引出导体165B的导通路，和引出导体1135B分流而流动。即，电流从第2内部电极1142向第2端子电极105B上的4个位置流动。

从第2内部电极1122向第2端子电极105C流动的电流，向包括一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c及2个引出导体115C的导通路，和引出导体1115C分流而流动。即，电流从第2内部电极1122向第2端子电极105C上的4个位置流动。从第2内部电极1142向第2端子电极105C流动的电流，向包括一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c及2个引出导体165C的导通路，和引出导体1135C分流而流动。即，电流从第2内部电极1142向第2端子电极105C上的4个位置流动。

从第2内部电极1122向第2端子电极105D流动的电流，向包括一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d及2个引出导体115D的导通路，和引出导体1115D分流而流动。即，电流从第2内部电极1122向第2端子电极105D上的4个位置流动。从第2内部电极1142向第2端子电极105D流动的电流，向包括一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d及2个引出导体165D的导通路，和引出导体1135D分流而流动。即，电流从第2内部电极1142向第2端子电极105D上的4个位置流动。

如上述说明，在积层电容器C101中形成有，通过引出导体114A～114D而将第1内部电极1121和第1端子电极103A～103D电连接的导通路。因而，流过第1端子电极103A～103D和第1内部电极1121之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146D的成分，和流过上述导通路的成分。在积层电容器C101中形成有，通过引出导体164A～164D而将第1内部电极1141和第1端子电极103A～103D电连接的导通路。因而，流过第1端子电极103A～103D和第1内部电极1141之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146D的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可减小等效串联电感。

另外，在积层电容器C101中形成有，通过引出导体115A～115D而将第2内部电极1122和第2端子电极105A～105D电连接的导通路。因而，流过第2内部电极1122和第2端子电极105A～105D之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156D的成分，和流过上述导通路的成分。在积层电容器C101中形成有，通过引出导体165A～165D将第2内部电极1142和第2端子电极105A～105D电连接的导通路。因而，流过第2内部电极1142和第2端子电极105A～105D的电流被分流为，流过引出导体156A～156D的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可进一步减小等效串联电感。

形成在外层部110中的各导通路，与第1内部电极中的位于与外层部110最接近的位置上的第1内部电极1121电连接，或者与第2内部电极中的位于与外层部110最接近的位置上的第2内部电极1122电连接。由此，可相对缩短形成在外层部110中的各导通路的线路长度。形成在外层部160中的各导通路，与第1内部电极中的位于与外层部160最接近的位置上的第1内部电极1141电连接，或者与第2内部电极中的位于与外层部160最接近的位置上的第2内部电极1142电连接。由此，可相对缩短形成在外层部160中的各导通路的线路长度。其结果是，可以抑制各导通路中发生的等效串联电感。

而且，构成各个导通路的通孔导体，是在形成贯通电介质层的开口部之后，通过填充导电膏而形成的。该开口部按每个电介质层形成。在本实施方式的积层电容器C101中，可以只在电介质层111、112、113、1111、1131、161、162、163上形成该开口部。因此，在积层电容器C101中，容易形成导通路，可形成制造容易的结构。

各导通路，将对应的第1端子电极103A～103D的第2端子导体部1302A～1302D、1303A～1303D与第1内部电极1121、1141物理地连接且电连接，或者，将对应的第2端子电极105A～105D的第2端子导体部1502A～1502D、1503A～1503D与第2内部电极1122、1142物理地连接且电连接。由此，使各导通路的长度缩短。因此，可进一步减小在导通路中发生的等效串联电感。

在电介质层111、112、113、1111、1131、161、162、163中，形成有通孔导体116a～116d、117a～117d、118a～118d、119a～119d、1116a～1116d、1117a～1117d、1118a～1118d、1119a～1119d、1136a～1136d、1137a～1137d、1138a～1138d、1139a～1139d、166a～166d、167a～167d、168a～168d、169a～169d。由此，可以容易地形成通孔导体116a～116d、117a～117d、118a～118d、119a～119d、1116a～1116d、1117a～1117d、1118a～1118d、1119a～1119d、1136a～1136d、1137a～1137d、1138a～1138d、1139a～1139d、166a～166d、167a～167d、168a～168d、169a～169d，可以形成制造容易的结构。

上述导通路包括引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D。各引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D，与对应的第1端子电极103A～103D或第2端子电极105A～105D，和与对应的通孔导体116a～116d、117a～117d、118a～118d、119a～119d、1116a～1116d、1117a～1117d、1118a～1118d、1119a～1119d、1136a～1136d、1137a～1137d、1138a～1138d、1139a～1139d、166a～166d、167a～167d、168a～168d、169a～169d电连接。由此，使电流向引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D进行分流，从而可进一步减小等效串联电感。

上述导通路，由于对于：一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a；一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b；一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c；一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d；一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a；一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b；一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c；一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d；一串通孔导体166a、168a、1136a、1138a；一串通孔导体166b、168b、1136b、1138b；一串通孔导体166c、168c、1136c、1138c；一串通孔导体166d、168d、1136d、1138d；一串通孔导体167a、169a、1137a、1139a；一串通孔导体167b、169b、1137b、1139b；一串通孔导体167c、169c、1137c、1139c；一串通孔导体167d、169d、1137d、1139d，均具有多个对应的引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D，因此，可形成更多的分流路。其结果是，可进一步减小等效串联电感。

在积层电容器C101中，第1端子电极103A～103D和第2端子电极105A～105D交替设置。使第1端子电极103A～103D和第2端子电极105A～105D形成相反极性时，流过相邻的引出导体114A～114D、115A～115D、1114A～1114D、1115A～1115D、146A～146D、156A～156D、1134A～1134D、1135A～1135D、164A～164D、165A～165D的电流的方向相反。因此，由各引出导体114A～114D、115A～115D、1114A～1114D、1115A～1115D、146A～146D、156A～156D、1134A～1134D、1135A～1135D、164A～164D、165A～165D发生的磁场相互抵消。其结果是，在积层电容器C101中进一步减小等效串联电感。

参照图18、19对第5实施方式的积层电容器C101的变形例进行说明。图18为第5实施方式的积层电容器的变形例的立体图。图19为第5实施方式的积层电容器的变形例中包含的积层体的分解立体图。对积层电容器C101和作为其变形例的积层电容器C101a的不同点进行说明。

积层电容器C101a具有多个(在本实施方式中为2个)通孔导体116a，该通孔导体116a贯通电介质层111并与引出导体114A物理地连接且电连接。2个通孔导体116a相互平行地形成。同样，积层电容器C101a具有，贯通各电介质层111、112、113、1111、1131、161、162、163并与引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D物理地连接且电连接的通孔导体116b～116d、117a～117d、118a～118d、119a～119d、1116b～116d、1117a～1117d、1118a～1118d、1119a～1119d、166b～166d、167a～167d、168a～168d、169a～169d、1136b～1136d、1137a～1137d、1138a～1138d、1139a～1139d各2个。

因而，积层电容器C101中所包含的导通路具有各2个：一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a；一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b；一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c；一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d；一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a；一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b；一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c；一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d；一串通孔导体166a、168a、1136a、1138a；一串通孔导体166b、168b、1136b、1138b；一串通孔导体166c、168c、1136c、1138c；一串通孔导体166d、168d、1136d、1138d；一串通孔导体167a、169a、1137a、1139a；一串通孔导体167b、169b、1137b、1139b；一串通孔导体167c、169c、1137c、1139c；一串通孔导体167d、169d、1137d、1139d，它们分别与各引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D物理地连接且电连接。各导通路中的一对一串的通孔导体相互平行。

如上所述，通过使各导通路具有多个：一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a；一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b；一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c；一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d；一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a；一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b；一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c；一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d；一串通孔导体166a、168a、1136a、1138a；一串通孔导体166b、168b、1136b、1138b；一串通孔导体166c、168c、1136c、1138c；一串通孔导体166d、168d、1136d、1138d；一串通孔导体167a、169a、1137a、1139a；一串通孔导体167b、169b、1137b、1139b；一串通孔导体167c、169c、1137c、1139c；一串通孔导体167d、169d、1137d、1139d，可形成更多分流路，可更进一步减小等效串联电感。也可分别具有2个以上上述的一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a；一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b；一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c；一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d；一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a；一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b；一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c；一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d；一串通孔导体166a、168a、1136a、1138a；一串通孔导体166b、168b、1136b、1138b；一串通孔导体166c、168c、1136c、1138c；一串通孔导体166d、168d、1136d、1138d；一串通孔导体167a、169a、1137a、1139a；一串通孔导体167b、169b、1137b、1139b；一串通孔导体167c、169c、1137c、1139c；一串通孔导体167d、169d、1137d、1139d，它们分别与形成在外层部的各引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D物理地连接且电连接。

第6实施方式

参照图20对第6实施方式的积层电容器的结构进行说明。第6实施方式的积层电容器与第5实施方式的积层电容器C101的不同点如下所述。在第6实施方式中，各第1内部电极141～144与多个第1端子电极103A～103D通过引出电极而连接，同时，各第2内部电极151～154与多个第2端子电极105A～105D通过引出电极而连接。在第5实施方式和第6实施方式中，外层部110、160中的引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D的数量与电介质层的积层数不同。图20是第6实施方式的积层电容器中所含的积层体的分解立体图。

第6实施方式的积层电容器虽省略其图示，但其与第5实施方式的积层电容器C101相同地具有：积层体101；形成在积层体101上的第1端子电极103A～103D；形成在积层体101上的第2端子电极105A～105D。另外，各端子电极103A～103D、105A～105D包括，第1端子电极1301A～1301D、1501A～1501D及第2端子电极1302A～1302D、1303A～1303D、1502A～1502D、1503A～1503D。

积层体101，如图20所示，具有内层部130，和在中间夹持内层部130的一对外层部110、160。

外层部110是通过在多个(在本实施方式中为2各)电介质层111、112之间由积层引出导体114A～114D、115A～115D而构成的。

各引出导体114A、114B延伸并引出至形成有第1端子电极103A、103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与对应的第1端子电极103A、103B分别电连接。各引出导体115A、115B延伸并引出至形成有第2端子电极105A、105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与对应的第2端子电极105A、105B分别电连接。各引出导体114C、114D延伸并引出至形成有第1端子电极103C、103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与对应的第1端子电极103C、103D分别电连接。各引出导体115C、115D延伸并引出至形成有第2端子电极105C、105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与对应的第2端子电极105C、105D分别电连接。

在与电介质层111中的引出导体114A～114D、115A～115D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层111的各通孔导体116a～116d、117a～117d。在与电介质层112中的引出导体114A～114D、115A～115D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层112的各通孔导体118a～118d、119a～119d。通孔导体116a～116d分别地，在其一端上与第1端子电极103A～103D的第2端子导体部1302A～1302D电连接，在另一端上与位于电介质层111、112之间的各引出导体114A～114D电连接。通孔导体117a～117d，分别在其一端上与第2端子电极105A～105D的第2端子导体部1502A～1502D电连接，在另一端上与位于电介质层111、112之间的各引出导体115A～115D电连接。通孔导体118a～118d、119a～119d，分别在其一端上与位于电介质层111、112之间的各引出导体114A～114D、115A～115D电连接。

第6实施方式的积层电容器中含有的积层体101的第2内层部1110，除以下几点以外，与第5实施方式的积层电容器101中含有的第2内层部1110结构相同。引出导体1114A～1114D分别与对应的通孔导体118a～118d的一端电连接。

因此，通过使外层部110和电介质层1111、1112积层而形成：一串通孔导体116a、118a、1118a；一串通孔导体116b、118b、1118b；一串通孔导体116c、118c、1118c；一串通孔导体116d、118d、1118d；一串通孔导体117a、119a、1119a；一串通孔导体117b、119b、1119b；一串通孔导体117c、119c、1119c；以及一串通孔导体117d、119d、1119d。这些一串通孔导体分别与对应的引出导体114A～114D、115A～115D一起在外层部110中形成8个导通路。

各导通路将各第1或第2端子电极103A～103D、105A～105D上的不同的2个位置，与对应的第1内部电极1121或第2内部电极1142电连接。

内层部120，如图20所示，是通过使多个(在本实施方式中为8个)电介质层131～138和多个(在本实施方式中为各4个)第1及第2内部电极141～144、151～154交替积层而构成的。在实际的第6实施方式的积层电容器中，使其一体化至无法识别电介质层131～138之间的界限的程度。

各第1内部电极141～144呈矩形形状。第1内部电极141～144分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定距离的位置上。

各第1内部电极141～144，通过引出导体146A～146D分别电连接于多个第1端子电极103A～103D的第1端子导体部1301A～1301D的各个。引出导体146A、146B均与第1内部电极141～144形成为一体，并从第1内部电极141～144伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体146C、146D均与第1内部电极141～144形成为一体，并分别从第1内部电极141～144伸出，以接近积层体101的侧面101b。

各第2内部电极151～154呈矩形形状。第2内部电极151～154分别形成在，距平行于积层方向的积层体101的侧面具有规定距离的位置上。

各第2内部电极151～154，通过引出导体156A～156D分别电连接于多个第2端子电极105A～105D的第1端子导体部1501A～1501D的各个。引出导体156A、156B均与第2内部电极151～154形成为一体，并从第2内部电极151～154伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体156C、156D均与第2内部电极151～154形成为一体，并分别从第2内部电极151～154伸出，以接近积层体101的侧面101b。

第6实施方式的积层电容器中所包含的积层体101的第2内层部1130，与第5实施方式的积层体101中所包含的第2内层部1130结构相同。

外层部160是通过在多个(在本实施方式中为2个)电介质层161、163之间由积层引出导体164A～164D、165A～165D而构成的。

各引出导体164A、164B延伸并引出至形成有第1端子电极103A、103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与对应的第1端子电极103A、103B分别电连接。各引出导体165A、165B延伸并引出至形成有第2端子电极105A、105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与对应的第2端子电极105A、105B分别电连接。各引出导体164C、164D延伸并引出至形成有第1端子电极103C、103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与对应的第1端子电极103C、103D分别电连接。各引出导体165C、165D延伸并引出至形成有第2端子电极105C、105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与对应的第2端子电极105C、105D分别电连接。

在电介质层161中的与引出导体164A～164D、165A～165D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层161的各通孔导体1138a～1138d、1139a～1139d。在电介质层163中的与引出导体164A～164D、165A～165D分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层163的各通孔导体168a～168d、169a～169d。

通孔导体1138a～1138d分别在其一端上与位于电介质层161、163之间的各引出导体164A～164D电连接。通孔导体1139a～1139d在其一端上与引出导体1135A～1135D分别电连接，在其另一端上与引出导体165A～165D分别电连接。通孔导体168a～168d、169a～169d分别在其一端上与各第1端子电极103A～103D的第2端子导体部1303A～1303D、各第2端子电极105A～105D的第2端子导体部1503A～1503D电连接，在另一端上与位于电介质层161、163之间的各引出导体164A～164D、165A～165D电连接。

因此，通过使电介质层1131、161、163积层而形成：一串通孔导体1136a、1138a、168a；一串通孔导体1136b、1138b、168b；一串通孔导体1136c、1138c、168c；一串通孔导体1136d、1138d、168d；一串通孔导体1137a、1139a、169a；一串通孔导体1137b、1139b、169b；一串通孔导体1137c、1139c、169c；以及一串通孔导体1137d、1139d、169d。这些一串通孔导体1136a、1138a、168a；一串通孔导体1136b、1138b、168b；一串通孔导体1136c、1138c、168c；一串通孔导体1136d、1138d、168d；一串通孔导体1137a、1139a、169a；一串通孔导体1137b、1139b、169b；一串通孔导体1137c、1139c、169c；以及一串通孔导体1137d、1139d、169d，分别与对应的引出导体164A～164D、165A～165D一同在外层部160中形成8个导通路。

各导通路将各第1或第2端子电极103A～103D、105A～105D上的不同的2个位置，与对应的第1内部电极1121或第2内部电极1142电连接。

图21为表示安装在基板80上的第6实施方式的积层电容器的剖面图。图21所示剖面图为，利用与图15所示III-III相对应的线切断第6实施方式的积层电容器时的剖面图。在图21中，为了便于观察，省略了与电介质层111、112、1111、1112、131～137、1131、161、163及配线183、184相当的区域的剖面线。

从第1端子电极103A向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116a、118a、1118a以及1个引出导体114A的导通路，和引出导体1114A分流而流动。流过该导通路的电流再分流为，流过通孔导体116a、118a的电流，和流过引出导体114A和通孔导体118a的电流。即，电流从第1端子电极103A上的3个位置向第1内部电极1121流动。

从第1端子电极103A向第1内部电极1141流动的电流，向包括一串通孔导体1136a、1138a、168a以及1个引出导体164A的导通路，和引出导体1134A分流而流动。流过该导通路的电流再分流为，流过通孔导体168a、1138a、1136a的电流，和流过引出导体164A和通孔导体138a、1136a的电流。即，电流从第1端子电极103A上的3个位置向第1内部电极1141流动。流过通孔导体168a、1138a、1136a的电流流路，比通过引出导体1134A向第1内部电极1141流动的电流流路短。

从第2内部电极1122向第2端子电极105D流动的电流，向包括一串通孔导体117d、119d、1119d以及1个引出导体115D的导通路，和引出导体1115D分流而流动。流过该导通路的电流再分流为，流过通孔导体1119d、119d、117d的电流，和流过通孔导体1119d、119d以及引出导体115D的电流。即，电流从第2内部电极1122向第2端子电极105D上的3个位置流动。

从第2内部电极1142向第2端子电极105D流动的电流，向包括一串通孔导体1137d、1139d、169d以及2个引出导体165D的导通路，和引出导体1135D分流而流动。流过该导通路的电流再分流为，流过通孔导体1139d、169d的电流，和流过通孔导体1139d以及引出导体165D的电流。即，电流从第2内部电极1142向第2端子电极105D上的3个位置流动。流过通孔导体1139d、169d的电流流路，比通过引出导体1135D从第2内部电极1142向第2端子电极169d流动的电流流路短。

从剖面未图示的第1端子电极103B～103D向内部电极1121、1141流动的电流流路，以及从第2内部电极1122、1142向剖面未图示的第2端子电极105B～105D流动的电流，也与上述相同，通过导通路分流而流动。

如上述说明，在第6实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体114A～114D而电连接第1内部电极1121和第1端子电极103A～103D的导通路。因而，流过第1端子电极103A～103D和第1内部电极1121之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146D的成分，和流过上述导通路的成分。在第6实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体164A～164D而电连接第1内部电极1141和第1端子电极103A～103D的导通路。因而，流过第1端子电极103A～103D和第1内部电极1141之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146D的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可减小等效串联电感。

另外，在第6实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体115A～115D而电连接第2内部电极1122和第2端子电极105A～105D的导通路。因而，流过第2内部电极1122和第2端子电极105A～105D之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156D的成分，和流过上述导通路的成分。在第6实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体165A～165D而电连接第2内部电极1142和第2端子电极105A～105D的导通路。因而，流过第2内部电极1142和第2端子电极105A～105D之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156D的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可进一步减小等效串联电感。

形成在外层部110中的各导通路，与多个第1内部电极1121、141～144、1141中的位于与外层部110最接近的位置上的第1内部电极1121电连接，或者与多个第2内部电极1122、151～154、1142中的位于与外层部110最接近的位置上的第2内部电极1122电连接。由此，可相对缩短形成在外层部110中的各导通路的线路长度。形成在外层部160中的各导通路，与多个第1内部电极1121、141～144、1141中的位于与外层部160最接近的位置上的第1内部电极1141电连接，或者与第2内部电极1122、151～154、1142中的位于与外层部160最接近的位置上的第2内部电极1142分别电连接。由此，可相对缩短形成在外层部160中的各导通路的线路长度。其结果是，可抑制在各导通路中发生的等效串联电感。另外，在第6实施方式的积层电容器中，使上述各导通路容易形成，并可形成相对容易制造的结构。

上述各导通路，将对应的第1端子电极103A～103D的第2端子导体部1302A～1302D、1303A～1303D与第1内部电极1121、1141物理地连接且电连接，或者将对应的第2端子电极105A～105D的第2端子导体部1502A～1502D、1503A～1503D与第2内部电极1122、1142物理地连接且电连接。由此，使各导通路的长度变短。因此，可进一步减小在导通路中发生的等效串联电感。另外，使上述各导通路容易形成，并可形成相对容易制造的结构。

上述导通路包括引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D。各引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D，与对应的第1端子电极103A～103D或第2端子电极105A～105D，和对应的通孔导体116a～116d、117a～117d、118a～118d、119a～119d、1116a～1116d、1117a～1117d、1118a～1118d、1119a～1119d、1136a～1136d、1137a～1137d、1138a～1138d、1139a～1139d、166a～166d、167a～167d、168a～168d、169a～169d电连接。由此，使电流向引出导体114A～114D、115A～115D、164A～164D、165A～165D进行分流，可进一步减小等效串联电感。

第7实施方式

参照图22和图23对第7实施方式的积层电容器C102的结构进行说明。第7实施方式的积层电容器C102，在第1和第2端子电极的数量上与第5实施方式的积层电容器C101不同。图22为第7实施方式的积层电容器的立体图。图23为第7实施方式的积层电容器中所包含的积层体的分解立体图。

积层电容器C102，如图22所示，具有：包括内层部130和外层部110、160的积层体101；形成在积层体101上的多个(在本实施方式中为5个)第1端子电极103A～103E；和同样地形成在积层体101上的多个(在本实施方式中为5个)第2端子电极105A～105E。

第1端子电极103A、103B和第2端子电极105A、105B位于积层体101的侧面101a侧。第1端子电极103D、103E和第2端子电极105C、105D位于积层体101的侧面101b侧。第1端子电极103C位于积层体101的端面101e侧。第2端子电极105E位于积层体101的端面101f侧。第1端子电极103A～103E与第2端子电极105A～105E，在积层体101的外表面上相互电绝缘。

第1端子电极103A、103B分别具有：第1端子导体部1301A、1301B，该第1端子导体部1301A、1301B跨越积层方向，并覆盖积层体101的侧面101a；绕至侧面101c的第2端子导体部1302A、1302B；和绕至侧面101d的第2端子导体部1303A、1303B。第1端子电极103A的第1端子导体部1301A形成在侧面101a上。第1端子电极103A的第2端子导体部1302A形成在侧面101c上。第1端子电极103A的第2端子导体部1303A形成在侧面101d上。第1端子电极103B的第1端子导体部1301B形成在侧面101a上。第1端子电极103B的第2端子导体部1302B形成在侧面101c上。第1端子电极103B的第2端子导体部1303B形成在侧面101d上。

第1端子电极103C具有：跨越积层方向并覆盖积层体101的端面101e的一部分的第1端子导体部1301C；绕至侧面101c的第2端子导体部1302C；和绕至端面101d的第2端子导体部1303C。第1端子电极103C的第1端子导体部1301C形成在端面101e上。第1端子电极103C的第2端子导体部1302C形成在侧面101c上。第1端子电极103C的第2端子导体部1303C形成在侧面101d上。

第1端子电极103D、103E分别具有：跨越积层方向并覆盖积层体101的侧面101b的一部分的第1端子导体部1301D、1301E；绕至侧面101c的第2端子导体部1302D、1302E；和绕至侧面101d的第2端子导体部1303D、1303E。第1端子电极103D的第1端子导体部1301D形成在侧面101b上。第1端子电极103D的第2端子导体部1302D形成在侧面101c上。第1端子电极103D的第2端子导体部1303D形成在侧面101d上。第1端子电极103E的第1端子导体部1301E形成在侧面101b上。第1端子电极103E的第2端子导体部1302E形成在侧面101c上。第1端子电极103E的第2端子导体部1303E形成在侧面101d上。

第2端子电极105A、105B分别具有：跨越积层方向并覆盖积层体101的侧面101a的一部分的第1端子导体部1501A、1501B；绕至侧面101c的第2端子导体部1502A、1502B；和绕至侧面101d的第2端子导体部1503A、1503B。第2端子电极105A的第1端子导体部1501A形成在侧面101a上。第2端子电极105A的第2端子导体部1502A形成在侧面101c上。第2端子电极105A的第2端子导体部1503A形成在侧面101d上。第2端子电极105B的第1端子导体部1501B形成在侧面101a上。第2端子电极105B的第2端子导体部1502B形成在侧面101c上。第2端子电极105B的第2端子导体部1503B形成在侧面101d上。

第2端子电极105C、105D分别具有：跨越积层方向并覆盖积层体101的侧面101b的一部分的第1端子导体部1501C、1501D；绕至侧面101c的第2端子导体部1502C、1502D；和绕至侧面101d的第2端子导体部1503C、1503D。第2端子电极105C的第1端子导体部1501C形成在侧面101b上。第2端子电极105C的第2端子导体部1502C形成在侧面101c上。第2端子电极105C的第2端子导体部1503C形成在侧面101d上。第2端子电极105D的第1端子导体部1501D形成在侧面101b上。第2端子电极105D的第2端子导体部1502D形成在侧面101c上。第2端子电极105D的第2端子导体部1503D形成在侧面101d上。

第2端子电极105E具有：跨越积层方向并覆盖积层体101的端面101f的一部分的第1端子导体部1501E；绕至侧面101c的第2端子导体部1502E；和绕至端面101d的第2端子导体部1503E。第2端子电极105E的第1端子导体部1501E形成在端面101f上。第2端子电极105E的第2端子导体部1502E形成在侧面101c上。第2端子电极105E的第2端子导体部1503E形成在侧面101d上。

积层体101，如图23所示，具有内层部130和在之间夹持内层部130的一对外层部110、160。

外层部110是通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层111～113以及引出导体114A～114E、115A～115E交替积层而构成的。在实际的积层电容器C102中，使其一体化至无法识别电介质层111～113之间的界限的程度。

在电介质层111、112之间以及电介质层112、113之间，分别积层有引出导体114A～114E、115A～115E。即，引出导体114A～114E、115A～115E隔着1层电介质层，被积层在外层部110内的多个电介质层111～113之间。

各引出导体114A、114B延伸并引出至形成有第1端子电极103A、103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与对应的第1端子电极103A、103B分别电连接。各引出导体115A、115B延伸并引出至形成有第2端子电极105A、105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与对应的第2端子电极105A、105B分别电连接。引出导体114C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的端面101e，在其一端上与对应的第1端子电极103C电连接。各引出导体114D、114E延伸并引出至形成有第1端子电极103D、103E的积层体101的侧面101b，在其一端上与对应的第1端子电极103D、103E分别电连接。各引出导体115C、115D延伸并引出至形成有第2端子电极105C、105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与对应的第2端子电极105C、105D分别电连接。引出导体115E延伸并引出至形成有第2端子电极105E的积层体101的端面101f，在其一端上与对应的第2端子电极105E电连接。

在电介质层111中的与引出导体114A～114E、115A～115E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层111的通孔导体116a～116e、117a～117e。通孔导体116a～116e分别地，在其一端上与第1端子电极103A～103E的第2端子导体部1302A～1302E连接，在另一端上与位于电介质层111、112间的各引出导体114A～114E电连接。通孔导体117a～117e分别地，在其一端上与第2端子电极105A～105E的第2端子导体部1502A～1502E连接，在其另一端上与位于积层体111、112间的各引出导体115A～115E电连接。

在电介质层112中的与引出导体114A～114E、115A～115E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层112的通孔导体118a～118e、119a～119e。通孔导体118a～118e、119a～119e分别地，在其一端上与位于电介质层111、112间的各引出导体114A～114E、115A～115E电连接，在另一端上与位于电介质层112、113间的引出导体114A～114E、115A～115E电连接。

在电介质层113中的与引出导体114A～114E、115A～115E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层113的通孔导体1116a～1116e、1117a～1117e。通孔导体1116a～1116e、1117a～1117e分别地在其一端上与位于电介质层112、113间的各引出导体114A～114E、115A～115E电连接。

在第2内层部1110中，如图23所示，依次积层有第1内部电极1121、电介质层1111、第2内部电极1122、和电介质层1112。第1内部电极1121和第2内部电极1122呈矩形形状。第1内部电极1121和第2内部电极1122分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极1121具有与第1内部电极1121形成为一体的引出导体1114A～1114E。引出导体1114A～1114E形成在与引出导体114A～114E对应的位置上。因而，引出导体1114A～1114E与分别对应的通孔导体1116a～1116e的一端电连接。

引出导体1114A延伸并引出至形成有第1端子电极103A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103A的第1端子导体部1301A电连接。引出导体1114B延伸并引出至形成有第1端子电极103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103B的第1端子导体部1301B电连接。引出导体1114C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的端面101e，在其一端上与第1端子电极103C的第1端子导体部1301C电连接。引出导体1114D延伸并引出至形成有第1端子电极103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103D的第1端子导体部1301D电连接。引出导体1114E延伸并引出至形成有第1端子电极103E的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103E的第1端子导体部1301E电连接。第1内部电极1121通过引出导体1114A～1114E与第1端子电极103A～103E电连接。

第2内部电极1122具有与第2内部电极1122形成为一体的引出导体1115A～1115E。引出导体1115A～1115E形成在与引出导体115A～115E对应的位置上。

引出导体1115A延伸并引出至形成有第2端子电极105A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105A的第1端子导体部1501A电连接。引出导体1115B延伸并引出至形成有第2端子电极105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105B的第1端子导体部1501B电连接。引出导体1115C延伸并引出至形成有第2端子电极105C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105C的第1端子导体部1501C电连接。引出导体1115D延伸并引出至形成有第2端子电极105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105D的第1端子导体部1501D电连接。引出导体1115E延伸并引出至形成有第2端子电极105E的积层体101的端面101f，在其一端上与第2端子电极105E的第1端子导体部1501E电连接。第2内部电极1122通过引出导体1115A～1115E与第2端子电极105A～105E电连接。

在电介质层1111中的与引出导体1114A～1114E、1115A～1115E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层1111的通孔导体1118a～1118e、1119a～1119e。

通孔导体1118a～1118e分别地在其一端上与位于电介质层113、1111之间的引出导体1114A～1114E电连接。通孔导体1119a～1119e分别在其一端上与位于电介质层1111、1112之间的引出导体1115A～1115E电连接。

第1内部电极1121中的与通孔导体1117a～1117e相对应的区域，以露出的方式形成有电介质层1111。即，第1内部电极1121与通孔导体1117a～1117e、1119a～1119e电绝缘。第2内部电极1122中的与通孔导体1118a～1118e相对应的区域，以露出的方式形成有电介质层1112。即，第2内部电极1122与通孔导体1116a～1116e、1118a～1118e电绝缘。

因此，通过使电介质层111～113、1111、1112积层而形成了：一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a；一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b；一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c；一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d；一串通孔导体116e、118e、1116e、1118e；一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a；一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b；一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c；一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d；以及一串通孔导体117e、119e、1117e、1119e。一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a，一串通孔导体116b、118b、1116b、1118b，一串通孔导体116c、118c、1116c、1118c，一串通孔导体116d、118d、1116d、1118d，一串通孔导体116e、118e、1116e、1118e，一串通孔导体117a、119a、1117a、1119a，一串通孔导体117b、119b、1117b、1119b，一串通孔导体117c、119c、1117c、1119c，一串通孔导体117d、119d、1117d、1119d，以及一串通孔导体117e、119e、1117e、1119e，分别与对应的引出导体114A～114E、115A～115E一同在外层部110内形成10个导通路。

各导通路将第1端子电极103A～103E、第2端子电极105A～105E各自上的不同的2个位置，和对应的第1内部电极1121、第2内部电极1122分别地电连接。

第1内层部120，如图23所示，是通过使多个(在本实施方式中为10个)电介质层131～140和多个(在本实施方式中为各5个)第1和第2内部电极141～145、151～155交替积层而构成的。在实际的积层电容器C102中，使其一体化至无法识别电介质层131～140间的界限的程度。

各第1内部电极141～145呈矩形形状。第1内部电极141～145分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极141通过引出导体146A电连接于第1端子电极103A的第1端子导体部1301A。第1内部电极142通过引出导体146B电连接于第1端子电极103B的第1端子导体部1301B。第1内部电极143通过引出导体146C电连接于第1端子电极103C的第1端子导体部1301C。第1内部电极144通过引出导体146D电连接于第1端子电极103D的第1端子导体部1301D。第1内部电极145通过引出导体146E电连接于第1端子电极103E的第1端子导体部1301E。由此，多个第1端子电极103A～103E分别通过引出导体146A～146E而电连接于多个第1内部电极141～145的至少一个上。

引出导体146A、146B分别与对应的第1内部电极141、142形成为一体，并从各第1内部电极141、142伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体146C与对应的第1内部电极143形成为一体，并从第1内部电极143伸出，以接近积层体101的端面101e。引出导体146D、146E分别与对应的第1内部电极144、145形成为一体，并从各第1内部电极144、145伸出，以接近积层体101的侧面101b。

各第2内部电极151～155呈矩形形状。第2内部电极151～155形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定间隔的位置上。

第2内部电极151通过引出导体156A电连接于第2端子电极105A的第1端子导体部1501A。第2内部电极152通过引出导体156B电连接于第2端子电极105B的第1端子导体部1501B。第2内部电极153通过引出导体156C电连接于第2端子电极105C的第1端子导体部1501C。第2内部电极154通过引出导体156D电连接于第2端子电极105D的第1端子导体部1501D。第2内部电极155通过引出导体156E电连接于第2端子电极105E的第1端子导体部1501E。由此，多个第2端子电极105A～105E分别通过引出导体156A～156E而电连接于多个第2内部电极151～155的至少一个上。

引出导体156A、156B分别与对应的第2内部电极151、152形成为一体，并从各第2内部电极151、152伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体156C、156D分别与对应的第2内部电极153、154形成为一体，并从各第2内部电极153、154伸出，以接近积层体101的侧面101b。引出导体156E与对应的第2内部电极155形成为一体，并从第2内部电极155伸出，以接近积层体101的端面101f。

在第2内层部1130中，如图23所示，依次积层有第1内部电极1141、电介质层1131、和第2内部电极1142。第1内部电极1141和第2内部电极1142呈矩形形状。第1内部电极1141和第2内部电极1142分别形成在，距积层体101的平行于积层方向的侧面具有规定距离的位置上。

第1内部电极1141具有与第1内部电极1141形成为一体的引出导体1134A～1134E。引出导体1134A～1134E形成在与引出导体114A～114E对应的位置上。

引出导体1134A延伸并引出至形成有第1端子电极103A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103A的第1端子导体部1301A电连接。引出导体1134B延伸并引出至形成有第1端子电极103B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第1端子电极103B的第1端子导体部1301B电连接。引出导体1134C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的端面101e，在其一端上与第1端子电极103C的第1端子导体部1301C电连接。引出导体1134D延伸并引出至形成有第1端子电极103D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103D的第1端子导体部1301D电连接。引出导体1134E延伸并引出至形成有第1端子电极103E的积层体101的侧面101b，在其一端上与第1端子电极103E的第1端子导体部1301E电连接。第1内部电极1141通过引出导体1134A～1134E而电连接于第1端子电极103A～103E。

第2内部电极1142具有与第2内部电极1142形成为一体的引出导体1135A～1135E。引出导体1135A～1135E形成在与引出导体115A～115E对应的位置上。

引出导体1135A延伸并引出至形成有第2端子电极105A的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105A的第1端子导体部1501A电连接。引出导体1135B延伸并引出至形成有第2端子电极105B的积层体101的侧面101a，在其一端上与第2端子电极105B的第1端子导体部1501B电连接。引出导体1135C延伸并引出至形成有第2端子电极105C的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105C的第1端子导体部1501C电连接。引出导体1135D延伸并引出至形成有第2端子电极105D的积层体101的侧面101b，在其一端上与第2端子电极105D的第1端子导体部1501D电连接。引出导体1135E延伸并引出至形成有第2端子电极105E的积层体101的端面101f，在其一端上与第2端子电极105E的第1端子导体部1501E电连接。第2内部电极1142通过引出导体1135A～1135E与第2端子电极105A～105E电连接。

在电介质层1131中的与引出导体1134A～1134E、1135A～1135E分别对应的位置上，分别形成有在厚度方向上贯通电介质层1131的通孔导体1138a～1138e、1139a～1139e。

通孔导体1138a～1138e分别在其一端上与引出导体1134A～1134E电连接。通孔导体1139a～1139e分别在其一端上与引出导体1135A～1135E电连接。

第1内部电极1141中的与通孔导体1137a～1137e对应的区域，以露出的方式形成有电介质层1131。即，第1内部电极1141与通孔导体1137a～1137e、1139a～1139e电绝缘。第2内部电极1142中的与通孔导体1138a～1138e对应的区域，以露出的方式形成有与第2内部电极1142相邻的电介质层1161。即，第2内部电极1142与通孔导体1136a～1136e电绝缘。

外层部160是通过使多个(在本实施方式中为3个)电介质层161～163及引出导体164A～164D、165A～165D交替积层而构成的。在实际的积层电容器C102中，使其一体化至无法识别电介质层161～163之间的界限的程度。

在电介质层161、162之间以及电介质层162、163之间，积层有引出导体164A～164E、165A～165E。即，引出导体164A～164E、165A～165E隔着1层电介质层被积层在多个电介质层161～163之间。

各引出导体164A、164B延伸并引出至形成有第1端子电极103A、103B的积层体101的侧面101a，在其一端上分别与对应的第1端子电极103A、103B电连接。各引出导体165A、165B延伸并引出至形成有第2端子电极105A、105B的积层体101的侧面101a，在其一端上分别与对应的第2端子电极105A、105B电连接。引出导体164C延伸并引出至形成有第1端子电极103C的积层体101的端面101e，在其一端上与对应的第1端子电极103C电连接。各引出导体164D、164E延伸并引出至形成有第1端子电极103D、103E的积层体101的侧面101b，在其一端上分别与对应的第1端子电极103D、103E电连接。各引出导体165C、165D延伸并引出至形成有第2端子电极105C、105D的积层体101的侧面101b，在其一端上分别与对应的第2端子电极105C、105D电连接。引出导体165E延伸并引出至形成有第2端子电极105E的积层体101的端面101f，在其一端上与对应的第2端子电极105E电连接。

在电介质层161中的与引出导体164A～164E、165A～165E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层161的通孔导体1138a～1138e、1139a～1139e。通孔导体1138a～1138e在其一端上与位于电介质层161、162之间的各引出导体164A～164E电连接。通孔导体1139a～1139分别地，在其一端上与引出导体1135A～1135E连接，在另一端上与位于电介质层161、162之间的各引出导体165A～165E电连接。

在电介质层162中的与引出导体164A～164E、165A～165E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层162的通孔导体166a～166e、167a～167e。通孔导体166a～166e、167a～167e分别地，在其一端上与位于电介质层161、162之间的各引出导体164A～164E、165A～165E电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的各引出导体164A～164E、165A～165E电连接。

在电介质层163中的与引出导体164A～164E、165A～165E分别对应的位置上，形成有在厚度方向上贯通电介质层161的通孔导体168a～168e、169a～169e。通孔导体168a～168e、169a～169e分别地，在其一端上与各端子电极103A～103E、105A～105E的第2端子导体部1303A～1303E、1503A～1503E电连接，在其另一端上与位于电介质层162、163之间的各引出导体164A～164E、165A～165E电连接。

因此，通过使电介质层1131、161～163积层而形成了：一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a；一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b；一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c；一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d；一串通孔导体1136e、1138e、166e、168e；一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a；一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b；一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c；一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d；以及一串通孔导体1137e、1139e、167e、169e。这些一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a，一串通孔导体1136b、1138b、166b、168b，一串通孔导体1136c、1138c、166c、168c，一串通孔导体1136d、1138d、166d、168d，一串通孔导体1136e、1138e、166e、168e，一串通孔导体1137a、1139a、167a、169a，一串通孔导体1137b、1139b、167b、169b，一串通孔导体1137c、1139c、167c、169c，一串通孔导体1137d、1139d、167d、169d，以及一串通孔导体1137e、1139e、167e、169e，分别与相对应的引出导体164A～164E、165A～165E一同，在形成外层部160中形成10个导通路。

各导通路将第1或第2端子电极103A～103E、105A～105E各自上的不同的2个位置，与对应的第1内部电极1141或第2内部电极1142电连接。

图24为表示安装在基板180上的积层电容器C102的剖面图。图24所示剖面图是，利用与图22中所示IV-IV线相对应的线切断积层电容器C102时的剖面图。积层电容器C102被安装成为，使积层电容器C102的第1端子电极103A与形成在基板180上的阳极焊盘181连接，并且使第1端子电极103E与形成在基板180上的阳极焊盘186连接。在阳极焊盘181、186上分别连接有设置在基板内的配线183、185。在图24中，为了便于观看附图，省略了与电介质层111～113、1111、1112、131～140、1131、161～163以及配线183、185相当的区域的剖面线。

从第1端子电极103A向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116a、118a、1116a、1118a及2个引出导体114A的导通路，和引出导体1114A分流而流动。流过该导通路的电流再被分流为：流过通孔导体116a、118a、1116a的电流；流过引出导体114A及通孔导体118a、1116a的电流；和流过引出导体114A及通孔导体1116a的电流。即，电流从第1端子电极103A上的4个位置向第1内部电极1121流动。

从第1端子电极103A向第1内部电极1141流动的电流，向包括一串通孔导体1136a、1138a、166a、168a及2个引出导体164A的导通路，和引出导体1134A分流而流动。流过该导通路的电流再被分流为：流过通孔导体168a、166a、1138a、1136a的电流；流过引出导体164A及通孔导体166a、1138a、1136a的电流；流过引出导体164A及通孔导体1138a、1136a的电流。即，电流从第1端子电极103A上的4个位置向第1内部电极1141流动。流过通孔导体168a、166a、1138a、1136a的电流流路，比通过引出导体1134A向第1内部电极1141流动的电流流路短。

从第1端子电极103E向第1内部电极1121流动的电流，向包括一串通孔导体116e、118e、1116e、1118e及2个引出导体114E的导通路，和引出导体1114E分流而流动。流过该导通路的电流再被分流为：流过通孔导体116e、118e、1116e的电流；流过引出导体114E及通孔导体118e、1116e的电流；流过引出导体114E及通孔导体1116e的电流。即，电流从第1端子电极103E上的4个位置向第1内部电极1121流动。

从第1端子电极103E向第1内部电极1141流动的电流，向包括一串通孔导体1136e、1138e、166e、168e及2个引出导体164E的导通路，和引出导体1134E分流而流动。流过该导通路的电流再被分流为：流过通孔导体168e、166e、1138e、1136e的电流；流过引出导体164E及通孔导体166e、1138e、1136e的电流；和流过引出导体164E及通孔导体1138e、1136e的电流。即，电流从第1端子电极103E上的4个位置向第1内部电极1141流动。流过通孔导体168e、166e、1138e、1136e的电流流路，比通过引出导体1134E向第1内部电极1141流动的电流流路短。

从未图示剖面的其他第1端子电极103B～103E向第1内部电极1121、1141流动的电流，以及从第2内部电极1122、1142向未图示剖面的第2端子电极105A～105E流动的电流，也通过与上述相同的导通路而分流流过。

如上述说明，在第7实施方式的积层电容器C102中，形成有通过引出导体114A～114E而电连接第1内部电极1121和第1端子电极103A～103E的导通路。因而，使流过第1端子电极103A～103E和第1内部电极1121之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146E的成分，和流过上述导通路的成分。另外，在积层电容器C102中，形成有通过引出导体164A～164E而电连接第1内部电极1141和第1端子电极103A～103E的导通路。因而，使流过第1端子电极103A～103E和第1内部电极1141之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146E的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可减小等效串联电感。

另外，在第7实施方式的积层电容器C102中，形成有通过引出导体115A～115E而电连接第2内部电极1122和第2端子电极105A～105E的导通路。因而，使流过第2内部电极1122和第2端子电极105A～105E之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156E的成分，和流过上述导通路的成分。另外，在积层电容器C102中，形成有通过引出导体165A～165E来电连接第2内部电极1142和第2端子电极105A～105E的导通路。因而，使流过第2内部电极1142和第2端子电极105A～105E之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156E的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可进一步减小等效串联电感。

形成在外层部110中的各导通路，与第1内部电极中的位于与外层部110最接近的位置上的第1内部电极1121电连接，或与第2内部电极中的位于与外层部110最接近的位置上的第2内部电极1122电连接。由此，可相对缩短形成在外层部110中的各导通路的线路长度。形成在外层部160中的各导通路，与第1内部电极中的位于与外层部160最接近的位置上的第1内部电极1141电连接，或与第2内部电极中的位于与外层部160最接近的位置上的第2内部电极1142电连接。由此，可相对缩短形成在外层部160中的各导通路的线路长度。其结果是，可抑制各导通路中发生的等效串联电感。另外，在积层电容器C102中，容易形成导通路，可形成制造相对容易的结构。

各导通路，将对应的第1端子电极103A～103E的第2端子导体部1302A～1302E、1303A～1303E与第1内部电极1121、1141物理地连接且电连接，或者将对应的第2端子电极105A～105E的第2端子导体部1502A～1502E、1503A～1503E与第2内部电极1122、1142物理地连接且电连接。由此，使各导通路的长度缩短。因此，可进一步减小在导通路中发生的等效串联电感。与第6实施方式相同，可容易地形成通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e，可形成制造容易的结构。

各导通路包括引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E。各引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E，与对应的第1端子电极103A～103E或第2端子电极105A～105E电连接，与对应的通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e电连接。由此，可进一步减小等效串联电感。

第8实施方式

参照图25对第8实施方式的积层电容器的结构进行说明。第8实施方式的积层电容器与第7实施方式的积层电容器C102的不同点在于，前者使各第1内部电极141、142与多个第1端子电极103A～103E通过引出导体连接的同时，使各第2内部电极151、152与多个第2端子电极105A～105E通过引出导体连接。图25为第8实施方式的积层电容器中所包含的积层体的分解立体图。

第8实施方式的积层电容器，省略图示，但其与第7实施方式的积层电容器C102相同，具有积层体101、形成在积层体101上的第1端子电极103A～103E、和形成在积层体101上的第2端子电极105A～105E。第1端子电极103A～103E包括第1端子导体部1301A～1301E和第2端子导体部1302A～1302E、1303A～1303E。第2端子电极105A～105E包括第1端子导体部1501A～1501E和第2端子导体部1502A～1502E、1503A～1503E。

积层体101，如图25所示，具有内层部130和在之间夹持内层部130的一对外层部110、160。第8实施方式的积层电容器的各外层部110、160的结构，与上述积层电容器C102的各外层部110、160相同。内层部130具有第1内层部120和在中间夹持该第1内层部120的一对第2内层部1110、1130。第8实施方式的积层电容器的各第2内层部1110、1130的结构，与上述积层电容器C102的各第2内层部1110、1130相同。

第1内层部120，如图25所示，是通过使多个(在本实施方式中为4个)电介质层131～134和多个(在本实施方式中为各2个)第1内部电极141、142及第2内部电极151、152交替积层而构成的。在实际的第8实施方式的积层电容器中，使其一体化至无法识别电介质层131～134之间的界限的程度。

各第1内部电极141、142呈矩形形状。第1内部电极141、142分别形成在，距平行于积层方向的积层体101的侧面具有规定间隔的位置上。

第1内部电极141、142通过引出导体146A～146E分别电连接于多个第1端子电极103A～103E的第1端子导体部1301A～1301E的各个。各引出导体146A、146B与第1内部电极141、142形成为一体，并从第1内部电极141、142分别伸出，以接近积层体101的侧面101a。引出导体146C与第1内部电极141、142形成为一体，并从第1内部电极141、142分别伸出，以接近积层体101的端面101e。各引出导体146D、146E与第1内部电极141、142形成为一体，并从各第1内部电极141、142分别伸出，以接近积层体101的侧面101b。

各第2内部电极151、152呈矩形形状。第2内部电极151、152形成在，距平行于积层方向的积层体101的侧面具有规定距离的位置上。

第2内部电极151、152通过引出导体156A～156E分别电连接于多个第2端子电极105A～105E的第1端子导体部1501A～1501E的各个。各引出导体156A、156B与第2内部电极151、152形成为一体，并从第2内部电极151、152伸出，以接近积层体101的侧面101a。各引出导体156C、156D与第2内部电极151、152形成为一体，并从第2内部电极151、152伸出，以接近积层体101的侧面101b。引出导体156与第2内部电极151、152形成为一体，并从第2内部电极151、152伸出，以接近积层体101的端面101f。

图26是表示安装在基板180上的第8实施方式的积层电容器的剖面图。图26所示剖面图，是利用与图22所示IV-IV线对应的将第8实施方式的积层电容器进行切割时的剖面图。在图26中，为了便于观看附图，省略了与电介质层111～113、1111、1112、131～134、1131、161～163及配线183、185相当的区域的剖面线。

在第8实施方式的积层电容器中，与第7实施方式的积层电容器C102相同，在外层部110、160中形成有各10个导通路。因而，在第8实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体114A～114E而电连接第1内部电极1121和第1端子电极103A～103E的导通路。因而，使流过第1端子电极103A～103E和第1内部电极1121之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146E的成分，和流过上述导通路的成分。另外，在第8实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体164A～164E而电连接第1内部电极1141和第1端子电极103A～103E的导通路。因而，使流过第1端子电极103A～103E和第1内部电极1141之间的电流被分流为，流过引出导体146A～146E的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可减小等效串联电感。

另外，在第8实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体115A～115E来电连接第2内部电极1122和第2端子电极105A～105E的导通路。因而，使流过第2内部电极1122和第2端子电极105A～105E之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156E的成分，和流过上述导通路的成分。另外，在第8实施方式的积层电容器中，形成有通过引出导体165A～165E来电连接第2内部电极1142和第2端子电极105A～105E的导通路。因而，使流过第2内部电极1142和第2端子电极105A～105E之间的电流被分流为，流过引出导体156A～156E的成分，和流过上述导通路的成分。因此，可进一步减小等效串联电感。

形成在外层部110中的各导通路，与第1内部电极中的位于与外层部110最接近的位置上的第1内部电极1121电连接，或与第2内部电极中的位于与外层部110最接近的位置上的第2内部电极1122电连接。由此，可相对缩短形成在外层部110中的各导通路的线路长度。形成在外层部160中的各导通路，与第1内部电极中的位于与外层部160最接近的位置上的第1内部电极1141电连接，或与第2内部电极中的位于与外层部160最接近的位置上的第2内部电极1142电连接。由此，可相对缩短形成在外层部160中的各导通路的线路长度。其结果是，可抑制在各导通路中发生的等效串联电感。另外，在第8实施方式的积层电容器中，容易形成导通路，可形成制造相对容易的结构。

各导通路，将对应的第1端子电极103A～103E的第2端子导体部1302A～1302E、1303A～1303E与第1内部电极1121、1141物理地连接且电连接，或者将对应的第2端子电极105A～105E的第2端子导体部1502A～1502E、1503A～1503E与第2内部电极1122、1142物理地连接且电连接。由此，使各导通路的长度缩短。因此，可进一步减小在导通路中发生的等效串联电感。与第6实施方式相同，可容易形成通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e，可形成制造比较容易的结构。

各导通路包括引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E。各引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E，与对应的第1端子电极103A～103E或第2端子电极105A～105E电连接，与对应的通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e电连接。由此，可进一步减小等效串联电感。

以上，作为本发明的优选实施方式对第5～第8实施方式进行了详细说明，但本发明并不局限于上述第5～第8实施方式及变形例。例如，也可不必电连接各端子电极103A～103E、105A～105E的第2端子导体部1302A～1302E、1303A～1303E、1502A～1502E、1503A～1503E和引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E。即，也可以不在外层部110、160的电介质层111、163中形成通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e。

也可以是，使形成在外层部110、160的引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E的任何一者形成3个以上，这些3个以上的引出导体由通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e的任何一个而电连接。在此情况下，由于实际上形成有多个导通路，可进一步减小等效串联电感。

引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E的形状，并不局限于上述实施方式及变形例的积层电容器所具有的引出导体的形状。

被积层在外层部110、160中的引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E，可以为如图13和图14中的(a)所示的具有引出部分的圆形，或也可以为如图13和图14中的(b)所示的具有引出部分的四边形，或也可以为如图13和图14中的(c)所示的梯形。

被积层在外层部110、160内的引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E各自的数量，在上述实施方式及变形例中为各2层，但并不局限于此，也可分别为1层，或3层以上。

贯通外层部110、160及第2内层部1110、1130中所包含的电介质层111～113、1111～1131、161～163的同时，与各引出导体114A～114E、115A～115E、164A～164E、165A～165E分别电连接的通孔导体116a～116e、117a～117e、118a～118e、119a～119e、166a～166e、167a～167e、168a～168e、169a～169e、1116a～1116e、1117a～1117e、1118a～1118e、1119a～1119e、1136a～1136e、1137a～1137e、1138a～1138e、1139a～1139e的数量，分别可以为1个，或者为2个以上。

电介质层111～113、1111、1112、131～140、1131、161～163的积层数量及第1和第2内部电极141～145、151～155、1121、1122、1141、1142的积层数量，并不局限于上述实施方式和变形例中所记载的数量。积层体101所具有的外层部110、160也可以不是2个，例如，也可只有外层部160。第1端子电极103A～103E及第2端子电极105A～105E的数量，也不局限于上述实施方式及变形例中记载的数量。第1端子电极103A～103E及第2端子电极105A～105E的形状，也不局限于上述实施方式及变形例中记载的形状。例如，第1端子电极103A～103E和第2端子电极105A～105E也可不具有第2端子导体部。

导通路也可不形成在外层部110、160的两者中，例如，也可以只形成在与基板180等的安装面相对的侧面侧的外层部(例如外层部160)中。而且，也可不对于积层电容器所具有的全部第1或第2端子电极形成导通路。例如，可以只对第1或第2端子电极形成导通路。在此情况下，可对全部的第1及第2端子电极形成导通路，或只对一部分的第1或第2端子电极形成导通路。但是，为了高效地减小等效串联电感的值，优选对于相同数量的第1和第2端子电极形成导通路，更优选对于全部的第1和第2端子电极形成导通路。

而且，本发明的积层电容器并不局限于安装在基板上。导通路可以不由引出导体和通孔导体而形成，也可以由其他的导体等来形成。

综上所述，本发明可以多种方式进行改变，而且，这些改变不能被认为是脱离了本发明要旨，对于本领域技术人员而言，这些显然属于本发明的权利要求范围之内。

Claims (19)

1.一种积层电容器，其特征在于：

具有：积层体，其具有多个电介质层和多个内部电极被交替积层的内层部，和多个电介质层被积层的外层部；以及

多个端子电极，形成在所述积层体的平行于积层方向的侧面上；

其中，

在所述外层部内设置有导通路，该导通路电连接所述多个端子电极的至少任何一个端子电极上的不同的多个位置。

2.如权利要求1所述的积层电容器，其特征在于：

所述导通路，在所述外层部内，由隔着至少1层电介质层而被积层的多个引出导体，和电连接该多个引出导体的通孔导体形成；

所述多个引出导体分别延伸并引出至形成有与所述导通路电连接的所述端子电极的所述积层体的侧面，并与该端子电极上的所述不同的多个位置的各个电连接。

3.如权利要求2所述的积层电容器，其特征在于：

所述引出导体为3个以上，同时，其在所述外层部内分别隔着至少1层电介质层而被积层，

所述3个以上的引出导体由所述通孔导体电连接着。

4.如权利要求2所述的积层电容器，其特征在于：

所述通孔导体为多个。

5.如权利要求1所述的积层电容器，其特征在于：

所述端子电极形成在平行于所述积层方向的侧面上，并覆盖平行于所述积层方向的所述积层体的侧面的至少一部分，和与所述积层方向相交的所述积层体的侧面的至少一部分；

所述导通路，由在所述外层部内的所述电介质层之间被积层的至少1个引出导体，和与该引出导体电连接的通孔导体形成；

所述引出导体延伸并引出至形成有与所述导通路电连接的所述端子电极的所述积层体的侧面，并与该端子电极上的所述不同的多个位置中的至少1个位置电连接；

所述通孔导体，与电连接于所述导通路的所述端子电极上的所述不同的多个位置中的至少1个位置电连接；

与所述引出导体电连接的所述端子电极的所述位置，位于覆盖与所述积层方向平行的所述积层体的所述侧面的至少一部分的该端子电极的部分上；

与所述通孔导体电连接的所述端子电极的所述位置，位于覆盖与所述积层方向相交的所述积层体的所述侧面的至少一部分的该端子电极的部分上。

6.如权利要求5所述的积层电容器，其特征在于：

所述引出导体为2个以上，同时，其在所述外层部内分别隔着至少1层电介质层被积层；

所述2个以上的引出导体由所述通孔导体电连接着。

7.如权利要求5所述的积层电容器，其特征在于：

所述通孔导体为多个。

8.如权利要求1所述的积层电容器，其特征在于：

形成有所述导通路的所述外层部，相对于所述内层部而位于与所述积层体的侧面中的安装面相对的侧面侧。

9.一种积层电容器，其特征在于：

具有：积层体，其具有多个电介质层和多个内部电极被交替积层的内层部，和多个电介质层被积层的外层部；以及，

多个端子电极，形成在该积层体侧面上；

其中，

所述多个内部电极包括交替设置的多个第1内部电极和多个第2内部电极；

所述多个端子电极包括多个第1端子电极和多个第2端子电极；

所述多个第1和第2端子电极相互电绝缘；

所述各第1内部电极通过引出导体分别电连接于所述多个第1端子电极的各个上；

所述各第2内部电极通过引出导体分别电连接于所述多个第2端子电极的各个上；

在所述外层部内形成有导通路，该导通路电连接所述多个端子电极的至少任何一个端子电极上的不同的多个位置。

10.一种积层电容器，其特征在于：

具有：积层体，其具有多个电介质层和多个内部电极被交替积层的内层部，和多个电介质层被积层的外层部；以及

多个端子电极，形成在所述积层体的侧面上；

其中，

所述多个内部电极包括交替设置的多个第1内部电极和多个第2内部电极；

所述多个端子电极包括多个第1端子电极和多个第2端子电极；

所述多个第1和第2端子电极相互电绝缘；

所述各第1内部电极通过引出导体与所述多个第1端子电极的任何一个电连接，同时，所述多个第1端子电极分别通过所述引出导体电连接于所述多个第1内部电极的至少一个上；

所述各第2内部电极通过引出导体与所述多个第2端子电极的任何一个电连接，同时，所述多个第2端子电极分别通过所述引出导体电连接于所述多个第2内部电极的至少一个上；

在所述外层部内形成有导通路，该导通路电连接所述多个端子电极的至少任何一个端子电极上的不同的多个位置。

11.一种积层电容器，其特征在于：

具有：积层体，其具有多个电介质层和多个内部电极被交替积层的内层部，和多个电介质层被积层的外层部；以及

多个端子电极，形成在所述积层体的侧面上；

其中，

在所述外层部内设置有导通路，该导通路电连接所述多个端子电极的至少任何一个端子电极上的不同的多个位置。

12.一种积层电容器，其特征在于：

具有：积层体，其具有通过电介质层将多个第1内部电极和多个第2内部电极积层的内层部，和位于夹持该内层部的位置上并积层有多个电介质层的外层部；以及

多个第1端子电极和多个第2端子电极，其形成在所述积层体上并且相互绝缘；

其中，

多个第1端子电极和多个第2端子电极分别具有，形成在所述积层体的平行于积层方向的侧面上的部分；

各所述第1内部电极具有第1引出导体，该第1引出导体与所述第1端子电极的形成在所述积层体的所述侧面上的所述部分电连接；

各所述第2内部电极具有第2引出导体，该第2引出导体与所述第2端子电极的形成在所述积层体的所述侧面上的所述部分电连接；

在所述外层部中形成有导通路，该导通路电连接所述多个第1内部电极中的位于与所述外层部最接近的位置上的第1内部电极，和至少一个所述第1端子电极。

13.如权利要求12所述的积层电容器，其特征在于：

与所述导通路连接的所述第1端子电极还具有，形成在所述积层体的与积层方向垂直的侧面上的部分；

所述导通路包括在积层方向上贯通所述外层部的通孔导体；

所述通孔导体的一端，与所述第1内部电极中的位于与所述外层部最接近的位置上的所述第1内部电极电连接；

所述通孔导体的另一端，与所述第1端子电极的形成在所述积层体的与积层方向垂直的侧面上的所述部分电连接。

14.如权利要求12所述的积层电容器，其特征在于，

所述导通路包括：

第3引出导体，其被配置在所述外层部中，并与所述第1端子电极电连接；和

通孔导体，其电连接于所述第1内部电极中的位于与所述外层部最接近的位置上的所述第1内部电极、和所述第3引出导体，并在积层方向上贯通所述外层部。

15.如权利要求14所述的积层电容器，其特征在于：

所述导通路包括多个所述通孔导体；

所述多个通孔导体电连接于所述第3引出导体。

16.如权利要求14所述的积层电容器，其特征在于：

所述导通路包括多个所述第3引出导体；

所述多个第3引出导体在积层方向上并排设置；

所述通孔导体电连接于所述多个第3引出导体。

17.如权利要求16所述的积层电容器，其特征在于：

所述导通路包括多个所述通孔导体；

所述多个通孔导体电连接于所述第3引出导体。

18.如权利要求12所述的积层电容器，其特征在于：

在所述外层部中还形成有导通路，该导通路电连接所述第2内部电极中的位于与所述外层部最接近的位置上的第2内部电极，和至少1个所述第2端子电极。

19.如权利要求12所述的积层电容器，其特征在于：

所述第1内部电极具有多个所述第1引出导体，该多个第1引出导体分别与所述多个第1端子电极对应；

所述第2内部电极具有多个所述第2引出导体，该多个第2引出导体分别与所述多个第2端子电极对应。

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