CN1900669A - 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 - Google Patents
基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1900669A CN1900669A CN 200510012239 CN200510012239A CN1900669A CN 1900669 A CN1900669 A CN 1900669A CN 200510012239 CN200510012239 CN 200510012239 CN 200510012239 A CN200510012239 A CN 200510012239A CN 1900669 A CN1900669 A CN 1900669A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sacrifice layer
- silicon nitride
- nitride film
- film
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 76
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 41
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 40
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 37
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 7
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，涉及微电子技术领域，其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上光刻，刻蚀硅衬底形成腔体，去胶；2.表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；3.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，去铬，清洗处理表面；4.表面淀积氮化硅薄膜；5.表面淀积铬薄膜，光刻，打底胶，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；6.腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔；7.表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽；8.表面淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；9.光刻，蒸金，剥离，形成布线图形。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，是微机电系统(MEMS)器件的制作方法，即一种采用基于新牺牲层工艺制作的热剪切应力传感器器件的制作方法。
背景技术
微机电系统(MEMS)器件制造中，一些器件包括悬空的梁、膜或空腔结构。悬空的梁或膜即可以通过硅基表面微机械加工，运用到“牺牲层”技术来制造，也可以通过体硅加工而成；而空腔结构大多运用“牺牲层”技术形成。该热剪切应力传感器器件中的绝热腔即采用了“牺牲层”技术。牺牲层释放过程中或牺牲层形成之后，上结构层很容易发生与衬底粘连的现象。
发明内容
本发明的目的是提供一种采用基于与硅衬底连接的氮化硅薄膜支撑柱制作及释放牺牲层的方法来制作热剪切应力传感器器件，带有这些支撑柱的结构能防止牺牲层释放过程中或牺牲层形成之后上结构层与硅衬底粘连。
为达到上述目的，本发明的技术解决方案是提供一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其绝缘空腔的形成及释放是由硅衬底在胶掩蔽下被干法各向同性刻蚀出腔体，然后在其表面用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积二氧化硅薄膜牺牲层，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，再在表面用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积氮化硅薄膜，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽，湿法腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔，再在表面用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽，从而形成绝缘空腔，最后在空腔氮化硅薄膜上制作硼掺杂多晶硅薄膜电阻和金属布线；
步骤如下：
步骤1、在<100>硅基片上光刻，刻蚀硅衬底形成腔体，去胶；
步骤2、表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；
步骤3、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，去铬，清洗处理表面；
步骤4、表面淀积氮化硅薄膜；
步骤5、表面淀积铬薄膜，光刻，打底胶，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；
步骤6、腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔；
步骤7、表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽；
步骤8、表面淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；
步骤9、光刻，蒸金，剥离，形成布线图形。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤1中，在<100>硅基片上光刻为光学光刻，用六氟化硫气体、以110-130sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀2.0-2.5μm深度的硅薄膜，形成横截面积200μm×250μm的腔体。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤2中，表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层的厚度为2.5-3.0μm，是采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法获得的。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤3中，光刻为光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面电子束蒸发铬薄膜，用丙酮剥离，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀二氧化硅薄膜窗口和支撑柱，刻蚀后留下的二氧化硅薄膜窗口尺寸为240μm×290μm，刻下去的支撑柱尺寸为4μm×4μm，用去铬液湿法各向同性去铬，用去离子水冲洗处理表面。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤4中，表面淀积氮化硅薄膜的厚度为0.6-1.0μm，是采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法获得的。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤5中，光刻为光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发铬薄膜，用丙酮剥离，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽，一直刻到硅衬底为止。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤6中，腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔，是先用7份49％氢氟酸和1份40％的氟化氨组成的缓冲氢氟酸湿法各向同性腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，依次用去离子水、乙醇、丙酮、乙醚置换，最后放到环己烷溶液里，采用环己烷固态升华的方法释放氮化硅薄膜形成空腔。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤7中，表面淀积氮化硅薄膜的厚度为0.9-1.5μm，是采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法获得的。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤8中，表面淀积多晶硅薄膜采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法，厚度为0.40-0.45μm，进行硼掺杂，光学光刻，用六氟化硫气体、以40-60sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀多晶硅薄膜，用浓硫酸去除表面残留的光刻胶。
所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其所述步骤9中，光刻为光学光刻，表面电子束蒸发金薄膜，厚度为0.8-1μm，用丙酮剥离，形成10-20μm宽的布线图形。
本发明的特点是刻蚀二氧化硅薄膜牺牲层形成腔体侧壁的同时，也刻蚀形成空支撑柱体，在表面淀积氮化硅薄膜，然后腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜，形成带有与硅衬底连接的氮化硅薄膜支撑柱的空腔，最后再在表面淀积氮化硅薄膜密封形成绝热腔。该工艺能有效的防止牺牲层释放过程中或牺牲层形成之后上结构层与硅衬底的粘连，成本低廉，生产效率高，工艺稳定，具有一定的实用价值。
本发明方法可以获得采用基于与硅衬底连接的氮化硅薄膜支撑柱制作的热剪切应力传感器器件，适合用于大生产。
附图说明
图1-1至图1-9为本发明一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明的步骤如下：1、在<100>硅基片上光刻，刻蚀硅衬底形成腔体，去胶；2、表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；3、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，去铬，清洗处理表面；4、表面淀积氮化硅薄膜；5、表面淀积铬薄膜，光刻，打底胶，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；6、腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔；7、表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽；8、表面淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；9、光刻，蒸金，剥离，形成布线图形。
其中，在<100>硅基片上光刻为光学光刻，用六氟化硫气体、以110-130sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀2.0-2.5μm深度的硅薄膜，形成横截面积200μm×250μm的腔体，再在表面采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积厚度为2.5-3.0μm的二氧化硅薄膜牺牲层。
其中，淀积牺牲层之后光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面电子束蒸发铬薄膜，用丙酮剥离，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀二氧化硅薄膜窗口和支撑柱，刻蚀后留下的二氧化硅薄膜窗口尺寸为240μm×290μm，刻下去的支柱尺寸为4μm×4μm，用去铬液湿法各向同性去铬，用去离子水冲洗处理表面。再在表面采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积厚度为0.6-1.0μm的氮化硅薄膜。
其中，淀积氮化硅薄膜之后光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发铬薄膜，用丙酮剥离，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽，一直刻到硅衬底为止。
其中，腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔，是先用7份49％氢氟酸和1份40％的氟化氨组成的缓冲氢氟酸湿法各向同性腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，依次用去离子水、乙醇、丙酮、乙醚置换，最后放到环己烷溶液里，采用环己烷固态升华的方法释放氮化硅薄膜形成空腔。
其中，密封腐蚀槽，是采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在表面淀积厚度为0.9-1.5μm的氮化硅薄膜。
其中，在氮化硅薄膜表面采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积多晶硅薄膜的厚度为0.40-0.45μm，进行硼掺杂，光学光刻，用六氟化硫气体、以40-60sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀多晶硅薄膜，用浓硫酸去除表面残留的光刻胶。
其中，布线时先光学光刻，再在表面电子束蒸发金薄膜，厚度为0.8-1μm，用丙酮剥离，形成10-20μm宽的布线图形。
为了更进一步说明本发明的内容，以下结合附图对本发明做详细描述：
图1-1至图1-9是本发明的流程图。
1、如图1-1所示，在<100>硅基片101各向同性刻蚀出腔体，深度为2.0-2.5μm。
2、如图1-2所示，用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积二氧化硅薄膜牺牲层102，厚度为2.5-3.0μm。
3、如图1-3所示，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀二氧化硅薄膜102，直到刻到硅基片101，刻蚀后留下的二氧化硅薄膜窗口尺寸为240μm×290μm，刻下去的支撑柱103尺寸为4μm×4μm。
4、如图1-4所示，用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积氮化硅薄膜104，厚度为0.6-1.0μm。
5、如图1-5所示，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀氮化硅薄膜104和二氧化硅薄膜102腐蚀槽，一直刻到硅基片101为止。
6、如图1-6所示，用7份49％氢氟酸和1份40％的氟化氨组成的缓冲氢氟酸湿法各向同性腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层102，依次用去离子水、乙醇、丙酮、乙醚置换，最后放到环己烷溶液里，采用环己烷固态升华的方法释放氮化硅薄膜104形成空腔。
7、如图1-7所示，用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积氮化硅薄膜105，密封腐蚀槽，厚度为0.9-1.5μm。
8、如图1-8所示，在氮化硅薄膜105表面采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积多晶硅薄膜，厚度为0.40-0.45μm，进行硼掺杂，用六氟化硫气体、以40-60sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀多晶硅薄膜，形成多晶硅薄膜电阻条106。
9、如图1-9所示，在氮化硅薄膜105和多晶硅薄膜电阻条106上，电子束蒸发金薄膜，厚度为0.8-1μm，剥离形成布线图形107，线宽10-20μm。
Claims (10)
1、一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，其绝缘空腔的形成及释放是由硅衬底在胶掩蔽下被干法各向同性刻蚀出腔体，然后在其表面用低压化学气相沉积方法淀积二氧化硅薄膜牺牲层，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，再在表面用低压化学气相沉积方法淀积氮化硅薄膜，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽，湿法腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔，再在表面用低压化学气相沉积方法淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽，从而形成绝缘空腔，最后在空腔氮化硅薄膜上制作硼掺杂多晶硅薄膜电阻和金属布线；步骤如下：
步骤1、在<100>硅基片上光刻，刻蚀硅衬底形成腔体，去胶；
步骤2、表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；
步骤3、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，去铬，清洗处理表面；
步骤4、表面淀积氮化硅薄膜；
步骤5、表面淀积铬薄膜，光刻，打底胶，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；
步骤6、腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔；
步骤7、表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽；
步骤8、表面淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；
步骤9、光刻，蒸金，剥离，形成布线图形。
2、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，在<100>硅基片上光刻为光学光刻，用六氟化硫气体、以110-130sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀2.0-2.5μm深度的硅薄膜，形成横截面积200μm×250μm的腔体。
3、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层的厚度为2.5-3.0μm，是采用低压化学气相沉积方法获得的。
4、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，光刻为光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面电子束蒸发铬薄膜，用丙酮剥离，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀二氧化硅薄膜窗口和支撑柱，刻蚀后留下的二氧化硅薄膜窗口尺寸为240μm×290μm，刻下去的支撑柱尺寸为4μm×4μm，用去铬液湿法各向同性去铬，用去离子水冲洗处理表面。
5、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，表面淀积氮化硅薄膜的厚度为0.6-1.0μm，是采用低压化学气相沉积方法获得的。
6、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，光刻为光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发铬薄膜，用丙酮剥离，用SF6和CHF3气体、分别以60-80sccm和90-140sccm的流量、在上下电极60-80w和线圈400-800w的功率条件下各向异性刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽，一直刻到硅衬底为止。
7、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤6中，腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔，是先用7份49％氢氟酸和1份40％的氟化氨组成的缓冲氢氟酸湿法各向同性腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，依次用去离子水、乙醇、丙酮、乙醚置换，最后放到环己烷溶液里，采用环己烷固态升华的方法释放氮化硅薄膜形成空腔。
8、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤7中，表面淀积氮化硅薄膜的厚度为0.9-1.5μm，是采用低压化学气相沉积方法获得的。
9、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤8中，表面淀积多晶硅薄膜采用低压化学气相沉积方法，厚度为0.40-0.45μm，进行硼掺杂，光学光刻，用六氟化硫气体、以40-60sccm的流量和40-60w的功率各向同性刻蚀多晶硅薄膜，用浓硫酸去除表面残留的光刻胶。
10、根据权利要求1所述的一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，所述步骤9中，光刻为光学光刻，表面电子束蒸发金薄膜，厚度为0.8-1μm，用丙酮剥离，形成10-20μm宽的布线图形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100122391A CN100368786C (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100122391A CN100368786C (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1900669A true CN1900669A (zh) | 2007-01-24 |
| CN100368786C CN100368786C (zh) | 2008-02-13 |
Family
ID=37656599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100122391A Expired - Fee Related CN100368786C (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100368786C (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102259822A (zh) * | 2010-05-27 | 2011-11-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 压敏传感器的制备方法及在硅片上形成空腔结构的方法 |
| CN102259823A (zh) * | 2010-05-27 | 2011-11-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Mems压敏传感器件的制作方法 |
| CN102259820A (zh) * | 2010-05-27 | 2011-11-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 空腔结构和该结构的制备方法及压敏传感器的制作方法 |
| CN102519657A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-06-27 | 上海交通大学 | 二维矢量柔性热敏微剪切应力传感器及其阵列和制备方法 |
| CN101625541B (zh) * | 2008-07-10 | 2013-05-01 | 斯沃奇集团研究及开发有限公司 | 制造微机械部件的方法 |
| CN111244224A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 东泰高科装备科技有限公司 | 外延层结构及制备方法、剥离方法、太阳能电池制备方法 |
| CN112362199A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-12 | 华中科技大学 | 一种介质插入型电容式压力传感器及其制备方法 |
| CN112551481A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-26 | 山东大学 | 一种在微电子机械制造工艺中防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法 |
| CN113321179A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-31 | 曹建峰 | 一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108793061B (zh) * | 2018-05-25 | 2020-11-27 | 岭南师范学院 | 一种全电极凸纹结构cmut器件的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2870579B2 (ja) * | 1995-10-16 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US6153494A (en) * | 1999-05-12 | 2000-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to increase the coupling ratio of word line to floating gate by lateral coupling in stacked-gate flash |
| CN1156680C (zh) * | 2001-08-24 | 2004-07-07 | 中国科学院电子学研究所 | 以SiNx为梁的微结构谐振梁压力传感器制造方法 |
-
2005
- 2005-07-21 CN CNB2005100122391A patent/CN100368786C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101625541B (zh) * | 2008-07-10 | 2013-05-01 | 斯沃奇集团研究及开发有限公司 | 制造微机械部件的方法 |
| CN102259823B (zh) * | 2010-05-27 | 2014-05-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mems压敏传感器件的制作方法 |
| CN102259823A (zh) * | 2010-05-27 | 2011-11-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Mems压敏传感器件的制作方法 |
| CN102259820A (zh) * | 2010-05-27 | 2011-11-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 空腔结构和该结构的制备方法及压敏传感器的制作方法 |
| CN102259822A (zh) * | 2010-05-27 | 2011-11-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 压敏传感器的制备方法及在硅片上形成空腔结构的方法 |
| CN102259822B (zh) * | 2010-05-27 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 压敏传感器的制备方法及在硅片上形成空腔结构的方法 |
| CN102259820B (zh) * | 2010-05-27 | 2013-12-18 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 空腔结构和该结构的制备方法及压敏传感器的制作方法 |
| CN102519657A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-06-27 | 上海交通大学 | 二维矢量柔性热敏微剪切应力传感器及其阵列和制备方法 |
| CN102519657B (zh) * | 2011-11-22 | 2013-12-11 | 上海交通大学 | 二维矢量柔性热敏微剪切应力传感器及其阵列和制备方法 |
| CN111244224A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 东泰高科装备科技有限公司 | 外延层结构及制备方法、剥离方法、太阳能电池制备方法 |
| CN112362199A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-12 | 华中科技大学 | 一种介质插入型电容式压力传感器及其制备方法 |
| CN112551481A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-03-26 | 山东大学 | 一种在微电子机械制造工艺中防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法 |
| CN113321179A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-31 | 曹建峰 | 一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100368786C (zh) | 2008-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1900669A (zh) | 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 | |
| CN101863452B (zh) | 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 | |
| US20120107562A1 (en) | Methods for graphene-assisted fabrication of micro-and nanoscale structures and devices featuring the same | |
| EP1791196A2 (en) | Electrochemical cell and method of manufacture | |
| EP2458037A1 (en) | A method for precisely controlled masked anodization | |
| JP6496732B2 (ja) | ナノ多孔性窒化ケイ素膜ならびにそのような膜の製造方法および使用方法 | |
| CN1043827A (zh) | 铟锡氧化物薄膜的腐蚀方法 | |
| CN1254432C (zh) | 微电机元件以及制造方法 | |
| US7811938B2 (en) | Method for forming gaps in micromechanical device and micromechanical device | |
| CN101054158A (zh) | 一种硅微通道结构的自分离制作方法 | |
| KR100237000B1 (ko) | 희생층을 사용한 미소구조체 제조 방법 | |
| CN100495653C (zh) | 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 | |
| CN103395740A (zh) | 基于绝缘体上硅选择性制备多孔硅的方法 | |
| CN100391826C (zh) | 一种硅的微通道制作方法 | |
| CN102375332B (zh) | 一种用于mems结构的悬架光刻胶平坦化工艺 | |
| CN1274007C (zh) | 硅基微机械微波/射频开关芯片的制备方法 | |
| CN1792765A (zh) | 在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法 | |
| JP2007533467A (ja) | ナノチャンネルを製造する方法およびこの方法で製造したナノチャンネル | |
| US7138672B2 (en) | Apparatus and method for making a tensile diaphragm with an insert | |
| CN1884040A (zh) | 采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 | |
| CN112079328A (zh) | 一种t型悬臂梁微结构及其加工方法和应用 | |
| CN100452350C (zh) | 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 | |
| JPH11294948A (ja) | 微小装置の製造方法 | |
| CN105523520A (zh) | 一种微机电系统运动传感器的制备方法 | |
| CN101559915A (zh) | 一种制备mems器件的牺牲层工艺方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |