CN100452350C - 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列，其与反光板连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似契型硅柱上，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。该非制冷红外焦平面阵列器件的工艺步骤如下：1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，表面淀积铬薄膜，剥离；3、刻蚀氮化硅薄膜，去铬，清洗处理表面；4、在图形表面光刻，表面淀积金薄膜，剥离，在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金；5、继续在图形表面光刻，表面淀积金薄膜，剥离，在反光板上形成薄的镀金；6、正面腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别是一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法。
背景技术
MEMS器件制造中，一些器件包括悬空的梁或膜结构。悬空的梁或膜即可以通过硅基表面微机械加工，运用到“牺牲层”技术来制造，也可以通过体硅加工而成；但运用“牺牲层”技术，容易发生结构层与衬底粘连，而通过体硅加工释放的结构抗震性能较差，运用受到限制。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用硅的各向同性腐蚀，形成近似契型硅柱来固支悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板，形成由独立式单元或嵌套式单元组成的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列器件。采用这种工艺制作的非制冷红外焦平面阵列器件抗震性能较好，能有效防止粘连，同时，独立式单元结构强度较高，温度灵敏度、热响应灵敏度较高；嵌套式单元组成的阵列空间分辨率较高。
一种采用基于硅衬底无牺牲层工艺制作的非制冷红外焦平面阵列器件，其与反光板连接的悬臂梁固支在利用各向同性腐蚀出的近似契型硅柱上，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。
基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式。形成它的工艺特点是先在正面形成完整的结构层图形，即带有厚间隔镀金的悬臂梁和薄镀金的反光板；然后利用各向同性腐蚀正面硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。该工艺避免了牺牲层瓶颈工艺；基于硅衬底，阵列中每个单元固支在硅衬底上，抗震性能较好；同时利用各向同性在反光板下腐蚀出硅尖，能有效防止在潮湿环境下反光板与衬底粘连。另外，成本低廉，生产效率高，工艺稳定，具有一定的实用价值。独立式和嵌套式的单元结构各具优点，独立式单元结构强度较高，温度灵敏度、热响应灵敏度较高；由嵌套式单元组成的阵列空间分辨率较高。
其固支在近似契型硅柱上的悬臂梁和反光板薄膜的形成和释放是：先在<100>硅基片上用低压化学气相沉积(LPCVD-Low Pressure ChemicalVapor Deposition)方法淀积氮化硅薄膜，刻蚀形成悬臂梁和反光板图形；再经过两次淀积金薄膜、剥离形成悬臂梁上的厚间隔镀金和反光板上的薄镀金；最后正面各向同性腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，并释放整个悬臂梁和反光板薄膜，形成非制冷红外焦平面阵列.
本发明的工艺步骤如下：1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离；3、刻蚀氮化硅薄膜，形成悬臂梁和反光板图形；去铬，清洗处理表面；4、在图形表面光刻，打底胶，表面淀积金薄膜，剥离，在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金；5、继续在图形表面光刻，打底胶，表面淀积金薄膜，剥离，在反光板上形成薄的镀金；6、正面腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
其中，在<100>硅基片上采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积厚度为0.8-1.0μm的氮化硅薄膜。
其中，淀积氮化硅薄膜之后光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发铬薄膜，用丙酮剥离。
其中，剥离铬薄膜之后用SF6、以50-70sccm的流量和50-70w的功率条件下刻蚀氮化硅薄膜，直到刻到硅衬底为止，用去铬液湿法各向同性去铬，用去离子水冲洗处理表面。
其中，在表面光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发金薄膜，厚度为0.2-0.3μm，用丙酮剥离，在悬臂梁上形成厚的间隔镀金。
其中，在表面光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发金薄膜，厚度为0.025-0.03μm，用丙酮剥离，在反光板上形成薄的镀金。
其中，腐蚀正面硅衬底，是用9份40％氢氟酸、75份69-71％的硝酸和40份99.5％的醋酸组成的HNA腐蚀液，在室温(15℃)下湿法各向同性腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
本发明的结构设计，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式两种。由独立式单元构成的是200×200阵列，单元大小为a(100μm)×b(100μm)；悬臂梁呈来回回折状固支在硅衬底上，固支块大小为a2(15μm)×b2(15μm)。靠近固支处的回折梁是隔热腿，是氮化硅材料，梁宽/间隙/折数是w2(3μm)/d3(3μm)/1(折)，隔热腿总长81μm；远离固支处的回折梁是变形腿，是0.2-0.3μm厚金/氮化硅双材料，梁宽/间隙/折数是w1(3μm)/d2(3μm)/n(折)，变形腿总长468μm；反光板与悬臂梁连接，尺寸为a1(15μm)×b1(97μm)，是0.025-0.03μm薄金/氮化硅双材料，反光板中间腐蚀窗口大小为1μm×83μm。由嵌套式单元构成的是400×400阵列，单元如实线标示，单元大小为50μm×50μm；悬臂梁固支在硅衬底上，固支块大小为12μm×12μm，靠近固支处的梁是来回回折梁，是隔热腿，是氮化硅材料，梁宽/间隙/折数是2μm/2μm/3(折)，隔热腿总长约84μm；远离固支处的梁由2段组成朝一个方向延伸，是变形腿，是0.2-0.3μm厚金/氮化硅双材料，梁宽/间隙/折数是2μm/2μm/2(折)，变形腿总长96μm；反光板与悬臂梁连接，尺寸为14μm×48μm，是0.025-0.03μm薄金/氮化硅双材料，反光板中间腐蚀窗口大小为1μm×35μm。
该方法可以获得采用基于硅衬底无牺牲层工艺制作的非制冷红外焦平面阵列器件，适合用于大生产。
附图说明
图1-1至图1-5是本发明的流程图。
图2-1至图2-2为本发明结构设计中单元的设计示意图。
具体实施方式
为了更进一步说明本发明的内容，以下结合附图对本发明做详细描述，其中：
1、如图1-1所示，在<100>硅基片101上用低压化学气相沉积(LPCVD)方法淀积氮化硅薄膜102和106，厚度为0.8-1.0μm。
2、如图1-2所示，用SF6气体、以50-70sccm的流量和50-70w的功率刻蚀氮化硅薄膜102，直到刻到硅衬底。
3、如图1-3所示，表面蒸发金薄膜103，厚度为0.2-0.3μm。
4、如图1-4所示，表面蒸发金薄膜104，厚度为0.025-0.03μm。
5、如图1-5所示，用9份40％氢氟酸、75份69-71％的硝酸和40份99.5％的醋酸组成的HNA腐蚀液，在室温(15℃)下湿法各向同性腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱105，同时释放悬臂梁和反光板薄膜。
图2-1至图2-2为本发明结构设计中单元的设计示意图。
由独立式单元构成的是200×200阵列，单元大小为a(100μm)×b(100μm)；悬臂梁呈来回回折状固支在硅衬底上，固支块大小为a2(15μm)×b2(15μm)。靠近固支处的回折梁是隔热腿，是氮化硅材料，梁宽/间隙/折数是w2(3μm)/d3(3μm)/1(折)，隔热腿总长81μm；远离固支处的回折梁是变形腿，是0.2-0.3μm厚金/氮化硅双材料，梁宽/间隙/折数是w1(3μm)/d2(3μm)/n(折)，变形腿总长468μm；反光板与悬臂梁连接，尺寸为a1(15μm)×b1(97μm)，是0.025-0.03μm薄金/氮化硅双材料，反光板中间腐蚀窗口大小为1μm×83μm。由嵌套式单元构成的是400×400阵列，单元如实线标示，单元大小为50μm×50μm；悬臂梁固支在硅衬底上，固支块大小为12μm×12μm，靠近固支处的梁是来回回折梁，是隔热腿，是氮化硅材料，梁宽/间隙/折数是2μm/2μm/3(折)，隔热腿总长约84μm；远离固支处的梁由2段组成朝一个方向延伸，是变形腿，是0.2-0.3μm厚金/氮化硅双材料，梁宽/间隙/折数是2μm/2μm/2(折)，变形腿总长96μm；反光板与悬臂梁连接，尺寸为14μm×48μm，是0.025-0.03μm薄金/氮化硅双材料，反光板中间腐蚀窗口大小为1μm×35μm。
Claims (8)
1、一种基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其固支在近似契型硅柱上的悬臂梁和反光板薄膜的形成和释放是：先在<100>硅基片上用低压化学气相沉积方法淀积氮化硅薄膜，刻蚀形成悬臂梁和反光板图形；再经过两次淀积金薄膜、剥离形成悬臂梁上的厚间隔镀金和反光板上的薄镀金；最后正面各向同性腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，并释放整个悬臂梁和反光板薄膜，形成非制冷红外焦平面阵列；其步骤如下：
步骤1、在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；
步骤2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离；
步骤3、刻蚀氮化硅薄膜，形成悬臂梁和反光板图形；去铬，清洗处理表面；
步骤4、在图形表面光刻，打底胶，表面淀积金薄膜，剥离，在支撑悬臂梁上形成厚的间隔镀金；
步骤5、继续在图形表面光刻，打底胶，表面淀积金薄膜，剥离，在反光板上形成薄的镀金；
步骤6、正面腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
2、根据权利要求1所述的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其中，在<100>硅基片上采用低压化学气相沉积方法淀积厚度为0.8-1.0μm的氮化硅薄膜。
3、根据权利要求1所述的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其中，淀积氮化硅薄膜之后光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发铬薄膜，用丙酮剥离。
4、根据权利要求1所述的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其中，剥离铬薄膜之后用SF6、以50-70sccm的流量和50-70w的功率条件下刻蚀氮化硅薄膜，直到刻到硅衬底为止，用去铬液湿法各向同性去铬，用去离子水冲洗处理表面。
5、根据权利要求1所述的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其中，在表面光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发金薄膜，厚度为0.2-0.3μm，用丙酮剥离，在悬臂梁上形成厚的间隔镀金。
6、根据权利要求1所述的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其中，在表面光学光刻，用氧气、以50-70sccm的流量和10-12w的功率打底胶1分钟左右，表面蒸发金薄膜，厚度为0.025-0.03μm，用丙酮剥离，在反光板上形成薄的镀金。
7、根据权利要求1所述的基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法，其特征在于，其中，腐蚀正面硅衬底，是用9份40％氢氟酸、75份69-71％的硝酸和40份99.5％的醋酸组成的HNA腐蚀液，在室温下湿法各向同性腐蚀硅衬底，形成近似契型硅柱来支撑悬臂梁，同时释放悬臂梁和反光板薄膜形成非制冷红外焦平面阵列。
8、一种采用根据权利要求1-7中任一项所述的方法制作的非制冷红外焦平面阵列，其阵列中单元结构分为独立式和嵌套式，由独立式单元构成的是200×200阵列，单元大小为a(100μm)×b(100μm)；悬臂梁呈来回回折状固支在硅衬底上，固支块大小为a2(15μm)×b2(15μm)，靠近固支处的回折梁是隔热腿，是氮化硅材料，梁宽/间隙/折数是w2(3μm)/d3(3μm)/1，隔热腿总长81μm；远离固支处的回折梁是变形腿，是0.2-0.3μm厚金/氮化硅双材料，梁宽/间隙/折数是w1(3μm)/d2(3μm)/n，变形腿总长468μm；反光板与悬臂梁连接，尺寸为a1(15μm)×b1(97μm)，是0.025-0.03μm薄金/氮化硅双材料，反光板中间腐蚀窗口大小为1μm×83μm，由嵌套式单元构成的是400×400阵列，单元大小为50μm×50μm；悬臂梁固支在硅衬底上，固支块大小为12μm×12μm，靠近固支处的梁是来回回折梁，是隔热腿，是氮化硅材料，梁宽/间隙/折数是2μm/2μm/3，隔热腿总长约84μm；远离固支处的梁由2段组成朝一个方向延伸，是变形腿，是0.2-0.3μm厚金/氮化硅双材料，梁宽/间隙/折数是2μm/2μm/2，变形腿总长96μm；反光板与悬臂梁连接，尺寸为14μm×48μm，是0.025-0.03μm薄金/氮化硅双材料，反光板中间腐蚀窗口大小为1μm×35μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100668884A CN100452350C (zh) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100668884A CN100452350C (zh) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101047149A CN101047149A (zh) | 2007-10-03 |
| CN100452350C true CN100452350C (zh) | 2009-01-14 |
Family
ID=38771569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100668884A Expired - Fee Related CN100452350C (zh) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100452350C (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101659389B (zh) * | 2009-07-17 | 2011-12-21 | 中国传媒大学 | 光读出红外图像传感器像元芯片的光刻方法 |
| CN103730535B (zh) * | 2012-10-12 | 2016-03-02 | 南京理工大学 | 应用硅锗薄膜的非制冷红外焦平面阵列像元制造方法 |
| CN109911842A (zh) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | Mp 高技术解决方案控股有限公司 | 用于微机械传感器的制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1309191A (zh) * | 2000-12-07 | 2001-08-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法及专用掩膜架 |
| US20040142504A1 (en) * | 2003-01-21 | 2004-07-22 | Mp Technologies, Llc | Focal plane arrays in type II-superlattices |
| US6777682B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-08-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared detector |
| US20050224714A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Tayfun Akin | Ultra low-cost uncooled infrared detector arrays in CMOS |
-
2006
- 2006-03-31 CN CNB2006100668884A patent/CN100452350C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1309191A (zh) * | 2000-12-07 | 2001-08-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法及专用掩膜架 |
| US6777682B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-08-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared detector |
| US20040142504A1 (en) * | 2003-01-21 | 2004-07-22 | Mp Technologies, Llc | Focal plane arrays in type II-superlattices |
| US20050224714A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Tayfun Akin | Ultra low-cost uncooled infrared detector arrays in CMOS |
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