CN1886825A - 快速热处理系统 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 52
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 120
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008236 heating water Substances 0.000 claims description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 7
- UVXCXZBZPFCAAJ-UHFFFAOYSA-N arc-111 Chemical compound C1=C2OCOC2=CC2=C(N(CCN(C)C)C(=O)C3=C4C=C(C(=C3)OC)OC)C4=CN=C21 UVXCXZBZPFCAAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011369 optimal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种快速热处理系统。该快速热处理系统包括处理室，其内表面具有多线形横截面，由相互分离且具有相同半径及圆心的多条弧及将这些弧连接起来的多条线所组成。该处理室克服了传统圆形处理室及方形处理室的缺点。而且，石英窗口具有一外周边表面，由倾斜表面、垂直表面和弯曲表面组合而成，因此即使石英窗口以反转的状态安装于处理室中，也可以保持处理室与石英窗口之间的密封。通过双重连接结构将边环的构件连接起来，从而与现有技术相比，可确保对热变形有很高的抗性。除此之外，该快速热处理系统的各个构件具有独立的冷却系统，从而允许对各个构件进行有效的温度控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种快速热处理系统，具体地说，涉及一种快速热处理系统，其中，各个构件分别具有增强型结构并采用独立的冷却系统。
背景技术
就晶片热处理设备的代表性例子而言，有一种快速热处理系统，其用于执行快速热退火、快速热清洁、快速热化学气相沉积、快速热氧化及快速热硝化等工艺。在快速热处理系统中，由于在极短的时间内在很大的温度范围进行晶片的加热与冷却，因此需要精确地控制温度。除此之外，由于在极高的温度下快速地进行快速热处理系统中的处理，因此不但快速、均匀的热传递，而且快速、均匀的冷却，都极为重要。同时，由于根据热源的设置、处理室的形状及整个系统的外围设备的不同处理结果可能有所变化，所以必须研究热源的配置、处理室的形状及外围设备。具体地说，处理室的形状是有效分布从热源发出的紫外线并保持紫外线分布形状的一个重要因素。因此，就保持最佳处理条件的最重要因素而言，必须考虑处理室是否具有与热源相关联的稳定构造。就这一点来说，处理室的理想形状与热源的设置相同。
但是，由于处理需要一些外围设备，因此处理室的形状很难与热源的设置一样。接下来，必须确定是否可在系统中进行快速冷却及加热。除此之外，必须考虑构成处理室的各个构件的适当配置。一般而言，先使用模拟或根据上述考虑制造的按比例缩小的快速热处理系统来获得实验或理论依据，然后才制造快速热处理系统。
通常，所制造的处理室具有与热源的配置结构相同的形状，其可以分为方形和圆形。
图1是说明方形处理室的示意图，该处理室通常在采用杆状钨卤素灯作为热源时使用，而图2是说明圆形处理室的示意图，该处理室通常在采用垂直球状钨卤素灯作为热源时使用。
参考图1和2，在处理室10的底部11上具有测温传感器40，以及用于安装晶片的边环50和石英针60，而在处理室10的侧壁上则具有气体注入口12和气体排出口13。而且，处理室10内具有热源21或22及石英窗口30，该石英窗口用于有效地透射从热源发出的紫外线。
如图1所示，采用杆状钨卤素灯21的处理室10具有以下优点：简化处理室10及测温传感器40的安装部分的构造。其原因在于，一盏灯可以在很大的范围施加热量，因此可减少测温传感器40的数量。但是，采用杆状钨卤素灯21的处理室10的缺点在于无法实现对温度的精确控制。
同时，在根据处理室形状分类的各种处理室当中，方形处理室的缺点在于处理室角落的温度不均匀。其原因在于，由于处理室10中需要进行热处理的物体是圆板形晶片，因此难以控制方形处理室角落处的温度。而且，方形处理室还有一个缺点，即难以保持均匀的气流。
其原因在于，为了在方形处理室中保持均匀的气流，供气喷嘴必须沿着方形处理室的侧壁对齐成一条直线，并且必须通过所有喷嘴均匀地注入气体。
为了达到这一目的，必须增加每个供气喷嘴注入端的直径。同时，由于供气喷嘴暴露于极高的温度，因此供气喷嘴由石英或热阻接近石英的材料制成，从而在形成供气喷嘴的区域降低了热辐射效率。因此，将各供气喷嘴的注入端放在与处理室内表面共平面的位置，以最大程度地减小供气喷嘴的暴露程度。
而且，由于必须像供气喷嘴一样，沿方形处理室水平方向的另一侧壁放置气体排出口，以便保持气体排出口处的均匀气流，因此在形成气体排出口的区域降低了热辐射效率，从而降低了温度的均匀性。
同时，在快速热处理的主要工艺中，快速热退火及快速热硝化需要控制氧气的浓度。由于较高的氧气浓度对处理结果有负面影响，所以需要通过氮气、氨气或氩气降低氧气的浓度。就这一点来说，由于方形处理室角落处的气流可能停滞或变成涡流，所以生产率与气流的控制有直接关系。因而，处理室的构造特别重要。
而且，必须降低石英窗口的厚度，以提高热效率，同时在表面上获得极高的照明强度，以提高穿透率。但是，由于方形处理室的石英窗口也是方形的，施加在石英窗口上的负荷所引起的断裂中心也位于石英窗口的中心，并且随着石英窗口的厚度降低，石英窗口更容易因微小的压力变化而断裂。因此，在设计石英窗口的支撑部件或计算其厚度时，必须非常注意这一点。
如果处理室10采用如图2所示的垂直球状钨卤素灯22，则问题在于处理室的构造比图1所示的处理室更为复杂。其原因在于，由于垂直球状钨卤素灯22只是局部加热，并且热效率为负，所以需要许多的灯22及测温传感器40。相反，其优点在于可精确地控制温度。采用像垂直球状钨卤素灯22这种热源的处理室一般为圆形。
比起方形处理室，圆形处理室具有很多优点。首先，由于圆形处理室的形状与晶片相同，因此可提供温度的均匀性。其原因在于，从处理室表面发出的二级热辐射被均匀地施加于晶片表面上。其次，就气流而言，在圆形处理室中出现气体停滞和涡流的情况比圆形处理室少。第三，由于圆形处理室的石英窗口也是圆形，因此圆形处理室的石英窗口厚度小于方形处理室，并且对压力变化的敏感程度没有方形处理室那么大。
因此，在设计圆形处理室时有更多自由。
而且，在加工圆形处理室的内表面时，加工所引起的变化非常显著，从而对处理有很大的影响。但是，与圆形处理室对应的圆形喷嘴的构造非常复杂。也就是说，如图2所示，圆形处理室10的上层、中层和下层分别具有不同的横截面，因而必须将其制造成使得气体可以波形流动。这需要花费不少制造成本及时间。因此，为了获得波形气流，采用一种旋转晶片的方法。通过旋转晶片，可获得某些优点。例如，提高温度的均匀性，并且只使用一个气体喷嘴就可以在晶片表面上获得均匀的气流。
但是，由于具有晶片输送通道及气体排出口的区域在其中构成了通道，因此在这些区域中无法获得辐射热量，因而降低了温度的均匀性。
如上所述，由于传统的处理室及热源具有彼此相反的优缺点，因此，为了提供最佳的快速热处理，需要优化处理室和热源的设计。
发明内容
因此，为解决上述问题而提出了本发明，并且本发明的一个目的是提供一种快速热处理系统，其处理室设计可克服传统处理室的问题。
本发明的另一目的是提供一种快速热处理系统，其可防止各个构件的热变形并提供有效的温度控制。
根据本发明的一个方面，上述及其它目的可通过提供一种快速热处理系统来实现，该快速热处理系统包括：处理室，该处理室的一侧壁上具有一个或多个处理气体注入口，而在其相反的侧壁上则具有一个或多个处理气体排出口；热源，其安装于处理室中，用于对晶片进行加热；石英窗口，其安装于处理室上，使石英窗口可位于热源之下；边环支架，其安装于处理室中，使边环支架可位于石英窗口之下；以及边环，其安装于边环支架上，用于安装晶片，其中，处理室的内表面具有多线形的横截面，由相互分离且具有相同半径、相同圆心的多条弧及将这些弧相互连接起来的多条直线所组成。
每条弧都具有15-50°的圆心角。
石英窗口可具有一外周边表面，由倾斜表面、垂直表面和弯曲表面组合而成。石英窗口的面积可大于处理室的内表面，并且石英窗口为方形，各条边与处理室内表面的直线部分相对而且位于直线部分外部；快速热处理系统可进一步包括一个或多个冷却水套，每个水套都安装于处理室中，使得冷却水套可位于石英窗口边缘与处理室内表面直线部分之间所界定的区域的下部。
边环支架可包括：旋转部件，其安装在处理室中并具有旋转翼，旋转翼的上表面形成有凹槽；圆筒，其连接到旋转翼，并将边环安装于圆筒的上表面上；圆筒导件，其与圆筒接合；以及圆筒导件固定销，用于将圆筒导件固定到旋转翼上。
快速热处理系统可进一步包括冷去/加热水循环通道，位于处理室的内壁中，使循环通道围绕边环的外周边表面和边环支架的预定区域。而且，快速热处理系统可进一步包括第一冷却气体注入部分，用于将冷却气体注入到处理室中；以及第一冷却气体排出部分，用于将从第一冷却气体注入部分排出的冷却气体排出到处理室的外部，第一冷却气体注入部分和第一冷却气体排出部分安装于处理室的底部表面上。此外，快速热处理系统可进一步包括第二冷却气体注入部分，其形成于处理室的侧壁上并与处理气体注入口隔开，用于将冷却气体注入到安装于边环的晶片上，该第二冷却气体注入部分具有一注入端，在注入端的预定区域处形成平缓的坡度，使得注入的某些冷却气体部分可以沿着处理室的侧壁流动，并且在注入端的其余区域形成陡峭的坡度。再者，冷却/加热水循环通道的外表面周围可形成凹槽，面对处理室的内壁，并且快速热处理系统可进一步包括第三冷却气体注入部分及第三冷却气体排出部分，分别安装于处理室中并与凹槽连通。
从以上说明可知，根据本发明的快速热处理系统，处理室内表面具有多线形横截面，由相互分离且具有相同半径、相同圆心的多条弧及将这些弧相互连接起来的多条直线所组成，从而克服了传统快速热处理系统的缺点，同时保留了传统快速热处理系统的优点。
而且，石英窗口具有一外周边表面，由倾斜表面、垂直表面和弯曲表面组合而成，因此即使石英窗口以反转的状态安装于处理室上，也可以通过O型环保持处理室与石英窗口之间的密封。
除此之外，通过双重连接结构将边环的构件连接起来，从而确保对热变形有很高的抗性。
而且，本发明的快速热处理系统具有独立的冷却系统，用于分别冷却处理室的上部、处理室的下部、石英窗口、边环及边环支架，从而允许对构成快速热处理系统的各个构件进行有效的温度控制。
应注意，本发明不限于该实施例，本领域的技术人员应了解，在不脱离本发明的主旨的情况下，可以对本发明进行修改。
附图说明
根据下面结合附图所作的详细说明，可以更清楚地了解本发明的上述及其它目的、特点及其它优点。所附图形包括：
图1和2是说明传统快速热处理系统的示意图；
图3是说明根据本发明的一个实施例的快速热处理系统的示意图；
图4是沿图3的a-b线所作的快速热处理系统的横截面图；
图5是沿图3的c-d线所作的快速热处理系统的横截面图；
图6是沿图3的e-e线所作的快速热处理系统的横截面图；
图7是图4的快速热处理系统“A”部分的放大图；
图8是沿图3的f-f线所作的快速热处理系统的横截面图；
图9是图4的快速热处理系统“B”部分的放大图。
具体实施方式
下面将参考附图详细说明本发明的优选实施例。
图3是说明根据本发明一实施例的快速热处理系统的示意图。图4是沿图3的a-b线所作的快速热处理系统的横截面图。图5是沿图3的c-d线所作的快速热处理系统的横截面图。图6是沿图3的e-e线所作的快速热处理系统的横截面图。图7是图4的快速热处理系统“A”部分的放大图。图8是沿图3的f-f线所作的快速热处理系统的横截面图。图9是图4的快速热处理系统“B”部分的放大图。
参考图3至5，根据本发明的一个实施例的快速热处理系统包括处理室100，其具有一个或多个处理气体注入口123及一个或多个处理气体排出口130；热源(未示出)，其安装于处理室中，用于对晶片进行加热；石英窗口200，其安装于处理室100上并位于热源之下；边环支架300，其安装于处理室中并位于石英窗口200之下；测温传感器500；晶片顶销600；晶片输送通道700；各种冷却系统；以及边环400，其安装于边环支架300上，用于安装晶片。
参考图3，处理室100的内表面110具有多线形的横截面，由相互分离且具有相同半径、相同圆心的多条弧111及将这些弧相互连接起来的多条直线112所组成。此处，每条弧111的圆心角使得在直线112与弧111的接触点处由直线112和弧111定义的切线角为钝角。
根据本实施例，四条弧111(各具有15-50°的圆心角)分别在处理室的左右两侧及前后两侧彼此相对，并且四条直线112沿对角方向彼此相对1显然，弧111的数量、直线112的数量及弧112的圆心角可进行各种修改。
因此，根据本发明实施例的处理室可克服传统处理室的缺点，同时保留其优点。
参考图3、4和6，处理气体注入口123安装于处理室100的侧壁上，而处理气体排出口130则安装于其相反的侧壁上。处理气体注入口123及处理气体排出口130安装于处理室100中，使连接处理气体注入口123中心与处理气体注入口123中心的各条假想线位于晶片之上，从而处理气体可以以晶片安装在处理室100中的高度流动。而且，在处理气体排出130中均安装了氧气浓度检测器910，以便利用氧气浓度检测器910所测量的氧气浓度来监视处理起点。
此处，处理气体注入口123形成于与处理气体注入喷嘴121连接的注入管122中，以沿水平方向在注入管122中对齐。因此，从处理气体注入喷嘴121注入的处理气体在注入管122中流动，从而降低了注入压力，并且在这种状态下，是通过多个处理气体注入口123注入，从而可将处理气体均匀分布于晶片的整个表面上。而且，为了确保处理气体均匀分布，在处理室100的侧壁处形成气体分隔壁124，从注入123注入的处理气体就撞在气体分隔壁124上。
为了允许顺畅地排出从沿水平方向对齐的处理气体注入123注入的处理气体，在与形成有处理气体注入口123的侧壁相对的侧壁上，处理室100与至少两个处理气体排出口130对齐，其中每个处理气体排出口130的直径均大于处理气体注入口123的直径。
同时，在处理室的一侧壁中形成晶片输送通道700之后，可在晶片输送通道700的侧壁上形成处理气体排出口121。
参考图3、4和7，为了在石英窗口200的外周边表面与处理室100中用于安装石英的安装部分之间进行密封，将O环920插入石英窗口200的外周边表面与处理室100的安装部分之间。
石英窗口200的外周边表面由具有向下倾斜的外表面的倾斜表面、从倾斜表面下端垂直延伸的垂直表面及具有从垂直表面下端形成的曲面的弯曲表面组合而成。因此，由于倾斜表面突出部分的负荷，O型环920会发生压缩变形，从而硬性地密封石英窗口200与处理室100之间的间隙。由于石英窗200与处理室100之间的密封采用的是这样一种配置，因此，如果面对安装于处理室中的晶片的石英窗200的一部分破裂或弄脏的话，那么将石英窗口200上下翻过来后可以再次安装于处理室100中，也就是说，石英窗口200以图7的(2)所示的状态安装于处理室100中，其中石英窗200以反转的状态安装，从而保持石英窗口200与处理室100之间的密封。
参考图3、4和8，石英窗口200的面积大于处理室100的内表面，并且为方形，其各条边分别与处理室100内表面的直线部分相对，并位于直线部分外部。由于石英窗口200的边缘及处理室100内表面的直线部分112所界定的每个区域210被处理室100的侧壁遮蔽，因此这些区域没有受到从热源发出来的热辐射影响。因此，可以将冷却水套810安装于处理室100中，使其位于区域210的下部，以冷却在处理期间受热的石英窗口200，从而防止石英窗口破裂。
同时，石英窗口200的边缘可能会被磨圆。
参考图3、4、5和9，各边环支架300包括：旋转部件310，其安装于处理室100中并具有旋转翼311；圆筒320，其连接到旋转翼311，在圆筒的外表面上形成凹陷；圆筒导件330，其具有一个与圆筒320的凹陷接合的突起并将圆筒320连接到旋转翼311上；以及圆筒导件固定销340，其用于将圆筒导件330固定到旋转翼310上。旋转翼311的上表面上形成有多个倒三角形凹槽，因此可防止气体沿旋转翼311的上表面向下流动。
通过在快速热处理期间产生的热量使倒三角形凹槽中停滞的气体升起。倒三角形凹槽分散了施加于旋转翼311上的热应力或由热应力引起的旋转翼311的热变形。而且，由于圆筒320通过由圆筒导件330和圆筒导件固定销340所组成的双重连接结构连接到旋转翼311上，因此边环支架300的总体结构对热变形具有很强的抗性。圆筒导件330和圆筒导件固定销340由对热变形具有很强抗性的材料所制成。
同时，由于根据快速热处理系统的结构，边环400和边环支架300靠近处理室100的侧壁，因此边环400和边环支架300的位置会引起热变形问题，需要在处理后对这些部件进行强制冷却。
根据本发明的实施例，为了防止边环400及边环支架300受到热变形，并在处理后对这些部件进行强制冷却，会在处理室100的内壁中提供加热/冷却水循环通道820，使循环通道820围绕边环400的外周边表面及边环支架300的预定区域。也就是说，由于在处理期间将边环400及边环支架300的温度提升到极高的水平，所以循环通道820供应热水以防止温度变化，并在处理后供应冷水，从而快速冷却边环400及边环支架300。通过装配力分别将加热及冷却水供应口821插入到加热/冷却水循环通道820中。
由于快速热处理的特征，在处理期间，必须将处理室的温度保持在预定的范围内，并且在处理之后，必须强制冷却处理室。根据本发明的实施例，以晶片安装点为基准来实施下方冷却系统和上方冷却系统，以进行有效冷却。
参考图3及5，下方冷却系统830包括位于处理室100底部表面上的第一冷却气体注入部分831，以及一个或多个第一冷却气体排出口832。第一冷却气体注入部分831的末端上具有沿径向排列的多个注入孔，并在这些注入孔的上部装有盖帽，以界定注入孔与盖帽之间的预定空间。因此，通过盖帽将从第一冷却气体注入部分831注入的冷却气体均匀分布于处理室100的底部表面上，主要是冷却处理室100的底部表面，然后通过第一冷却气体注入部分831排出。
同时，将晶片输送到处理室100中时，氧气也在处理室100中流动，然后在将晶片安装在边环400上之后使用净化气体清除氧气。但是，气体在晶片下方(例如，处理室100的底部表面上)流动不顺畅，因而会有一部分氧气留在那里，从而对处理结果造成负面影响。
因此，在本发明的实施例中，第一冷却气体排出部分831位于晶片输送通道700的相反侧，并且通过第一冷却气体排出部分831将净化气体供应到处理室100中，从而清除晶片下方留下的氧气。
为了提高冷却效率并最大限度地利用根据本发明的实施例的快速热处理系统的各个构件，上方冷却系统由主要冷却系统和次要冷却系统所组成，其中主要冷却系统用于直接冷却处理室的侧壁并在处理室中提供冷却气体环境，而次要冷却系统则用于直接对侧壁进行进一步的冷却。
参考图3及6，上方主要冷却系统的一个或多个冷却气体注入部分(称为第二冷却气体注入部分841)形成于处理室100中并与处理气体注入口123隔开预定距离，以便将冷却气体注入到晶片安装点上方。第二冷却气体注入部分841与处理气体注入口123分开，以使冷却气体的流动与处理气体的流动互不影响。尽管已通过第二冷却气体注入部分841流入处理室100的冷却气体通常会降低处理室100内部的温度，但冷却气体的某些部分最好沿处理室100的侧壁流动，以最大限度地提高冷却效率。为了达到这一目的，各个第二冷却气体注入部分841均具有一注入端，在注入端的预定区域形成平缓的坡度，使注入处理室100的某些部分冷却气体可沿处理室100的侧壁流动，并在注入端的其余区域形成陡峭的坡度，以使注入的冷却气体可在处理室100中流动。通过处理气体排出部分130将已通过第二冷却气体注入部分841流入处理室100的冷却气体排出。
参考图3、8和9，上方次要冷却系统850使用上述加热/冷却循环通道820。次要冷却系统850包括一个或多个冷却气体注入部分851和一个或多个冷却气体排出部分852(称为第三冷却气体注入部分和第三冷却气体排出部分)。就这一点来说，在冷却/加热水循环通道820的外表面周围形成凹槽822，以在冷却/加热水循环通道820的外表面和处理室100的内壁之间界定冷却气体通道。第三冷却气体注入部分851和冷却气体排出部分852各与凹槽822连通。因此，从第三冷却气体注入部分851注入的冷却气体直接冷却处理室100的侧壁，同时沿加热/冷却水循环通道820流动，然后通过第三冷却气体排出部分852排出。
尽管已经基于说明的目的公开了本发明的优选实施例，但本领域的技术人员应了解，在不脱离所附权利要求书公开的本发明的范围和主旨的情况下，可以对本发明进行各种修改、补充和替代。
Claims (14)
1.一种快速热处理系统，其包括：处理室，其一侧壁上具有一个或多个处理气体注入口并且其相反侧壁上具有一个或多个处理气体排出口；热源，其安装于处理室中，用于对晶片进行加热；石英窗口，其安装于处理室上，使石英窗口可位于热源之下；边环支架，其安装于处理室中，使边环支架可位于石英窗口之下；以及边环，其配备于边环支架上，用于安装晶片，其中，所述处理室的内表面具有多线形横截面，由相互分离且具有相同半径、相同圆心的多条弧及将这些弧相互连接起来的多条直线所组成。
2.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中每条弧均具有15-50°的圆心角。
3.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中，将一O型环插入石英窗口的外周边表面与处理室中用于安装石英窗口的安装部分之间。
4.如权利要求3所述的快速热处理系统，其中，石英窗口的外周边表面由倾斜表面、垂直表面及弯曲表面组合而成。
5.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中，石英窗口的面积大于处理室的内表面，并且石英窗口为方形，其各条边与处理室内表面的直线部分相对，并位于直线部分外部，其中所述快速热处理系统进一步包括一个或多个冷却水套，各水套都安装于处理室中，使冷却水套可位于石英窗口的边缘与处理室内表面的直线部分所界定的区域的下部。
6.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中，处理室的一侧壁上形成有注入管，其连接到处理气体注入喷嘴，并且有若干处理气体注入口在注入管中对齐，而且每个处理气体排出口均形成有至少两个排出口，其在处理气体排出口中对齐并且其直径大于处理气体注入口。
7.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中，每个处理气体排出口均具有氧气浓度检测器。
8.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中，所述处理室的侧壁中形成有晶片输送通道，并且在晶片输送通道的侧壁上形成与处理气体注入口相连接的处理气体注入喷嘴。
9.如权利要求1所述的快速热处理系统，其中，所述边环支架包括：旋转部件，其安装于处理室中并具有一旋转翼，在旋转翼的上表面上形成凹槽；圆筒，其连接到旋转翼并将边环安装于圆筒的上表面上；圆筒导件，其与圆筒接合；以及圆筒导件固定销，其用于将圆筒导件固定到旋转翼上。
10.如权利要求1所述的快速热处理系统，其进一步包括冷却/加热水循环通道，所述冷却/加热水循环通道位于处理室的内壁中，使循环通道围绕边环的外周边表面及边环支架的预定区域。
11.如权利要求1所述的快速热处理系统，其进一步包括：第一冷却气体注入部分，其用于将冷却气体注入到处理室中；第一冷却气体排出部分，其用于将从第一冷却气体注入部分排出的冷却气体排出到处理室的外部，第一冷却气体注入部分和第一冷却气体排出部分安装于处理室的底部表面上。
12.如权利要求11所述的快速热处理系统，其中第一冷却气体注入部分包括沿径向排列的多个注入孔以及一盖帽，该盖帽安装于注入孔的上部，用于定义注入孔与盖帽之间的预定空间。
13.如权利要求1所述的快速热处理系统，其进一步包括第二冷却气体注入部分，第二冷却气体注入部分形成于该处理室的侧壁上并与处理气体注入口隔开，用于将冷却气体注入到安装在边环上的晶片上，并且第二冷却气体注入部分具有一注入端，在注入端的预定区域上形成平缓的坡度，使注入的冷却气体的一部分可沿处理室的侧壁流动，并在注入端的其余区域上形成陡峭的坡度。
14.如果权利要求10所述的快速热处理系统，其中，在加热/冷却水循环通道的外表面周围形成凹槽，其面对处理室的内壁，并且所述快速热处理系统可进一步包括第三冷却气体注入部分及第三冷却气体排出部分，其分别安装于处理室中并连接到凹槽。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030083692A KR100439276B1 (ko) | 2003-11-24 | 2003-11-24 | 급속열처리 장치 |
| KR1020030083692 | 2003-11-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1886825A true CN1886825A (zh) | 2006-12-27 |
| CN100517613C CN100517613C (zh) | 2009-07-22 |
Family
ID=34617287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004800347416A Expired - Fee Related CN100517613C (zh) | 2003-11-24 | 2004-08-26 | 快速热处理系统 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070141846A1 (zh) |
| JP (1) | JP2007515059A (zh) |
| KR (1) | KR100439276B1 (zh) |
| CN (1) | CN100517613C (zh) |
| DE (1) | DE112004002277T5 (zh) |
| TW (1) | TWI251881B (zh) |
| WO (1) | WO2005050729A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103733328A (zh) * | 2011-09-26 | 2014-04-16 | 株式会社Eugene科技 | 基板支撑单元、基板处理装置、及制造基板支撑单元的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8563619B2 (en) * | 2007-06-28 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance |
| JP5226082B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2013-07-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス流分布が改善された熱反応器 |
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| US9322097B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | EPI base ring |
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| KR102373977B1 (ko) * | 2015-10-05 | 2022-03-15 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP7377653B2 (ja) | 2019-09-11 | 2023-11-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| CN117855104B (zh) * | 2024-02-06 | 2024-06-07 | 苏州热传道集成电路科技有限公司 | 一种受热均匀的晶圆快速热处理炉 |
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| JP3224238B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2001-10-29 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
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| DE19722283C2 (de) * | 1997-05-28 | 1999-11-25 | Protec Verschlusselemente Gmbh | Spritzschutzring |
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-
2003
- 2003-11-24 KR KR1020030083692A patent/KR100439276B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-08-26 CN CNB2004800347416A patent/CN100517613C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-26 US US10/595,994 patent/US20070141846A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-26 DE DE112004002277T patent/DE112004002277T5/de not_active Ceased
- 2004-08-26 WO PCT/KR2004/002140 patent/WO2005050729A1/en active Application Filing
- 2004-08-26 JP JP2006541018A patent/JP2007515059A/ja active Pending
- 2004-09-02 TW TW093126496A patent/TWI251881B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070141846A1 (en) | 2007-06-21 |
| TW200518231A (en) | 2005-06-01 |
| CN100517613C (zh) | 2009-07-22 |
| TWI251881B (en) | 2006-03-21 |
| WO2005050729A9 (en) | 2005-10-13 |
| JP2007515059A (ja) | 2007-06-07 |
| WO2005050729A1 (en) | 2005-06-02 |
| KR100439276B1 (ko) | 2004-07-30 |
| DE112004002277T5 (de) | 2006-11-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Gyeonggi Do city of East China South Beach east beach all 8 road 15-5 Patentee after: Ap Cells Inc. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Kornic Systems Corp. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090722 Termination date: 20170826 |