CN1861319A - 计算机硬盘基片抛光速率的控制方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 claims description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法。包括以下步骤,其中原料为重量%:将粒径20~60nm的SiO2溶胶用去离子水稀释,去离子水含量5~50%;边搅拌边加入1~10%的醇醚类表面活性剂、1~10%的FA/O螯合剂;用pH调节剂使pH值在11.5~13.5范围内;加入10~25ml的氧化剂;使用上述抛光液在40~60℃温度、40~120rpm转速、0.1~0.2MPa、200~800ml/min流量的抛光工艺条件下,在抛光机上对基片进行抛光8~10min。本发明用于提高存储器硬盘的磁盘基片的去除速率,使用碱性抛光液同时解决现有的以三氧化二铝为磨料的酸性抛光液的所存在的高损伤和凸凹选择比差问题。
Description
技术领域
本发明涉及计算机存储器硬盘制造技术领域,更具体地说,是涉及一种提高计算机硬盘基片化学机械抛光去除速率的方法。
背景技术
近年来,计算机技术迅猛发展,个人计算机朝着高性能、小型化方向不断前进。为适应这一趋势,作为计算机数据存储的主要部件硬盘相应朝着大容量、高转速、体积小和安全性更高的方向发展,从而对硬盘基片提出更高的要求。因为盘片直接关系着硬盘容量的大小,所以提高单片容量即提高盘片的存储密度便成为解决此问题的关键。
随着计算机硬磁盘应用的增多,需求越来越大,为了在单位时间内生产出更多的符合质量要求的盘片,必须控制抛光工艺参数以达到最优化的去除率且不降低表面质量,这就要有高质、高效、高选择性的抛光液及CMP技术。
计算机硬盘盘基片CMP(化学机械抛光)技术原理比较复杂,较公认的机理认为是:NiP敷镀得铝合金硬盘基片表面被抛光液中的氧化剂氧化,在表面上生成一层氧化膜,其强度较低。从而使硬盘表面变脆,然后抛光液中的纳米SiO2粒子作为磨粒将此氧化层磨去,磨掉后露出的新鲜表面又可以被氧化,再被磨去,如此循环。由于盘基片表面会有凸起的部分会先被磨去从而实现了表面的全局平面化。
为了减小硬盘驱动器的最小记录面积、提高硬盘容量,要求磁头与磁盘磁介质之间的距离进一步减小,所以对磁盘表面质量的要求也越来越高。为能达到所要求的表面粗糙度、波纹度、平整度,就要求有足够大的去除速率,在抛光时,可以较快的改善基片表面的状况,达到精抛要求的粗糙度、波纹度,这样既可以在改善基片表面质量的同时,也可以提高产品的成品率并且降低成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服现有技术中存在的速率低且难以准确控制的不足,提供一种用于提高存储器硬盘的磁盘基片去除速率的方法,使用碱性抛光液同时解决现有的以三氧化二铝为磨料的酸性抛光液的所存在的高损伤和凸凹选择比差问题,发明了高pH值下快速抛光、高浓度、小粒径的加工方法。
本发明计算机硬盘基片抛光速率的控制方法,包括以下步骤,其中原料为重量%:
1、将粒径20~60nm的SiO2溶胶(浓度40~60wt%)用去离子水稀释,去离子水含量5~50%;
2、边搅拌边加入1~10%的醇醚类表面活性剂;
3、边搅拌边加入1~10%的FA/O螯合剂;
4、用pH调节剂调整上述溶液使pH值在11.5~13.5范围内;
5、在调整完pH后,加入10~25ml的氧化剂;
6、使用上述抛光液在40~60℃温度、40~120rpm转速、0.1~0.2MPa、200~800ml/min流量的抛光工艺条件下,在抛光机上对基片进行抛光8~10min。
本发明所述pH调节剂是KOH溶液及胺碱,胺碱是乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)。
本发明所述醇醚类表面活性剂为FA/O表面活性剂、OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、JFC的一种。
本发明所述氧化剂为双氧水。
本发明与现有技术相比较具有如下有益效果:
1、复合碱中氨和非离子表面活性剂,在胶粒表面形成稳定保护胶,可将pH值提高到13以上,有效解决SiO2水溶胶pH值在10.5~12之间凝胶及pH值大于12.5磨料粒子溶解难题,而且可使纳米SiO2溶胶长期处于稳定状态,保证其不迅速溶解,从而可保证强化学反应,实现高速率。
2、本发明中FA/O活性剂增加了高低选择比,大大降低了表面张力、减小了损伤层、提高了基片表面的均一性、使得表面凹凸差大大降低,从而有效的提高了交换速率,增强了输运过程,提高了基片的去除速率。
3、在抛光过程中,本发明中FA/O螯合剂的加入使得Ni容易生成大分子产物且溶于水,使反应产物在小的机械作用下即可脱离加工表面,络合及螯合作用,使反应产物在小的机械作用下即可脱离加工表面,加速了化学反应,同时还能起到络合及螯合作用,且大大提高了抛光速率。
4、选用KOH作用强碱,能够快速的与待加工材料进行反应,起到增强化学作用的目的。
5、选用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料,其粒径小(20~60nm)、浓度高(40~50%)、硬度小6~7(对基片损伤度小)、分散度好,可提高表面一致性,同时起到小搅拌器作用,能够达到高速率去除。
6、选用40~60℃高温、40~120rpm转速、0.10~0.20MPa、200~800ml/min流量的抛光工艺条件能够实现强化学作用下的高速质量传递,从而实现抛光的高去除速率。
本发明抛光工艺的主要功能如下:
40~60℃高温既能提高化学作用,实现高的化学反应速率,又能加强机械作用,实现反应产物的快速脱离,加快质量传递的过程,从而实现高的去除速率。
40~120rpm转速能够保证反应产物的及时去除,及新液的及时补充,并能保证抛光的一致性。
0.10~0.20MPa范围可满足去除速率的差异,凸出的部位去除速率高,而低凹部位去除速率低,从而达到平整。产生的热量,使抛光温度提高,有利于CMP的高速率;同时能够满足质量传递的要求。
200~800ml/min流量能够实现反应产物的脱离及新液的供给。
目前国际上的水平是:去除速率均低于600nm/min;使用本发明方法去除速率可达到600nm/min。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步描述。
实施例1:
1、将粒径20~30nm的SiO2磨料1000g用去离子水100g稀释;
2、边搅拌边加入10g的FA/O表面活性剂;
3、边搅拌边加入10g的FA/O螯合剂;
4、用25%KOH溶液及乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)调整上述溶液(25%KOH溶液及乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)按照1∶10的体积比添加)使pH值在11.5~12.5范围内;
5、在调整完pH后,加入10ml的双氧水氧化剂;
6、使用上述抛光液在40~50℃温度、40~50rpm转速、0.1MPa、200~300ml/min流量的抛光工艺条件下,在抛光机上对基片进行抛光8~10min,。
实施例2:
1、将粒径50~60nm的SiO2磨料2000g用去离子水600g稀释;
2、边搅拌边加入15g的FA/O表面活性剂;
3、边搅拌边加入15g的FA/O螯合剂;
4、用25%KOH溶液及乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)调整上述溶液(25%KOH溶液及乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)按照1∶5的体积比添加)使pH值在12.5~13范围内;
5、在调整完pH后,加入15ml的双氧水氧化剂;
6、使用上述抛光液在50~60℃温度、70~80rpm转速、0.2MPa、400~600ml/min流量的抛光工艺条件下,在抛光机上对基片进行抛光8~10min,达到的去除速率为600nm/min。
实施例3:
1、将粒径30~40nm的SiO2磨料3000g用去离子水1500g稀释;
2、边搅拌边加入45g的FA/O表面活性剂;
3、边搅拌边加入45g的FA/O螯合剂;
4、用25%KOH溶液及乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)调整上述溶液(25%KOH溶液及乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)按照1∶3的体积比添加)使pH值在12~13.5范围内;
5、在调整完pH后,加入25ml的双氧水氧化剂;
6、使用上述抛光液在50~60℃温度、100~120rpm转速、0.2MPa、600~800ml/min流量的抛光工艺条件下,在抛光机上对基片进行抛光8~10min。
Claims (4)
1.一种计算机硬盘基片抛光速率的控制方法,其特征是,包括以下步骤,其中原料为重量%:
(1)将粒径20~60nm的SiO2磨料用去离子水稀释,去离子水含量5~50%;
(2)边搅拌边加入1~10%的醇醚类表面活性剂;
(3)边搅拌边加入1~10%的FA/O螯合剂;
(4)用pH调节剂调整上述溶液使pH值在11.5~13.5范围内;
(5)在调整完pH后,加入10~25ml的氧化剂;
(6)使用上述抛光液在40~60℃温度、40~120rpm转速、0.1~0.2MPa、200~800ml/min流量的抛光工艺条件下,在抛光机上对基片进行抛光8~10min。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征是,所述pH调节剂是KOH溶液及胺碱,胺碱是乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)。
3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征是,所述醇醚类表面活性剂为FA/O表面活性剂、OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、JFC的一种。
4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征是,所述氧化剂为双氧水。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200610014293 CN1861319A (zh) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 计算机硬盘基片抛光速率的控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200610014293 CN1861319A (zh) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 计算机硬盘基片抛光速率的控制方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1861319A true CN1861319A (zh) | 2006-11-15 |
Family
ID=37388899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200610014293 Pending CN1861319A (zh) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 计算机硬盘基片抛光速率的控制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1861319A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105647390A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-06-08 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 碱性抛光液改善cmp中阻挡层表面粗糙度的应用 |
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2006
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN105647390A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-06-08 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 碱性抛光液改善cmp中阻挡层表面粗糙度的应用 |
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