CN1855709A - 弹性表面波装置 - Google Patents
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Abstract
一种弹性表面波装置,包括压电基片和具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向配置的5个梳型电极部分并具有平衡-不平衡变换功能的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器,5个梳型电极部分中位于中央的梳型电极部分,具有在弹性表面波传输方向分割而形成的第一、第二分割电极部分,并分别与第一、第二平衡信号端子连接,在位于中央的梳型电极部分的两侧的2个梳型电极部分相互成反型,并且该中央的梳型电极部分两侧的2个梳型电极部分与不平衡信号端子连接,在5个梳型电极部分中,在弹性表面波传输方向上隔着间隙而相邻的一个梳型电极部分的该间隙一侧端部以及另一个梳型电极部分的该间隙一侧端部分别设置有窄间距电极指部分。
Description
本申请是申请日为2003年8月29日,申请号为03155717.1,发明名称为“弹性表面波装置、通信装置”的分案申请。
技术领域
本发明涉及备有具有平衡-不平衡变换功能的弹性表面波滤波器的弹性表面装置。
背景技术
近年来对于便携式电话机(通信装置)的小型化、轻量化的技术进步是很明显的。作为用于实现它的方法,正在进行通过削减各构成部件和小型化,复合多个功能的部件的开发。
在这种状况的背景中,近年来正在大力进行使用于便携式电话机的RF装置的弹性表面装置具有平衡-不平衡变换功能,所谓的平衡-不平衡变换器功能的研究,以GSM(Global System for MobileCommunications(移动通信的全球系统))等为中心进行使用。
关于这种具有平衡-不平衡变换功能的弹性表面装置已经提出了几个专利申请。在图3中,表示了在日本平成11年公布的11-97966号专利公报中揭示的,设定不平衡信号端子一侧的阻抗为500Ω,平衡信号端子一侧的阻抗为200Ω的具有平衡-不平衡变换功能的弹性表面装置。
图3的构成,在沿弹性表面波的传输方向具有3个梳型电极部分(Inter-Digital Transducer(叉指式换能器),以下称为IDT)的纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器301中,沿弹性表面波的传输方向大致对称地2分割处在中央位置的IDT303并分别与平衡信号端子308、309连接,使极性反转的左右的各IDT302、304与不平衡信号端子307连接。通过这样做,在上述构成中,能够具有由极性反转产生的平衡-不平衡变换功能,进一步通过2分割IDT303,能够使平衡信号端子一侧的阻抗约为不平衡信号端子一侧的阻抗的4倍。
在具有平衡-不平衡变换功能的滤波器中,在与不平衡信号端子和平衡信号端子的各个端子之间的通过频带内的传输特性中,要求振幅特性相等,并且相位反转180度,分别称为振幅平衡度和相位平衡度。
所谓的振幅平衡度和相位平衡度是将具有上述平衡-不平衡变换功能的滤波器看作3个端子的器件,例如由当令不平衡输入端子为端子1,各个平衡输出端子为端子2、端子3时的,振幅平衡度=|A|,A=|20log(S21)|-|20log(S31)|,相位平衡度=|B-180|,B=|∠S21-∠S31|进行定义的。这种平衡度理想的是在弹性表面波滤波器的通过频带内振幅平衡度为0dB,相位平衡度为0度。
但是,在图3所示的已有构成中,存在着平衡度恶化那样的问题。其理由是因为与IDT303邻接的电极指的极性与IDT302和IDT304相互不同(图3的310和311),因此,进入各平衡信号端子308、309的寄生电容、桥接电容等相互不同。
发明内容
本发明的目的就是要解决在图3构成中的上述问题,提供具有改善平衡度的平衡-不平衡变换功能,并且使平衡信号端子的阻抗约为不平衡信号端子的阻抗的4倍的弹性表面波装置。
本发明的弹性表面波装置的特征是,为了解决以上课题,在备有具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向形成的3个以上的奇数个梳型电极部分,具有沿弹性表面波的传输方向2分割上述奇数个梳型电极部分中处在中央位置的梳型电极部分一方的梳型电极并分别与平衡信号端子连接,与处在该中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分具有相互反转的构造并且具有与不平衡信号端子连接的平衡-不平衡变换功能的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器的弹性表面波装置中,处在上述中央位置的梳型电极部分的最外电极指是浮动电极或接地电极,对处于上述中央位置的梳型电极部分上相邻接的2个梳型电极部分,非对称地形成引导配线,以使位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指接地的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子一方电抗成分相对地变大。
如果根据上述构成,则通过在与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分中,为了使位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指接地的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子一方寄生电容相对地变大,而非对称地形成引导配线,能够改善各平衡信号端子之间的平衡度,特别是相位平衡度。
本发明的其它弹性表面波装置的特征是,为了解决以上课题,在备有具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向形成的3个以上的奇数个梳型电极部分,具有沿弹性表面波的传输方向2分割上述奇数个梳型电极部分中处在中央位置的梳型电极部分一方的梳型电极并分别与平衡信号端子连接,与处在该中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分具有相互反转的构造并且具有与不平衡信号端子连接的平衡-不平衡变换功能的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器的弹性表面波装置中,处在上述中央位置的梳型电极部分的最外电极指是信号电极,对处于上述中央位置的梳型电极部分上相邻接的2个梳型电极部分,非对称地形成引导配线,以使位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指是信号电极的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子一方电抗成分相对地变大。
如果根据上述构成,则通过在与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分中,为了使位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指是信号电极的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子一方寄生电容相对地变大,而非对称地形成引导配线,能够改善各平衡信号端子之间的平衡度,特别是相位平衡度。
在上述弹性表面波装置中,用倒装接合法使上述压电基片搭载在外壳上,在该外壳上形成上述非对称的引导配线。
在上述弹性表面波装置中,在处在上述中央位置的梳型电极部分的中心,对在与弹性表面波的传输方向垂直的方向上设置的假想轴,大致对称地形成上述非对称的引导配线以外的上述压电基片上和外壳上的引导配线。
本发明的又一个其它弹性表面波装置的特征是,为了解决以上课题,在备有具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向形成的3个以上的奇数个梳型电极部分,具有沿弹性表面波的传输方向2分割上述奇数个梳型电极部分中处在中央位置的梳型电极部分一方的梳型电极并分别与平衡信号端子连接,与处在该中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分具有相互反转的构造并且具有与不平衡信号端子连接的平衡-不平衡变换功能的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器的弹性表面波装置中,处在上述中央位置的梳型电极部分的最外电极指是浮动电极或接地电极,与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分中,在位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指接地的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子上附加电抗成分或延迟线。
如果根据上述构成,则通过在位于与处在中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指接地的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子上附加电抗成分或延迟线,能够改善各平衡信号端子之间的平衡度,特别是相位平衡度。
本发明的又一个其它弹性表面波装置的特征是,为了解决以上课题,在备有具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向形成的3个以上的奇数个梳型电极部分,具有沿弹性表面波的传输方向2分割上述奇数个梳型电极部分中处在中央位置的梳型电极部分一方的梳型电极并分别与平衡信号端子连接,与处在该中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分具有相互反转的构造并且具有与不平衡信号端子连接的平衡-不平衡变换功能的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器的弹性表面波装置中,处在上述中央位置的梳型电极部分的最外电极指是信号电极,与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分中,在位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指是信号电极的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子上附加电抗成分或延迟线。
如果根据上述构成,则通过处在中央位置的梳型电极部分的最外电极指是信号电极,与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分中,在位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指是信号电极的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子上附加电抗成分或延迟线,能够改善各平衡信号端子之间的平衡度,特别是相位平衡度。
在上述弹性表面波装置中,用倒装接合法使上述压电基片搭载在外壳上,在该外壳上形成上述电抗成分或延迟线。
在上述弹性表面波装置中,在处在上述中央位置的梳型电极部分的中心,对在与弹性表面波的传输方向垂直的方向上设置的假想轴,大致对称地设定上述电抗成分或延迟线以外的上述压电基片上和外壳上的引导配线。
在上述弹性表面波装置中,上述电抗成分也可以是电容成分,并联连接在上述平衡信号端子与地电位之间。在上述弹性表面波装置中,上述电抗成分也可以是电感成分,串联连接在上述平衡信号端子上。
在上述弹性表面波装置中,也可以将弹性表面波谐振器串联和/或并联地附加在上述弹性表面波滤波器上。在上述弹性表面波装置中,也可以使上述弹性表面波滤波器多个相互级联起来。在上述弹性表面波装置中,最好上述级联起来的弹性表面波滤波器的总电极指根数是偶数根。
在上述弹性表面波装置中,位于上述相互级联起来的各弹性表面波滤波器的各自的两端上的梳型电极部分通过信号线分别连接起来,并且设定通过该各信号线传输的信号的相位相互约差180度。
在上述弹性表面波装置中,也可以在上述弹性表面波滤波器中,对在相互邻接的梳型电极部分的至少一方的梳型电极部分中邻接部分附近的电极指加权。在上述弹性表面波装置中,上述加权也可以是串联加权。
在上述弹性表面波装置中,也可以用倒装接合法使上述压电基片搭载在外壳上,该外壳的外部端子是1个不平衡信号端子、2个平衡信号端子、3个接地端子共6个端子,对于设置在处在上述弹性表面波滤波器中央位置的梳型电极部分的中心与弹性表面波的传输方向垂直的方向上的假想轴,大致对称地配置该6个端子。
在上述弹性表面波装置中,也可以用倒装接合法使上述压电基片搭载在外壳上,该外壳的外部端子是1个不平衡信号端子、2个平衡信号端子、2个接地端子共5个端子,对于设置在处在上述弹性表面波滤波器中央位置的梳型电极部分的中心与弹性表面波的传输方向垂直的方向上的假想轴,大致对称地配置该5个端子。
本发明的通信装置的特征是,为了解决以上课题,具有上述任何一项所述的弹性表面波装置。如果根据上述构成,则因为具有平衡度卓越的弹性表面波装置,所以能够提高通信特性。
附图说明
图1是本发明的弹性表面波装置的构成图。
图2是上述弹性表面波装置的一个变形例(级联连接)的构成图。
图3是已有的弹性表面波装置的构成图。
图4是表示与本发明的实施例1有关的弹性表面波装置的电极构成的构成图。
图5是表示在上述实施例1的弹性表面波装置中的压电基片上的布局的平面图。
图6是用从外壳的上面(里面的对置面)一侧的透视图分别表示在收藏上述实施例1的弹性表面波装置的外壳的里面一侧的各端子的配置的平面图。
图7是收藏上述实施例1的弹性表面波装置的外壳的截面图。
图8是分别表示上述实施例1和比较例1的各构成中的相位平衡度的曲线图。
图9是表示上述比较例1的弹性表面波装置的布局的平面图。
图10是表示作为比较例2的弹性表面波装置的布局的平面图。
图11是分别表示图10所示的构成(比较例2)和上述比较例1的各构成中的相位平衡度的曲线图。
图12是表示关于作为上述实施例1的一个变形例的弹性表面波装置的电极构成的构成图。
图13是分别表示当用图10的压电基片上的布局构成图12的电极构成时和比较例2的频率-相位平衡度的曲线图。
图14是分别表示当用图5的压电基片上的布局构成图12的电极构成时和比较例2的频率-相位平衡度的曲线图。
图15是表示上述实施例1其它变形例的弹性表面波装置的构成图。
图16是表示上述实施例1另一个其它变形例的弹性表面波装置的构成图。
图17是分别表示图15的构成和比较例2的频率-相位平衡度的曲线图。
图18是分别表示图16的构成和比较例2的频率-相位平衡度的曲线图。
图19是表示上述实施例1另一个其它变形例的弹性表面波装置的构成图。
图20是表示上述实施例1的外壳中的各电极端子的配置的其它例的平面图。
图21是表示上述实施例1的弹性表面波装置的另一个其它变形例的构成图。
图22是表示上述实施例1的弹性表面波装置的一个制造过程的截面。
图23是表示上述实施例1的弹性表面波装置的其它制造过程的截面。
图24是表示上述实施例1的弹性表面波装置的另一个其它变形例的构成图。
图25是表示上述实施例1的弹性表面波装置的另一个其它变形例的构成图。
图26是表示当将上述图2所示的电极构成安装在图6所示的具有里面一侧的各电极端子的外壳上时的压电基片上的布局的一个例子的平面图。
图27是表示当将上述图2所示的电极构成安装在图6所示的具有里面一侧的各电极端子的外壳上时的压电基片上的布局的其它例子的平面图。
图28是表示当将上述图2所示的电极构成安装在图20所示的具有里面一侧的各电极端子的外壳上时的压电基片上的布局的一个例子的平面图。
图29是表示当将上述图2所示的电极构成安装在图20所示的具有里面一侧的各电极端子的外壳上时的压电基片上的布局的其它例子的平面图。
图30是与本发明有关的通信装置的主要部件的方框图。
图31是当将上述实施例1的弹性表面波装置收藏在外壳中时的,在外壳上外附电抗成分或延迟线时的,上述外壳的截面图,(a)是在底板和侧壁部分之间形成作为上述电抗成分或延迟线的电路的例子,(b)是在底板上进一步形成层积板的多层板内形成上述电抗成分或延迟线作为电路的例子。
其中:
101--纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器
102、103、104--IDT(梳型电极部分)
107--不平衡信号端子
108、109--平衡信号端子
120--电抗成分
501--压电基片
具体实施方式
如果我们根据图1说明与本发明有关的弹性表面波装置的一个实施形态,则如下所示。本发明的弹性表面波装置的特征是,如图1所示,在备有在压电基片501上设置具有沿弹性表面波的传输方向形成的3个IDT的纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器101,沿弹性表面波的传输方向大致对称地2分割在上述纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器101的3个IDT中处在中央位置的IDT103并分别与平衡信号端子108、109连接,通过使极性反转的左右的各IDT102、104与不平衡信号端子107连接具有平衡-不平衡变换功能的弹性表面波装置中,使在压电基片上形成的,或在外壳上形成的,或外附在外壳上的电抗成分120与上述平衡信号端子108、109中的任何一个并联连接。
在上述构成中,能够得到具有平衡-不平衡变换功能,并且使平衡信号端子的阻抗约为不平衡信号端子的阻抗的4倍,进一步,由电抗成分120改善平衡度的弹性表面波装置。
[实施例]
(实施例1)
我们用图4到图7,说明与本发明有关的实施例1的构成。此外,在以后的实施例中,我们作为例子说明DCS接收用滤波器。首先,用图4,说明实施例1的电极构成。在实施例1中在40±5°YcutX传输LiTaO3构成的压电基片501上,纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器401和与纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器401串联连接的弹性表面波谐振器402分别由铝(Al)电极形成。
纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器401的构成,为了沿弹性表面波的传输方向从两侧夹入IDT404而分别形成IDT403、405,进一步在这些两侧上分别形成各电抗器406、407。
IDT403备有2个备有带状的基端部分(汇流条)和从该基端部分一方的侧部沿正交方向的多个相互平行的电极指的梳型电极,在为了使上述各梳型电极的电极指的侧部相互对置而组入相互的电极指之间的状态中具有上述各梳型电极。
在这样的IDT403中,通过分别设定各电极指的长度和宽度、邻接的各电极指的间隔、表示在相互的电极指之间的组入状态的对面长度的交叉宽度,可以设定信号变换特性和通过频带。又,关于其它的各IDT,基本构造也与IDT403相同。电抗器具有将传输过来的弹性表面波反射到传输过来的方向的功能。
以上,在上述构成中,如从图4可以看到的那样,使在IDT403和IDT404之间近旁和IDT404和IDT405之间近旁的数根电极指的间距比IDT的其它部分小(图4的414、415的地方)。
进一步,在中央的IDT404中的一方的梳型电极通过在弹性表面波的传输方向上进行2分割成为各梳型电极416、417,各个梳型电极416、417与各平衡信号端子412、413连接。又,在实施例1中,与在IDT404中的梳型电极416、417不同的,与它们对置的其它梳型电极,作为浮动电极,但是也可以作为接地的接地电极。IDT405成为对于IDT403相位反转的构造。因此,上述构成具有平衡-不平衡变换功能。
弹性表面波谐振器402为了夹入IDT408而分别形成各电抗器409、410,IDT408的一方的梳型电极与不平衡信号端子411连接,IDT408的另一方的梳型电极与各IDT403、405连接。
在图5中表示了实施例1的实际的压电基片501上的布局。在图5中,用相同的标号表示与图4对应的地方。在上述布局中,设置为了与外壳导通的各电极垫片502~506,电极垫片502与不平衡信号端子411对应,各电极垫片503、504分别与平衡信号端子412、413相当,各电极垫片505、506是接地端子,在图中简略化各IDT进行表示。
在图6中,分别表示了收藏实施例1的构成,大致正方体形状的外壳640的里面(长方形状)640a一侧的各电极端子641~645(表示在从弹性表面波装置(器件)的上面一侧看的透视图中)。将电极端子641配置在里面640a的长方向中的一方端部的大致中央位置。将各电极端子642、643分别配置在里面640a的长方向中的另一方端部的两角部。将各电极端子644、645分别配置在里面640a的长方向中的两侧部分的大致中央位置。
电极端子641是与电极垫片502连接的不平衡信号端子,各电极端子642、643是分别与电极垫片503、504连接的平衡信号端子,各电极端子644、645是分别与电极垫片505、506连接的接地端子。
实施例1的弹性表面波装置,如图7所示,是用通过突起656使压电基片501的电极面与外壳640的接触面(日语原文为ダイアタツチ)653之间导通的倒装法制作的。
外壳640具有长方形板状的底板651、从底板651的各边部分别相互邻接地设立的各侧壁部分652、和与各侧壁部分652的各上端部粘合地进行覆盖用于密封外壳640内部的帽盖654。
实施例1的特征是,如图5所示,在与梳型电极417和电极垫片504连接的,带状的引导配线508中,与在与梳型电极416和电极垫片503连接的,带状的引导配线507比较,与图1所示的电抗成分120相当的对地电容变大。
因为这样地使对地电容增大,所以在本实施例1中,使突出部分509在压电基片501上从引导配线508向外突出地追加设置突出部分509。
最好,突出部分509从处在与连接地一侧的电极垫片506和IDT405的引导配线511接近的位置的引导配线508形成。
又,希望与上述引导配线508的长方向大致正交,与上述引导配线511的长方向大致平行地与上述引导配线511分离伸展地设置突出部分509。
由于上述突出部分509,图4所示的平衡信号端子413的对地电容比平衡信号端子412,例如只大0.16pF左右,因此,能够相互非对称地形成各引导配线508、507。
这时,在IDT404(各梳型电极416、417)中,与各IDT403、405邻接的电极指是各个信号电极。与在对地电容大的引导配线上形成的电极垫片504连接的梳型电极417邻接的IDT405的电极指也是信号电极。另一方面,与电极垫片503连接的梳型电极416邻接的IDT403的电极指是接地电极
进一步,在实施例1中,为了以图4到图6所示的2分割的IDT404为中心,使对于设置在与弹性表面波的传输方向垂直的方向上的假想轴A,压电基片501上的布局、外壳640的全部都成为轴对称,而设定突出部分509的非对称性以外的构成。因此,不会引入与IDT404邻接的电极指的极性与IDT403和IDT405中的相互不同这一点以外的不平衡成分。
纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器401的详细设计,当令由不使间距变小的电极指的间距决定的波长为λ1时,
交叉宽度:78.9λ1
IDT根数(以403、404、405的顺序):19(3)/(3)26(3)/(3)19根(刮号内是使间距变小的电极指的根数)
反射器根数:200根
占空比:0.67(IDT、反射器一起)
电极膜厚:0.095λ1
弹性表面波谐振器402的详细设计如下所示。
交叉宽度:46.5λ1
IDT根数:150根
反射器根数:100根
占空比:0.67
电极膜厚:0.097λ1
其次,我们说明关于本实施例1的构成的作用与效果。在图8中,表示了实施例1的构成的相位平衡度。用作比较的比较例1,如图9所示,压电基片501上的布局与图5的实施例1比较,除了在引导配线508上不设置成为对地电容变大的地方的突出部分509,对于引导配线507和假想轴A轴对称地设定引导配线508以外,弹性表面波装置的设计、压电基片501上的布局、外壳的安装方法等都与实施例1的构成相同。没有突出部地变更压电基片501上的布局的比较例1的相位平衡度也一起表示在图8中。
DCS接收用滤波器的通过频带为1805MHz~1880MHz。在该通过频带范围内的相位平衡度的偏移,根据图8,与在比较例1中最大约22度比较,在实施例1中最大约12度,相位平衡度改善约10度。这显示出通过使平衡信号端子413的对地电容变大地进行调整,校正平衡信号端子412和平衡信号端子413之间的相位偏移的效果。
在实施例1中,在引导配线508上设置成为对地电容变大的地方的突出部分509。其次,与此相反,如图10那样地在引导配线507上设置成为对地电容变大的地方的突出部分515,调查平衡信号端子412的对地电容成为约0.16pF大时的相位平衡度。在图11中表示出图10情形中的相位平衡度。作为比较,图9所示的比较例1情形的结果也一起表示在图11中。
当使平衡信号端子412的对地电容变大时,相反地与比较例1比较相位平衡度恶化。根据IDT403~405的相互邻接的电极指的排列,即有无信号电极或接地电极相互邻接的无电场区域决定使哪个平衡信号端子的对地电容变大。
在实施例1中,在IDT404中的与各IDT403、405邻接的电极指是各梳型电极416、417的各信号电极。另一方面,在使对地电容变大的引导配线上形成的,与电极垫片504连接的梳型电极417邻接的IDT405中,与IDT404邻接的电极指是信号电极,与作为对置的梳型电极417的最外电极指的信号电极不形成电场区域或形成小的电场区域。另一方面,在与电极垫片503连接的梳型电极416邻接的IDT403中,与IDT404邻接的电极指是接地电极,与作为对置的梳型电极416的最外电极指的信号电极,形成比上述无(小)电场区域的电场大的多个电场区域。
当这样的电极指排列时,如实施例1那样,通过为了使与在最外电极指近旁(或面对上述最外电极指)具有无电场区域的梳型电极417连接的平衡信号端子413的对地电容,比与梳型电极416连接的平衡信号端子412相对地增大,而例如由突出部分509进行设定,能够改善相位平衡度。
其次,我们调查如图12所示,分别与IDT704的各IDT703、705邻接的各电极指是中性点电极(既可以是浮动电极也可以是接地电极)的情形。在图13中,表示出在图12的电极构成情形中的图10所示的压电基片501上的布局时(实施例1的一个变形例)的相位平衡度,在图14中,表示出在图12的电极构成情形中的图5所示的布局时(比较例3)的相位平衡度。作为比较例2,在图12的电极构成情形中的图9所示的布局(无突出部)时的相位平衡度也分别作为比较例2,一起表示在图13和图14中。图13和图14是为了在突出部515和突出部509的地方加入0.02pF的对地电容而分别进行调整时的结果。
在图12所示的电极指排列的情形中,我们看到如图10所示的布局那样,通过使与梳型电极716连接的平衡信号端子712的对地电容,比与梳型电极717连接的平衡信号端子713相对地增大,能够改善相位平衡度。
其次,我们分别调查在图12的电极构成中,对于各平衡信号端子不平衡地,分别串联地附加延迟线和电感成分时的相位平衡度。
在图15中,表示出在与梳型电极716连接的平衡信号端子712上,附加作为图1所示电抗成分120的延迟线720的构成(实施例1的其它变形例),在图16中,表示出附加作为图1所示电抗成分120的电感成分722的构成(实施例1的另一个其它变形例)。
在图17和图18中表示出图15和图16的各构成中的相位平衡度。作为比较,也将在图12的构成中的图9的布局中既不附加延迟线也不附加电感成分时的相位平衡度作为比较例2分别一起表示在图17和图18中。
我们省略上述延迟线720和电感成分722的具体形成方法,但是考虑例如或设置加长压电基片上和外壳内的引导配线的延迟线,或设置由微带线路产生的电感成分的情形。
又,如果可能的话,例如分别由图31(a)和图31(b)表示的那样,也可以外附在外壳内部以外的外部位置上。在图31(a)中,在侧壁部分652和底板651的境界部分上设置构成延迟线和电感成分(电抗成分)的电路655,在图31(b)中,也可以在底板上设置层积板657、在层积板657上在它的厚度方向中的敷镀金属夹层孔658、和构成通过敷镀金属夹层孔658连接,在底板651和层积板657之间形成的延迟线和电感成分的电路659。
如从图17和图18可以看到的那样,即便当插入延迟线720、电感成分722中的任何一个时,与比较例2比较也改善了相位平衡度。此外,在图4的电极构成中,相反地最好在平衡信号端子413上附加延迟线720或电感成分722。
如以上说明的那样,在实施例1中,在压电基片上设置具有沿弹性表面波的传输方向形成的3个IDT的纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器,沿弹性表面波的传输方向2分割3个IDT中处在中央位置的IDT,通过使左右的IDT的极性反转具有平衡-不平衡变换功能的弹性表面波装置中,通过在2个的各平衡信号端子之间使作为对地电容、串联连接的电感成分、和延迟线中的至少一个的电抗成分非对称,能够改善弹性表面波装置的相位平衡度。
在实施例1中,作为使对地电容增大的方法,如图5所示,表示了使在压电基片501上的信号电极接近接地电极的方法,但是也可以如图19所示在梳型电极中形成电容517。又,也可以调整外壳640内的引导配线。
又,在实施例1中,为了消除其余的不平衡成分,出了在平衡信号端子上,非对称地附加对地电容、电感成分、延迟线以外,还使压电基片501上的布局、外壳640等相同。因此,表示了外壳640的里面640a一侧的各电极端子641~645的数量为5时的例子(请参照图6),但是本发明不限于这种外壳,如果是以2分割的中央IDT为中心,对于与弹性表面波的传输方向垂直的方向上的假想轴A能够实现轴对称的外壳,则也可以使用无论什么样的外壳。
例如,在如图20那样地具有6个电极端子801~806的外壳800的情形中,通过将电极端子801作为不平衡信号端子,将各电极端子802、803作为平衡信号端子,将各电极端子804~806作为接地端子,能够实现对于假想轴A的轴对称。
这时,在压电基片501上的图案布局如图21所示,通过将弹性表面波的传输方向作为沿压电基片501的长边方向的方向,分别使压电基片501上的电极垫片901与电极端子801连接,使电极垫片902与电极端子802连接,使电极垫片903与电极端子803连接,使各电极垫片904~906与成为接地端子的各电极端子804~806连接,在压电基片501上也能够容易地实现对于假想轴A的轴对称。
又,在实施例1中,如图7那样,在倒装法中用使外壳与压电基片导通的方法制作弹性表面波装置,但是即便它是导线粘合法也没有问题。
又,作为用倒装法制作的构成不限于图7的构成,例如,也能够以如图7那样,在集合基片1001上用倒装法粘合压电基片1002,在其上覆盖树脂1003进行密封,以1个外壳为单位由切割机进行切割的构成、和如图23那样,在集合基片1101上用倒装法粘合压电基片1102,在其上覆盖片状树脂材料1103进行密封,以1个外壳为单位由切割机进行切割的构成,制作弹性表面波装置。
在实施例1中,表示了在具有3个IDT的纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器中,串联连接弹性表面波谐振器的构成,但是我们看到即便在不连接弹性表面波谐振器的构成中和进一步并联连接的构成中,也能够得到同样的效果。又,如图24那样,也可以在3个IDT的两侧,进一步设置IDT的5个IDT的纵耦合谐振器型的构成。
又,如图25那样,即便对与IDT邻接的附近的电极指130实施加权,也能够得到本发明的效果。在图25的构成中,能够进一步改善平衡度。作为加权的例子,在图25中用串联加权,但是也可以是间隔加权、交叉宽度加权、占空比加权。
又,在本发明中,如图2那样,在纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器101中,也可以是级联连接其它纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器201的构成。这时,希望位于纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器201的中央部分的IDT203,总电极指根数为偶数根。
又,为了使通过将纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器101与纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器201相互连接起来的各信号线205、206传输的信号的相位约差180度,而希望调整各IDT102、104和各IDT202、204的朝向。通过上述的构成,能够得到平衡度更卓越的弹性表面波装置。
图26、图27中表示了将当用图2的电极构成时的压电基片上的布局例安装在图6所示的具有5个各电极端子的外壳中的情形,又,图28、图29中表示了安装在图20所示的具有6个电极端子的外壳中的情形。
这时,形成各电极垫片1201、1301、1401、1501与不平衡信号端子连接,各电极垫片1202、1203、1302、1303、1402、1403、1502、1503与平衡信号端子连接,其余的与接地端子连接的构成。
在实施例1中,将40±5°YcutX传输LiTaO3基片用作压电基片,但是也可以从得到效果的原理看到,本发明不限于这种压电基片501,即便用64°~72°YcutX传输LiNbO3、41°YcutX传输LiNbO3等的压电基片,也可以得到同样的效果。
其次,我们根据图30说明用与本发明有关的,上述实施例1和它的各变形例中的任何一个或将它们的特征组合起来的,本发明的弹性表面波装置的通信装置。
如图30所示,上述通信装置600具有作为进行接收的接收机一侧(Rx一侧),备有天线601、天线共用单元/RF顶部滤波器602、放大器603、Rx段间滤波器604、混频器605、第1IF滤波器606、混频器607、第2IF滤波器608、第1+第2本地合成器611、TCXO(temperaturecompensated crystal oscillator(温度补偿型石英振荡器)612、分频器613、本地滤波器614的构成。从Rx段间滤波器604到混频器605,最好如图30中2条线所示那样,为了确保平衡性用各平衡信号进行发射。
又,上述通信装置600具有作为进行发射的发射机一侧(Tx一侧),共用上述天线601和上述天线共用单元/RF顶部滤波器602,并且备有TxIF滤波器621、混频器622、Tx段间滤波器623、放大器624、耦合器625、隔离器626、APC(automatic power control(自动输出控制))627的构成。
而且,上述本实施例的弹性表面波装置能够很适合地应用于上述Rx段间滤波器604、第1IF滤波器606、TxIF滤波器621、Tx段间滤波器623、天线共用单元/RF顶部滤波器602中。
与本发明有关的弹性表面波装置备有滤波器功能和平衡-不平衡变换功能,此外,具有各平衡信号之间的振幅特性和相位特性更接近理想的卓越特性。因此,具有上述弹性表面波装置的本发明的通信装置通过使用复合化的上述弹性表面波装置,能够减少构成部件数,实现小型化,并且能够提高传输特性。
如以上说明的那样,本发明的弹性表面波装置是具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向形成的3个IDT的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器,在沿弹性表面波的传输方向大致对称地2分割上述纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器的3个IDT中处在中央位置的IDT,使它们分别与平衡信号端子连接,使极性反转的左右的IDT与不平衡信号端子连接,具有平衡-不平衡变换功能的弹性表面波装置中,具有电抗成分与上述各平衡信号端子中的任何一个连接,在压电基片上、与外壳和外附在外壳上的至少一个连接的构成。
因此,上述构成,通过使电抗成分与各平衡信号端子中的任何一个连接,能够达到改善各平衡信号端子之间的平衡度那样的效果。
Claims (9)
1、一种弹性表面波装置,包括压电基片和纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器,所述纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向配置的5个梳型电极部分,并具有平衡一不平衡变换功能;
所述5个梳型电极部分中位于中央的梳型电极部分,具有通过将其一方梳型电极在弹性表面波传输方向分割而形成的第一、第二分割电极部分,该第一、第二分割电极部分与第一、第二平衡信号端子连接,在位于中央的梳型电极部分的两侧的2个梳型电极部分中的一个梳型电极部分与另一个梳型电极部分成反型,并且该中央的梳型电极部分两侧的2个梳型电极部分与不平衡信号端子连接;
在所述5个梳型电极部分中,在弹性表面波传输方向上隔着间隙而相邻的一个梳型电极部分的该间隙一侧端部以及另一个梳型电极部分的该间隙一侧端部分别设置有窄间距电极指部分。
2、根据权利要求1所述的弹性表面波装置,其特征在于,
所述窄间距电极指部分是与设置了窄间距电极指部分的梳型电极部分的窄间距电极指部分之外的部分的电极指间距相比,其电极指间距相对要窄的电极指部分。
3、根据权利要求1所述的弹性表面波装置,其特征在于,
所述弹性表面波滤波器进一步具有进行倒装接合法的外壳。
4、根据权利要求1或2所述的弹性表面波装置,其特征在于,
所述位于中央的梳型电极部分的最外电极指是浮动电极或接地电极;
让接近与所述位于中央的梳型电极部分相邻的2个梳型电极部分中与所述位于中央的梳型电极部分相邻的最外电极指接地的梳型电极部分的平衡信号端子一方具有相对大的寄生电容,而非对称地形成引导配线。
5、根据权利要求1或2所述的弹性表面波装置,其特征在于,
所述位于中央的梳型电极部分的最外电极指是信号电极;
让接近与所述位于中央的梳型电极部分相邻的2个梳型电极部分中与所述位于中央的梳型电极部分相邻的最外电极指是信号电极的梳型电极部分的平衡信号端子一方具有相对大的寄生电容,而非对称地形成引导配线。
6、根据权利要求1或2所述的弹性表面波装置,其特征在于,
所述位于中央的梳型电极部分的最外电极指是浮动电极或接地电极;
对接近与所述位于中央的梳型电极部分相邻的2个梳型电极部分中与所述位于中央的梳型电极部分相邻的最外电极指接地的梳型电极部分的平衡信号端子,附加电感成分或者延迟线。
7、根据权利要求1或2所述的弹性表面波装置,其特征在于,
所述位于中央的梳型电极部分的最外电极指是信号电极;
对接近与所述位于中央的梳型电极部分相邻的2个梳型电极部分中与所述位于中央的梳型电极部分相邻的最外电极指是信号电极的梳型电极部分的平衡信号端子,附加电感成分或者延迟线。
8、一种弹性表面波装置,备有纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器,该纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器具有在压电基片上沿弹性表面波的传输方向形成的3个以上的奇数个梳型电极部分,具有沿弹性表面波的传输方向2分割上述奇数个梳型电极部分中处在中央位置的梳型电极部分一方的梳型电极并分别与平衡信号端子连接、与处在该中央位置的梳型电极部分邻接的2个梳型电极部分具有相互反转的构造并且具有与不平衡信号端子连接的平衡-不平衡变换功能,
处在上述中央位置的梳型电极部分的最外电极指是浮动电极或接地电极,
对处于上述中央位置的梳型电极部分上相邻接的2个梳型电极部分,非对称地形成引导配线,以使位于与处在上述中央位置的梳型电极部分邻接的最外电极指接地的梳型电极部分附近一侧的平衡信号端子一方电抗成分相对地变大;
在上述弹性表面波滤波器中,对在相互邻接的梳型电极部分的至少一方的梳型电极部分中邻接部分附近的电极指加权。
9、根据权利要求8所述的弹性表面波装置,其特征在于,
上述加权是串联加权。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002251950A JP3931767B2 (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2002251950 | 2002-08-29 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031557171A Division CN1263337C (zh) | 2002-08-29 | 2003-08-29 | 弹性表面波装置、通信装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1855709A true CN1855709A (zh) | 2006-11-01 |
Family
ID=31492623
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031557171A Expired - Lifetime CN1263337C (zh) | 2002-08-29 | 2003-08-29 | 弹性表面波装置、通信装置 |
CNA2006100844477A Pending CN1855709A (zh) | 2002-08-29 | 2003-08-29 | 弹性表面波装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031557171A Expired - Lifetime CN1263337C (zh) | 2002-08-29 | 2003-08-29 | 弹性表面波装置、通信装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6985048B2 (zh) |
EP (1) | EP1394941A3 (zh) |
JP (1) | JP3931767B2 (zh) |
KR (3) | KR100583669B1 (zh) |
CN (2) | CN1263337C (zh) |
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US8421555B2 (en) | 2009-02-02 | 2013-04-16 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Receiving side filter of duplexer and duplexer |
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CN100512000C (zh) | 2004-11-04 | 2009-07-08 | 株式会社村田制作所 | 平衡型saw滤波器 |
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-
2002
- 2002-08-29 JP JP2002251950A patent/JP3931767B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-08-29 CN CNB031557171A patent/CN1263337C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 KR KR1020030060254A patent/KR100583669B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-29 CN CNA2006100844477A patent/CN1855709A/zh active Pending
- 2003-08-29 EP EP03292135A patent/EP1394941A3/en not_active Withdrawn
- 2003-08-29 US US10/652,950 patent/US6985048B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-01 KR KR1020050116128A patent/KR100622258B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-01 KR KR1020050116129A patent/KR100560074B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3931767B2 (ja) | 2007-06-20 |
CN1496174A (zh) | 2004-05-12 |
EP1394941A3 (en) | 2010-02-10 |
US20040080385A1 (en) | 2004-04-29 |
KR100583669B1 (ko) | 2006-05-26 |
JP2004096244A (ja) | 2004-03-25 |
KR100622258B1 (ko) | 2006-09-19 |
CN1263337C (zh) | 2006-07-05 |
KR20040020796A (ko) | 2004-03-09 |
KR20060001878A (ko) | 2006-01-06 |
US6985048B2 (en) | 2006-01-10 |
KR100560074B1 (ko) | 2006-03-13 |
EP1394941A2 (en) | 2004-03-03 |
KR20060001879A (ko) | 2006-01-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |