CN1853253A - 用于改良的电极板的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
电极板(26)构造为结合到等离子体处理系统中的电极(28)。该电极板(26)包括构造为容纳气体喷射装置(110)的多个气体喷射孔(100)。该电极板包括三个或更多安装孔(140),其中该电极板构造为通过使三个或更多安装孔与装到电极上的三个或更多安装螺钉对准并结合,而与电极结合。
Description
此PCT申请基于并要求对2003年11月12日递交的美国非临时专利申请号10/705,225的优先权,其整个内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及用于在等离子体处理系统中利用电极板的方法和设备,更具体而言,涉及便于改良等离子体处理系统的维护的电极板组件。
背景技术
在半导体工业中制造集成电路(IC),一般采用等离子体在从衬底去除材料和将材料沉积到衬底所需要的真空处理系统中产生并辅助实现表面化学处理。通常,通过将电子加热到足以维持与所供应的处理气体电离碰撞的能量而在处于真空条件下的处理系统内形成等离子体。而且,被加热的电子可以具有足以维持离解碰撞的能量,并因此选择预定条件(例如,室压、气体流率等)下的特定的一组气体,以产生适于在系统内正在进行的具体处理(例如,从衬底移除材料的刻蚀处理或将材料增加到衬底的沉积处理)的带电物质和化学反应物质的群。
虽然带电物质(离子等)和化学反应物质的群的形成是为在衬底表面处实现等离子体处理系统的功能(例如,材料刻蚀、材料沉积等)所需的,但是在处理室的内部上的其他部件表面也暴露于物理和化学活性的等离子体,并在当时可以被腐蚀。在处理系统中暴露部件的腐蚀可以导致等离子体处理性能的逐渐劣化并最终导致系统的完全失效。
因此,为了最小化由于暴露于处理等离子体而承受的损害,诸如由硅、石英、氧化铝、碳、或碳化硅制造的部件之类的可消耗或可更换的部件可以插入在处理室中,以保护在频繁更换时带来更高成本和/或使处理发生改变的更有价值的部件的表面。此外,所期望的是所选择的表面材料,其能够使不需要的污物、杂质等被引入到处理用等离子体以及可能被引入到形成在衬底上的器件的情形降低到最小程度。这些可消耗或可更换部件经常被认为是处理配套用具的一部分,其在系统清洁期间经常被维护。
发明内容
描述了用于在等离子体处理系统中利用电极板的方法和装置。
根据一个方面,一种电极板组件,用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间,所述电极板组件包括构造为结合到所述等离子体处理系统的电极,所述电极包括固定地结合到所述电极的三个或更多安装螺钉。电极板包括多个气体喷射孔和三个或更多安装孔,所述三个或更多安装孔构造为对准并结合到所述安装螺钉以将所述电极板结合到所述电极。多个气体喷射装置结合到所述多个气体喷射孔,其中所述处理气体经过所述多个气体喷射装置进入所述处理空间中。
根据本发明的另一个方面,一种一次性的电极板,用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间,所述电极板包括多个气体喷射孔和三个或更多安装孔,其中所述电极板构造为通过将所述三个或更多安装孔与固定地装到电极的安装螺钉对准并结合,而与所述电极结合。多个气体喷射装置结合到所述多个气体喷射孔,其中所述处理气体经过所述多个气体喷射装置进入所述处理空间中。
此外,一种更换电极板的方法,所述电极板用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间,所述方法包括从所述等离子体处理系统取下第一电极板,和将第二电极板安装在所述等离子体处理系统中。所述第一电极板和所述第二电极板每个都包括构造为容纳气体喷射装置的多个气体喷射孔和三个或更多安装孔,其中所述第一电极板和所述第二电极板的每个都构造为通过将所述三个或更多安装孔与固定地装到所述等离子体处理系统中的电极的三个或更多安装螺钉对准并结合,而与所述电极结合。
附图说明
附图中:
图1图示了根据本发明实施例的等离子体处理系统的示意框图;
图2表示了根据本发明实施例的电极板的平面图;
图3表示了图2所示的电极板的剖视图;
图4表示了图2所示的电极板中气体喷射孔的放大剖视图;
图5表示了结合到图2所示的电极板的安装孔的放大视图;
图6表示了根据本发明实施例的电极的平面图;
图7表示了图6所示的电极的剖视图;
图8A图示了结合到图6所示的电极的第一密封装置的剖视图;
图8B图示了结合到图6所示的电极的第二密封装置的剖视图;
图9图示了结合到图6所示的电极的电接触装置的剖视图;
图10表示了构造为结合到图2所示的电极板的气体喷射装置的平面图;
图11表示了构造为结合到图2所示的电极板的气体喷射装置的剖视图;
图12A至12D表示了构造为结合到图2所示的电极板的可选气体喷射装置;
图13表示了构造为结合到图6所示的电极的安装螺钉的侧视图;
图14表示了图13所示的安装螺钉的俯视图;且
图15表示了更换电极板的方法,所述电极板用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间。
具体实施方式
在等离子体处理中,电极板可以例如构造为安装在处理室的上表面上,并被采用用于将处理气体分配到处理室中的处理空间。对于传统的等离子体处理系统,电极板电结合到接地电势,并设计为具有多个气体喷射口的喷头构造,用于在衬底上方均匀分布处理气体。
根据本发明的实施例,图1中描述的等离子体处理系统包括等离子体处理室10、上组件20、电极板组件24、用于支撑衬底35的衬底座30、和结合到真空泵(未示出)的用于在等离子体处理室10中提供减压气氛11的泵吸管道40。等离子体处理室10有助于在处理空间12中于衬底35附近形成处理用等离子体。等离子体处理系统1可以构造为处理任何尺寸的衬底,例如200mm衬底、300毫米衬底、或更大的衬底。
在图示实施例中,电极板组件24包括构造为结合到气体喷射组件的电极板26和电极28,和/或上电极阻抗匹配网络。电极板组件24可以结合到RF源。在另一个可选实施例中,电极板组件24维持在与等离子体处理室10相同的电势上。例如,等离子体处理室10、上组件20、和电极板组件24可以电连接到接地电势。
等离子体处理室10还可以包括结合到沉积护罩14的光学观察口16。光学观察口16可以包括结合到光学窗沉积护罩18的光学窗17,且光学窗凸缘19可以构造为将光学窗17结合到光学窗沉积护罩18。诸如O环之类的密封构件可以设置在光学窗凸缘19与光学窗17之间、光学窗17与光学窗沉积护罩18之间、以及光学窗沉积护罩18与等离子体处理室10之间。光学观察口16可以允许对来自在处理空间12的处理等离子体的光学发射的监视。
衬底座30还可以包括由波纹管52包围着的竖直平移设备50。波纹管52结合到衬底座30和等离子体处理室10,并构造为将竖直平移设备50与等离子体处理室10中的减压大气11密封开。此外,波纹管护罩54可以结合到衬底座30并构造为保护波纹管52不受处理等离子体的影响。衬底座30还可以结合到会聚环60和护罩环62中的至少一个。此外,导流板64可以绕衬底座30的外周延伸。
衬底35可以通过槽阀(未示出)和室送给通道(未示出)经由自动机械衬底传送系统被传送出入等离子体处理室10,在自动机械衬底传送系统处,衬底35由容纳在衬底座30内的提升销(未示出)接收并由容纳在自动机械衬底传送系统中的设备机械地传送。一旦衬底35从衬底传送系统被接收,就被降低到衬底座30的上表面。
衬底35可以经由静电夹紧系统装到衬底座30。此外,衬底座30还可以包括冷却系统,该冷却系统包括再循环冷却剂流,再循环冷却剂流能够从衬底座30接收热并将热传递到热交换器系统(未示出),或在加热时传递来自热交换器的热。而且,气体可以经由背侧气体系统递送到衬底35的背侧以提高衬底35与衬底座30之间的气体间隙热传导性。当需要在升高或降低的温度上对衬底的温度进行控制时,可以利用这样的系统。在其他实施例中,可以包括诸如电阻性加热元件之类的加热元件,或热电加热器/冷却器。
在图1所示的实施例中,衬底座30可以包括电极,RF功率可以通过该电极结合到处理空间12中的处理等离子体中。例如,经由从RF产生器通过阻抗匹配网络(未示出)到衬底夹持座30的RF功率的传输,衬底座30可以电偏压在RF电压上。RF偏压可以用于加热电子以形成并维持等离子体。在此构造中,系统可以作为反应离子刻蚀(RIE)反应器运行,其中处理室和上气体喷射电极充当接地表面。通常用于RF偏压的频率可以在从约1MHz到约100MHz的范围内,或可以是约13.56MHz。用于等离子体处理的RF系统对本领域技术人员是公知的。
可选地,可以使用平行板、电容耦合等离子体(CCP)源、电感耦合等离子体(ICP)源以及它们的任何组合,并且可以使用或不使用磁体系统,来形成处理空间12中的处理等离子体。可选地,可以使用电子回旋共振(ECR)来形成处理空间12中的处理等离子体。在另一个实施例中,通过发射螺旋波(Helicon wave)来形成处理空间12中的处理等离子体。在另一实施例中,由传播表面波来形成处理空间12中的处理等离子体。
现在参考本发明的说明性实施例,电极板组件24包括在图2(俯视图)和图3(剖视图)所示的电极板26。电极板26构造为结合到图6(俯视图)和图7(剖视图)所示的电极28。电极板26包括第一表面82、第二表面84、和周缘88,第一表面82具有用于将电极板26结合到电极28的结合表面83,第二表面84包括构造为面对等离子体处理室10(参见图1)中的处理等离子体的等离子体表面85。如图3所示,周缘88还可以包括例如倒角缘89。
继续参考图2和图3,并如图10和图11所示,电极板26还包括在第一表面82与第二表面84之间延伸的一个或多个气孔100,其中每个气体喷射孔100(见图4)构造为容纳如图10和11所示的可更换的气体喷射装置110。每个气体喷射孔100包括插头容纳区域102、接于插头容纳区域102的台肩定位区域104、和接于台肩定位区域104的顶端容纳区域106。现在参考图10和图11,每个可更换的气体喷射装置110包括插头区域112、接于插头区域112的台肩区域114、和接于台肩区域114的顶端区域116,其中每个气体喷射装置110构造为插入到每个气体喷射孔100中,使得插头容纳区域102容纳插头区域112,顶端容纳区域106容纳顶端区域116,台肩定位区域104使气体喷射装置110的台肩区域114定位。
仍然参考图10和图11,每个气体喷射装置110包括气体喷射口120,其具有用于接收处理气体的入口区域122和用于将处理气体联到等离子体处理室10的出口区域124,出口区域124包括与等离子体表面85毗邻的喷射表面126。处理气体可以例如包括诸如氩、CF4和O2,或者氩、C4F8和O2之类的气体混合物来用于氧化刻蚀的场合,或者包括例如O2/CO/Ar/C4F8、O2/Ar/C4F8、O2/CO/Ar/C5F8、O2/CO/Ar/C4F6、O2/Ar/C4F6、N2/H2、N2/O2等化学组合。
形成在电极板26内的气体喷射孔100的数量可以在从约1到约10,000的范围内。可选地,气体喷射孔100的数量可以在从约50到约500的范围内;或气体喷射孔100的数量可以是至少约100。此外,气体喷射口120的直径可以在从约0.1到约20mm的范围内。可选地,该直径可以在从约0.5到约5mm或者从约0.5到约2mm的范围内。此外,气体喷射口120的长度可以在从约0.5到约20mm的范围内。可选地,其长度可以在从约2到约15mm或者从约3到约12mm的范围内。
如上所述,气体喷射口的直径和长度可以改变。例如,图12A所表示的气体喷射装置,相对于图10所示的气体喷射装置,具有更短长度的气体喷射口,图12B所表示的气体喷射装置,相对于图10所示的气体喷射装置,具有更大直径的气体喷射口。可选地,气体喷射口可以包括诸如图12C所示的锥形发散喷嘴之类的发散喷嘴,或者如图12D所示的长度最小或理想的喷嘴;后者对于压缩气体动力学中喷嘴设计领域的技术人员是可理解的。可选地,气体喷射口可包括诸如锥形收敛喷嘴之类的收敛喷嘴。
此外,将气体喷射装置110插入电极板26的气体喷射孔100中的方式,可以是有利于小孔直径、小孔长度和小孔形状中至少一项在电极板26的等离子体表面85上的分布的方式。例如,为了相对于处理气体到处理空间12的边缘的流动增加处理气体到处理空间12的中心的流动,可以朝向电极板26的中心分布具有直径增大或长度缩短中至少一种情况的气体喷射装置110。可选地,为了相对于处理气体到处理空间12的边缘的流动减少处理气体到处理空间12的中心的流动,可以朝向电极板26的中心分布具有直径减小或长度延长中至少一种情况的气体喷射装置110。
仍然参考图2和图3,电极板26还包括可以便于将电极板26结合到电极28的三个或更多附装装置140。如图5所示,每个附装装置140包括凹槽142和槽唇144,为了在电极板26的旋转时保持安装螺钉,槽唇144在每个凹槽142的顶部的一部分之上延伸。由于槽唇144仅在凹槽142的一部分之上延伸,所以设置了插入开口146,用于将附装螺钉结合到凹槽142。
电极板26可以由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、特氟纶、和聚酰亚胺中的至少一种制成。电极板26可以例如使用机械加工、激光切割、磨削、和抛光中的至少一种来制造。
对于带涂层的铝,当电极板26暴露于诸如等离子体之类的苛刻处理环境时,该涂层可以便于提供抗腐蚀表面。在制造期间,提供涂层可以包括在一个或多个表面上进行表面阳极电镀、在一个或多个表面上进行喷涂、或使使一个或多个表面进行等离子体电解氧化中的至少一种。该涂层可以包括元素周期表第III列的元素和稀土元素中的至少一种。该涂层可以包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、和DyO3中的至少一种。阳极电镀铝部件和涂敷喷涂涂层的方法对表面材料处理领域的技术人员是公知的。
可以使用上述技术中的任何一种涂覆电极板26上的全部表面。在另一个示例中,可以使用上述技术中的任何一种来涂覆电极板26上的除了如图2所示的第二表面上的接触区域83(交叉线阴影区域)之外的全部表面。在将涂层施加到电极板26的表面之前,可以遮挡接触区域83以防止在其上面形成涂层。可选地,在将涂层施加到电极板26的表面之后,可以对接触区域83机械加工以除去形成在其上的涂层。
此外,每个气体喷射装置110可以由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、特氟纶、和聚酰亚胺中的至少一种制成。对于带涂层的铝,当电极板26暴露于诸如等离子体之类的苛刻处理环境时,该涂层可以便于提供抗腐蚀表面。在制造期间,提供涂层可以包括在一个或多个表面上进行表面阳极电镀、在一个或多个表面上进行喷涂、或使一个或多个表面进行等离子体电解氧化中的至少一种。该涂层可以包括元素周期表第III列的元素和稀土元素中的至少一种。该涂层可以包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、和DyO3中的至少一种。阳极电镀铝部件和涂敷喷涂涂层的方法对表面材料处理领域的技术人员是公知的。每个气体喷射装置110可以使用例如机械加工、激光切割、磨削、和抛光中的至少一种来制造。
现在参考图6和图7,分别示出了电极28的俯视图和电极28的剖视图。电极28包括后表面182、前表面184和外径向边缘190。后表面182具有用于将电极28结合到上组件20的结合表面182A,前表面184包括构造为与电极板26结合的第一匹配表面185和构造为将电极28与处理室10结合的第二匹配表面195。继续参考图6和图7,电极28还包括在增压表面182B与前表面184之间延伸的一个或多个气体喷射匹配孔200,其中每个气体喷射匹配孔200构造为当电极板26结合到电极28时与每个气体喷射孔100对准。充气表面182B可以从接触表面182A凹入以形成增压室。
此外,参考图13、图14、和图6,电极28包括便于将电极板26结合到电极28的三个或更多连接部件。每个连接部件包括如图13(侧视图)和图14(俯视图)所示的安装螺钉240,其构造为结合到电极28上的安装孔242。每个安装螺钉240可以包括具有用于在安装孔242中调节安装螺钉240的工具匹配部分的头部区域244、接于头部区域244的杆区域246和接于杆区域246的螺纹端248。为了容纳安装螺钉240的螺纹端248,每个安装孔242可以包括带螺纹的区域。为了紧固每个安装螺钉240,并保持头部区域244相对于电极28的前表面184的位置,每个安装孔242可以可选地包括锁止螺旋线(locking heicoil)。每个安装螺钉240在每个安装孔242中的初始调节可以确定电极板26结合到电极28的程度。一旦三个或更多安装螺钉240结合到电极28,电极28就被设置成通过将每个安装螺钉240的每个头部区域244与电极板26上的每个凹槽142的插入开口146对准,并如图2所示逆时针(或可选地,顺时针)旋转电极板26直到每个凹槽142的槽唇144使每个安装螺钉240的头部区域244定位,来接收电极板26。
电极28可以由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、特氟纶、和聚酰亚胺中的至少一种制成。电极28可以使用机械加工、激光切割、磨削、和抛光中的至少一种来制造。
对于带涂层的铝,当电极板26暴露于诸如等离子体之类的苛刻处理环境时,该涂层可以便于提供抗腐蚀表面。在制造期间,提供涂层可以包括在一个或多个表面上进行表面阳极电镀、在一个或多个表面上进行喷涂、或使一个或多个表面进行等离子体电解氧化中的至少一种。喷涂涂层可以包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、和DyO3中的至少一种。该涂层可以包括元素周期表第III列的元素和稀土元素中的至少一种。阳极电镀铝部件和涂敷喷涂涂层的方法对表面材料处理领域的技术人员是公知的。
可以使用上述技术中的任何一种涂覆电极28上的全部表面。在另一个示例中,可以使用上述技术中的任何一种涂覆电极28上的除了如图6所示的后表面182上的接触区域183(交叉线阴影区域)之外的全部表面。在将涂层施加到电极28的表面之前,可以遮挡接触区域183以防止在其上面形成涂层。可选地,在将涂层施加到电极28的表面之后,可以对接触区域183机械加工以除去形成在其上的涂层。
为了在电极28与上组件20之间设置真空密封,如图8A所示,电极28还可以在后表面182上包括具有鸽尾形横截面或矩形横截面的第一密封槽210,其构造为容纳弹性体O环。此外,为了在电极板26与电极28之间设置真空密封,如图8B所示,电极28还可以在前表面184上包括具有鸽尾形横截面或矩形横截面的第二密封槽212,其构造为容纳弹性体O环。当电极28由带涂层的铝制成时,从第一密封槽210和第二密封槽212的内部除去该涂层,或者防止该涂层形成在第一密封槽210和第二密封槽212的内部。
此外,电极28还可以包括电接触部分,其中该电接触特部分包括例如图9所示的构造为容纳诸如SpirashieldTM之类的可变形电接触装置的电接触槽220。当电极板26通过机械的方式紧固到电极28时,SpirashieldTM(具有由螺旋状金属铠装围绕的内部弹性芯)被压在电接触槽220内,因此,改善了例如在电极板26上的接触区域83与电极28之间的电接触。当电极28由带涂层的铝制成时,从电接触槽220的内部除去该涂层,或者防止该涂层形成在电接触槽220的内部。
此外,电极28还可以包括诊断端口230和结合到电极28的结合表面182A并构造为将诊断端口230与上组件20密封的第三密封部分232。如图7所示,诊断端口230可以包括入口腔234和包括内表面238的出口通孔236。类似地,第三密封部分232可以包括例如构造用于容纳弹性体O环的鸽尾形横截面或矩形横截面。诊断端口230可以用于将诊断系统(未示出)与等离子体处理室10的处理空间12结合。例如,诊断系统可以包括压力表。此外,一旦电极板26结合到电极28,电极板26上的第二出口通孔260构造为与电极28上的出口通孔236对准。
现在参考图15,描述用于从与衬底之上的处理空间相邻安装的电极更换电极板的方法。该方法包括流程300,其以从等离子体处理系统取下第一电极板的步骤310开始,其中电极板包括用于容纳多个气体喷射装置的多个气体喷射孔,处理气体通过气体喷射装置引到等离子体处理系统的处理空间。取下第一电极板可以包括例如将等离子体处理系统连通到大气条件并打开等离子体处理室以可进入其内部,接着将电极板从电极拆下。将电极板与电极分开可以包括例如使电极板相对于电极转动,以将安装螺钉与电极板上的凹槽脱离。
在步骤320中,通过将第二电极板结合到衬底座,将第二电极板安装在等离子体处理系统中。第二电极板可以包括重新整修后的第一电极板,或其可以是新制造的具有用于容纳多个气体喷射装置的多个气体喷射孔的电极板。重新整修可以包括更换第一电极板的气体喷射孔中的气体喷射装置。通过将每个安装螺钉的每个头部区域与第二电极板上的每个凹槽的插入开口对准,并如图2所示顺时针(或逆时针)旋转第二电极板直到每个凹槽的槽唇使每个安装螺钉的头部区域定位,将第二电极板结合到电极。
虽然以上仅详细描述了此发明的某些示例性实施例,但是本领域的技术人员将容易理解,在本质上不偏离此发明的创新教导和优点情况下,能够对上述示例性实施例作出许多修改。因此,所有这样的修改都将包括在此发明的范围内。
Claims (23)
1.一种电极板组件,用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间,所述电极板组件包括:
电极,被构造为结合到所述等离子体处理系统;
三个或更多安装螺钉,结合到所述电极上;
电极板,其包括多个气体喷射孔和三个或更多安装孔,所述三个或更多安装孔构造为对准并结合到所述安装螺钉,以将所述电极板结合到所述电极;
多个气体喷射装置,结合到所述多个气体喷射孔,其中所述处理气体经过所述多个气体喷射装置进入所述处理空间中。
2.如权利要求1所述的电极板组件,其中,所述气体喷射装置的每个都包括气体喷射口。
3.如权利要求2所述的电极板组件,其中,每一个所述气体喷射口的特征由直径、形状和长度来确定。
4.如权利要求3所述的电极板组件,其中,对于至少一个气体喷射口来说,其所述直径、形状和长度中的至少一个参数与另外的一个所述气体喷射口相比是不同的。
5.如权利要求4所述的电极板组件,其中,所述不同有助于相对流向所述处理空间边缘的处理气体流来说,增大流向所述衬底之上所述处理空间的中心的所述处理气体的流率。
6.如权利要求4所述的电极板组件,其中,所述不同有助于相对流向所述处理空间边缘的处理气体流来说,减小流向所述衬底之上所述处理空间的中心的所述处理气体的流率。
7.如权利要求1所述的电极板组件,其中,所述电极板由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、聚酰亚胺和特氟纶中的至少一种制成。
8.如权利要求1所述的电极板组件,其中,所述多个气体喷射装置由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、聚酰亚胺和特氟纶中的至少一种制成。
9.如权利要求1所述的电极板组件,其中,所述电极由铝、带涂层的铝、硅、石英、碳化硅、氮化硅、碳、氧化铝、蓝宝石、聚酰亚胺和特氟纶中的至少一种制成。
10.如权利要求1所述的电极板组件,其中,所述三个或更多安装螺钉的每个都包括头部区域,且所述三个或更多安装孔的每个都包括凹槽和槽唇,所述凹槽具有插入开口,所述插入开口构造为当所述电极板与所述电极对准时使所述头部区域经过,且所述槽唇构造为当将所述电极板结合到所述电极时对所述头部区域进行定位。
11.如权利要求7所述的电极板组件,其中,所述电极板由所述带涂层的铝制成,且该涂层包括表面阳极电镀、使用等离子体电解氧化形成的涂层和喷涂涂层中的至少一种。
12.如权利要求8所述的电极板组件,其中,所述多个气体喷射装置由所述带涂层的铝制成,且该涂层包括表面阳极电镀、使用等离子体电解氧化形成的涂层和喷涂涂层中的至少一种。
13.如权利要求9所述的电极板组件,其中,所述电极由所述带涂层的铝制成,且该涂层包括表面阳极电镀、使用等离子体电解氧化形成的涂层和喷涂涂层中的至少一种。
14.如权利要求7所述的电极板组件,其中,所述电极板由所述带涂层的铝制成,且该涂层包括元素周期表第III列元素和稀土元素中的至少一种。
15.如权利要求8所述的电极板组件,其中,所述多个气体喷射装置由所述带涂层的铝制成,且该涂层包括元素周期表第III列元素和稀土元素中的至少一种。
16.如权利要求9所述的电极板组件,其中,所述电极由所述带涂层的铝制成,且该涂层包括元素周期表第III列元素和稀土元素中的至少一种。
17.如权利要求7所述的电极板组件,其中,所述电极板由带涂层的铝制成,且该涂层包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一种。
18.如权利要求8所述的电极板组件,其中,所述多个气体喷射装置由带涂层的铝制成,且该涂层包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一种。
19.如权利要求9所述的电极板组件,其中,所述电极由带涂层的铝制成,且该涂层包括Al2O3、氧化钇(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、和DyO3中的至少一种。
20.一种一次性电极板,用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间,所述一次性电极板包括:
电极板,其包括多个气体喷射孔和三个或更多安装孔,其中,所述电极板构造为通过使所述三个或更多安装孔与装到电极上的安装螺钉对准并结合,而结合到所述电极;
结合到所述多个气体喷射孔的多个气体喷射装置,其中所述处理气体经过所述多个气体喷射装置进入所述处理空间中。
21.一种更换电极板的方法,所述电极板用于将处理气体引到等离子体处理系统中衬底之上的处理空间,所述方法包括:
从所述等离子体处理系统取下第一电极板;和
将第二电极板安装在所述等离子体处理系统中,
其中,所述第一电极板和所述第二电极板每个都包括构造为容纳气体喷射装置的多个气体喷射孔和三个或更多安装孔,其中,所述第一电极板和所述第二电极板的每个都构造为通过使所述三个或更多安装孔与装到所述等离子体处理系统中的电极的三个或更多安装螺钉对准并结合,而与所述等离子体处理系统中的所述电极结合。
22.如权利要求21所述的方法,还包括更换所述第一电极板的所述气体喷射孔中的所述气体喷射装置,来形成所述第二电极板。
23.如权利要求21所述的方法,其中,所述三个或更多安装螺钉的每个都包括头部区域,且所述三个或更多安装孔的每个都包括凹槽和槽唇,所述凹槽具有插入开口,所述插入开口构造为当所述电极板与所述电极对准时使所述头部区域经过,且所述槽唇构造为当将所述电极板结合到所述电极时,对所述头部区域进行定位,且所述安装的步骤包括相对于所述电极旋转所述第二电极板。
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