CN1852786A - 研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法 - Google Patents

研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1852786A
CN1852786A CNA2004800266353A CN200480026635A CN1852786A CN 1852786 A CN1852786 A CN 1852786A CN A2004800266353 A CNA2004800266353 A CN A2004800266353A CN 200480026635 A CN200480026635 A CN 200480026635A CN 1852786 A CN1852786 A CN 1852786A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ditch
substrate
abrasive cloth
wafer
under
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800266353A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1852786B (zh
Inventor
添田康嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of CN1852786A publication Critical patent/CN1852786A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1852786B publication Critical patent/CN1852786B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一种研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法，该研磨布用以研磨半导体基板，其特征为，该布表面至少形成具有放射状图案的沟，该沟位于基板正下方部位的沟体积总和的平均值/基板面积为0.06以上且0.23以下，而且，该沟的形成是位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于前述基板正下方的沟部分的沟深度浅，在前述沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点未存在于前述基板的正下方。借此，可以提供一种在半导体基板研磨时通过将必要量的研磨剂供应至基板中心部而可以高平坦度地进行研磨、而且不会发生剥离、扭曲、毛边、不会使半导体基板表面发生伤痕的研磨布及其加工方法以及基板的制造方法。

Description

研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种研磨布及该研磨布的加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法，该研磨布用以研磨基板、特别是半导体基板主表面。
背景技术
半导体基板为了在其主表面形成半导体装置，而要求具有高表面平坦度。这是因为构成半导体装置的配线的最小线宽非常小、为0.2微米以下，有必要使半导体基板主表面平坦来减少断线等的不良情况产生。因为增大半导体装置的集成度，该配线的最小线宽有更小的倾向，随着这倾向而要求进一步提高半导体基板的表面平坦度。
提高半导体基板的表面平坦度，用以研磨该表面的研磨材料是重要的。在CMP(化学机械剖光)等的单片研磨时，如图3所示，被固定于研磨头10上的半导体基板11，以所希望压力在压住贴在研磨机平台12上的研磨布13上面。而且，在研磨机平台12与半导体基板11依规定旋转数旋转的同时，从平台中央附近，喷出由喷嘴14供应的研磨剂(浆体)15，该研磨剂15进入半导体基板11与研磨布13之间进行研磨。
前述研磨方法无论半导体基板多大也大致相同，为了降低半导体装置的成本，半导体基板的大小正朝向大型化进展。在研磨时半导体基板与平台的旋转有必要维持半导体基板面内的研磨均匀性，半导体基板的大口径化使通过半导体基板的旋转在半导体基板外周部形成的离心力随着半导体基板外周部至中心部的距离而增加。因此，造成研磨剂难以进入半导体基板中心部的现象，因而使半导体基板面无法均匀地进行研磨，该结果成为使半导体基板平坦度恶化的主要原因。因此，为了使研磨到达半导体基板的中心部来均匀地进行研磨半导体基板面内，已发明形成有各式各样图案形状的沟的研磨布。
沟的形状有格子状(例如参照日本专利特开2002-100592号公报、特开2000-286218号公报、特开2000-354952号公报、特开2002-367937号公报)、三角格子状(例如参照特开2000-354952号公报)、龟甲状、放射状(例如参照特开平7-321076号公报、特开2002-100592号公报)、同心圆状(例如参照特开2002-100592号公报)、组合放射状沟与同心圆或螺旋状沟(例如参照特开2000-286218号公报、特开2000-354952号、特开2002-367937号公报)等，其目的都是通过提高研磨剂的保持性及流动性、使研磨剂到达半导体基板的中心部，使在半导体基板面内的研磨量均匀化。
在研磨布上形成具有格子状、龟甲状、三角格子状的图案的沟时，虽然也有沟与平台的直径方向平行的情况，但是几乎所有的沟都非平行。当沟与平台的直径方向平行时，因为通过平台旋转离心力可以直接传导至研磨剂，所以可以大程度地保持其流动性，研磨剂可以通过沟而到达与紧贴研磨布的半导体基板表面中心部。但是，沟与直径方向非平行时，离心力分开成为沟方向的力和与垂直交叉的方向的力，能够对研磨剂有作用的只有沟方向的力，所以研磨剂的流动性变小。而且，因为进入基板正下方的沟的研磨剂，在朝向平台外周方向前进期间在沟的分歧点被分流，所以通过1条沟的研磨剂的量本身一直减少。接着，当通过沟到达半导体基板表面中心部的研磨剂减少时，进入研磨布与半导体基板间的研磨剂也减少。其结果，因为在半导体基板表面外周部，研磨剂可以容易地从沟以外的部分进入研磨布与半导体基板之间，比较研磨速度时，会有半导体基板表面中心部的研磨速度较小而使半导体基板的主表面的平坦度恶化的情形。
另一方面，在研磨布上形成同心圆状、或是螺旋状的沟时，使用这种研磨布所研磨而成的半导体基板的表面，会形成被称为所谓研磨环的微小同心圆状凹凸。这是因为研磨布经常接触半导体基板表面中心的某半径区域表面，由沟所形成的研磨布凹凸转印在该半径区域而发生。因此使用形成有同心圆状、或是螺旋状的沟的研磨布来研磨半导体基板时，会有半导体基板表面平坦度恶化的情况。研磨布中有复合放射状的沟和同心圆状或是螺旋状的沟来形成研磨布表面，但只要在研磨布上存在有同心圆状或是螺旋状的沟，一定会发生研磨环的问题，而对基板的表面平坦度带来不良的影响。
在研磨布上形成放射状的沟时，因为不会发生因离心力的分散所造成的研磨剂流动性降低、基板正下方的沟部的研磨剂的分流、以及研磨剂环，和上述的沟形状比较时可以期待具有较好的研磨。在前述的日本专利特开平7-321076号公报、特开2002-100592号公报、以及特开2000-354952号公报，有公开形成这种放射状的沟的研磨布。
其中，特开平7-321076号公报的半导体装置的制造方法，公开一种研磨布，该研磨布的放射布的放射状的沟是直线、或是相对于研磨布的旋转方向为朝相反方向弯由的研磨布。该文献的实施，虽然形成的放射状的沟的条数、沟的形成间隔等可以有种种的变形，但是当基板的直径是200mm以上的大口径化时，若未规定由放射状的沟所形成、在被研磨基板正下方的沟部体积时，即使进行研磨平台或基板的旋转速度、推压基板的负荷、研磨的种类、以及浓度等各式各样的变更，也有研磨剂难以进入到达基板主表面的中心部而导致基板表面的平坦度恶化的可能性。
而且，特开2002-100592号公报，公开一种将扇状的研磨布片贴在研磨平台表面而制成的具有放射状沟的研磨布，但是，和上述特开平7-321076号公报同样，由于并未规定由放射状的沟所形成、在被研磨基板正下方的沟部体积而有同样的问题存在。
而且，特开2002-367937号公报是由无发泡树脂所构成的研磨布，有规定在该研磨布所形成沟与沟之间所形成凸部的上边、底边、及沟底部的宽度。确实地，在由无发泡树脂所构成的研磨布上形成的沟，若是格子状、三角格子状、同心圆状、螺旋状时，因为沟的间距可以一定，所以可以形成规定尺寸的沟。但是，当在研磨布上只有形成放射状的沟时，即使要应用该文献所规定的沟尺寸于放射状沟，是否应用于研磨布的最外周就可以，或是应用于放射状沟的中心附近就可以，或是在所形成的沟整体都必须有这样的规定尺寸就可以并不清楚，而有以下的问题存在，也就是说无法提供一种研磨布其具有最适合的放射沟的沟间隔，用以供应研磨剂至研磨中的基板的中心部，与上述特开平7-321076号公报及特开2002-100592号公报具有相同的问题存在。
而且，如上所述的半导体基板中，SOI晶片(即，绝缘层上覆硅晶片)的重要性正在提高。这是因为在具有电绝缘性的硅氧化膜上形成有硅活性层的SOI晶片，在支撑晶片与硅晶片活性层之间具有绝缘体的氧化膜(以下称为BOX氧化膜)，在硅活性层上所形成的电子元件具有耐电压高、α线的软错误(soft error)率低等重大优点，具有优良的元件高速性、低耗电性、高耐压性、耐环境性等。
而且，在硅活性为1微米以下厚度的薄膜SOI晶片，在硅活性层上所形成的MOS(金属氧化物半导体)型半导体装置，因为使其以完全耗尽型工作时，可以减少源极及漏极的PN接合面积，所以可以谋求元件驱动的高速化。而且，因为绝缘层的BOX氧化膜的电容与在栅极氧化膜正下方所形成的耗尽层电容串联，实质上耗尽层电容减少、可以实现低耗电化。
这样的SOI晶片，例如在至少单面具有平坦化及镜面化主面的第1晶片(以下称为黏着晶片)及第2晶片(以下称为基片晶片)中至少一方设置有BOX氧化膜，将该二片的主面间贴在一起而接合，并且施加热处理来强固接合后，从与黏着晶片主面的相反面侧进行磨削及研磨并在绝缘膜上形成规定厚度的硅活性层而制成。
而且，因为SOI晶片的硅活性层由半导体元件所形成，要求硅活性层具有高膜厚均匀性。特别是硅活性层为0.3微米以下，特别是0.1微米程度时，因为可以研磨的硅活性层本身也较薄，所以允许研磨量也有减少的倾向，在保持膜厚均匀性的同时，如何通过微小研磨来去除硅活性层表面的微小凹凸成为一重要课题。
因此，形成有如上所述的格子状、三角格子状、龟甲状、放射状、同心圆状、螺旋状的沟的绒面型研磨布虽然也可以使用来研磨SOI晶片的硅活性层，但是会发生研磨环以及无法得到良好的膜厚均匀性的质量上的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种研磨布，在进行研磨半导体基板时，通过研磨剂可以供应必要量至基板中心部而可以得到高平坦度的研磨，而且，特别是SOI晶片的研磨，在维持硅活性层的膜厚均匀性的同时，可以去除其表面的微小凹凸。而且，本发明的目是提供一种研磨布的加工方法，及使用这种研磨布的基板的制造方法，该研磨布的加工方法，在研磨布表面形成沟时，不会发生研磨布的扭曲及毛边、不会使半导体基板表面发生伤痕。
为达到上述目的，本发明提供一种研磨布，用以研磨基板，其特征为，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，该沟中，存在于前述基板正下方的沟部分总体积的平均值(mm3)/基板面积(mm2)为0.06以上且0.23以下。
这样，在基板研磨用研磨布表面所形成的放射状沟的中，存在于前述基板正下方的沟部分的总体积的平均值，相对于基板面积为上述0.06以上时，与基板面积的绝对值无关，因为通过在研磨布表面所形成的沟在研磨时供应至基板与研磨布之间的研磨剂，只有必要量存在于基板的正下方部，所以能够制造表面平坦度高的基板、或是膜厚均匀高的SOI硅晶，而且若0.23以下时可以作为不会发生研磨伤痕的研磨布。
而且，本发明提供一种研磨布，用以研磨基板，其特征为，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，该沟的形成是位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于前述基板正下方的沟部分的沟深度浅，在前述沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点未存在于前述基板的正下方。
这样，通过位于研磨布的比研磨基板更中心侧的沟部分的沟深度比存在于基板正下方的沟部分的沟深度浅而形成前述沟时，在研磨时研磨剂通过沟供应必要量至半导体基板正下方，而且，在沟形成加工时，因研磨布中心附近夹在沟与沟间的研磨布的宽度较窄而发生的研磨布扭曲、自平台剥离等，可以通过形成较浅的沟深度而不会发生，而且，因为在沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点并未存在于基板的正下方，所以可以防止与基板接触的沟部分发生毛边。其结果，可以作为一种在基板表面不会发生有因毛边造成的伤痕的具有高水平研磨状态的研磨布。形成这样的沟的研磨布，特别是使用作为研磨布中心部未剪下的单片式CMP用研磨布为较佳。这时，沟与沟的形成角度大于5度时，即使通过沟加工方法使研磨布外周部至中心的沟深度一定，在研磨平台中心附近不会发生研磨布从平台剥离、扭曲、毛边等问题，但是若是沟与沟的形成角度为5度以下时，因为在研磨平台中心附近会发生研磨布从平台剥离、扭曲、毛边等，有对晶片造成伤痕等影响的可能性，所以使用本发明研磨布为较佳。当然，即使沟与沟的形成角度大于5度时，也可以使用如前所述位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于前述基板正下方的沟部分的沟深度浅而形成的研磨布。
这时，前述沟最好是沟宽一定，沟与沟的形成角度最好是大于下述数学式1所得到的数值。
(数学式1)
沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心的距离-基板半径)))
若以沟与沟所形成的角为数学式1所得到数值以下的角度来形成沟时，沟与沟重叠在一起的部分会位于研磨基板的正下方。若基板的正下方有沟与沟重叠在一起的部分存在时，在基板的正下方也会有夹于放射状沟间的研磨布的三角状端部存在。该三角状端部在进行沟加工中会在基板表面发生研磨伤痕。但是，若是大于前述角度所形成的沟，因为在基板的正下方没有沟叠在一起部分，所以可以避免这种的研磨伤痕发生。
而且，前述沟的沟宽最好是2.0mm以下为较佳。
这样，若沟宽为2.0mm以下时，由研磨布表面与沟所形成的研磨布上的凹凸，较不会有转印至研磨基板表面而对其表面带来不良影响的可能性。进而沟宽在1.5mm以下时，因带来不良影响的可能性更低而较佳。而且，为了确保在沟中流动的研磨剂的量在某程度，沟宽以0.4mm以上更佳。
而且，本发明的研磨布，最好是不织布型或是绒面型。不织布型、绒面型的研磨布，一般而言被广泛地使用，在这样的研磨布上形成上述的沟时，可以提供一种研磨布，该研磨布能够制造表面平坦度更高的基板、膜厚均匀性更高的SOI晶片。
而且，本发明提供一种基板的制造方法，其特征为，使用形成有上述的沟的研磨布来研磨基板。
使用形成有上述的沟的研磨布来研磨基板的制造方法，因为可以将必要量的研磨剂供应至基板与研磨布之间而进行均匀的研磨，所以可以制造一种表面平坦度更高的基板、膜厚均匀性更高的SOI晶片。而且，因为使用不会发生剥离、扭曲、毛边的研磨布来研磨基板，所以可以制造表面没有发生研磨伤痕的基板。
这种情况，最好是使用单晶硅晶片或是SOI晶片作为前述研磨基板。
为了形成半导体装置，单晶硅晶片必须具有高的表面平坦度，而且，因为SOI晶片必须维持其硅活性层的膜厚均匀性，所以采用这样的制造方法时，可以适当地适应单晶硅晶片对高表面平坦度、SOI晶片对硅活性层的膜厚均匀性的要求。而且，因为也不会在表面发生研磨伤痕而较佳。
而且，本发明提供一种研磨布的加工方法，是一种在用以研磨基板的研磨布的表面形成沟的方法，其特征为，该沟的形成，具有放射状图案，这时，前述沟中，存在于前述基板正下方的全部沟部分的总体积的平均值(位于基板正下方部分的沟体积的总和的平均值)，以(位于基板正下方的沟体积的总和的平均值(mm3)/基板的面(mm2))来表示时，满足0.06以上且0.23以下的关系。
这样，在基板研磨用研磨布表面上放射状沟的形成，该沟中，存在于前述基板正下方的全部沟部分的总体积的平均值，如上所述，相对于该基板的面积，满足如上所述0.06以上的关系时，无关基板面积的绝对值，因为可以通过基板与研磨布之间的沟来供应，研磨时必要量的研磨剂，所以可以制造一种具有高表面平坦度的基板、或是膜厚均匀性高的SOI晶片，而且，满足如上所述0.23以下的关系时，可以加工成为一种不会发生研磨伤痕的研磨布。
而且，本发明提供一种研磨布的加工方法，是一种在用以研磨基板的研磨布的表面形成沟的方法，其特征为，该沟的形成，具有放射状图案，这时，前述沟中，位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比前述基板正下方的沟部分的沟深度浅，同时在前述沟的放射状图案的中央部的沟与沟重叠在一起的交点，不存在于前述基板的正下方。
这样，前述沟的形成，位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比前述基板正下方的沟部分的沟深度浅时，在研磨时必要量研磨剂可以供应至基板的正下方，而且在沟的形成加工时，由于在研磨布中心附近，夹于沟与沟间的研磨布的宽度变窄而发生的研磨布扭曲、自平台剥离等，通过加工使沟深度较浅而不发生，而且与此同时，因为在沟的放射状图案中央部的沟与沟叠在一起的交点不是位于基板的正下方，所以可以防止与基板接触的沟部分发生毛边。其结果，可以加工成为一种可以在没有因毛边造成基板伤痕的高水平状态进行研磨的研磨布。这样的沟加工，特别是适合于加工成为一种研磨布中心部未剪下的单片式CMP用研磨布时。这样，和上述相同理由，沟与沟所形成角度为5度以下时，因为在研磨平台中心附近，有发生研磨布从平台剥离、扭曲、毛边而对晶片造成伤痕等影响的可能性，所以最好是使用本发明的加工方法。当然，沟与沟的形成角度大于5度以上时，也可以依照本发明，加工成为位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比前述基板正下方的沟部分的沟深度浅的研磨布。
这时，上述沟最好是沟与沟所形成的角度以大于下述数学式1所得到的数值来形成。
(数学式1)
沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心的距离-基板半径))
若用比数学式1所得到数值的更小角度的沟与沟的形成角度来形成沟时，沟与沟之间叠在一起的部分会位于研磨基板的正下方。基板正下方若有沟与沟叠在一起的部分时，在基板正下方也会存在有夹于放射状沟间研磨布的三角状端部，该三角状端部在沟加工中容易发生从平台剥离、扭曲、毛边等，所述若发生时，进行研磨加工时会使基板表面发生毛边。因此，若形成大于前述角度的沟时，因为沟的重叠部分不是位于基板正下方，所以可以加工成为这样不会发生研磨伤痕的研磨布。
而且，前述沟的形成，沟宽为最好是2.0mm以下。
这样，形成沟宽为2.0mm以下的沟时，由研磨布表面与沟所形成的研磨布上的凹凸转印至研磨基板表面而带来其表面不良影响的可能性降低。而且，沟宽为1.5mm以下时，带来不良影响的可能性更低而较佳。而且，为了确保在沟中流动的研磨剂的量，形成沟宽为0.4mm以上的沟为更佳。
而且，前述研磨布最好是不织布型或绒面型。
不织布型或绒面型的研磨布，一般而言被广泛地使用，通过在这样的研磨布上形成上述的沟时，可以简单地加工成为研磨布，该研磨布能够制造表面平坦度更高的基板、膜厚均匀性更高的SOI晶片。
而且，本发明提供一种基板的制造方法，其特征为，使用通过上述的方法所加工成的研磨布研磨基板。
使用上述的方法所加工成的研磨布研磨基板的制造方法时，因为可以对基板与研磨布之间供应必要量的研磨剂来进行均匀的研磨，所以可以制造表面平坦度更高的基板、膜厚均匀性更高的SOI晶片。而且，因为用不会发生剥离、扭曲、毛边的研磨布研磨基板，所以可以制造表面上无发生研磨伤痕的基板。
这时，作为前述研磨基板，最好是使用单晶硅晶片或是SOI晶片。
为了形成半导体装置，单晶硅晶片必须具有高的表面平坦度，而且，因为SOI晶片必须维持其硅活性层的膜厚均匀性，所以采用这样的制造方法时，可以适当地适应单晶硅晶片对高表面平坦度、SOI晶片对硅活性层的膜厚均匀性的要求。而且，因为也不会在表面发生研磨伤痕而较佳。
本发明的研磨布，可以作为制造表面平坦度高的基板、或是膜厚均匀性高的SOI晶片的研磨布，而且，可以作为不会在基板表面发生研磨伤痕的研磨布。该研磨布特别是作为研磨布中心部未剪下的单片式CMP用研磨布时，效果很好。
而且，本发明的研磨布的加工方法，可以加工成为可以制造表面平坦度高的基板、或是膜厚均匀性高的SOI晶片的研磨布，而且，可以加工成为基板表面无发生研磨伤痕的研磨布。
而且，本发明的基板的制造方法，可以制造表面平坦度更高的基板、膜厚均匀性更高的SOI晶片。而且，因为使用不会发生剥离、扭曲、毛边的研磨布来研磨基板，所以可以制造表面无发生伤痕的基板。
附图说明
图1是说明依照本发明的研磨布的加工方法的概略图。
图2是依照本发明的研磨布的概略图。
图3是以往使用研磨布研磨半导体基板的概略图。
图4是在研磨布表面所形成的沟的剖面斜视图。
图5是显示晶片正下方的沟部分的概略图。
图6是显示研磨布表面所形成的沟与其沟体积剖面斜视图。
图7是显示通过研磨平台旋转在晶片正下方的沟体积部分的总和的变化的图(晶片为直径300mm时)。
图8是显示在研磨布表面所形成的沟及其沟面积的剖面斜视图。
图9是显示通过研磨平台旋转在晶片正下方的沟面积部分的总和的变化的图(晶片为直径300mm时)。
图10是显示沟与沟的交点位置的概略图。图10(a)是沟与沟间的角度比数学式1大时，图(b)是沟与沟间的角度比数学式1小时。
其中，附图标记说明如下：
A    研磨布表面    B    沟深度
C    研磨布中心    D    沟深度
4    沟体积        5    研磨布
6    沟            6′  沟
7    交点          8    沟部分区域
9    主表面区域    10   研磨头
11   基布          12   平台
13   研磨布        14   喷嘴
15   研磨剂        20   研磨布
21   沟
具体实施方式
以下说明本发明的实施例，是以研磨单晶硅晶片和SOI晶片的基板为例子进行说明，但是本发明并不限定于此。
如前所述，在研磨布上形成放射状的沟时，因为不会发生因离心力的分散而造成研磨剂的流动性下降、在基板正下方的沟部的研磨剂分流、以及研磨环等，若和格子状、同心圆状等其它沟形状比较时，可以期待具有良好的研磨。但是，形成放射状沟的研磨布有以下的问题。
通常放射状的沟，是以一定的沟与沟的形成角度在研磨布上形成。在如CMP装置等单面研磨装置的平台上，贴上这种具有放射状沟的研磨布来研磨单晶硅晶片和SOI晶片时，因为该晶片被固定于通过距研磨布中心一定距离的研磨头的推压圈，所以晶片中心与研磨布中心的距离为一定。因此，若晶片直径不同时，在晶片正下方存在的沟条数也不同，使通过沟供应至研磨布之间的研磨剂量有所差异。因此，即使使用同一研磨装置、同一研磨布、同一研磨条件进行研磨，研磨晶片的直径也不同，最后的晶片表面的平坦度也会出现差异。
另一方面，形成放射状的沟，例如使用开沟工具对研磨布进行开沟加工时，这时，沟条数若较多时，因为在研磨布中心附近存在于沟与沟之间的研磨布宽度会变为狭窄，所以在开沟加工中会发生研磨布会从平台剥离、扭曲等而无法正确地开沟，同时，在所形成的沟端面会发生毛头。该毛头若在研磨中与晶片表面接触时，会在该表面发生伤痕而带来晶片质量上的重大不良影响。这特别是发生于单片式CMP装置等所使用中心部未剪下的研磨布的问题。
因此，如前所述，例如特开2002-100592号公报公开一种具有放射状沟的研磨布，该研磨布将扇状的研磨布片贴在平台表面而制成。确实地，因为不必在研磨布形成沟，所以不会发生剥离、扭曲、毛头，但是，因为必须一片一片的研磨布的表面高度都整齐才可以，而且为了形成具有一定宽度的沟，贴上平台的精密度也是必要的，所以，实际上研磨使单晶硅晶片具有高表面平坦度、边保持膜厚均匀性高的SOI晶片边进行研磨是困难的。
本发明人等在研磨布上形成放射状的沟，对各种直径的单晶硅晶片、SOI晶片进行研磨实验，发现放射状沟的体积和单晶硅晶片、SOI晶片的面积之间有特别的关系而完成本发明。而且，以各种条件对研磨布进行沟形成实验，在形成沟时发现在平台中心附近即便使夹于沟之间的研磨布的宽度变小，也不会发生研磨布扭曲或是从平台剥离的沟形成方法，而完成本发明。
以下，使用本实施的附图具体地进行说明，但是本发明不限定于所述。
图1是说明依照本发明的研磨布的加工方法的概略图。
首先，在加工前，相对于进行研磨的规定单晶硅晶片、SOI晶片(以下有只有叙述为晶片的情形)，使在研磨布上所形成的沟，满足具有放射状图案、存在于晶片正下方的所有沟部分的总体积(在晶片正下方的沟体积的总和的平均值)除以晶片面积得到数值为0.06以上且0.23以下的关系，算出晶片半径、算出从研磨布中心至晶片中心的距离、以及由宽度算出沟之间的重叠不会进入晶片正下方时的沟与沟的角度。这样，使用沟与沟所形成角度大于前述所求得的角度，来决定适合形成的沟，该沟满足前述关系的沟体积。
在此，更详细地说明上述在晶片正下方的沟体积总和的平均值。沟体积如图6所示，在研磨布5上所形成的沟6的体积4。将沟体积4中，存在于晶片正下方的沟部分(参照图5)全部加起来，得到在晶片正下方的沟体积总和。该晶片正下方的沟体积总和，如图7所示，由于贴有研磨布的研磨平台的旋转而依照旋转角(移动角)呈现周期变化。该一周期之间的沟体积总和的平均值为在晶片正下方的沟体积总和。这与单晶硅晶片表面的面内平坦度、SOI晶片的膜厚均匀性有关系，本发明人根据调查结果，清楚地知道若是具有上述关系时，与基板面积的绝对值无关，不会发生研磨伤痕而可以保持在单晶硅晶片的晶片表面具有良好的面内平坦度、SOI晶片具有良好的膜厚均匀性等。
而且，研磨布会因为研磨时赋予在单晶硅晶片、或是SOI晶片的负荷而被压缩。因此，在晶片正下方的沟体积总和也有变化的可能性。在晶片正下方存在的沟部分(图5中的符号8的区域)的沟面积(图8的符号16所示区域)总和，如图9所示因研磨平台的旋转而有周期性的变化。晶片的主表面(图5的符号9区域)减去存在于晶片正下方的沟部分(图5的符号8区域)后的区域承受晶片所赋予负荷，如上所述，因为晶片正下方的沟部分的沟面积总和周期性变化，所以承受负荷的晶片域区域的面积也呈周期性变化，随着这周期性变化而被压缩的晶片直径的沟体积也呈周期性变化。从上所述，要算出的真正位于晶片正下方的沟体积，须要非常烦杂的作业，然而，经由本发明人的实验，清楚知道在研磨布在被压缩之前，若晶片正下方的沟体积总和的平均值与晶片的面积是上述关系时，可以保持在单晶硅晶片具有良好的表面平坦度、SOI晶片具有良好的膜厚均匀性等。
这时，上述沟最好是沟与沟所形成的角度以大于下述数学式1
(数学式1)
沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至晶片中心的距离-晶片半径))
所得到的数值来形成。若通过沟与沟的形成角度比数学式1所得到数值更大的角度来形成沟时，如图10(a)所示，因为沟6与沟6’叠在一起的交点7位于晶片9的外侧而没有问题，若比数学式1所得到数值更小的角度来形成沟时，如图10(b)所示，交点7位于晶片9的正下方。该交点附近的研磨布，因为在其两侧进行沟加工，所以研磨布有剥离、扭曲而无法保持研磨布自身的平坦度的可能性，这样的状态通过研磨转印至晶片表面时，会有单晶硅晶片的表面平坦度恶化、无法保持SOI晶片的膜厚均匀性的可能性。而且，由于研磨布的剥离、扭曲、毛边等，在沟形成部分发生毛边的可能性。若发生毛边时，在研磨中会有单晶硅晶片、SOI晶片的表面发生伤痕的可能性。因此，沟与沟之间的角度，最好是比上述数式1所提供的角度大。
上述数学式，沟宽虽然可以依据从研磨布中心至晶片中心为止的距离、和研磨晶片的半径而任意地决定，但是如前所述，最好是2.0mm以下。沟宽若太大时，由研磨布表面与沟所形成的研磨布上的凹凸，容易转印至被研磨的晶片表面，会有对单晶硅晶片的表面平坦度、SOI晶片的膜厚均匀性带来不良影响的可能性。沟宽2.0mm以下时，因为与晶片接触的平坦的研磨表面这一方比与晶片接触的沟大很多，所以研磨布上的凹凸，对被研磨晶片的表面带来不良影响的可能性小。1.5mm以下时，对被研磨晶片的表面带来不良影响的可能性更小而较佳。而且，为了确保在沟中流动的研磨剂量在某种程度，沟宽以0.4mm以上为更佳。
本发明的研磨布的材质，可以使用研磨硅等基板通常使用的材料，例如若是发泡性聚胺甲酸酯，不管其发泡密度、发泡尺寸等都可以使用，也可以使用绒面型聚胺甲酸酯、聚酯制不织布。特别是不织布型的研磨布时，可以适合使用于要求高表面平坦度的单晶硅晶片的研磨。若是绒面型的研磨布，可以适合使用于要求高膜厚均匀性的SOI晶片的研磨。
如上所述，适合形成的沟的沟体积、沟间角度、沟宽、沟深度等决定后，为了形成沟，将研磨布固定于以往的沟形成装置上，使用沟形成夹具对研磨布进行开沟加工。具体上的加工顺序的一个例子，使用图1说明。分别显示C为研磨布中心、A为沟形成前的研磨布表面。首先将开沟夹具的前端接触研磨布表面A并以该高度为原点。接着将夹具暂时移动至研磨布外周侧的未存在有研磨布的位置后，将沟形成夹具的前端降低至所希望沟深度的B高度。接着，由研磨布外周至研磨布中心方向使沟形成夹具切入而进行沟形成。这时所形成的B面相当于沟底，最初以一定的深度来形成。该一定深度的沟加工，从研磨布外周到至少晶片研磨时会进入晶片的正下方的沟部分，也就是说，进行至研磨布中心侧的晶片端面的位置，较此更中心侧的沟的沟深度加工则较浅。
这时沟深度较浅的形成方法，是在形成从研磨布外周缘部进入到晶片正下方位置的一定深度的沟后，紧接着边使沟深度渐浅边进行加工，在达到所希望的沟深度后至研磨布中心为止可以用一定的沟深度来形成沟。如图1所示的例子，在形成进入基板正下方的沟部分的较外侧的沟后，边使沟深度渐浅边朝向研磨布中心侧进行沟成形加工，在沟深度为D时停止沟形成夹具的往上移动，随后至研磨布中心为止形成一定深度的沟。D面显示在研磨布中心侧所形成的浅沟的底面。而且，沟形状若能将研磨剂的必要量程度流至基板正下方时任何形状都可以。例如，底可以使用V字形的V字沟，底也可以使用U字形的U字沟。关于沟深度，在至少从研磨布外周至研磨布中心侧的基板端面的沟部分，以0.5～2mm程度为较佳，在较此更中心侧的沟部分形成浅沟时以0.5mm程度以下为较佳。
而且，这种的加工，除了可以用上述的手动加工外，也可以通过机械加工。通过机械加工形成沟时，使旋转的超硬制钻孔器从研磨布外周侧面与研磨布接触，朝向研磨布中心进行加工。这时比晶片的研磨布中心侧的晶片端面位置更内侧的沟，必须如前所述一样地形成浅沟。而且，机械加工时，虽然沟宽若大约0.1mm以上时即可以加工，但是和前述同样的理由，沟宽以0.4mm以上为较佳。
而且，这样的加工，特别是适合于加工成为一种研磨布中心部未剪下的单片式CMP用研磨布。研磨布的中心部未剪下时，旋转中心附近的研磨布，因为是沟叠在一起的状态，经过沟形成夹具许多的切削。因此，沟与沟之间存在的研磨布的宽度非常狭窄。在形成如狭窄宽度的研磨布的过程，若切削形成较深的沟深度时，研磨布本身会扭曲而无法保持平坦度。而且，在切削中若发生这样的研磨布扭曲，会在沟部发生毛头。这时，若形成较浅的沟深度时，因为可以减少研磨布的扭曲、不会发生毛头而较佳。
而且，在研磨布上所形成的沟，其形成最好从研磨布外周缘部至研磨布中心都没有中断。研磨布中心所形成的沟，其形成若只有到进入晶片正下方的研磨布位置而已时，在晶片正下方的沟终端部会发生由沟形成所造成的毛边，所发生的毛边有使晶片的研磨面发生伤痕的可能性。
而且，形成如上所述一定深度的沟的过程，沟的深度虽然在中途有变动的可能，但是因为若急速地切入而加大深度时，有在沟部发生毛边的可能性，形成一定深度的沟时，最好是不要变更沟的深度。
而且，例如使用研磨直径300mm晶片的装置来研磨直径200mm晶片时，沟与沟所形成的角度会大于5度。沟与沟所形成的角度有可能大于5度时，因为沟之间所存在的研磨布不会发生伴随研磨布加工而发生的剥离、毛边等，而进行沟形成时只要留使所形成的沟的深度从研磨部外周至中心为止一定沟体积与晶片面积的关系即可。当然，也可以如前所述，在从研磨布外周至研磨布中心侧的晶片端面的位置，依规定沟深度进行加工，比其更中心侧则加工成沟深度较浅。
这样地在形成第1条沟时，依所决定的沟间角度旋转研磨布，同样地进行第2条沟的形成。该沟的形成，在沟的放射状图案的中央部的沟与沟叠在一起的交点，不要存在晶片的正下方。这样加工而成的研磨布如图2所示。该研磨布20最好是由不织布型或是绒面型，沟21以放射状图案形成，且(在晶片正下方部的沟体积总和的平均值(mm3)/晶片面积(mm2)为0.06以上且0.23以下，而且，该沟21从研磨布外周至研磨布中心侧的晶片端面位置规定沟深度，较其更中心侧为较浅的沟深度。而且，在沟21的放射状图案的中央部，沟与沟的叠在一起的交点不存在于晶片的正下方。而且，沟21的沟宽以2.0mm以下为较佳，以0.4mm以上为更佳。而且，沟与沟的角度最好是大于下述数学式1所得到的数值。
(数学式1)
沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至晶片中心的距离-晶片半径)))
而且，将本发明的研磨布或是本发明的加工方法所加工而成的研磨布贴在研磨装置的平台上，使用来研磨晶片时，可以制造表面平坦度的精密度高且无伤痕的晶片。特别是研磨的晶片为单晶硅晶片时，可以制造表面平坦度高的晶片，SOI晶片时可以制造硅活性层的膜厚均匀性高的晶片。
这样，本发明的(在晶片正下方的沟体积总和的平均值/晶片面积)关系及沟深度的关系，个别满足晶片时也可以具有充分的效果，同时满足晶片时，可以进行平坦度更为良好的研磨。
以下，示出本发明的实施例及比较例，更具体地说明，但是本发明不限定于此。
(实施例1)
设定从研磨布中心至研磨晶片中心的距离为200mm、研磨晶片为300mm的SOI晶片、沟形状为V字沟、从研磨布外周至研磨布中心侧的晶片端面位置的沟深度为1.5mm、从研磨布中心侧的晶片端面位置至研磨布中心的沟深度为0.5mm、沟宽为2.0mm、沟与沟的形成角度为4度、沟条数为90条，采用本发明的方法对聚胺甲酸酯制的绒面型研磨布形成沟。这时，在SOI晶片正下方的沟体积总和的平均值除以SOI面积得到数值为0.117。将这种研磨布贴在研磨装置的平台上，对直径300mm的SOI晶片进行研磨时，显示其硅活性层的膜厚均匀性的指标，SOI膜厚范围为4.21nm。而且，此处的SOI膜厚范围表示硅活性层的最大膜厚与最小膜厚的差。而且，研磨后的SOI晶片表面未发生伤痕等。
(实施例2)
在聚胺甲酸酯制研磨布，形成从研磨布中心至研磨晶片中心的距离为200mm、沟与沟的形成角度为12度、沟形状为U字沟、沟宽为2.0mm、沟条数为30条的沟。因为该研磨布的沟与沟的形成角度大，所以设定使从研磨布外周端面位置至研磨布中心的沟深一定，为1.5mm。研磨晶片为直径200mm的SOI晶片时，在晶片正下方的沟体积总和的平均值除以SOI晶片面积得到数值为0.065。将这种研磨布贴在研磨装置的平台上，研磨直径200mm的SOI晶片时，该SOI膜厚范围为4.87nm。而且，研磨后的SOI晶片表面没有伤痕。
(比较例1)
在聚胺甲酸酯制研磨布，形成从研磨布中心至研磨晶片中心的距离为200mm、沟与沟的形成角度为15度、沟形状为U字沟、沟宽为2.0mm、沟条数为24条的沟。因为该研磨布的沟与沟的形成角度大，所以设定使从研磨布外周端面位置至研磨布中心的沟深一定，为1.5mm。研磨晶片为直径300mm的SOI晶片时，在晶片正下方的沟体积总和的平均值除以SOI晶片面积得到数值为0.041。将这种研磨布贴在研磨装置的平台上，研磨直径300mm的SOI晶片时，该SOI膜厚范围为600nm。而且，研磨后的SOI晶片表面没有伤痕。
(比较例2)
设定从研磨布中心至研磨晶片中心的距离为200mm、研磨晶片为300mm的SOI晶片、沟形状为V字沟、从研磨布外周至研磨布中心侧的晶片端面位置的沟深度为1.5mm、从研磨布中心侧的晶片端面位置至研磨布中心的沟深度为0.5mm、沟宽为2.0mm、沟与沟的形成角度为2度、沟条数为180条，采用本发明的方法对聚胺甲酸酯制的绒面型研磨布形成沟。这时，在SOI晶片正下方的沟体积总和的平均值除以SOI面积得到数值为0.234。将这种研磨布贴在研磨装置的平台上，对直径300mm的SOI晶片进行研磨时，沟的重叠部分进入晶片的正下方，研磨后的SOI晶片表面有伤痕发生。
而且，本发明不限定于上述实施例。上述实施例仅供示例而已，具有实质上与本发明权利要求书范围所述的技术思想同一结构，达到同样的效果的技术，无论如何以包含在本发明的权利要求书的范围内。
例如，实施例及比较例虽然例示了SOI晶片，但是以可以是单晶硅晶片，而且，晶片直径虽然例示了200mm和300mm，但是也可以在其以上或在其以下。
而且，所使用的研磨布，若可以防止在晶片表面发生伤痕的物，以可以使用至少其表面含有发泡聚胺甲酯制或是无发泡的环氧树脂、压克力树脂、聚酯树脂、氯乙烯树脂及聚碳酸酯树脂制的研磨布。
本发明是研磨以单晶硅晶片为首的基板时所使用的研磨布，及这种研磨布的沟形成步骤，以及使用该研磨布的基板的制造。

Claims (14)

1.一种用以研磨基板的研磨布，其特征为，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，该沟中，存在于该基板正下方的全部沟部分的总体积的平均值(位于基板正下方部分的沟体积的总和的平均值)，以(位于基板正下方的沟体积的总和的平均值(mm3)/基板的面(mm2))来表示时，满足0.06以上且0.23以下的关系。
2.一种用以研磨基板的研磨布，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，其特征为，该沟的形成是位于比该基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于该基板正下方的沟部分的沟深度浅，在该沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点未存在于该基板的正下方。
3.如权利要求1或2所述的研磨布，其中该沟的沟宽一定，沟与沟的形成角度大于下述数学式1所得到的数值：
(数学式1)
沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心的距离—基板半径)))。
4.如权利要求1至3任一项所述的研磨布，其中该沟的沟宽为2.0mm以下。
5.如权利要求1至4任一项所述的研磨布，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。
6.一种基板的制造方法，其特征为，使用权利要求1至5任一项所述的研磨布研磨基板。
7.如权利要求6所述的研磨布，其中该研磨基板使用单晶硅晶片或是SOI晶片。
8.一种研磨布的加工方法，在用以研磨基板的研磨布的表面形成沟，其特征为该沟的形成，具有放射状图案，这时，该沟中，存在于该基板正下方的全部沟部分的总体积的平均值(位于基板正下方部分的沟体积的总和的平均值)，以(位于基板正下方的沟体积的总和的平均值(mm3)/基板的面(mm2))来表示时，满足0.06以上且0.23以下的关系。
9.一种研磨布的加工方法，是在用以研磨基板的研磨布的表面形成沟，其特征为该沟的形成是位于比该基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于该基板正下方的沟部分的沟深度浅，在该沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点未存在于该基板的正下方。
10.如权利要求8或9所述的研磨布的加工方法，其中该沟的沟宽一定，沟与沟的形成角度大于下述数学式1所得到的数值：
(数学式1)
沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心的距离—基板半径)))。
11.如权利要求8至10任一项所述的研磨布的加工方法，其中该沟的沟宽为2.0mm以下。
12.如权利要求8至11任一项所述的研磨布的加工方法，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。
13.一种基板的制造方法，其特征为，使用权利要求8至12任一项所述的研磨布研磨基板。
14.如权利要求13所述的基板的制造方法，其中该研磨基板是使用单晶硅晶片或是SOI晶片。
CN2004800266353A 2003-09-26 2004-09-17 研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法 Active CN1852786B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003335939 2003-09-26
JP335939/2003 2003-09-26
PCT/JP2004/013661 WO2005030439A1 (ja) 2003-09-26 2004-09-17 研磨布及び研磨布の加工方法並びにそれを用いた基板の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101738351A Division CN101456165B (zh) 2003-09-26 2004-09-17 研磨布及使用该研磨布的基板的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1852786A true CN1852786A (zh) 2006-10-25
CN1852786B CN1852786B (zh) 2011-01-12

Family

ID=34386080

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800266353A Active CN1852786B (zh) 2003-09-26 2004-09-17 研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法
CN2008101738351A Active CN101456165B (zh) 2003-09-26 2004-09-17 研磨布及使用该研磨布的基板的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101738351A Active CN101456165B (zh) 2003-09-26 2004-09-17 研磨布及使用该研磨布的基板的制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7591713B2 (zh)
EP (1) EP1666202A4 (zh)
JP (1) JP4449905B2 (zh)
KR (1) KR101128932B1 (zh)
CN (2) CN1852786B (zh)
TW (1) TW200512062A (zh)
WO (1) WO2005030439A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101279819B1 (ko) * 2005-04-12 2013-06-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 방사-편향 연마 패드
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI599447B (zh) 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2183247Y (zh) * 1993-12-01 1994-11-23 张志强 薄型开槽砂轮
JPH07321076A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法と研磨装置
JPH11216663A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JP3821947B2 (ja) * 1998-03-31 2006-09-13 信越半導体株式会社 ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
GB2345255B (en) * 1998-12-29 2000-12-27 United Microelectronics Corp Chemical-Mechanical Polishing Pad
JP2000286218A (ja) 1999-03-30 2000-10-13 Nikon Corp 研磨部材、研磨装置及び研磨方法
JP2001212752A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Nikon Corp 研磨体、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2000354952A (ja) 1999-04-05 2000-12-26 Nikon Corp 研磨部材、研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2001121405A (ja) 1999-10-25 2001-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨パッド
JP2001138212A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Toshiro Doi 精密研磨装置
US20020068516A1 (en) * 1999-12-13 2002-06-06 Applied Materials, Inc Apparatus and method for controlled delivery of slurry to a region of a polishing device
US6241596B1 (en) * 2000-01-14 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad
JP2002100592A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Rodel Nitta Co 研磨パッド
JP2002200555A (ja) 2000-12-28 2002-07-16 Ebara Corp 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置
JP2002343749A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Ntn Corp ポリッシング定盤および研磨品製造方法
JP4087581B2 (ja) 2001-06-06 2008-05-21 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP2003062748A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
JP4193096B2 (ja) 2001-11-30 2008-12-10 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US7037184B2 (en) * 2003-01-22 2006-05-02 Raytech Innovation Solutions, Llc Polishing pad for use in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
US6783436B1 (en) * 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
US7125318B2 (en) * 2003-11-13 2006-10-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption
US7018274B2 (en) * 2003-11-13 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Polishing pad having slurry utilization enhancing grooves
US6843711B1 (en) * 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration

Also Published As

Publication number Publication date
TW200512062A (en) 2005-04-01
JPWO2005030439A1 (ja) 2006-12-07
CN101456165A (zh) 2009-06-17
US20070032175A1 (en) 2007-02-08
US7677957B2 (en) 2010-03-16
KR101128932B1 (ko) 2012-03-27
EP1666202A4 (en) 2008-09-03
TWI334373B (zh) 2010-12-11
US20080139094A1 (en) 2008-06-12
EP1666202A1 (en) 2006-06-07
KR20060090237A (ko) 2006-08-10
JP4449905B2 (ja) 2010-04-14
CN101456165B (zh) 2011-06-15
US7591713B2 (en) 2009-09-22
CN1852786B (zh) 2011-01-12
WO2005030439A1 (ja) 2005-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100341666C (zh) 具有优化的槽的抛光垫及使用方法
CN101058169A (zh) 抛光表面
CN1197542A (zh) 抛光方法和设备
JP4906445B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN1256757C (zh) 半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法
TW201244881A (en) Grinder, grinding method using the grinder, manufacturing method for display panel using the grinding method and display panel manufactured by using the manufacturing method
JP3872081B2 (ja) 研磨用パッド
CN1423750A (zh) 探针卡装置及其所用的探针
CN1505110A (zh) 化学机械研磨方法和化学机械研磨装置
CN1906739A (zh) GaN基板的研磨方法
JP4892201B2 (ja) 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置
CN102398212A (zh) 一种化学机械研磨设备
CN1553842A (zh) 修整工具、修整装置、修整方法、加工装置以及半导体器件制造方法
CN1264201C (zh) 研磨方法及半导体装置的制造方法
CN1852786A (zh) 研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法
JP5452175B2 (ja) ラップ加工方法
JP5881938B2 (ja) ワークの研削方法
JP2007335521A (ja) ウェーハ外周部研削方法
CN1262999C (zh) 滑动器和加工滑动器的方法
CN1720119A (zh) 软质材料加工用切削工具
CN1482672A (zh) 半导体器件及其制造方法
JP2005150200A (ja) 平面研削方法
US10879077B2 (en) Planarization apparatus and planarization method thereof
CN1303654C (zh) 抛光方法和设备
US7131901B2 (en) Polishing pad and fabricating method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant