CN1822299A - 用于阴极射线管的改进的偏转磁轭 - Google Patents

用于阴极射线管的改进的偏转磁轭 Download PDF

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Abstract

一种用于阴极射线管的偏转磁轭提高装配和生产率，并且能够在装置处理期间有效地控制磁场校正。该偏转磁轭包括：水平偏转线圈，位于靠近所述玻锥的外周的位置，用于产生水平偏转磁场；垂直偏转线圈，安装在所述玻锥的外周，用于产生垂直偏转磁场。所述垂直偏转线圈与所述水平偏转线圈绝缘。铁氧体磁芯，位于邻近所述垂直偏转线圈的位置，用于减少所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈产生的磁力的损失；校正单元，与所述水平偏转线圈隔开预定距离，用于校正所述垂直偏转磁场和水平偏转磁场的几何失真。

Description

用于阴极射线管的改进的偏转磁轭
                          技术领域
本发明涉及一种用于阴极射线管的偏转磁轭，更具体地讲，涉及一种具有校正单元的偏转磁轭，以提高其装配和生产率，并且在处理期间有效地控制校正。
                          背景技术
通常，阴极射线管包括具有安装在其中的电子枪的管颈、具有安装在其外周上的偏转磁轭的玻锥以及具有荫罩和磷光体膜的玻屏。由电子枪发射的电子束被由偏转磁轭产生的偏转磁场偏转。偏转的电子束通过具有颜色选择功能的荫罩射到磷光体膜上并发光以显示期望的图像。
水平偏转线圈安装在玻屏的外周上，垂直偏转线圈设置在水平偏转线圈的外部。磁芯(铁氧体磁芯)覆盖垂直偏转线圈。水平偏转电流流过水平偏转线圈以产生水平偏转磁场，垂直偏转电流流过垂直偏转线圈以产生垂直偏转磁场。
由于正极电压的吸引力，从电子枪发射的电子束直接射向磷光体膜，进入存在由偏转磁轭产生的偏转磁场的区域。然后，根据弗来明左手定则，由偏转电流产生的力使电子束从偏转磁场偏转，该电子束扫在磷光体屏幕上，从而显示期望的图像。
通过均匀的水平偏转磁场和垂直偏转磁场的操作，其中有电子束通过的区域(空间)粗略地形成为金字塔形状。金字塔的顶点与偏转磁轭的偏转中心对应，被称为枕形失真的几何失真GD出现在具有大的曲率半径的屏幕表面和金字塔的交叉点。由水平偏转线圈产生的水平偏转磁场引起枕形失真类型的磁场形成，由垂直偏转线圈产生的垂直偏转磁场引起桶形失真类型的磁场形成。在这点上，南北(NS)枕形失真和东西(EW)枕形失真都由于这些偏转磁场引起。
由于左右垂直偏转线圈相对地分布以及电流相对流量的大小，左右磁场的差异还引起几何失真GD。
特别是传统的阴极射线管，当屏幕尺寸的增大以及屏幕变平，来自偏转点的失真朝着屏幕的外围增加。当电子束被偏转时，在最远的四角的失真增加，从而NS枕形失真主要产生在屏幕的南北方向。此外，随着屏幕尺寸增大，屏幕变平以及被制作为具有更高的清晰度，产生了光栅失真、东西(EW)枕形失真和内部失真。
当以各种方式引起几何失真GD时，屏幕上的画面变形。
为了校正几何失真，GD校正单元一般被安装在TV装置或者监视装置的外壳或者底座中。
然而，当GD校正单元安装在外壳或者底座中时，其远离偏转磁轭的位置(玻屏的外周)，因此，不能满意地获得期望的校正效果。
此外，在制造过程中，在装配外壳或者底座之前可以控制GD校正单元的校正量。因此，如果该单元是有缺陷的，则由此引起的损失是很大的。从而，校正应该在完成装配之前进行以减少由此引起的损失。
                        发明内容
本发明的目的在于提供一种用于阴极射线管的偏转磁轭。偏转磁轭具有校正单元并且提高装配和生产率，在处理期间有效地控制校正。
所述用于阴极射线管的偏转磁轭包括：水平偏转线圈，位于与所述玻锥的外周相邻的位置，用于产生水平偏转磁场；垂直偏转线圈，安装在所述玻锥的外周上，用于产生垂直偏转磁场。所述垂直偏转线圈与所述水平偏转线圈绝缘。铁氧体磁芯，位于靠近所述垂直偏转线圈的位置，用于减少所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈产生的磁力的损失并增强磁场效率；校正单元，与所述水平偏转线圈隔开预定距离，用于校正垂直偏转磁场和水平偏转磁场的几何失真。
所述校正单元可由永久磁体或者电磁体形成。
由校正单元校正的所述几何失真包括NS枕形失真、1/2NS枕形失真、EW枕形失真以及1/2EW枕形失真。
在一个实施例中，所述校正单元由电磁体形成，将用于驱动校正单元的第一电源与用于驱动所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈的第二电源独立地设置。在一个实施例中，施加到所述校正单元的驱动电压维持在300V或者更小。
                           附图说明
通过下面参照附图对本发明实施例进行的详细描述，本发明的上述和其他优点将会变得更加清楚，其中：
图1是根据本发明实施例的用于阴极射线管的偏转磁轭的侧视图；
图2是根据本发明实施例的用于阴极射线管的偏转磁轭的正视图；
图3是根据本发明实施例的用于将驱动电压施加到偏转磁轭的电路的示图；
图4是具有根据本发明实施例的偏转磁轭的阴极射线管的局部剖面透视图。
                      具体实施方式
图1和图2示出根据本发明实施例的用于阴极射线管的偏转磁轭。如图1和图2所示，偏转磁轭包括：水平偏转线圈12，位于紧邻(邻近)玻锥4的外周处以产生水平偏转磁场；垂直偏转线圈14，设置在玻锥4的外周以产生垂直偏转磁场。垂直偏转线圈14与水平偏转线圈12绝缘。铁氧体磁芯16位于紧邻垂直偏转线圈14处，以减少由水平偏转线圈12和垂直偏转线圈14产生的磁力的损失，并且加强磁效率。校正单元20与水平偏转线圈12隔开预定距离d，以校正在由垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12产生的垂直磁场和水平磁场中的几何失真。
垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12通过分隔件18而彼此绝缘，该分隔件18包含例如合成树脂的绝缘材料。
校正单元20安装到分隔件18的一个侧部上。在一个实施例中，在分隔件18上形成空间或者结构以容纳校正单元20。
由校正单元20校正的几何失真可包括NS枕形失真、1/2NS枕形失真、EW枕形失真和1/2EW枕形失真。
校正单元20可由永久磁体或者如图2所示的电磁体形成。
当校正单元20与电磁体形成时，用于驱动校正单元20的电源可与用于驱动垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12以分别控制垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12的电源独立地形成，并且适当地校正它们的磁场。
校正单元20的驱动电压由安装在TV装置或者监视器的外壳或者底座上的电路供给。
即，如图3所示，校正单元20接收来自在TV或者监视器的底座上安装的反馈变压器(FBT)30的驱动电压。FBT 30还通过输入端子V1、V2、H1和H2将电压施加到垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12上。施加到校正单元20上的驱动电压与施加到垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12上的电压是独立的。
校正单元20的驱动电压维持在300V或者小于300V以校正几何失真，而不影响垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12的磁场。
如上所述，300V或者小于300V的驱动电压恒定地施加到校正单元200而独立于垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12，几何失真被校正，而在偏转灵敏度上没有导致任何损失。
如图2所示，校正单元20位于垂直偏转线圈14和水平偏转线圈12的顶部和底部。
也可以将校正单元20安装在垂直偏转线圈14和/或水平偏转线圈12的左侧和/或右侧，或者它们的四侧。
图4示出具有根据本发明实施例的上述结构的偏转磁轭的阴极射线管。
如图4所示，阴极射线管包括具有内磷光体膜3的玻屏2、连接到该玻屏2的玻锥4以及连接到该玻锥4的管颈6。电子枪7被安装在管颈6中以发射电子束。绕着玻锥4的外周安装的偏转磁轭10将从电子枪7发射的电子束偏转。荫罩8被安装在玻屏2中以对从电子枪7发射的电子束进行颜色选择。校正单元20位于紧邻偏转磁轭10的外周处，用于校正磁场的几何失真。
磷光体膜3通过在玻屏2的内表面以点或者条纹图案的方式涂覆红色R、绿色G和蓝色B磷光体同时插入黑色遮光层BM来在玻屏2的内表面上形成。电子枪7安装在管颈6中，用于将从电子枪7发射的电子束偏转的偏转磁轭10绕着玻锥4的外周安装。
玻屏2、玻锥4以及管颈6结合成为一体，从而形成真空容器。荫罩8安装在玻屏2中，从而与磷光体膜3隔开预定距离，并且荫罩8由框架9支撑。多个电子束通道孔5形成在荫罩8上。
当偏转磁轭被用在具有110°或者更大的宽角度偏转角度(传统的阴极射线管具有102-106°的偏转角度)以使其更纤细的阴极射线管中时，可展示更好的效果。
与将GD校正单元安装在外壳或者底座中的情况相比，根据本发明的偏转磁轭，将校正单元置于更靠近产生偏转磁场的偏转磁轭的位置。
此外，在制造过程中，在装配外壳或者底座之前可以通过安装偏转磁轭驱动校正单元。因此在该单元有缺陷的情况下，由于不需要拆卸外壳或者底座可以减少导致的损失。
如上所述，根据本发明的偏转磁轭，当用于校正偏转磁场几何失真的校正单元安装在偏转磁轭上时，可提高装配和生产率，并且有效地控制在装置处理期间的校正。
虽然在此已经详细描述了根据本发明的示例性实施例，但是应该理解的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，本领域的技术人员可以对这里所教导的基本的发明概念进行很多改变和/或修改。

Claims (16)

1、一种用于具有玻锥的阴极射线管的偏转磁轭，包括：
水平偏转线圈，位于靠近所述玻锥的外周的位置，用于产生水平偏转磁场；
垂直偏转线圈，安装在所述玻锥的外周，用于产生垂直偏转磁场，所述垂直偏转线圈与所述水平偏转线圈绝缘；
铁氧体磁芯，位于邻近所述垂直偏转线圈的位置，用于减少所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈产生的磁力的损失；
校正单元，与所述水平偏转线圈隔开预定距离，用于校正所述垂直偏转磁场和水平偏转磁场的几何失真。
2、如权利要求1所述的用于阴极射线管的偏转磁轭，其中，所述校正单元由永久磁体和电磁体中的一种形成。
3、如权利要求1所述的用于阴极射线管的偏转磁轭，其中，由所述校正单元校正的所述几何失真包括NS枕形失真、1/2NS枕形失真、EW枕形失真以及1/2EW枕形失真。
4、如权利要求2所述的用于阴极射线管的偏转磁轭，其中，所述校正单元由电磁体形成，其中，用于驱动校正单元的所述第一电源独立于用于驱动所述垂直偏转线圈和水平偏转线圈的第二电源。
5、如权利要求4所述的用于阴极射线管的偏转磁轭，其中，施加到所述校正单元的驱动电压维持在300V或者更低。
6、如权利要求2所述的用于阴极射线管的偏转磁轭，其中，所述校正单元安装在所述垂直偏转线圈的顶部和底部。
7、一种阴极射线管，包括：
玻屏，在其内表面具有磷光体膜；
玻锥，连接到所述玻屏；
管颈，连接到所述玻锥；
电子枪，安装在所述管颈中，用于发射电子束；
偏转磁轭，绕着所述玻锥的外周安装，用于将从所述电子枪中发射的电子束偏转；
荫罩，安装在所述玻屏中，用于对从所述电子枪中发射的电子束进行颜色选择；
校正单元，位于与所述偏转磁轭的外周相邻的位置，用于校正偏转磁场的几何失真，
其中，所述校正单元由永久磁体和电磁体中的一种形成。
8、如权利要求7所述的阴极射线管，其中，所述校正单元由电磁体形成，其中，用于驱动校正单元的所述第一电源独立于用于驱动所述偏转磁轭的第二电源。
9、如权利要求8所述的阴极射线管，其中，施加到所述校正单元的驱动电压维持在300V或者更低。
10、如权利要求8所述的阴极射线管，其中，所述校正单元安装在所述偏转磁轭的顶部和底部。
11、如权利要求7所述的阴极射线管，其中，由所述偏转磁轭偏转的电子束的偏转角度是110°或者更大。
12、一种用于具有玻锥的阴极射线管的偏转磁轭，包括：
水平偏转线圈，位于与所述玻锥的外周相邻的位置；
垂直偏转线圈，安装在所述玻锥的外周上；
校正单元，与所述水平偏转线圈隔开预定距离，以校正垂直偏转磁场和水平偏转磁场的几何失真；
第一电源，用于驱动所述校正单元；
第二电源，用于驱动所述偏转磁轭，其中，所述第一电源独立于所述第二电源。
13、如权利要求12所述的偏转磁轭，其中，所述校正单元由永久磁体和电磁体中的一种形成。
14、如权利要求12所述的偏转磁轭，其中，由校正单元校正的所述几何失真包括NS枕形失真、1/2NS枕形失真、EW枕形失真以及1/2EW枕形失真。
15、如权利要求12所述的偏转磁轭，其中，施加到所述校正单元的驱动电压维持在300V或者更低。
16、如权利要求12所述的偏转磁轭，其中，所述校正单元安装在垂直偏转线圈的顶部和底部。
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