CN1819389A

CN1819389A - 用于限制振铃电流的电路结构

Info

Publication number: CN1819389A
Application number: CNA2006100089557A
Authority: CN
Inventors: T·费里安茨
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies Wireless Solutions Ltd; Infineon Technologies AG; Intel Germany Holding GmbH
Priority date: 2005-01-24
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2006-08-16
Anticipated expiration: 2026-01-24
Also published as: US20060164777A1; US7330063B2; CN100539351C; DE102005003258B3

Abstract

一种具有第一和第二晶体管的用于双向电流限制的电路结构，其中，每个晶体管具有可控路径和控制端，电阻器连接在可控路径和连接到电流源的控制端之间；第一齐纳二极管，其连接在电流源和在第一晶体管的可控路径和电阻器间的第一线性节点之间；第二齐纳二极管，其连接在电流源和在第二晶体管的可控路径和电阻器间的第二线性节点之间；可控路径和电阻器连接在用于电流限制的电路结构的第一端子和第二端子之间。

Description

用于限制振铃电流的电路结构

技术领域

本发明涉及用于双向电路限制的电路结构，尤其涉及用于电话设备中的导体线圈中的振铃电流。本发明优选应用于通信网络中的交换中心设备。

背景技术

在双线线路中的振铃信号向所连接的用户设备显示呼叫或连接请求并使所呼叫的电话或终端用户设备产生铃声。在目前常见的通信网络中，原本在话务中使用的双线线路被并行地用于数字数据交换的高频范围中。因此在相应的双线线路上的高振铃电流在数据业务上具有干扰效应。

图5显示了在交换中心端用于电话应用以及现代数据交换的常见通信网络。在这种情况下，在双线线路ZDL上提供有用于语音通信的电话系统POTS，并且通过双线线路ZDL还为数据的宽带传输提供了数据系统DAT。

两个系统POTS、DAT都连接到分配器装置SPL，其通常将低频信号SPR反馈到电话系统POTS而将高频数据信号DT反馈到数据系统DAT。分配器装置SPL通常为高阶滤波器，其包括有多个串联的电感。由于通过双线线路传输给用户终端设备的振铃信号常常会导致大电流，因此需要相对大的设计。

对于产生的振铃信号，提供有振铃信号发生器RING，其通过由电话系统POTS借由控制信号CTR所控制的交换设备SE连接到双线线路ZDL。接着振铃电流从振铃信号发生器RING流经第一电阻器R1′，双线线路导体线圈ZDL或分配器装置SPL经由第二电阻器R1接地GND。尤其当在执行摘机确认时会产生大于100mA的高振铃电流。在分配器装置SPL中所安置的电感接着会迅速饱和，并且通常在当并行地经过双线线路ZDL、分配器SPL和数据系统DAT而产生数据通信时导致数据错误。

为了消弱振铃电流的消极影响，现有技术使用大的电感或大的分配器装置SPL的设计来避免铁芯饱和。高阶滤波器一般来说很贵也很复杂。这会导致增加成本此外还需要将分配器的阻抗与某一国家中所使用的语音阻抗相匹配。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种设备，其能使用设计简单的分配器装置并使在数据传输上的振铃电流的负面影响最小化。

该目的借由根据权利要求1的用于双向电流限制的电路结构来实现。

因此，所提供的用于双向电流限制的电路结构具有第一和第二晶体管，每个晶体管具有可控路径和控制端，在可控路径和连接到电流源的控制端之间连接有电阻器。提供有第一齐纳二极管，其连接在电流源和在第一晶体管的可控路径和电阻器之间的第一线性节点之间。第二齐纳二极管连接在电流源和在第二晶体管的可控路径以及电阻器之间的第二线性节点之间。在这种情况下，可控路径和电阻器都连接在用于电流限制的电路结构的第一端子和第二端子之间。

根据本发明的电路结构可以用于简单地替代现有技术中所使用的其中一个电阻器。例如，由振铃信号发生器所产生的振铃电流自动地根据齐纳二极管、晶体管和电阻器的大小局限在限幅器电流。因此，用于将数据业务与电话业务分离的分配器装置能有利地根据复杂性以节约成本的方式实施。本发明进一步的优点是电流限制效应均衡，也就是说，在电路结构的两个电流方向中，由于少量功能元件而产生的电路消耗非常低。

在根据本发明的电路结构的一个优选实施例中，还进一步提供有补偿电流源，其连接在第一线性节点和第二线性节点之间，来补偿由在电路结构的第一端子和第二端子之间的电流路径上由第一电流源所产生的电流。这导致了在电流路径中所限定电流的可靠以及精确的调节。

在一个优选实施例中，至少一个电流源具有控制电压端和另外一个电阻器。

在电路结构的具体优选实施例中，两个齐纳二极管连接的方式为，如果在电路结构的第一端子和第二端子之间没有电流，则在两个控制端存在恒定控制电压。

恒定控制电压可以由例如齐纳二极管的击穿电压来定义，以便晶体管的可控路径接着能在电路结构的两个端子之间提供电连接。

优选地，至少一个电流源以开关的方式来实现。因此，晶体管的可控路径能作为开关来操作，或者如果，在电流源的断开状态下，没有经由齐纳二极管流过电流，则可控路径为非导通。

在根据本发明的电路结构的另一个具体优选实施例中，齐纳二极管具有击穿电压，电阻器具有电阻而晶体管具有阀值电压、击穿电压、电阻，阀值电压的选择方式为：如果在通过电路结构的第一端子和第二端子间的电流路径的电流增加，则开始限制电流值，可控路径中的一个可控路径中断。

如果优选地选择阀值电压、电阻和击穿电压大小的结果是齐纳二极管中的一个齐纳二极管中断，则电流就能从电流源仅仅通过相应的第二非中断齐纳二极管就能流到两个端子中的一个端子。在这种情况下，电流将通过电阻器流动或者通过所述电阻器的电压会下降直到在晶体管的控制端的控制电势并不能够激活可控路径。因此，通过电路结构的二个端子之间的电流路径的电流会受限或被限制。

在电路结构的一个改进中，电容器并联连接在控制端和至少一个晶体管的可控路径之间。

由于所使用的齐纳二极管可能会成为噪声源，因此电容器的使用能起到降低噪声的作用。

在另一个优选实施例中，噪声抑制电阻器可以插入在至少一个晶体管的控制端和电流源之间。

连同提供在控制端和各个相邻行节点之间的电容一起，这种噪声抑制电阻器形成了低通滤波器，其能改善噪声属性。如果提供了电容器和噪声抑制电阻器，则能为噪声的抑制提供性能良好的低通滤波器。

优选地，断开电阻器连接在电流源和第一和/或第二线性节点之间。通过断开电阻器，如果振铃信号去耦合，或者如果在第一和第二线性节点之间没有电流，则可以从在晶体管的可控路径和控制端之间的电容器或电容中迅速获取电荷流。

在根据本发明的电路结构的另一个具体优选实施例中，提供了具有可控路径和控制端的第一调节晶体管，该第一调节晶体管的可控路径连接在第一晶体管的控制端和第二线性节点之间，而调节晶体管的控制端连接到第一线性节点。

优选地还提供了具有可控路径和控制端的第二调节晶体管，该第二调节晶体管的可控路径连接在第二晶体管的控制端和第一线性节点之间，而该第二调节晶体管的控制端连接到第二线性节点。

使用这些调节晶体管的好处是可以实现第一电阻器的低电阻，从而可以使电流限制电路的功率损失最小化。因此第一电阻器的低电阻化意味着通过该第一电阻器仅产生小的压降，并且调节晶体管执行了晶体管的操作点设定。

至少一个晶体管优选地可以是MOSFET，更具体地可以是N沟道晶体管。由于N沟道晶体管相比于P沟道晶体管更易于生产，因此电路结构也变得更为节约成本。

在根据本发明的电路结构的优选应用中，电路结构连接到用于限制振铃电流的线性回路上。其优点是，如果电路结构的第一端子耦接到负载上而电路结构的第二端子耦接到电压源电势上，则所耦接的负载依次通过电阻器耦接到振铃信号发生器上。根据本发明的电路结构的这种使用可以通过相同的线性回路可靠地传输甚至是灵敏的高频数据信号。

在一个优选实施例中，负载还具有分配器装置。这种分配器装置可以通过根据本发明的电流限制而具体实现并且能够通过线性回路实现可靠且节约成本的稳定数据传输。

附图说明

进一步的有益改进和实施例将通过所附从属权利要求的主题来体现，并将参考附图来对以下的示意性实例进行描述，其中：

图1显示了根据本发明的在无线电通信系统中的电流限制；

图2显示了根据本发明的电路结构的第一实例；

图3显示了根据本发明的电路结构的第二实例；

图4显示了根据本发明的电路结构的改进；

图5显示了现有技术的通信系统。

在附图中，除非另有说明，否则相同的标号用以表示相同元件或功能相同的元件。

具体实施方式

图1显示了根据本发明的在无线电通信系统2中的电流限制1。

提供有双线线路3，4，所述双线线路3，4通过分配器装置5分离成用以反馈给数据系统8的高频数据信号DT的线对6、7。分配器装置5还为低频语音信号SPR的传输提供了第二双线线路9、10。线性回路的第一导线9通过开关11和电阻器12连接到振铃信号发生器13。通过开关11，第一导线9还能连接到电话系统14。通过第二可控开关15，第二导线10可以类似地连接到电话系统14或通过根据本发明的限幅电路1连接到地GND。两个可控开关11、15能通过由电话系统14所提供的控制信号CTR同步切换。因此，在要反馈振铃信号的情况下，振铃信号和相关的电流由振铃信号发生器13所提供并流经电阻器12、导体线圈9、10，通过分配器装置5进入双线线路3，4和限幅电路1。

根据本发明的限幅电路1包括具有控制端或栅极端17以及可控路径18或源极—漏极路径的第一晶体管16。限幅电路1还具有第二晶体管19，该第二晶体管类似地在该实例中可以为MOSFET，并具有栅极端20和源极—漏极路径21。

源极—漏极路径18，21和第一晶体管22串联在限幅电路1的第一和第二端子23，24之间。在这种情况下，第一晶体管16的漏极24连接到第一端子23，而第二晶体管19的漏极端26连接到第二端子24。第一电阻器22连接在第一晶体管16的源极端27和第二晶体管19的源极端28之间。

电流源包括控制电压端VS并还提供了电阻器29，晶体管16、19的两个栅极端17、20连接到另一电阻器29。第一齐纳二极管30连接在另一电阻器29以及位于第一晶体管16的源极端27和第一电阻器22间的第一线性节点31之间。第二齐纳二极管32连接在另一电阻器29以及位于第一电阻器22和第二晶体管19的源极端28间的第二线性节点33之间。

如果振铃信号通过可控开关11、15耦合到导体线圈9、10、3、4，在限幅电路1的第一端子23和第二端子24间的电流路径中的电流限制为限定电流IB。在这种情况下，限定电流IB由第一电阻器22的电阻R22，两个齐纳二极管30、32的击穿电压UZD，以及两个晶体管17、19的阀值电压UTH所确定。

限幅电路1的功能将在以下基于典型的电阻、击穿电压、以及阀值电压值来说明。通过该实例，可以选择击穿电压UZD＝18伏特，控制电压VS＝20伏特，而另一电阻器29是R29＝100KΩ，第一电阻器22是R22＝165Ω，两个晶体管16，19为BSB297类型。该类型的晶体管的阀值电压大约为UTH＝1.4伏特，在漏极—源极路径或可控路径中的电阻大约是1Ω。

在静止状态中，也就是说，如果没有振铃信号连接到导体线圈9、5、3、4、10，则通过另一电阻器29大约有两伏特的压降，并且两个齐纳二极管30、32打开以便在每个状态下在电流源或电阻器29和第一和第二线性节点31、33之间具有一种量级的电流，以便在栅极端17、20具有18伏特的控制电压。因此，晶体管16、19的两个可控路径18、21被激活。

如果具有相对于限幅电路1的第一端子23的正极电压的振铃信号被耦合到线性线圈9、3、4、10，则首先小电流流经第一可控路径8、电阻器22和第二可控路径28流到连接到地GND的第二端子24。在这种情况下，电压在相对于可控路径21和165Ω电阻器22的接地GND的第一线性节点31下降。在第一端子23和第二端子24之间的路径流经增加电流的情况下，一旦在第一线性节点31下降的电势高于在第二线性节点33处的情况，则由于通过第一齐纳二极管30的电压落到18伏特的齐纳电压之下，因此第一齐纳二极管30中断在另一电阻器29和第一线性节点31之间的电流。

如果通过第一端子23和第二端子24之间路径的电流进一步增加，则最终在第一线性节点31的电压仅仅与第一晶体管16的栅极端17处的电压有一点不同，也就是说在第一晶体管16的源极端27和栅极端17间的阀值电压UTH是下射的。然后可控路径18需要高的电阻并且抑制在电流路径中的电流。

限幅电路因此抑制电流到限定电流IB＝(UZD-UTH)/R22。

为了获取根据本发明的电流限制，在所选择的示例性情况下，控制电压VS必须比两个相同的齐纳二极管30、32的齐纳电压UZD大。

如果振铃信号耦合了负电压(相对于限幅电路1的第一端子23的接地GND)，则基本上同步地发生限定，也就是说，第二齐纳二极管32首先中断，以便如果在第一端子23方向上的电流增加，则得到这样的情况，其中第二晶体管19的栅极—源极电压(也就是说在第二线性节点33和第二晶体管19的栅极端20之间存在的电压)不足以激活可控路径21。接着，还抑制电流并完成电流限制。

图2显示了根据本发明的用于电流限制的电路结构的可选实例101。

相比于图1的实例，限幅电路101的第二示意性实例根据电流源的实现而有所不同，所述电流源在此处清楚地示出为电流源129。而且，补偿电流源134连接到第一线性节点131和第二线性节点133，并作为在限幅电路101的第一端子123和第二端子124之间的电流路径中的调节操作的结果来补偿所述电流(增加的)。具有栅极端117、漏极端125和源极端127的第一晶体管116、电阻器122、具有栅极端120，源极端128和漏极端126的第二晶体管119和两个齐纳二极管130、132的互连效果与图1的相似。

由于额外产生的电流又一次由补偿电流源134所补偿，因此根据图2的实例是通过改进的限制电流的调节属性而有所区别。

图3显示了根据本发明的限幅电路201的改进。

限幅电路201具有第一端子223和第二端子224。第一晶体管216—此处具体为MOSFET—具有栅极端217、漏极端225和源极端227，而第二晶体管219提供有栅极端220、源极端228和漏极端226。第一晶体管216的漏极端225连接到第一端子223。源极端227连接到第一电阻器222，其顺序连接到第二晶体管219的源极端228。第二晶体管219的漏极端226连接到限幅电路201的第二端子224。线性节点231提供在第一晶体管216的源极端227和电阻器222之间，第二线性节点233提供在电阻器222和第二晶体管219的源极端228之间。限幅电路201具有连接到电源电势VS的开关电流源229。

第一齐纳二极管230和第一断开电阻器210并联连接在可控电流源229和第一线性节点231之间。第二齐纳二极管232和第二断开电阻器211并联在可控电流源229和第二线性节点233之间。

第一晶体管216的栅极端217通过第一噪声抑制电阻器214连接到可控电流源229。而且，第一晶体管216的栅极端217通过第一电容器212连接到第一线性节点231。

第二晶体管219的栅极端220通过第二噪声抑制电阻器215连接到电流源229。而且，第二晶体管219的栅极端220通过第二电容器213连接到第二线性节点233。

相比于根据图1限幅电路的简单的第一实例，改进201具有可开关的电流源229。其优点是，通过断开电流源229，在晶体管216、219的两个栅极端217、220不再有控制电压下降，并且中断了它们相应的漏极—源极路径。因此，可以阻止在第一端子223和第二端子224之间的任何电流。

而且，限幅电路的噪声特性通过两个噪声抑制电阻器214、215的使用而得以改进。噪声抑制电阻器214、215与现有的两个晶体管216、219的栅极—源极电容一起，分别形成低通滤波器，该滤波器滤除由齐纳二极管230、232所产生的干扰高频噪声。此外，该滤波器的功效还由插入的两个电容器212、213所改进。

为了得到限幅电路201的快速开关特性，还提供有断开电阻器210、211，通过断开电阻器210、211，在电容器212、213或晶体管216、219的栅极—源极电容中所积累的电荷能分别流走。如果可控电流源229断开并且意图影响在第一端子223和第二端子224间的电流路径中的源极—栅极路径的快速中断，那么上述这一点是很重要的。原则上，仅仅使用一个断开电阻器就可以实现这一点。在该改进中出于对称原因提供了两个断开电阻器210，211。

图4显示了根据本发明的限幅电路201的具体优选的改进。

其中，元件的相互连接本质上相应于根据图3的实例。因此，还提供具有栅极端317、漏极端325和源极端327的第一晶体管316，具有栅极端320，源极端328和漏极端326的第二晶体管319，作为限幅电路301中的第一端子323和第二端子324。还提供了第一齐纳二极管330、第二齐纳二极管332、第一电容器312、第二电容器313、第一和第二噪声抑制电阻器314、315、第一和第二断开电阻器310、311以及电阻器322。第一线性节点332提供在电阻器322和第一晶体管316的源极端327之间，第二线性节点333提供在电阻器322和第二晶体管319的源极端328之间。可开关的电流源通过电压源VS、第一电流源电阻器308、第二电流源电阻器309和开关307来实现。调节电流分别通过两个电流源电阻器308、309分别耦合到齐纳二极管330和332。

此外还额外提供有第一调节晶体管304，在这种情况下，其用具有基极端334、集极端335和发射极336的NPN双极晶体管来实现。在这种情况下，集极端334作为控制端而集极—发射极路径作为可控路径。集极端335连接到第一晶体管316的栅极端317。

还提供了第二调节晶体管305，其类似地用具有基极端337、集极端338和发射极339的NPN晶体管来实现。第二调节晶体管305的基极端337连接到第一调节晶体管304的发射极端336。第二调节晶体管305的发射极端339连接到第一调节晶体管304的基极端334。第二调节晶体管305的集极端338连接到第二晶体管319的栅极端320。而且，第一调节晶体管304的基极端334和第二调节晶体管305的发射极端339连接到第一线性节点331。第一调节晶体管的发射极端336和第二调节晶体管305的基极端337连接到第二线性节点333。

借由根据本发明所连接的调节晶体管，相比于前图中的示例性实例，电阻器322的设计可以更小。由于在齐纳二极管330、332处的电阻器322电压下降的结果造成电压摆动，使得不再达到各个击穿电压UZD，因此各图电路中的电阻器22、122、222用于将晶体管16、19、116、119、216、219置于电流中断状态。

在根据图4的限幅电路301的优选改进中，使用了通过电阻器322所下降的电压来开关两个调节晶体管304、305。这就必须使集极—发射极的电压比在第一或第二线性节点331、333的电压要低，从而使得各个齐纳二极管330、332置于中断状态。

在该有益改进中，如果通过在第一端子323和第二端子324之间路径的电流增加，则用于调节晶体管的基极端334、337的调节电压在电阻器322处下降。根据限定路径中的电流方向，例如，从电压源VS流出的电流经过闭合开关307，电流源电阻器308，噪声抑制电阻器314和可控路径或第一晶体管304的发射极—集极路径。因此，在第一晶体管316的栅极端317处的电压以这样的方式下降，即第一晶体管316中断或抑制其源极—漏极路径并进行电流限制。在相反的限定电流方向中，通过开关307、第二电流源电阻器309、第二噪声抑制电阻器315和第二调节晶体管305的发射极—集极路径来进行抑制。因此，电阻器322能用低电阻的电阻器来构成并可以比以前示意性实例中的电阻器具有更低的功率消耗。而且，直接连接到相应的振铃信号发生器的第二电阻器以类似的低电阻来实现。

根据本发明的限幅电路的所有实例相比于现有技术都有其优点。通过对称的电流限制，在相应的通信系统中的分配器装置能够更小，从而节约了电流和成本。借由耦合电阻器的较小尺寸(参见图5中的R1′，R1)可以大幅度降低功率损耗。根据本发明的电路结构还适于开关流进线性回路的电流，其操作非常简单，并在操作中能产生快速的电流限制。

虽然在实例中限幅电路接地GND，但用户也可等同地提供所耦合的电阻器R1′。从而以更简便的方式适应相应的调节电压和元件尺寸。

附图标记列表

SCL 双线线路

SE 开关设备

R1’，R1 电阻器

GND 接地端

SPL 分配器装置

SPR 语音信号

DT 数据信号

RING 振铃信号发生器

POTS 电话系统

DAT 数据系统

CTR 控制信号

1 限幅电路

2 通信系统

3，4 双线线路

5 分配器装置

6，7 双线线路

8 数据系统

9，10 双线线路

11 开关

12 电阻器

13 振铃信号发生器

14 电话系统

15 开关

16 晶体管

17 栅极端

18 可控路径

19 晶体管

20 栅极端

21 可控路径

22 电阻器

23，24 端子

25，26 漏极端

27，28 源极端

29 电阻器

30 齐纳二极管

31 线性节点

32 齐纳二极管

33 线性节点

101 限幅电路

116 晶体管

117 栅极端

118 可控路径

119 晶体管

120 栅极端

121 可控路径

122 电阻器

123，124 端子

125，126 漏极端

127，128 源极端

129 电流源

130 齐纳二极管

131 线性节点

132 齐纳二极管

133 线性节点

134 电流源

201 限幅电路

210，211 电阻器

212，213 电容器

214，215 电阻器

216 晶体管

217 栅极端

219 晶体管

220 栅极端

222 电阻器

223，224，端子

225，226 漏极端

227，228，源极端

229 可开关电流源

230 齐纳二极管

231 线性节点

232 齐纳二极管

233 线性节点

301 限幅电路

304，305 调节晶体管

307 开关

308，309 电流源电阻器

310，311 电阻器

312，313 电容器

314，315 噪声抑制电阻器

316 晶体管

317 栅极端

319 晶体管

320 栅极端

322 电阻器

323，324 端子

325，326 漏极端

327，328 源极端

330 齐纳二极管

331 线性节点

332 齐纳二极管

333 线性节点

334 基极端

335 集极端

336 发射极端

337 基极端

338 集极端

339 发射极端

Claims

1、用于双向电流限制的电路结构(1，101，201，301)，具有：

a)第一和第二晶体管(16，116，216，316，19，119，219，319)，其每个都具有可控路径(18，118，21，121)和控制端(17，117，217，317，20，120，220，320)，和连接在可控路径(18，118，21，121)和连接到电流源(29，129，229)的控制端(17，117，217，317，20，120，220，320)之间的电阻器(22，122，222，322)；

b)第一齐纳二极管(30，130，230，330)，其连接在电流源(29，129，229)和在第一晶体管(16，116，216，316)的可控路径(18，118)和电阻器(22，122，222，322)间的第一线性节点(31，131，231，331)之间；

c)第二齐纳二极管(32，132，232，332)，其连接在电流源(29，129，229)和在第二晶体管(19，119，219，319)的可控路径(21，121)，和电阻器(22，122，222，322)之间的第二线性节点(33，133，233，333)之间。

d)可控路径(18，21，118，121)和电阻器(22，122，222，322)，连接在用于电流限制的电路结构(1，101，201，301)的第一端子(23，123，223，333)和第二端子(24，124，224，324)之间。

2、根据权利要求1的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于

其中，还提供有补偿电流源(134)，其连接到第一线性节点(31，131，231，331)和第二线性节点(33，133，233，333)，用来补偿由电路结构(1，101，201，301)的第一端子(23，123，223，323)和第二端子(24，124，224，324)之间的电流路径中的第一电流源(29，129，229)所产生的电流。

3、根据权利要求1或2的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，

其中至少一个电流源(29，129，229，134)具有控制电压端(VS)和另一电阻器(29，308，309)。

4、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中两个齐纳二极管(30，130，230，330，32，132，232，322)连接的方式为：如果在电路结构(1，101，201，301)的第一端子(23，123，223，323)和第二端(24，124，224，324)之间没有电流，则在两个控制端(17，117，217，317，20，120，220，320)存在恒定的控制电压。

5、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中至少一个电流源(229，307)是可切换的。

6、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中齐纳二极管(30，130，230，330，32，132，232，332)具有击穿电压(UZD)，电阻器(22，122，222，322)具有电阻(R22)，晶体管(16，116，216，316，19，119，219，319)具有阀值电压(UTH)，击穿电压(UZD)、电阻(R22)和阀值电压(UTH)的选择方式为：如果在电路结构(1，101，201，301)的第一端子(23，123，223，323)和第二端子(24，124，224，324)之间的电流路径中通过的电流增加，则从限定电流值(IB)开始，其中一个可控路径(18，21，118，121)中断。

7、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中在至少一个晶体管(16，116，216，316，19，119，219，319)的控制端(17，117，217，317，20，120，220，320)和可控路径(18，118，21，121)之间并联电容器(212，232，312，332)。

8、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中在至少一个晶体管(16，116，216，316，19，119，219，319)的控制端(17，117，217，317，20，120，220，320)和电流源(29，129，229)之间提供噪声抑制电阻器(214，314，215，315)。

9、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中在电流源(29，129，229)和第一和/或第二线性节点(31，33，131，133，231，233，331，333)之间连接断开电阻器(210，211，310，311)。

10、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中提供了具有可控路径(335，336)和控制端(334)的第一调节晶体管(304)，第一调节晶体管(304)的可控路径(335，336)连接在第一晶体管(316)的控制端(317)和第二线性节点(333)之间，并且第一调节晶体管(304)的控制端(334)连接到第一线性节点(331)。

11、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中提供了具有可控路径(338，339)和控制端(337)的第二调节晶体管(305)，第二调节晶体管(305)的可控路径(338，339)连接在第二晶体管(319)的控制端(320)和第一线性节点(331)之间，并且第二调节晶体管(305)的控制端(337)连接到第二线性节点(333)。

12、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中至少一个晶体管(16，116，216，316，19，119，219，319)为MOSFET。

13、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中至少一个晶体管(16，116，216，316，19，119，219，319，304，305)为N沟道晶体管。

14、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中电路结构(1，101，201，301)连接到用于限定振铃电流的线性线圈(3，4，5，9，10)。

15、根据以上至少一项权利要求的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于，其中电路结构(1，101，201，301)的第一端子(23，123，223，323)连接到负载，而电路结构(1，101，201，301)的第二端子(24，124，224，324)连接到电源电势(GND)，所述负载通过电阻器(12)连接到振铃信号发生器(13)。

16、根据权利要求15的电路结构(1，101，201，301)，其特征在于所述负载为分配器装置(5)。