CN1786744A - 导光板制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种导光板制造方法,其包括以下步骤:形成具有一预定图案的掩膜;利用该掩膜形成一压印模板;提供导光板基板,使用压印模板对导光板基板进行压印,形成导光板。由于其采用压印方法加工导光板基板,当使用具有高精度的压印模板时,可以制作具有极微细网点的导光板。

Description

导光板制造方法
【技术领域】
本发明涉及一种导光板制造方法。
【背景技术】
近年来,随着液晶显示器的彩色化及大型化,其应用领域更为广泛,如笔记本式计算机、各种台式计算机、液晶电视等。因液晶显示器是一种被动组件,其本身不能发光,因而需利用一光源是统作为液晶显示器的光源,如背光模组(Backlight Module),其中,导光板是背光模组中重要组件,用于引导自光源发出光束的传输方向,将线光源或点光源转换成面光源出射。
为提高光线出射的均匀性,一般在导光板表面设置多个网点,以使光线散射以提高导光板出射光束的均匀性,进而提升背光模组的整体性能。而为使出射光线在更精细的尺度上均匀,可在导光板上设置更微细的网点,甚至于极微细的可对光线产生衍射作用的网点。
目前,导光板的制造方法多为射出成型,将粉料加入射出成型机的加热料筒内,变成熔融状态后在高压下通过喷嘴注入到闭合的模腔内。熔融物料于模具内冷却,从而固化定型成为导光板。
然而,射出成型技术通常只能达到数十微米尺寸,其无法制作具有上述极微细网点的导光板。
【发明内容】
为了克服现有技术中导光板制造方法无法制造极精细网点的缺陷,本发明提供一种可制造精细网点的导光板制造方法。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是:提供一种导光板制造方法,其包括以下步骤:形成具有一预定图案的掩膜;利用该掩膜形成一压印模板;提供导光板基板,使用压印模板对导光板基板进行压印,形成导光板。
相较于现有技术,本发明提供的导光板制造方法的优点在于其采用压印方法加工导光板基板,当使用具有高精度的压印模板时,可以制作具有极微细网点的导光板。
【附图说明】
图1是本发明导光板制造方法第一实施方式的流程图。
图2是本发明导光板制造方法第二实施方式的流程图。
图3是本发明导光板制造方法第三实施方式的流程图。
【具体实施方式】
请参阅图1,是本发明导光板制造方法第一实施方式的流程图。该导光板制造方法包括以下步骤:形成具有一预定图案的掩膜(掩膜形成步骤11);使用该掩膜对一硅基板进行微影成像制程,使硅基板上形成与掩膜图案相应的图案(硅基板微影步骤12);使用该具有特定图案的硅基板制作一镍压印模板(镍模板形成步骤13);提供导光板基板,使用镍压印模板对导光板基板进行纳米压印,以形成导光板(纳米压印步骤14)。
掩膜(Photo Mask)是半导体工业中的一种常用器件,通常由二氧化硅基板上镀铬膜,再使用电子束曝光形成预定的透光部分。于半导体制程中,通常使用多个掩膜对一半导体基板先后进行掩膜(微影成像)制程,一次掩膜制程即将该掩膜上的图案转移到欲处理的半导体基板上,经过多个掩膜制程后,该基板即形成一多层结构。
本发明导光板制造方法的掩膜形成步骤11及微影成像步骤12采用上述半导体业的常用技术,微影成像步骤12是施加在一硅基板上,经微影成像步骤12后,该硅基板上形成与掩膜相应的凹陷图案。镍压印模板形成步骤13是将金属镍沉积于该硅基板上,从而形成具有与该硅基板上的凹陷图案相应的压印图案的镍压印模板。
导光板形成步骤14是采用纳米压印(Nano Imprinting)技术,该技术由Chou.SY等人在1995年Appl.Phys.Lett.Vol.67 P3114中提出。该技术可以制造具有几十纳米尺寸结构的器件。导光板形成步骤14使用镍压印模板对一导光板基板进行纳米压印,该导光板基板材料为树脂,经纳米压印后形成具有微细网点的导光板。
由于采用纳米压印技术,该导光板制造方法可以制造网点尺寸为几十纳米的导光板,且以镍为模板材料可以使压印模板有长的寿命。
请参阅图2,是本发明导光板制造方法第二实施方式的流程图。该导光板制造方法包括以下步骤:形成具有一预定图案的掩膜(掩膜形成步骤21);使用该掩膜利用LIGA(Lithography Electroforming Micro Molding,微光刻电铸模造)技术制作一镍压印模板(镍压印模板形成步骤23);提供导光板基板,使用镍压印模板对导光板基板进行纳米压印,以形成导光板(纳米压印步骤24)。
第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于:其利用LIGA技术制作镍压印模板,因此制程较简单、制造费用较低。LIGA技术是德国微结构技术研究院(Institute for Microstructure Technology)结合半导体制造技术提出的一种微结构模具制程。在利用LIGA技术制作镍压印模板的步骤中,镍压印模板的形成是使用NiP作为电极电镀,其厚度在500微米到2000微米之间。
请参阅图3,是本发明导光板制造方法第三实施方式的流程图。该导光板制造方法包括以下步骤:形成具有一预定图案的掩膜(掩膜形成步骤31);使用该掩膜对一硅基板进行微影成像制程,使硅基板上形成与掩膜图案相应的图案(硅基板成像步骤32);提供导光板基板,以硅基板为压印模板对导光板基板进行纳米压印,以形成导光板(纳米压印步骤34)。
由于第三实施方式直接使用硅基板作为压印模板,因此与第一实施方式比较,由于其省略一个步骤而更为简单,且微影制程可以在硅基板上形成较深的图案,但以硅为压印模板材料与镍相比容易在纳米压印中出现破损(Crack),因此其后续压印制程的可靠性下降。
除了采用纳米压印外,上述三实施方式均可采用热压印(HotEmbossing)技术进行压印,但是,由于热压印技术非针对纳米尺寸的专门制程,其制作的导光板的细节较的于纳米压印稍差。

Claims (13)

1.一种导光板制造方法,其包括:形成具有一预定图案的掩膜;利用该掩膜形成一压印模板;提供导光板基板,使用压印模板对导光板基板进行压印,形成导光板。
2.如权利要求1所述的导光板制造方法,其特征在于:该压印为纳米压印。
3.如权利要求2所述的导光板制造方法,其特征在于:利用该掩膜形成一压印模板为一镍压印模板制造方法。
4.如权利要求3所述的导光板制造方法,其特征在于:该镍压印模板制造方法包括:使用该掩膜通过微影成像于一硅基板上制作图案,再使用该具有特定图案的硅基板制作一镍压印模板。
5.如权利要求3所述的导光板制造方法,其特征在于:该镍压印模板制造方法采用微光刻电铸模造制程。
6.如权利要求2所述的导光板制造方法,其特征在于:利用该掩膜形成一压印模板的步骤是一硅压印模板制造方法。
7.如权利要求6所述的导光板制造方法,其特征在于:该硅压印模板制造方法为微影成像方法。
8.如权利要求1所述的导光板制造方法,其特征在于:该压印为热压印。
9.如权利要求8所述的导光板制造方法,其特征在于:利用该掩膜形成一压印模板为一镍压印模板制造方法。
10.如权利要求9所述的导光板制造方法,其特征在于:该镍压印模板制造方法包括:使用该掩膜通过微影成像于一硅基板上制作图案,再使用该具有特定图案的硅基板制作一镍压印模板。
11.如权利要求9所述的导光板制造方法,其特征在于:该镍压印模板制造方法采用微光刻电铸模造制程。
12.如权利要求8所述的导光板制造方法,其特征在于:利用该掩膜形成一压印模板的步骤为一硅压印模板制造方法。
13.如权利要求12所述的导光板制造方法,其特征在于:该硅压印模板制造方法为微影成像方法。
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