CN1778843A - 一种纳米蒙脱土水相插层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种纳米蒙脱土水相插层的制备方法,包括:将纳米蒙脱土在水中高速搅拌,超声,形成稳定的悬浮体系后静置水化;然后在50~85℃下搅拌,加入插层剂的水溶液,高速搅拌,再超声;加入水溶性高分子表面活性剂——聚乙烯醇,在50~85℃下搅拌;离心,冷冻干燥,得到疏松装的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。本发明提供的方法是在水相中,使用水溶性高分子表面活性剂——聚乙烯醇(PVA)对蒙脱土进行插层的新方法。该方法摈弃了现有技术中使用的DMF,能够直接得到疏松的粉末,从而改善了产品的储存性能,以及再次使用时的分散性能,便于批量生产、储存和运输;而且本发明的方法更为简单,成本也进一步降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米蒙脱土水相插层的制备方法。
背景技术
纳米蒙脱土,也称之为纳米粘土,由于其与聚合物基体界面具有理想的粘结性能,且两种材料的热膨胀系数也相匹配,因而纳米蒙脱土与聚合物的复合材料可以稳定的存在,而且纳米蒙脱土的引入,使得聚合物材料的力学强度、弹性模量和热变形温度等材料性能得到大幅度的改善,获得人们所期望的优异的力学性能和耐热性能。
在本申请人的ZL01109463.x专利中,公开了一种制备纳米蒙脱土/聚醚醇或聚酯醇复合材料的方法,该方法操作简便、成本低廉。但是该方法得到的产品在实际应用时,虽然可以使蒙脱土在聚氨酯中实现剥离,可在其制备方法过程中纳米蒙脱土在与单体混合前是储存在DMF中的,由于DMF与其它溶剂体系的相溶性不甚理想,且具有高沸点,不易除去,所以,对于其他溶剂体系该方法得到的纳米蒙脱土复合材料就不实用,同时也不易于储存和批量生产。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术制备纳米蒙脱土复合材料过程中,纳米蒙脱土一直以DMF悬浮液的方式存在,而使得其在应用中与其它溶剂体系的相溶性不甚理想,不易于储存和批量生产的缺陷,从而提供一种不使用DMF的纳米蒙脱土水相插层的制备方法。
本发明的目的是通过如下的技术方案实现的:
本发明提供的纳米蒙脱土水相插层的制备方法,包括如下的步骤:
1)将阳离子交换容量为50~200毫克当量/每100克,层间距为2~6的纳米蒙脱土20~40份在30~1000份温度为50~85℃的水中高速搅拌,超声0.4~3小时,形成稳定的悬浮体系,静置水化10~48小时;
2)将步骤1)得到的悬浮体系在50~85℃下搅拌0.5~3小时,然后将插层剂0.1~10份在5~20份水中溶解后加入到该悬浮体系中,在50~90℃下高速搅拌0.5~5小时,再超声0.5~3小时;
3)向步骤2)得到的悬浮体系中加入分子量为103~1010的聚乙烯醇(PVA)0.1~10份,在50~85℃下搅拌2~6小时;
4)将步骤3)得到的悬浮体系离心,除去上层清液后冷冻干燥,得到疏松装的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。
所述步骤1)的纳米蒙脱土含85~93wt%蒙脱石硅铝酸盐,粒度为30~80微米。
所述步骤2)的插层剂为长链烷基季胺盐或己二酸二胺盐,优选C16~C18的烷基季胺盐,更为优选十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)。
本发明提供的方法是在水相中,使用水溶性高分子表面活性剂——聚乙烯醇(PVA)对蒙脱土进行插层的新方法。该方法摈弃了现有技术中使用的DMF,能够直接得到疏松的粉末,从而改善了产品的储存性能,以及再次使用时的分散性能,便于批量生产、储存和运输;而且本发明的方法更为简单,成本也进一步降低。
本发明制得的蒙脱土为疏松粉末状,层间距大于1.9纳米,与01109463.x中方法一样,并且可以用于各种溶剂体系。在用于纳米蒙脱土/聚氨酯复合材料的制备时,可直接应用于现有的聚氨酯合成和加工领域,不需改变已有的操作工艺和合成路线,也不需要添加其他设备,可直接应用于溶液聚合,如氨纶丝、涂料及其他弹性体合成,并可直接应用于熔融法聚合。
具体实施方式
实施例1、
将纳米蒙脱土20份在30份50℃的水中高速搅拌,超声0.4小时,形成稳定的悬浮体系,静置水化10小时,该纳米蒙脱土的阳离子交换容量为50毫克当量/每100克,层间距为2,含85wt%蒙脱石硅铝酸盐,粒度为30微米。
将得到的悬浮体系在50℃下搅拌3小时,然后将插层剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)0.1份在5份水中溶解后加入到该悬浮体系中,在50℃下高速搅拌5小时,再超声3小时。
向该悬浮体系中加入分子量为103的聚乙烯醇(PVA)10份,在50℃下搅拌6小时;离心,除去上层清液后冷冻干燥,得到疏松装的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。
实施例2、
将纳米蒙脱土40份在1000份85℃的水中高速搅拌,超声3小时,形成稳定的悬浮体系,静置水化48小时,该纳米蒙脱土的阳离子交换容量为200毫克当量/每100克,层间距为6,含93wt%蒙脱石硅铝酸盐,粒度为80微米。
将得到的悬浮体系在85℃下搅拌0.5小时,然后将插层剂己二酸二胺钠10份在20份水中溶解后加入到该悬浮体系中,在90℃下高速搅拌0.5小时,再超声0.5小时。
向该悬浮体系中加入分子量为1010的聚乙烯醇(PVA)0.1份,在85℃下搅拌2小时;离心,除去上层清液后冷冻干燥,得到疏松装的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。
实施例3、
将纳米蒙脱土30份在200份70℃的水中高速搅拌,超声2小时,形成稳定的悬浮体系,静置水化20小时,该纳米蒙脱土的阳离子交换容量为150毫克当量/每100克,层间距为4,含90wt%蒙脱石硅铝酸盐,粒度为60微米。
将得到的悬浮体系在70℃下搅拌2小时,然后将插层剂十八烷基三甲基溴化铵3份在12份水中溶解后加入到该悬浮体系中,在70℃下高速搅拌2小时,再超声1小时。
向该悬浮体系中加入分子量为105的聚乙烯醇(PVA)4份,在60℃下搅拌5小时;离心,除去上层清液后冷冻干燥,得到疏松装的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。
Claims (5)
1、一种纳米蒙脱土水相插层的制备方法,包括如下的步骤:
1)将阳离子交换容量为50~200毫克当量/每100克,层间距为2~6的纳米蒙脱土20~40份在30~1000份温度为50~85℃的水中高速搅拌,超声0.4~3小时,形成稳定的悬浮体系,静置水化10~48小时;
2)将步骤1)得到的悬浮体系在50~85℃下搅拌0.5~3小时,然后将插层剂0.1~10份在5~20份水中溶解后加入到该悬浮体系中,在50~90℃下高速搅拌0.5~5小时,再超声0.5~3小时;所述的插层剂为长链烷基季胺盐或己二酸二胺盐;
3)向步骤2)得到的悬浮体系中加入聚乙烯醇0.1~10份,在50~85℃下搅拌2~6小时;
4)将步骤3)得到的悬浮体系离心,除去上层清液后冷冻干燥,得到疏松装的层间距大于1.9纳米的蒙脱土。
2、如权利要求1所述的纳米蒙脱土水相插层的制备方法,其特征在于,所述步骤1)的纳米蒙脱土含85~93wt%蒙脱石硅铝酸盐,粒度为30~80微米。
3、如权利要求1所述的纳米蒙脱土水相插层的制备方法,其特征在于,所述步骤2)的长链烷基季胺盐为C16~C18的烷基季胺盐。
4、如权利要求1或3所述的纳米蒙脱土水相插层的制备方法,其特征在于,所述步骤2)的长链烷基季胺盐为十六烷基三甲基溴化铵。
5、如权利要求1所述的纳米蒙脱土水相插层的制备方法,其特征在于,所述步骤3)的聚乙烯醇的分子量为103~1010。
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