CN1737220A - 碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法 - Google Patents
碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1737220A CN1737220A CN 200510042914 CN200510042914A CN1737220A CN 1737220 A CN1737220 A CN 1737220A CN 200510042914 CN200510042914 CN 200510042914 CN 200510042914 A CN200510042914 A CN 200510042914A CN 1737220 A CN1737220 A CN 1737220A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- whisker
- valve
- unidirectional
- stove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种晶须生成炉以及用这种晶须生成炉生产晶须的方法。其目的是解决用现有的工业真空电炉不能连续生产碳化硅晶须问题。其晶须生成炉是在工业真空电炉基础上增加单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；其方法是利用单向气密式阀门的开闭，进行连续供料及连续产出碳化硅晶须成品。把现有技术的间歇式生产变为连续式生产，碳化硅晶须生产过程中不需要降温停炉，即可实现连续加料、出料，可提高生产效率，节约能耗；由于采用了诱导板，使碳化硅晶须在诱导板上生成，实现了碳化硅晶须在生长过程中即与粉料的分离，不需要二次提纯，可简化生产工序，使碳化硅晶须的品质得到保证。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶须生成炉，还涉及用这种晶须生成炉生产晶须的方法。
背景技术
参见图4，公知的制备碳化硅晶须所用炉具是工业真空电炉，包括石墨坩埚1、石墨加热体2、进气孔3、碳毡保温层4、炉壁5、出气孔15、上端盖17、观察孔18、下端盖19、石墨垫板28和石墨密封板29。石墨加热体2置于工业真空电炉的里层，外层是炉壁5，在炉壁5与石墨加热体2之间是碳毡保温层4，石墨加热体2和石墨垫板28固定在下端盖19上，石墨坩埚1放置在石墨垫板28上，穿过炉壁5、碳毡保温层4和石墨加热体2有进气孔3和观察孔18，电炉的上方有上端盖17，在上端盖17上位于炉腔的位置连接有石墨密封板29，上端盖17还有一个出气孔15，炉壁5、上端盖17和下端盖19为钢质中空结构，生产过程中通水冷却。
在生产时将原料装入石墨坩埚内放入电炉炉腔中的石墨垫板上，抽真空并用惰性气体保护，通电加热达到预定温度后，保温一定时间，待晶须生成后降温，打开电炉，取出石墨坩埚，将晶须和剩余物料取出分离，得到晶须产品。如要继续生产时，则需要将石墨坩埚重新加料，放入电炉炉腔中，重新抽真空通保护气体，加温、保温，待晶须生成后，降温取出石墨坩埚，将晶须和剩余物料取出分离，得到晶须产品。这种生产方式称为间歇式生产，生产效率低，所制得的晶须产品因混有杂质，需要提纯工艺，生产过程复杂，生产成本高，而且晶须与残余物分离较困难，所得晶须产品的品质较差。
发明内容
为了克服现有技术不能连续生产晶须产品的不足，本发明提供一种碳化硅晶须生成炉，这种碳化硅晶须生成炉可连续生产碳化硅晶须，而且生产的碳化硅晶须能随时分离出炉，品质纯净。
本发明还提供用这种碳化硅晶须生成炉生产碳化硅晶须的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种碳化硅晶须生成炉，包括石墨坩埚1、石墨加热体2、进气孔3、碳毡保温层4、炉壁5、出气孔15、上端盖17、观察孔18、下端盖19、石墨垫板28和石墨密封板29，其特征在于：还包括单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；
单向气密式给料装置包括高温下料管6、单向气密式阀门A7、给料室8、单向气密式阀门B9、低温下料管10、定量给料器11和三通阀门A12，低温下料管10通过法兰与定量给料器11连接，低温下料管10、给料室8和高温下料管6由单向气密阀门B9、单向气密阀门A7通过法兰连接在一起，定量给料器11固定在靠近炉体单独的平台上，单向气密式给料装置下端的高温下料管6穿过上端盖17和石墨密封板29插入石墨坩锅1内，炉子外面的低温下料管10下端装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体上端盖17的法兰上；
旋转式碳化硅晶须收集器包括可调速旋转装置13、连动轴30、诱导板14、晶须收集仓26、刮板27、高温出料管20、低温出料管24、单向气密式阀门D25、单向气密式阀门C23、卸料室22、三通阀门C21，诱导板14安装在石墨坩锅1和晶须收集仓26上方，通过连动轴30与炉外的可调速旋转装置13相连接，连动轴30通过轴承连接在上端盖17上，晶须收集仓26与高温出料管20连为一体，连动轴30为石墨质或碳/碳复合材料，位于石墨坩锅1旁边，刮板27固定在圆锥形的晶须收集仓26内，高温出料管20、卸料室22和低温出料管24由单向气密阀门D25、单向气密阀门C23通过法兰连接在一起，低温出料管24接近炉体部分装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体下端盖19的法兰上。
所述的连动轴30是高强耐高温材质，可以是碳/碳复合材料、碳化硅材料、钨或者钼。
所述的诱导板14是石墨板，形状为圆形或方形。
所述的高温下料管6、刮板27以及高温出料管20均为石墨质或碳/碳复合材料。
一种利用权利要求1所述碳化硅晶须生成炉生产碳化硅晶须的方法，包括下述步骤：
1)首先在石墨坩埚1的内壁上涂刷一层隔离剂，然后将处理好的石墨坩埚1放入炉腔，将单向气密式给料装置下端的高温下料管6插入石墨坩锅1内；
2)将连接好可调速旋转装置13的诱导板14安装在石墨坩埚1和晶须收集仓26上方，盖上上端盖17，通过三通阀门B16抽真空后，由进气孔3通惰性气体，加热，待炉温升到预定温度后，打开定量给料器11喂入一定量的反应料，反应料通过低温下料管10及单向气密阀门B9进入给料室8，关闭单向气密阀门B9；
3)打开三通阀门A12对给料室8抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，关闭三通阀门A12；
4)打开单向气密阀门A7使反应料进入石墨坩埚1内，关闭单向气密阀门A7；
5)打开三通阀门A12对给料室8通空气至与炉外气压平衡，准备下一个加料过程；
6)当碳化硅晶须在诱导板14上生成后，启动可调速旋转装置13使诱导板14旋转，晶须收集仓26内的刮板27将晶须刮下入仓，进入高温出料管20；
7)打开三通阀门C21对卸料室22抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，关闭三通阀门C21；
8)打开单向气密式阀门D25，使碳化硅晶须进入到卸料室22中，关闭气密阀门D25；
9)打开三通阀门C21对卸料室22通空气至与炉外气压平衡，关闭三通阀门C21；
10)打开单向气密阀门C23，将碳化硅晶须成品排出炉外收集，关闭气密阀门C23；
11)打开三通阀门C21对卸料室22抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，准备下一个出料过程。
本发明的有益效果是：由于采用了单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器，所以，碳化硅晶须生产过程中不需要降温停炉，即可实现连续加料、出料，实现碳化硅晶须的连续生产，可提高生产效率，节约能耗；由于采用了诱导板，使碳化硅晶须在诱导板上生成，实现了碳化硅晶须在生长过程中即与粉料的分离，不需要二次提纯，可简化生产工序，而且碳化硅晶须的品质得到保证。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明结构的正剖视图
图2是本发明单向气密式给料装置的结构示意图
图3是本发明旋转式碳化硅晶须收集器的结构示意图
图4是工业真空电炉结构的正剖视图，为现有技术图
图中，图中1-坩埚 2-石墨加热体 3-进气孔 4-碳毡 5-炉壁 6-高温下料管 7-单向气密式阀门A 8-给料室 9-单向气密式阀门B 10-低温下料管 11-定量给料器 12-三通阀门A 13-可调速旋转装置 14-诱导板 15-出气孔 16-三通阀门B 17-上端盖 18-观察孔 19-下端盖 20-高温出料管 21-三通阀门C 22-卸料室 24-低温出料管 23-单向气密式阀门C 25-单向气密式阀门D 26-晶须收集仓 27-刮板 28-石墨垫板 29-石墨密封板 30-连动轴
具体实施方式
参见图1～3，本发明是在现有技术工业真空电炉中石墨坩埚上1加装单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器。
单向气密式给料装置包括高温下料管6、单向气密式阀门A7、给料室8、单向气密式阀门B9、低温下料管10、定量给料器11和三通阀门A12。低温下料管10为圆形金属质，通过法兰与定量给料器11连接，低温下料管10、给料室8和高温下料管6由单向气密阀门B9、单向气密阀门A7均通过法兰连接在一起。定量给料器11可连续调节给料量，可以是变频调速的螺旋给料机，或变频调速的振动给料机，它固定在靠近炉体单独的平台上；高温下料管6为石墨质圆形管，它穿过上端盖17和石墨密封板29插入石墨坩锅1内。炉子外面的低温下料管10下端装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体上端盖17的法兰上。
旋转式碳化硅晶须收集器包括可调速旋转装置13、连动轴30、诱导板14、晶须收集仓26、刮板27、高温出料管20、低温出料管24、单向气密式阀门D25、单向气密式阀门C23、卸料室22、三通阀门C21。诱导板14是圆形或方形的石墨板，安装在石墨坩锅1和晶须收集仓26上方，通过连动轴30与炉外的可调速旋转装置13相连接；连动轴30是高强耐高温材质，可以是碳/碳复合材料、碳化硅材料、钨或钼；连动轴30通过轴承连接在上端盖17上。晶须收集仓26及高温出料管20是整体式的，为石墨质或碳/碳复合材料，位于石墨坩锅1旁边，刮板27也是碳质或碳/碳复合材料的，固定在圆锥形的晶须收集仓26内，高温出料管20、卸料室22和低温出料管24由单向气密阀门D25、单向气密阀门C23均通过法兰连接在一起。低温出料管24接近炉体部分装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体下端盖19的法兰上。
将处理后的石墨坩埚1装入炉腔内，将诱导板14、可调速旋转装置13及上端盖17安装好，通过三通阀门B16抽真空后，由进气孔3通惰性气体保护，加热，待炉温升到预定温度后，打开定量给料器11喂入一定量的反应料，反应料通过低温下料管10及单向气密阀门B9进入给料室8，关闭单向气密阀门B9。打开三通阀门A12对给料室8抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，关闭三通阀门A12。打开单向气密阀门A7使反应料进入石墨坩埚1内，关闭单向气密阀门A7。打开三通阀门A12对给料室8通空气至与炉外气压平衡，准备下一个加料过程。当碳化硅晶须在诱导板14上生成后，启动可调速旋转装置13使诱导板14旋转，晶须收集仓26内的刮板27将晶须刮下入仓，进入高温出料管20。打开三通阀门C21对卸料室22抽真空，达一定真空度后通保护气体至与炉内气压平衡，关闭三通阀门C21。打开单向气密式阀门D25，使碳化硅晶须进入到卸料室22中，关闭气密阀门D25。打开三通阀门C21对卸料室通空气至与炉外气压平衡，关闭三通阀门C21。打开气密阀门C23，将碳化硅晶须成品排出炉外收集，关闭气密阀门C23。打开三通阀门C21对卸料室抽真空通保护气体，进行下一个出料过程。
在生产时，首先要对石墨坩埚1进行处理，即在坩埚内壁上涂刷一层隔离剂，然后将处理好的石墨坩埚1放入炉腔，之所以要对坩埚内壁进行处理，是为了防止晶须在坩埚内壁上生长，确保晶须只在诱导板14上生成。
Claims (5)
1、一种碳化硅晶须生成炉，包括石墨坩埚(1)、石墨加热体(2)、进气孔(3)、碳毡保温层(4)、炉壁(5)、出气孔(15)、上端盖(17)、观察孔(18)、下端盖(19)、石墨垫板(28)和石墨密封板(29)，其特征在于：还包括单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；
单向气密式给料装置包括高温下料管(6)、单向气密式阀门A(7)、给料室(8)、单向气密式阀门B(9)、低温下料管(10)、定量给料器(11)和三通阀门A(12)，低温下料管(10)通过法兰与定量给料器(11)连接，低温下料管(10)、给料室(8)和高温下料管(6)由单向气密阀门B(9)、单向气密阀门A(7)通过法兰连接在一起，定量给料器(11)固定在靠近炉体单独的平台上，单向气密式给料装置下端的高温下料管(6)穿过上端盖(17)和石墨密封板(29)插入石墨坩锅(1)内，炉子外面的低温下料管(10)下端装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体上端盖(17)的法兰上；
旋转式碳化硅晶须收集器包括可调速旋转装置(13)、连动轴(30)、诱导板(14)、晶须收集仓(26)、刮板(27)、高温出料管(20)、低温出料管(24)、单向气密式阀门D(25)、单向气密式阀门C(23)、卸料室(22)、三通阀门C(21)，诱导板(14)安装在石墨坩锅(1)和晶须收集仓(26)上方，通过连动轴(30)与炉外的可调速旋转装置(13)相连接，连动轴(30)通过轴承连接在上端盖(17)上，晶须收集仓(26)与高温出料管(20)连为一体，连动轴(30)为石墨质或碳/碳复合材料，位于石墨坩锅(1)旁边，刮板(27)固定在圆锥形的晶须收集仓(26)内，高温出料管(20)、卸料室(22)和低温出料管(24)由单向气密阀门D(25)、单向气密阀门C(23)通过法兰连接在一起，低温出料管(24)接近炉体部分装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体下端盖(19)的法兰上。
2、根据权利要求1所述的碳化硅晶须生成炉，其特征在于：所述的连动轴(30)是高强耐高温材质，可以是碳/碳复合材料、碳化硅材料、钨或者钼。
3、根据权利要求1所述的碳化硅晶须生成炉，其特征在于：所述的诱导板(14)是石墨板，形状为圆形或方形。
4、根据权利要求1所述的碳化硅晶须生成炉，其特征在于：所述的高温下料管(6)、刮板(27)以及高温出料管(20)均为石墨质或碳/碳复合材料。
5、一种利用权利要求1所述碳化硅晶须生成炉生产碳化硅晶须的方法，包括下述步骤：
1)首先在石墨坩埚(1)的内壁上涂刷一层隔离剂，然后将处理好的石墨坩埚(1)放入炉腔，将单向气密式给料装置下端的高温下料管(6)插入石墨坩锅(1)内；
2)将连接好可调速旋转装置(13)的诱导板(14)安装在石墨坩埚(1)和晶须收集仓(26)上方，盖上上端盖(17)，通过三通阀门B(16)抽真空后，由进气孔(3)通惰性气体，加热，待炉温升到预定温度后，打开定量给料器(11)喂入一定量的反应料，反应料通过低温下料管(10)及单向气密阀门B(9)进入给料室(8)，关闭单向气密阀门B(9)；
3)打开三通阀门A(12)对给料室(8)抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，关闭三通阀门A(12)；
4)打开单向气密阀门A(7)使反应料进入石墨坩埚(1)内，关闭单向气密阀门A(7)；
5)打开三通阀门A(12)对给料室(8)通空气至与炉外气压平衡，准备下一个加料过程；
6)当碳化硅晶须在诱导板(14)上生成后，启动可调速旋转装置(13)使诱导板(14)旋转，晶须收集仓(26)内的刮板(27)将晶须刮下入仓，进入高温出料管(20)；
7)打开三通阀门C(21)对卸料室(22)抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，关闭三通阀门C(21)；
8)打开单向气密式阀门D(25)，使碳化硅晶须进入到卸料室(22)中，关闭气密阀门D(25)；
9)打开三通阀门C(21)对卸料室(22)通空气至与炉外气压平衡，关闭三通阀门C(21)；
10)打开单向气密阀门C(23)，将碳化硅晶须成品排出炉外收集，关闭气密阀门C(23)；
11)打开三通阀门C(21)对卸料室(22)抽真空后，通惰性气体至与炉内气压平衡，准备下一个出料过程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100429145A CN100376726C (zh) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100429145A CN100376726C (zh) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1737220A true CN1737220A (zh) | 2006-02-22 |
| CN100376726C CN100376726C (zh) | 2008-03-26 |
Family
ID=36080154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100429145A Expired - Fee Related CN100376726C (zh) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100376726C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101333685B (zh) * | 2008-07-29 | 2010-12-08 | 浙江理工大学 | 连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1035631C (zh) * | 1990-12-10 | 1997-08-13 | 中国科学院金属研究所 | 连续碳化硅纤维的制备方法及装置 |
| CN1053271A (zh) * | 1990-12-29 | 1991-07-24 | 清华大学 | 高性能α相碳化硅晶须的制造方法 |
-
2005
- 2005-07-11 CN CNB2005100429145A patent/CN100376726C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101333685B (zh) * | 2008-07-29 | 2010-12-08 | 浙江理工大学 | 连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100376726C (zh) | 2008-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1775428A (zh) | 快速凝固贮氢合金粉末材料的制备方法及其装置 | |
| CN102120579B (zh) | 一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | |
| CN107447201A (zh) | 一种钨制品的制备装置及方法 | |
| CN102126726A (zh) | 一种电子束高效提纯多晶硅粉体的方法及设备 | |
| CN1806971A (zh) | 一种生产均匀超细金属粉体材料的方法及其装置 | |
| JP2011219286A (ja) | シリコン及び炭化珪素の製造方法及び製造装置 | |
| CN1986400B (zh) | 用电煅炉生产石墨碎和石墨化焦的方法 | |
| CN1737220A (zh) | 碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法 | |
| CN105008278A (zh) | 碳化硅的制造方法及碳化硅 | |
| CN102275929A (zh) | 一种提高冶金硅纯度的方法及实现该方法的装置 | |
| CN102864343A (zh) | 一种原位铝基复合材料孕育剂的制备方法 | |
| CN110451486B (zh) | 一种批量制备碳纳米管的装置及方法 | |
| CN101333685B (zh) | 连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉 | |
| CN115584556A (zh) | 一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法 | |
| CN214486909U (zh) | 一种用于制备一氧化硅的竖式反应炉及制备装置 | |
| CN2865935Y (zh) | 一种生产均匀超细金属粉体材料的装置 | |
| CN2439921Y (zh) | 电爆法金属纳米粉制取设备 | |
| CN110127664B (zh) | 利用固定床自动连续生产碳纳米管的设备及方法 | |
| CN220328624U (zh) | 一种负极材料石墨化提纯装置 | |
| CN218799121U (zh) | 一种等离子体冶金材料一体化设备 | |
| CN117646278B (zh) | 一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法 | |
| CN110655085A (zh) | 固态纯净物卧式电加热设备单侧侧面收集方法 | |
| CN111690833A (zh) | 一种高温高效合金反应提纯炉及合金反应工艺 | |
| CN221094363U (zh) | 一种用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置 | |
| CN110371983A (zh) | 用真空中频感应炉冶炼高纯工业硅的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080326 Termination date: 20140711 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |