CN1725297A - 磁记录再现装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种设有磁记录媒体的磁记录装置,该磁记录装置在媒体的受热波动影响最强的垂直磁记录媒体的伺服区,为了降低会加速垂直磁记录媒体的热波动的去磁场的影响,将记录伺服信号的凸起结构的形状设定为梯形,同时结合所使用的垂直磁记录媒体的特性确定梯形的规格等,因此可抑制伺服区的凹凸结构的垂直磁记录层的磁化的热波动所产生的伺服信号的恶化,并可确保长期稳定的伺服功能。

Description

磁记录再现装置
技术领域
本发明涉及一种磁记录再现装置,具体涉及一种在衬底上以预定凹凸图案形成磁记录层,包括具备所谓的伺服区和信息数据区的磁记录媒体(离散型磁记录媒体)及检测该磁记录媒体的伺服信号的同时记录并再现信息数据的磁头的磁记录再现装置。
背景技术
一直以来,提高硬盘等磁记录媒体的面记录密度的方法有两种:(1)提高线记录密度;(2)提高轨道(track)密度。今后为了实现更进一步的高密度化,有必要基于上述两种方法提高记录密度。
关于提高轨道密度,磁头的加工限度、磁头磁场的扩张造成的边缘干扰(side fringe)、串扰等问题日益明显,换言之,作为传统的改良方法之延续的磁头高轨道化技术,随着该技术的进步,提高面记录密度已达到极限。
另一方面,作为提高线记录密度的方法,传统的纵向磁媒体中虽然达到薄层化及高矫顽磁力,但从对媒体的高密度化及记录磁化的热波动的进一步稳定性的观点来看,满足这些条件的垂直磁记录媒体更受瞩目。
面对这样的实际情况,已有提案可提高面记录密度、可弥补磁头的高轨道密度化存在的缺陷,即以预定的凹凸图案形成记录层的离散轨道型盘的磁记录媒体。例如特开平11-328662号公报所揭示,在衬底上实施预定的凹凸图案,沿着该凹凸图案形成单层垂直磁记录层的磁记录媒体。
为了达到高记录密度化,低间隔化是必要的。但是,记录层的凹凸形状无法得到磁头的稳定的浮上特性,存在有可能引起磁头碰撞的问题。从该观点出发,特开平10-222944号公报揭示了通过改变轨道宽度方向的凹凸形状,得到磁头的浮上稳定性的记录媒体。
再有,特开2000-195042号公报揭示了一种离散型磁记录媒体,该磁记录媒体为了确保磁头的浮上特性的稳定性,用非磁性材料或其他材料填充凹凸形状的凹部。
此外,特开平6-111502号公报揭示了一种规定三种宽度之间的关系的技术,该三种宽度分别是纵向记录媒体中矩形凹凸结构的跟踪伺服(tracking servo)的脉冲串图案(burst pattern)的宽度、轨道间距及再现磁头读取宽度。
一般磁盘装置所使用的磁记录媒体,其磁头的跟踪用伺服区通过伺服轨道记录器进行记录。
伺服区一般具有ISG(Initial Signal Gain)部、SVAM(Servo AddressMark)部、格雷码部、脉冲串部及缓冲部,各部分为了发挥预定的功能,形成各种磁性图案。
所述磁性图案中,脉冲串部在磁记录媒体的径向上以一个轨道的宽度进行记录。另外,其他的ISG部、SVAM部、格雷码部及缓冲部在盘的径向连续进行记录或在径向至少持续数个以上的轨道连续进行记录。
但是,近年来磁记录装置的记录密度的增大日益显著,磁记录媒体所记录的记录位的大小也伴随磁记录密度的增加在减少。为此,为了确保高S/N,磁性粒子变小是必要的,以前广泛使用的纵向记录方式的媒体中,磁性粒子的磁化能KuV(Ku:磁各向异性常数、V:磁性粒子的体积)与周围温度的热能kT(k:波耳兹曼常数、T:绝对温度)之比,即KuV/kT值,作为一般的目标,大概小于60时,因作为外乱的热能的扰乱,磁化随机地波动,随时间的磁化降低,所谓热波动的现象显著。
于是,为了使磁性粒子的磁化能变大,高密度且可增大媒体膜厚度的垂直磁记录媒体正受瞩目。
垂直磁记录媒体越是高密度,磁化越稳定,且对于热波动强的反面、低记录密度即位长度大的区域中降低磁化大小的去磁场变大,因此加速热波动的影响,具有记录磁化降低的倾向。
因而,所述受热波动影响最强的区域就是记录密度较低的记录伺服信号的伺服区。
伺服信号一旦被记录下来,通常无法再通过磁头再记录,容易受长期的热波动的影响,因记录磁化的减少,伺服信号下降,跟踪伺服的信号品质也随之下降。
面对这样的问题,特开平11-25402号公报中公开了一种在没有凹凸结构的垂直磁记录媒体的跟踪用伺服信号的记录磁化中,设定伺服信号的位长度,使记录位内的磁化饱和时的最大去磁场小于记录层的矫顽磁力的技术,并求出用以设定的关系式。
关于该提案技术,伺服信号如该公报附图所示,矩形位的垂直磁化M相互反转并连续排列,无论哪个位内发生的去磁场Hd,也会因来自最相邻的位的磁场H而减弱该去磁场。特别是位与位的边界,认为理论上此处的去磁场应该是零,理想的磁化漂移近旁能够确保接近饱和磁化的值。
但是设置凹凸结构的离散轨道型盘,如特开平6-111502号公报所示,对应伺服图案的磁记录层的凹凸形状的脉冲串部中,通常,矩形记录的位以1位间隔配置。另外,ISG部、SVAM部、格雷码部中,在盘径向长的矩形位以1位间隔配置。
如此将磁记录层加工成凹凸结构的离散轨道型盘中,不同于如特开平11-25402号公报所示的垂直磁记录媒体上记录连续反转的磁化的方式,记录伺服信号的凸部的磁记录层完全孤立,连原本去磁场作用最弱(反转磁化)的最相邻位也不存在。而且,仅相隔1位长度处的位以相同磁化方向磁化,根本无法期待降低去磁场的效果,反而起增大去磁场的作用。
另外,离散轨道型盘中,原来位与位的磁化漂移中去磁场成为自由(free)的边界,以及在矩形位的端面上去磁场也不会变为零,仍受去磁场的影响。因而,采用传统的没有凹凸结构的垂直磁记录媒体时,热波动对伺服区的影响很大,长期后的伺服信号的可靠性并不充分。
面对这样的实际情况,本发明目的在于提供一种磁记录装置,该磁记录装置采用具有凹凸结构的离散轨道型盘的垂直磁记录媒体,该磁记录媒体可以抑制伺服区的凹凸结构的垂直磁记录层的磁化的热波动所产生的伺服信号的恶化,并可确保长期稳定的伺服功能。
发明内容
本发明为解决上述课题构思而成,旨在提供一种磁记录装置,其中包括具有数据信息记录部及跟踪用的伺服用信息部的离散型垂直磁记录媒体,其特征在于:在该媒体受热波动影响最强的垂直磁记录媒体的伺服区中,将记录伺服信号的凸起结构的形状设定为梯形,同时结合所使用的垂直磁记录媒体的特性确定梯形的规格(形状及磁性)等可降低去磁场的影响,该去磁场会加速垂直磁记录媒体的热波动。
即,本发明是关于一种磁记录再现装置,其中包括磁记录媒体与磁头,该磁记录媒体设有数据信息记录部及跟踪用的伺服用信息部,该磁头检测所述伺服用信息部的伺服信息的同时,向所述数据信息记录部记录并再现数据信息,所述伺服用信息部由垂直磁记录层构成,该垂直磁记录层由基于预定凹凸图案的凸部形成,该伺服用信息部设有记录跟踪用脉冲串信号的脉冲串部,所述脉冲串部是由记录有脉冲串信号的多个凸部组成的垂直磁记录层按照预定配置来形成,由所述凸部组成的垂直磁记录层沿着轨道宽度方向(轨道径向)及轨道圆周方向,分别具有实质的第一梯形及第二梯形,所述轨道宽度方向的第一梯形中,将与由凸部组成的垂直磁记录层表面对应的上边设为W1,与由凸部组成的垂直磁记录层下面对应的下边设为W2,在所述轨道圆周方向的第二梯形中,与由凸部组成的垂直磁记录层表面对应的上边设为L1,将与由凸部组成的垂直磁记录层下面对应的下边设为L2,由所述凸部组成的垂直磁记录层的厚度设为t(该厚度与凸状磁记录层的下边W2到上边W1的高度,及L2到L1的高度相同),由所述凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,饱和磁化设为Ms,矫顽磁力矩形比设为S*时,所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使脉冲串部的规格设定满足下式(1)。
Hc · S * > 4 Ms ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) …式(1)
另外,本发明的磁记录再现装置中,将由所述凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,残留磁化设为Mr,矫顽磁力矩形比设为S*时,所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使脉冲串部的规格设定满足下式(2)。
Hc · S * > 4 Mr ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) …式(2)
另外,本发明的磁记录再现装置中,满足W2>W1及L2>L1的关系。
此外,本发明的磁记录再现装置中,由所述轨道圆周方向相邻的凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
此外,本发明是一种磁记录再现装置,其中包括磁记录媒体与磁头,该磁记录媒体设有数据信息记录部及跟踪用的伺服用信息部,该磁头检测所述伺服用信息部的伺服信息的同时,向所述数据信息记录部记录并再现数据信息,所述伺服用信息部由垂直磁记录层构成,该垂直磁记录层由基于预定凹凸图案的凸部形成,该伺服用信息部由记录有伺服信号的多个凸部组成的垂直磁记录层按照预定配置来形成,该多个凸部组成的垂直磁记录层中,设有沿轨道径向(轨道宽度方向)延伸的带状凸部,所述带状凸部在轨道的圆周方向具有上边为L1、下边为L2的梯形,并在轨道径向上形成长度为L2之100倍以上的带形状,将由所述带状凸部组成的垂直磁记录层的厚度设为t(与凸状磁记录层的下边L2到上边L1的高度同义),所述带状凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,饱和磁化设为Hs,矫顽磁力矩形比设为S*时,所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使带状凸部的规格设定满足下式(3)。
Hc · S * > 4 Ms ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) …式(3)
此外,本发明的磁记录再现装置中,将由所述凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,残留磁化设为Mr,矫顽磁力矩形比设为S*时,所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使脉冲串部的规格设定满足下式(4)。
Hc · S * > 4 Mr ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) …式(4)
另外,本发明的磁记录再现装置中,所述伺服用信息部的伺服信号的记录,是通过在直流磁场中向所述垂直磁记录层面垂直施加磁场来一并磁化垂直磁记录媒体。
并且,本发明的磁记录再现装置中,所述伺服用信息部由预定的凹凸图案形成,凹部中填充用以发挥离散作用的非磁性材料。
附图说明
图1是表示本发明盘状磁记录媒体的整体形状的简化平面图。
图2是图1中被四边形围住的微小部分的简化局部放大图。
图3是示意表示本发明磁记录媒体的最佳实施方式的剖视图。
图4是表示梯形垂直磁记录层的结构的简化透视图。
图5是表示梯形垂直磁记录层的结构的简化透视图。
图6是磁记录再现装置的简化透视图。
图7是磁记录媒体的磁化—磁场曲线的示图。
图8是说明其他伺服图形的例子的平面图。
具体实施方式
下面,对本发明的最佳实施方式进行详细说明。
本发明的磁记录再现装置包括磁记录媒体与磁头,该磁记录媒体设有数据信息记录部及跟踪用的伺服用信息部,该磁头检测所述伺服用信息部的伺服信息的同时,向所述数据信息记录部记录并再现数据信息。
首先,为了把握整个装置的结构,参照图6来说明磁记录再现装置的简要结构。
(磁记录再现装置的简要结构的说明)
图6示出本发明的优选例的磁记录再现装置的简化结构斜视图。
该图中,磁记录媒体1采用盘状垂直磁记录媒体,该媒体通过主轴马达2旋转驱动。
另外,为了对磁记录媒体进行数据的读取及写入,从媒体外侧向媒体内侧延伸设置的转动臂4的前端设有记录再现用磁头5。转动臂4通过音圈马达3转动,例如,基于记录再现用磁头检测出的伺服信号,确定磁头在预定轨道上的位置。
记录再现用磁头5备有记录元件和再现元件,记录元件例如采用主磁极励磁型的单磁极头,再现元件例如采用GMR(巨磁阻效应)磁头。也可采用TMR(隧道磁阻效应)磁头等来取代GMR磁头。
(磁记录媒体的说明)
接着对磁记录媒体的结构进行说明。
图1是表示本发明所采用的盘状磁记录媒体1的整体形状的简化平面图。图2是表示图1中被四边形围住的微小部分100的简化局部放大图。图2中主要示意表示作为记录伺服信号的区域的伺服用信息部90和作为记录再现用数据轨道群的数据信息记录部80。
图3是示意表示本发明中的磁记录媒体的优选实施方式的剖视图,图3实质上相当于图2沿α-α箭头的剖视图。
图1中,虽然未图示,但在盘衬底上同心圆状配置并形成用以记录再现的多个数据轨道群。
另外,从盘中心向外侧放射状地形成伺服信号区域(伺服用信息部90:图中描绘成放射线状处)。即,将盘面以扇形的方式分割,适用所谓扇面伺服方式。磁记录媒体的伺服用信息部90用伺服跟踪记录器记录伺服信息。
对伺服用信息部90的结构进行详述,伺服用信息部90(所谓伺服区)如图2所示,包括ISG部91、SVAM部92、格雷码部93、脉冲串部94及缓冲部95。
ISG部91是为了排除磁记录媒体的磁性膜(磁性层)的磁性及磁头的浮上量不均匀的影响而设置的连续图案,沿着轨道径向连续形成。用磁头再现该ISG部91的期间,由于补偿磁记录媒体及磁头的输出偏差,伺服解调电路根据自动增益控制(AGC)确定增益。起这种作用的自动增益控制(AGC),在检测出存在于伺服区的SVAM部92的时刻被关闭,将以后的存在于脉冲串部94的再现振幅,用ISG部91的振幅标准化。
格雷码部93记录轨道编码信息及扇面编码信息。
脉冲串部94是用以得到使磁头正确跟踪到轨道位置的正确的位置信息的图案。该图案通常由分别以相同距离跨越控制相邻轨道间距的中心线的第一脉冲串94a和第二脉冲串94b组、与该脉冲串组仅仅错开半轨道间距的位置上的第三脉冲串94c和第四脉冲串94d组构成。脉冲串部94通常如图2所示,在磁记录媒体的径向上以1轨道间隔记录。
缓冲部95是为了吸收解调电路的延迟而设置的图案,以维持在伺服解调电路再现伺服区的期间时钟生成。
ISG部91、SVAM部92、缓冲部95沿盘径向连续记录。此外,格雷码部93也在径向至少记录数轨道以上。
接着,参照图3说明磁记录媒体的优选的截面结构。例如通过图2的沿α-α箭头的剖视图来把握该图3。
如图3所示,磁记录媒体包括:衬底15、形成于该衬底15上的取向层14、形成于该取向层14上的软磁性层11、形成于该软磁性层11上的中间层12、形成于该中间层12上的相当于凹凸状的凸部的垂直磁记录层10及相当于凹部的非磁性层20以及在它们之上形成的保护层13。
衬底15可以采用玻璃衬底、NiP被覆铝合金衬底、Si衬底等。取向层14例如可以采用向软磁性层11的轨道宽度方向提供磁各向异性磁场的PtMn等反铁磁质材料。也可采用用以控制取向的非磁性合金。
软磁性层11可采用CoZrNb合金、Fe系合金、Co系非晶合金、软磁性/非磁性层多层膜、软磁性铁氧体等。
中间层12是为了控制形成于该中间层上的垂直磁记录层的垂直磁各向异性及结晶粒径而设,例如采用CoTi非磁性合金。此外也可采用起相同作用的非磁性合金、合金或低导磁率的合金。
凸部的垂直磁记录层10可采用在SiO2氧化物系材料中矩阵状地包含CoPt等强磁性粒子的媒体、CoCr系合金、FePt合金、Co/Pd系的人工格子型多层合金等。
凹部的非磁性层20的材料可采用SiO2、Al2O3、TiO2、铁氧体等非磁性氧化物、AlN等氮化物、SiC等碳化物。
凸部的垂直磁记录层10及填充于凹部的非磁性层20的表面,通常采用CVD法等形成碳薄膜等的保护层13。
基于凹凸图案形成的垂直磁记录层10及非磁性层20(形成所谓离散型媒体),例如,将一定厚度成膜的垂直磁记录层10蚀刻成预定的凹凸形状后,对应蚀刻深度溅镀SiO2,填充被蚀刻的凹部。然后,旋转媒体,并通过倾斜离子束蚀刻法等,除去垂直磁记录层10上的SiO2多余的沉积,使媒体表面平坦化。
(伺服区(伺服用信息部)的规格设定)
本发明的主要特征在于:媒体的受热波动影响最强的垂直磁记录媒体的伺服区(伺服用信息部)中,将记录伺服信号的凸起结构设定为梯形,同时结合所使用的垂直磁记录媒体的特性确定梯形的规格(形状及磁性)等,以抑制伺服信号的恶化,并可确保长期稳定的伺服功能。
以下,对伺服区的按各功能的凸起结构的磁记录层(磁性层)分别进行说明。即按照(1)有必要考虑轨道径向(盘径向)的长度及轨道圆周方向的长度的关系的第一组,即脉冲串部94(94a~94d);(2)轨道径向(盘径向)的长度明显大于轨道圆周方向的长度,其结果是只考虑轨道圆周方向的长度就可以的第二组,即ISG部91、SVAM部92、格雷码部93及缓冲部95,进行说明。
(1)第一组的说明
满足第一组的要件的凸形,如上所述,与脉冲串部94的形状相当。脉冲串部94如图4的简化透视图所示,是由在同一方向上记录有脉冲串信号的磁化的多个凸部组成的垂直磁记录层10按照预定配置来形成,由凸部组成的垂直磁记录层10沿轨道宽度方向及轨道圆周方向,分别具有实质的第一梯形及第二梯形(四角锥梯形)。另外,图面上省略了填充凹部的非磁性层的记载,以便使由凸部组成的垂直磁记录层10的形态容易理解。
如图4所示,从图面的侧面方向可看到的轨道宽度方向的第一梯形中,将与由凸部组成的垂直磁记录层10表面对应的上边设为W1,与由凸部组成的垂直磁记录层10下面对应的下边设为W2(W2>W1),从图面的正面可看到的轨道圆周方向的第二梯形中,将与由凸部组成的垂直磁记录层10表面对应的上边设为L1,与由凸部组成的垂直磁记录层10下面对应的下边设为L2(L2>L1),由凸部组成的垂直磁记录层10的厚度设为t(该厚度与凸状磁记录层的下边W2到上边W1的高度、及L2到L1的高度相同),由凸部组成的垂直磁记录层10的磁性,表示如图7所示的M(磁化)-H(磁场)特性,将由凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,饱和磁化设为Ms,矫顽磁力矩形比设为S*时,矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且确定凸部形态满足下式(1),同时设定垂直磁记录层的磁性,从而确定脉冲串部的规格的有必要的。各单位适用下面实施例的表中所示单位。
矫顽磁力矩形比S*是图7所示的由去磁场补偿的M-H曲线的-Hc点的切线的倾斜与Mr的值确定的值,矫顽磁力矩形比S*定义成S*=Hc’/Hc。如图7所示,Hc’表示第二象限上M-H曲线的-Hc点的切线与M=Mr的直线的交点的矫顽磁力值。再者,“去磁场补偿”的意识是说,通过外加磁场,对已磁化的磁化值进行由垂直磁记录层的垂直方向的去磁场系数与磁化之积所产生外加磁场的去磁场来补偿,并求出M-H曲线。
Hc · S * > 4 Ms ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) …式(1)
上式(1)右边的公式表示图4所示的梯形凸部中记录饱和磁化Ms时的去磁场的大小,通过使矫顽磁力Hc与矫顽磁力矩形比S*之积的值Hc’(=Hc·S*)大于减少已记录的磁化的去磁场的数值,抑制记录在凸部上的磁化反转,其结果判明了可以抑制伺服信号的恶化,并可确保长期稳定性。并且,此时有必要将上述的矫顽磁力矩形比S*的值设在0.8以上(最好是0.85~1.0,更加理想的是0.9~1.0)。若矫顽磁力矩形比S*的值未满0.8,则M-H曲线的矩形比变低,向垂直磁记录层内的磁化施加去磁场的过程中,还因外部磁场或磁化的热波动,产生磁化容易反转的现象。所谓离散型媒体的离散图案,不同于传统的连续媒体,去磁场的影响变得极大。
可根据磁记录层的构成的选择、层结构、基础层及成膜方法等,改变矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的大小。
此外,将凸部设成梯形,可比传统的矩形凹凸结构减少去磁场,且容易设定能够发挥本发明的效果的规格。因而,如上述关系式(1)那样,将凸部设成梯形,满足凸部尺寸与磁性地设定可得到极高的磁化稳定效果。
这里,L2的长度是与脉冲串图案的频率对应的位长度,梯形的L1小于L2。W1通常相当于垂直磁记录媒体的轨道宽度。将轨道宽度方向及轨道圆周方向的截面形状设成梯形,可比传统的凹凸结构减少去磁场。这是因为对应上边的垂直磁记录层表面的面积变小,随之去磁场也变小。另外,本发明的梯形,其基部的角度θ在55°~85°范围内,最好是在65°~85°范围内。顺便说明,若其形状是矩形,则基部的角度θ是90°。
使用图4所示的梯形凸状的形状模型,计算上式(1)的过程中,考虑了以下几点。
即,离散型存储媒体的情况下,相邻位不同于连续媒体而孤立,因此,去磁场Hd的值求出特定的一个图案的去磁场。由于去磁场求出具有代表性的大小,在梯形结构的中心点上,使图案的上面及底边由垂直磁化M感应的磁荷发生的磁场重叠并求出。
再者,所述凸部的垂直磁记录层10的残留磁化为Mr时,对于与(1)式相同的梯形,需要确定凸部形态,使得满足下式(2),同时设定垂直磁记录层的磁性,并确定脉冲串部的规格。各单位适用下面实施例的表中所示的单位。
还有,在导公式(2)的过程中考虑的方面与上式(1)的情况相同。
Hc · S * > 4 Mr ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) …式(2)
式(2)右边的公式表示图4所示的梯形凸部已饱和记录,磁化变为残留磁化Mr的状态时的去磁场的大小,通过使矫顽磁力Hc与矫顽磁力矩形比S*之积的值Hc’(=Hc·S*)大于减少已记录的磁化的去磁场的数值,抑制记录在凸部上的磁化反转,判明了抑制因记录磁化的减少造成的伺服信号下降,并可确保长期稳定性。并且,此时有必要将上述的矫顽磁力矩形比S*的值设在0.8以上(最好是0.85~1.0,更加理想的是0.9~1.0)。若矫顽磁力矩形比S*的值未满0.8,则M-H曲线的矩形比变低,向垂直磁记录层内的磁化施加去磁场的过程中,还因外部磁场及磁化的热波动,产生磁化容易反转的现象。所谓离散型媒体的离散图案,不同于传统的连续媒体,去磁场的影响变得极大。
可根据磁记录层的构成的选择、层结构、基础层及成膜方法,改变矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的大小。
若满足矫顽磁力矩形比S*的值及式(2),则磁化稳定性的下限值会小于饱和磁化Ms的情况,但是相对于残留磁化产生的去磁场,媒体的矫顽磁力会提高,抑制对应热波动磁化减少的随时间变化,此外,抗外部磁场性增大,确保长期稳定性。
另外,将图4所示的梯形垂直磁记录层10与相邻的垂直磁记录层10的间隔设为L3,L2与L3之和的长度等于这里记录的伺服信号的波长。L2与L3一般相等,但是根据信号波形处理的处理,也可以改变相对大小关系。即,L2与L3之和的长度达到1波长的长度,从而随L2与L3的设定,可任意改变1位长度。
再者,所谓伺服图案的格雷码区,例如与图8的平面图所示的扇区地址的编码(由各种“0”、“1”图案合成)对应,可得到图8所示的各种形状。即,并不限于上述(例如图4所示)概略矩形与带状2种类型。因而,图8所示的图案,从各个区域来看,基本上可分解为矩形图案,使本发明申请适用于分解的图案就可以。
(2)第二组的说明
由满足第二组要件的凸部构成的垂直磁记录层10的凸形,如上所述,与ISG部91、SVAM部92、格雷码部93及缓冲部95的形状相当。如图5所示,各部分设有沿轨道径向延伸的带状凸部,该带状凸部如图所示,在轨道圆周方向具有上边为L1、下边为L2的梯形,并在轨道径向形成长度为L2长度的100倍以上的带形状,将由带状凸部组成的垂直磁记录层10的厚度设为t(与凸状磁记录层的下边L2到上边L1的高度相同),所述带状凸部的垂直磁记录层10的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,饱和磁化设为Ms,矫顽磁力矩形比设为S*,矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且需要确定带状凸部的形态,使得满足下式(3),同时设定垂直磁记录层的磁性,从而规定带状凸部的规格。各单位适用下面实施例的表中所示的单位。
Hc · S * > 4 Ms ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) …式(3)
上式(3)右边的公式表示图5所示的梯形的带状凸部中记录饱和磁化Ms时的去磁场的大小,通过使矫顽磁力Hc与矫顽磁力矩形比S*的积值Hc’(=Hc·S*)大于减少已记录的磁化的去磁场的数值,抑制记录到带状凸部的磁化反转,其结果判明了可以抑制伺服信号的恶化,并可确保长期稳定性。并且,此时有必要将所述的矫顽磁力矩形比S*的值设在0.8以上(最好是0.85~1.0,更加理想的是0.9~1.0)。若矫顽磁力矩形比S*的值未满0.8,则M-H曲线的矩形比下降,向垂直磁记录层内的磁化施加去磁场的过程中,还因外部磁场及磁化的热波动,产生会使磁化容易反转的现象。所谓离散型媒体的离散图案,不同于传统的连续媒体,去磁场的影响变得极大。
可根据磁记录层的构成的选择、层结构、基础层及成膜方法,改变矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的大小。
此外,将凸部变成梯形,从而可比传统的矩形凹凸结构减少去磁场,更容易设定能够发挥本发明的效果的规格。因而,如上述关系式(3)那样,将带状凸部设成梯形,满足凸部尺寸与磁性的设定可得到极高的磁化稳定效果。
使用图5所示的带状凸部且梯形凸状的形状模型,计算上述式(3)的过程中,所考虑的问题基本上与式(1)导出时相同,计算过程中,不同点是L1/W1、t/W1、L2/W2及t/W2的值接近零。
而且,将所述凸部的垂直磁记录层10的残留磁化设为Mr时,对于与式(3)相同的梯形,需要确定带状凸部形态使得满足下式(4),同时设定垂直磁记录层的磁性,从而确定带状凸部的规格。各单位适用下面实施例的表中所示单位。
此外,在导公式(4)时考虑的方面与式(3)时相同。
Hc · S * > 4 Mr ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) …式(4)
式(4)右边的公式表示图5所示的梯形的带状凸部中饱和记录,且磁化成为残留磁化Mr的状态时的去磁场的大小,通过使矫顽磁力Hc与矫顽磁力矩形比S*之积的值Hc’(=Hc·S*)大于减少已记录的磁化的去磁场的数值,抑制记录到凸部上的磁化反转,判明了可以抑制因记录磁化的减少造成的伺服信号的恶化,并可确保长期稳定性。并且,此时有必要将所述的矫顽磁力矩形比S*的值设在0.8以上(最好是0.85~1.0,更加理想的是0.9~1.0)。若矫顽磁力矩形比S*的值未满0.8,则M-H曲线的矩形比下降,向垂直磁记录层内的磁化施加去磁场的过程中,还会因外部磁场及磁化的热波动,产生磁化容易反转的现象。所谓离散型媒体的离散图案,不同于传统的连续媒体,去磁场的影响变得极大。
可根据磁记录层的构成的选择、层结构、基础层及成膜方法,改变矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的大小。
若满足矫顽磁力矩形比S*的值及式(4),磁化稳定性的下限值会小于饱和磁化Ms的情况,但是相对残留磁化的去磁场的媒体矫顽磁力会提高,抑制对应热波动磁化减少的随时间变化,并且,抗外部磁场能力变大,确保长期稳定性。
此外,如图5所示的梯形的垂直磁记录层10与相邻的垂直磁记录层10的间隔设为L3,L2与L3之和的长度等于在这里记录的伺服信号的波长。L2与L3一般相等,但是根据信号波形处理的处理,也可以改变相对大小关系。即,L2与L3之和的长度构成1波长的长度,从而随L2与L3的设定,可任意变化1位长度。
再者,在上述各梯形的垂直磁记录层中,即使是上边角形状有所缺损时记录磁化产生的去磁场也要小于上边角形状完好无损时,只要大致满足上述关系式,即使是上边角有所缺损的形状也可得到长期稳定性。
另外,本发明伺服区的伺服信号的记录是通过在直流磁场中向垂直磁记录层面垂直地对磁化垂直磁记录媒体10施加强度为图7所示的磁场-磁化曲线中外部磁场Hn以上的磁场,从而一并进行饱和磁化。因而,数据信息记录部(所谓数据区)及跟踪用的伺服用信息部(所谓伺服区)的垂直磁记录媒体全部在某个方向同样地饱和磁化。
再者,本发明离散型媒体的伺服用信息部中,虽然来自相邻位的去磁场很小,但并不完全等于零,因而最好选择比孤立位更大的矫顽磁力Hc与矫顽磁力矩形比S*之积的值Hc’(=Hc·S*)。
以下通过具体的实施例详细说明本发明。
(磁记录媒体的构成)
如图1所示,将盘面分割成扇面,为了适用扇面伺服方式,形成了如图2所示的伺服区90。即,根据各伺服信号的图案,形成ISG部91、SVAM部92、格雷码部93、脉冲串部94及缓冲部95。
记录脉冲串信号的脉冲串部94的凸部是如图4所示的梯形的垂直磁记录层。此外的ISG部91、SVAM部92、格雷码部93及缓冲部95的凸部是如图5所示的在盘径向形成的长的梯形的带状凸部垂直磁记录层,并隔着1位的间隔配置。
媒体的截面形状如图3所示,在镜面研磨的玻璃衬底15上以厚度15nm形成PtMn层作为取向层14(基础层14),其上形成厚度为200nm的由CoZrNb构成的软磁性层11。其上形成厚度为8nm的由非磁性合金CoTi构成的中间层12。接着在其上面形成厚度为15nm的垂直磁记录层10,然后为了形成预定的凹凸形状,进行预定图案的蚀刻处理。接着为了填充被蚀刻的凹部,溅镀SiO2。接着,旋转填充SiO2的媒体,并通过倾斜离子束蚀刻处理,除去垂直磁记录层10上形成的多余的SiO2,使媒体表面平坦化。在此上面用CVD法形成厚度为4nm的由碳薄膜构成的保护膜13,再涂布厚度为1nm的FOMBLIN系润滑剂,完成媒体取样。还有,垂直磁记录层10采用SiO2中矩阵状包含CoPt强磁性粒子的材料。
将伺服信号的记录密度设为130K·FRPI(Flux Reversal Per Inch)。因而图4及图5的L2的值为195nm。
另外,数据区的轨道间距设为相当于298.8K·TPI(Track Per Inch)的85nm。如图4所示,相当于脉冲串图案的梯形的垂直磁记录层的下边W2的长度设为85nm。
上述预定的伺服区及数据区用的进行凹凸加工的垂直磁记录媒体,为了磁化发生伺服信号磁场的凸部的垂直磁记录层,将发生直流磁场15kOe(1193kA/m)的电磁铁的磁极间设定成使盘面平行于磁极面,将伺服区及数据区的梯形的垂直磁记录层一并磁化,并记录伺服信号。
媒体磁性的测定采用试料振动型磁力计(VSM),矫顽磁力Hc,矫顽磁力矩形比S*采用成膜后尚未加工的磁记录层的进行去磁场补偿的数值。垂直磁记录媒体在膜面以垂直方法进行磁化时,由于发生强去磁场,通过膜厚等的变化,磁化M-磁场H曲线也发生变化。还有,所使用的垂直磁记录层的饱和磁化Ms及残留放饱和磁化Mr分别为:Ms=350emu/cc(350kA/m)、Mr=340emu/cc(340kA/m)。
为了研究已磁化的垂直磁记录媒体的伺服信号的随时间变化,将再现GRM磁头置在脉冲串部、ISG部、SVAM部、格雷码部的轨道之上,测定各自再现输出的随时间变化。
再现GRM磁头的轨道宽度是85nm。再现输出的随时间变化是用电磁铁磁化后,用GRM磁头开始测定。然后,继续测定三个月,测定出再现输出的变化。
实验规格分为以下四个类型,因此分别进行说明。
(实验规格1)
如下表1所示的实施例、比较例、参考例中,伺服信号的记录密度是如上所述的130K·FRPI,本发明实施例的如图4及图5所示的L2的值是195nm。另外,上述数据区的轨道间距是相当于298.8K·TPI的85nm。另外,如上所述的图4的脉冲串图案相当的梯形的垂直磁记录层的下边W2的长度是85nm。
变换图4中伺服区的脉冲串图案的梯形垂直磁记录层的参数和垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的值来测定GRM磁头的再现输出变化。矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的值主要是通过改变磁记录层的成膜条件或磁记录层的基础膜条件来改变。
在再现输出变化中,经过3个月后从初始输出减少10%以上的为“×”,10%以内的为“○”。另外,作为加速实验,在高于通常的一般的保管最高温度60℃的70℃,采用KuV/kT=80的媒体,将它设为保管温度为80℃,并在KuV/kT=70的条件下进行测定。
表1中为了明确本发明关系式的效果,将上式(1)的右边式设为α,并同时示出“Hc-α”、“Hc’-α”的符号及矫顽磁力矩形比S*的值。Hc’=Hc·S*,且,α如下式(5)所示。
α = 4 Ms ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) …式(5)
表1(其1)
  L2(nm)   L1(nm)   W2(nm)   W1(nm)   Ms(emu/cc)   Hc(Oe)   Hc-α   Hc’-α S*   再现输出变化
  实施例1-1   195   187   85   77   350   3845   正   正   1.0   ○
  实施例1-2   195   187   85   77   350   4043   正   正   0.95   ○
  实施例1-3   195   187   85   77   350   4282   正   正   0.90   ○
  实施例1-4   195   187   85   77   350   4529   正   正   0.85   ○
  实施例1-5   195   187   85   77   350   4813   正   正   0.80   ○
  比较例1-1   195   187   85   77   350   3840   0(零)   0(零)   1.0   ×
比较例1-2 195 187 85 77 350 4026 0.95 ×
  比较例1-3   195   187   85   77   350   4233   正   负   0.90   ×
  比较例1-4   195   187   85   77   350   4482   正   负   0.85   ×
  比较例1-5   195   187   85   77   350   4763   正   负   0.80   ×
  比较例1-6   195   187   85   77   350   5133   正   正   0.75   ×
  比较例1-7   195   187   85   77   350   5080   正   负   0.75   ×
-从实施例1-1到比较例1-7的取样(梯形凸部的取样)中去磁场的值均为3840(Oe)
表1(其2)
  L2(nm)   L1(nm)   W2(nm)   W1(nm)   Ms(emu/cc)   Hc(Oe)   Hc-α   Hc’-α S*   再现输出变化
  参考例1-1   195   195   85   85   350   3845   负   负   1.0   ×
  参考例1-2   195   195   85   85   350   3864   0(零)   0(零)   1.0   ×
  参考例1-3   195   195   85   85   350   4043   正   负   0.95   ×
  参考例1-4   195   195   85   85   350   4282   正   负   0.90   ×
  参考例1-5   195   195   85   85   350   4529   正   负   0.85   ×
  参考例1-6   195   195   85   85   350   4813   正   负   0.80   ×
-从参考例1-1到参考例1-6的取样(矩形凸部的取样)中去磁场的值均为3864(Oe)
再者,表1还列出不满足本申请预定的关系式的梯形的垂直磁记录层的比较例、作为传统结构的矩形结构的参考例1-1~1-6。
从表1所示的结果可知,式(1)所示的关系中满足“Hc’-α>0”,且满足“S*≥0.8”的梯形的垂直磁记录层,即使采用比通常的保管条件更为严格的条件,也可抑制去磁,得到本申请所希望的效果。再者,S*=0.75时,矫顽磁力变大,另外矩形比(Mr/Ms)变低,得不到所期待的特性。
此外,从“S*=1.0”且“Hc-α=0”中可得知表1中的参考例1-1~1-6的矩形图案的去磁场的大小是3864Oe(307kA/m),大于实施例的梯形图案的去磁场的大小示3840Oe(305.8kA/m)。因而,梯形图案的去磁场小于矩形图案的去磁场,具有以较小的矫顽磁力确保磁化的稳定化的优点。
(实验规格2)
实验规格2如下表2所示,采用与上述实验规格1相同的梯形凸部结构的垂直磁记录媒体,并将它保持在通常的最高保管温度60℃,测定再现输出变化。该条件下KuV/kT=93.3。
表2为了明确本发明关系式的效果,将上式(2)的右边式设为β,并同时表示了“Hc-β”、“Hc’-β”的符号及矫顽磁力矩形比S*的值。Hc’=Hc·S*。另外,β如下式(6)所示。
β = 4 Mr ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) …式(6)
表2(其1)
L2(nm) L1(nm) W2(nm) W1(nm) Mr(emu/cc) Hc(Oe) Hc-β Hc’-β S*   再现输出变化
  实施例2-1   195   187   85   77 340 3740   正   正   1.0   ○
  实施例2-2   195   187   85   77 340 3932   正   正   0.95   ○
  实施例2-3   195   187   85   77 340 4156   正   正   0.90   ○
  实施例2-4   195   187   85   77 340 4400   正   正   0.85   ○
  实施例2-5   195   187   85   77 340 4675   正   正   0.80   ○
  比较例2-1   195   187   85   77 340 3730   0(零)   0(零)   1.0   ×
  比较例2-2   195   187   85   77 340 3905   正   负   0.95   ×
  比较例2-3   195   187   85   77 340 4122   正   负   0.90   ×
  比较例2-4   195   187   85   77 340 4365   正   负   0.85   ×
  比较例2-5   195   187   85   77 340 3638   正   负   0.80   ×
  比较例2-6   195   187   85   77 340 4987   正   正   0.75   ×
  比较例2-7   195   187   85   77 340 4947   正   负   0.75   ×
-从实施例2-1到比较例2-7的取样(梯形凸部的取样)中去磁场的值均为3730(Oe)
表2(其2)
L2(nm) L1(nm) W2(nm) W1(nm) Mr(emu/cc) Hc(Oe) Hc-β Hc’-β S*   再现输出变化
  参考例2-1   195   195   85   85   340   3740   负   负   1.0   ×
  参考例2-2   195   195   85   85   340   3754   0(零)   负   1.0   ×
  参考例2-3   195   195   85   85   340   3932   正   负   0.95   ×
  参考例2-4   195   195   85   85   340   4156   正   负   0.90   ×
  参考例2-5   195   195   85   85   340   4400   正   负   0.85   ×
  参考例2-6   195   195   85   85   340   4675   正   负   0.80   ×
-从参考例2-1到参考例2-6的取样(矩形凸部的取样)中去磁场的值均为3754(Oe)
再者,表2还列出不满足预定关系式的梯形的垂直磁记录层的比较例、作为传统结构的矩形结构的参考例2-1~2-6。
从表2所示的结果可得知,式(6)所示的关系中满足“Hc’-β>0”,且满足“S*≥0.8”的梯形的垂直磁记录层中,即使在通常的最高保管温度条件下,也可控制去磁,得到本申请所希望的效果。还有,S*=0.75时,矫顽磁力变大,另外矩形比(Mr/Ms)变低,得不到所期待的特性。
(实验规格3)
通过改变如图5所示的相当于伺服区的ISG部、SVAM部及格雷码部等的梯形的垂直磁记录层的参数与垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力Hc及矫顽磁力矩形比S*的值来测定GMR磁头的再现输出变化。其结果如下表3所示。
再现输出变化的基准与上述实验规格1相同,经过3个月后从初始输出减少10%以上的为“×”,10%以内的为“○”。还有,作为加速实验,采用高于通常的保管最高温度60℃的70℃中KuV/kT=80的媒体,在80℃且KuV/kT=70的条件下进行测定。
表3为了明确本发明关系式的效果,将上式(3)的右边式设为γ,并同时表示了“Hc-γ”、“Hc’-γ”的符号及矫顽磁力矩形比S*的值。Hc’=Hc·S*。另外,γ如下式(7)所示。
γ = 4 Ms ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) …式(7)
表3
L2(nm) L1(nm) Ms(emu/cc) Hc(Oe) Hc-γ Hc’-γ S*   再现输出变化
实施例3-1   195   187   350   4300   正   正   1.0   ○
实施例3-2   195   187   350   4420   正   正   0.95   ○
实施例3-3   195   187   350   4677   正   正   0.90   ○
实施例3-4   195   187   350   4940   正   正   0.85   ○
实施例3-5   195   187   350   5261   正   正   0.80   ○
比较例3-1   195   187   350   4179   0(零)   0(零)   1.0   ×
比较例3-2   195   187   350   4367   正   负   0.95   ×
比较例3-3   195   187   350   4610   正   负   0.90   ×
比较例3-4   195   187   350   4881   正   负   0.85   ×
比较例3-5   195   187   350   5186   正   负   0.80   ×
比较例3-6   195   187   350   5599   正   正   0.75   ×
比较例3-7   195   187   350   5532   正   负   0.75   ×
-从实施例3-1到比较例3-7的取样(梯形凸部的取样)中去磁场的值均为4179(Oe)
从表3所示的结果可知,式(7)所示的关系中满足“Hc’-γ>0”,且满足“S*≥0.8”的梯形的垂直磁记录层中,即使采用比通常的保管条件更为严格的条件下,也可抑制去磁,得到本申请所希望的效果。还有,S*=0.75时,矫顽磁力变大,另外,矩形比(Mr/Ms)变低,得不到所期待的特性。
(实验规格4)
实验规格4如下表4所示,采用与上记实验规格3相同的梯形凸部结构的垂直磁记录媒体,并将它保持在通常的最高保管温度60℃,测定再现输出变化。该条件下KuV/kT=93.3。
表4为了明确本发明关系式的效果,将上式(4)的右边式设为ε,同时表示了“Hc-ε”、“Hc’-ε”的符号及矫顽磁力矩形比S*的值。Hc’=Hc·S*,且ε如下式(8)所示。
ϵ = 4 Ms ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) …式(8)
表4
L2(nm) L1(nm) Mr(emu/cc) Hc(Oe) Hc-ε Hc’-ε S*   再现输出变化
  实施例4-1   195   187   340   4200   正   正   1.0   ○
  实施例4-2   195   1187   340   4295   正   正   0.95   ○
  实施例4-3   195   187   340   4533   正   正   0.90   ○
  实施例3-4   195   187   340   4812   正   正   0.85   ○
  实施例4-5   195   187   340   5113   正   正   0.80   ○
  比较例4-1   195   187   340   4060   0(零)   0(零)   1.0   ×
  比较例4-2   195   187   340   4242   正   负   0.95   ×
  比较例4-3   195   187   340   4478   正   负   0.90   ×
  比较例4-4   195   187   340   4741   正   负   0.85   ×
  比较例4-5   195   187   340   5038   正   负   0.80   ×
  比较例4-6   195   187   340   5453   正   正   0.75   ×
  比较例4-7   195   187   340   5373   正   负   0.75   ×
-从实施例4-1到比较例4-7的取样(梯形凸部的取样)中去磁场的值均为4060(Oe)
从表4所示的结果可知,式(8)所示的关系中满足“Hc’-ε>0”,且满足“S*≥0.8”的梯形的垂直磁记录层中,即使在通常的最高保管温度条件下也可抑制去磁,得到本申请所希望的效果。还有,S*=0.75时,矫顽磁力变大,另外矩形比(Mr/Ms)变低,得不到所期待的特性。
根据以上结果可以明确本发明的效果。即,本发明的磁记录装置在媒体受热波动影响最强的垂直磁记录媒体的伺服区,为了降低加速垂直磁记录媒体的热波动的去磁场的影响,将记录伺服信号的凸起结构设定成梯形,同时结合所使用的垂直磁记录媒体的特性确定梯形的规格等,从而能够抑制伺服区的凹凸结构的垂直磁记录层的磁化的热波动所产生的伺服信号的恶化,并可确保长期稳定的伺服功能。
本发明的磁记录装置,特别是安装到计算机上使用,可利用于信息记录的设备产业。

Claims (18)

1.一种磁记录再现装置,其特征在于:
包括磁记录媒体与磁头,该磁记录媒体设有数据信息记录部及跟踪用的伺服用信息部,该磁头检测所述伺服用信息部的伺服信息的同时,向所述数据信息记录部记录并再现数据信息;
所述伺服用信息部由垂直磁记录层构成,该垂直磁记录层由基于预定凹凸图案的凸部形成,该伺服用信息部设有记录跟踪用脉冲串信号的脉冲串部;
所述脉冲串部是由记录有脉冲串信号的多个凸部组成的垂直磁记录层按照预定配置来形成;
由所述凸部组成的垂直磁记录层沿着轨道宽度方向(轨道径向)及轨道圆周方向,分别具有实质的第一梯形及第二梯形;
所述轨道宽度方向的第一梯形中,将与由凸部组成的垂直磁记录层表面对应的上边设为W1,与由凸部组成的垂直磁记录层下面对应的下边设为W2;
在所述轨道圆周方向的第二梯形中,与由凸部组成的垂直磁记录层表面对应的上边设为L1,将与由凸部组成的垂直磁记录层下面对应的下边设为L2;
将由所述凸部组成的垂直磁记录层的厚度设为t(该厚度与凸状磁记录层的下边W2到上边W1的高度,及L2到L1的高度相同);
将由所述凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,饱和磁化设为Ms,矫顽磁力矩形比设为S*时,
所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使脉冲串部的规格设定满足下式(1):
Hc · S * > 4 Ms ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) ...式(1)。
2.如权利要求1所述的磁记录再现装置,其特征在于:
将由所述凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,残留磁化设为Mr,矫顽磁力矩形比设为S*时,
所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使脉冲串部的规格设定满足下式(2):
Hc · S * > 4 Mr ( arctan L 1 W 1 t L 1 2 + W 1 2 + t 2
+ arctan L 2 W 2 t L 2 2 + W 2 2 + t 2 ) ...式(2)。
3.如权利要求1所述的磁记录再现装置,其特征在于:满足W2>W1及L2>L1的关系。
4.如权利要求2所述的磁记录再现装置,其特征在于:满足W2>W1及L2>L1的关系。
5.如权利要求3所述的磁记录再现装置,其特征在于:
由所述轨道圆周方向相邻的凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,
由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
6.如权利要求4所述的磁记录再现装置,其特征在于:
由所述轨道圆周方向相邻的凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,
由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
7.一种磁记录再现装置,其特征在于:
包括磁记录媒体与磁头,该磁记录媒体设有数据信息记录部及跟踪用的伺服用信息部,该磁头检测所述伺服用信息部的伺服信息的同时,向所述数据信息记录部记录并再现数据信息;
所述伺服用信息部由垂直磁记录层构成,该垂直磁记录层由基于预定凹凸图案的凸部形成;
该伺服用信息部由记录有伺服信号的多个凸部组成的垂直磁记录层按照预定配置来形成,该多个凸部组成的垂直磁记录层中,设有沿轨道径向(轨道宽度方向)延伸的带状凸部;
所述带状凸部在轨道的圆周方向具有上边为L1、下边为L2的梯形,并在轨道径向上形成长度为L2之100倍以上的带形状,将由所述带状凸部组成的垂直磁记录层的厚度设为t(与凸状磁记录层的下边L2到上边L1的高度同义);
所述带状凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,饱和磁化设为Hs,矫顽磁力矩形比设为S*时,
所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使带状凸部的规格设定满足下式(3):
Hc · S * > 4 Ms ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) ...式(3)。
8.如权利要求7所述的磁记录再现装置,其特征在于:将由所述带状凸部组成的垂直磁记录层的膜面垂直方向的矫顽磁力设为Hc,残留磁化设为Mr,矫顽磁力矩形比设为S*时,
所述矫顽磁力矩形比S*取0.8以上的值,且使带状凸部的规格设定满足下式(4):
Hc · S * > 4 Mr ( arctan L 1 t + arctan L 2 t ) ...式(4)。
9.如权利要求7所述的磁记录再现装置,其特征在于:满足L2>L1的关系。
10.如权利要求8所述的磁记录再现装置,其特征在于:满足L2>L1的关系。
11.如权利要求9所述的磁记录再现装置,其特征在于:
由所述轨道圆周方向相邻的带状凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,
由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
12.如权利要求10所述的磁记录再现装置,其特征在于:
由所述轨道圆周方向相邻的带状凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,
由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
13.如权利要求7所述的磁记录再现装置,其特征在于:
由所述轨道圆周方向相邻的带状凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,
由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
14.如权利要求8所述的磁记录再现装置,其特征在于:
由所述轨道圆周方向相邻的带状凸部组成的垂直磁记录层之间的间隔设为L3时,
由所述凸部组成的垂直磁记录层的下边L2与所述L3之和设定为伺服信号频率的波长。
15.如权利要求1所述的磁记录再现装置,其特征在于:所述伺服用信息部的伺服信号的记录,是通过在直流磁场中向所述垂直磁记录层面垂直施加磁场来一并磁化垂直磁记录媒体。
16.如权利要求7所述的磁记录再现装置,其特征在于:所述伺服用信息部的伺服信号的记录,是通过在直流磁场中向所述垂直磁记录层面垂直施加磁场来一并磁化垂直磁记录媒体。
17.如权利要求1所述的磁记录再现装置,其特征在于:所述伺服用信息部由预定的凹凸图案形成,凹部中填充用以发挥离散作用的非磁性材料。
18.如权利要求7所述的磁记录再现装置,其特征在于:所述伺服用信息部由预定的凹凸图案形成,凹部中填充用以发挥离散作用的非磁性材料。
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