CN1696030A - 基板输送机构及输送装置、颗粒除去法及程序和存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂(12)具有：配置在腔室(1 1)的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台(21)；连接在该旋转台(21)上的棒状的第一腕部件(22)；连接在该第一腕部件(22)上的棒状的第二腕部件(23)；和连接在该第二腕部件(23)的另一端上的载置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的温度用的温度控制装置(28)，温度控制装置(28)在拾取器(24)上形成规定的温度梯度。

Description

基板输送机构及输送装置、颗粒除去法及程序和存储介质

技术领域

本发明涉及基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、以及存储介质，特别是涉及为了实施成膜工艺、蚀刻工艺等的处理，将该基板输送到规定的位置的基板输送机构及具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、以及存储介质。

背景技术

迄今，作为对基板进行离子掺杂、成膜、蚀刻等各种等离子体处理的基板处理系统，已知一种多个基板处理装置通过公共的基板输送装置，呈辐射状配置的集束基板处理系统。

如图15(a)所示，这样的集束基板处理系统具有：对基板进行处理的例如两个基板处理装置151；从基板盒(图中未示出)将基板搬入搬出的负载组件152；对该负载组件152进行基板的搬入搬出的两个基板搬入搬出室153；以及介于基板处理装置151及基板搬入搬出室153之间的作为基板输送装置的基板输送室154(例如，参照专利文献1)。

如图15(b)所示，基板输送室154具有：在其内部将N₂气等清除的气体导入部155、以及将内部抽成真空的泵部156。另外，在其内部具有作为输送基板的基板输送机构的操作装置157，另外，在与基板处理装置151和基板搬入搬出室153相接的侧壁上，具有开闭自如的门阀158。操作装置157是有多个腕部件和旋转台的关节臂式操作装置，通过门阀158将基板输送给基板处理装置151或基板搬入搬出室153。

[专利文献1]特开平10-154739号公报(图1)

可是，如果用这样的基板处理系统对基板进行连续处理，则操作装置157输送基板时，与基板一起被带入基板输送室154中的颗粒或操作装置157动作时飞扬的切削粉即颗粒往往附着在基板上，因此，例如在蚀刻工艺中，附着的颗粒成为掩模，发生蚀刻残余，另外，在成膜工艺中，该附着的颗粒成为核而生长，所以存在膜的质量下降的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、以及存储介质。

为了达到上述目的，本发明的第一技术方案所述的基板输送机构是一种输送基板的基板输送机构，其特征在于，具有：载置基板的载置部；连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部；以及控制上述载置部的温度用的温度控制装置，上述温度控制装置使上述载置部形成规定的温度梯度。

第二技术方案所述的基板输送机构的特征在于，在第一技术方案所述的基板输送机构，上述温度控制装置具有检测外部周围的温度的检测部；加热上述载置部的加热部；以及根据由上述检测部检测到的外部周围的温度，控制上述加热部的动作的控制部。

第三技术方案所述的基板输送机构的特征在于，在第二技术方案所述的基板输送机构，上述控制部将上述载置部的温度控制在比外部周围的温度高30K以上的温度。

第四技术方案所述的基板输送机构的特征在于，在第一至第三中的任意一技术方案所述的基板输送机构，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第五技术方案所述的基板输送装置是一种具有收容基板的收容室、配置在该收容室内且输送基板的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置，上述基板输送机构具有：载置基板的载置部；连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部；以及控制上述载置部的温度用的温度控制装置，上述温度控制装置使上述载置部形成规定的温度梯度。

第六技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第五技术方案所述的基板输送装置，上述温度控制装置具有检测上述收容室内的温度的检测部；加热上述载置部的加热部；以及根据由上述检测部检测到的上述收容室内的温度，控制上述加热部的动作的控制部。

第七技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第六技术方案所述的基板输送装置，上述控制部将上述载置部的温度控制在比上述收容室内的温度高30K以上的温度。

第八技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第五至第七中的任意一技术方案所述的基板输送装置，上述气体导入部具有根据由上述检测部检测到的上述收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制装置。

第九技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第五至第八中的任意一技术方案所述的基板输送装置，还具有控制上述收容室内的压力用的压力控制装置。

第十技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第九技术方案所述的基板输送装置，上述压力控制装置将上述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

第十一技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第五至第十中的任意一技术方案所述的基板输送装置，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第十二技术方案所述的基板输送机构是一种输送基板的基板输送机构，其特征在于，具有：载置基板的载置部；连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部；发生超声波区域的振动用的振动发生部；以及连接在上述振动发生部上，同时固定在上述载置部上的振荡部。

为了达到上述目的，第十三技术方案所述的基板输送机构是一种具有收容基板的收容室、配置在该收容室内且输送基板的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置，上述基板输送机构具有载置基板的载置部；连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部；发生超声波区域的振动用的振动发生部；以及连接在上述振动发生部上，同时固定在上述载置部上的振荡部。

为了达到上述目的，第十四技术方案所述的基板输送机构是一种输送基板的基板输送机构，其特征在于，具有：载置基板的载置部；连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部；控制上述载置部的温度用的温度控制装置；发生超声波区域的振动用的振动发生部；以及连接在上述振动发生部上，同时固定在上述载置部上的振荡部，上述温度控制装置使上述载置部形成规定的温度梯度。

第十五技术方案所述的基板输送机构的特征在于，在第十四技术方案所述的基板输送机构，上述温度控制装置具有：检测外部周围的温度的检测部；加热上述载置部的加热部；以及根据由上述检测部检测到的外部周围的温度，控制上述加热部的动作的控制部。

第十六技术方案所述的基板输送机构的特征在于，在第十五技术方案所述的基板输送机构，上述控制部将上述载置部的温度控制在比外部周围的温度高30K以上的温度。

第十七技术方案所述的基板输送机构的特征在于，在第十四至第十六中的任意一技术方案所述的基板输送机构，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第十八技术方案所述的基板输送装置是一种具有收容基板的收容室、配置在该收容室内且输送基板的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置，上述基板输送机构具有载置基板的载置部；连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部；控制上述载置部的温度用的温度控制装置；发生超声波区域的振动用的振动发生部；以及连接在上述振动发生部上，同时固定在上述载置部上的振荡部，上述温度控制装置使上述载置部形成温度梯度。

第十九技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第十八技术方案所述的基板输送装置，上述温度控制装置具有检测上述收容室内的温度的检测部；加热上述载置部的加热部；以及根据由上述检测部检测到的上述收容室内的温度，控制上述加热部的动作的控制部。

第二十技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第十九技术方案所述的基板输送装置，上述控制部将上述载置部的温度控制在比上述收容室内的温度高30K以上的温度。

第二十一技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第十八至第二十中的任意一技术方案所述的基板输送装置，上述气体导入部具有根据由上述检测部检测到的收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制装置。

第二十二技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第十八至第二十一中的任意一技术方案所述的基板输送装置，其特征在于：还具有控制上述收容室内的压力用的压力控制装置。

第二十三技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十二技术方案所述的基板输送装置，上述压力控制装置将上述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

第二十四技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第十八至第二十三中的任意一技术方案所述的基板输送装置，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第二十五技术方案所述的基板输送装置是一种具有收容基板的收容室、配置在该收容室内载置上述基板的载置部、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置，其特征在于：具有控制上述载置部的温度用的温度控制装置，上述温度控制装置使上述载置部形成规定的温度梯度。

第二十六技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十五技术方案所述的基板输送装置，上述温度控制装置具有检测上述收容室内的温度的检测部；加热上述载置部的加热部；以及根据由上述检测部检测到的上述收容室内的温度，控制上述加热部的动作的控制部。

第二十七技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十六技术方案所述的基板输送装置，上述控制部将上述载置部的温度控制在比上述收容室内的温度高30K以上的温度。

第二十八技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十五至第二十七中的任意一技术方案所述的基板输送装置，上述气体导入部具有根据由上述检测部检测到的收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制装置。

第二十九技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十五至第二十八中的任意一技术方案所述的基板输送装置，还具有控制上述收容室内的压力用的压力控制装置。

第三十技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十九技术方案所述的基板输送装置，上述压力控制装置将上述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

第三十一技术方案所述的基板输送装置的特征在于，在第二十五至第三十中的任意一技术方案所述的基板输送装置，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第三十二技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有载置基板的载置部、连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于，该方法包括：控制上述载置部的温度用的温度控制步骤，上述温度控制步骤在上述载置部上形成规定的温度梯度。

第三十三技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十二技术方案所述的颗粒除去方法，上述温度控制步骤包括检测外部周围的温度的检测步骤；以及根据由该检测步骤检测到的外部周围的温度，加热上述载置部的加热步骤。

第三十四技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十三技术方案所述的颗粒除去方法，上述温度控制步骤将上述载置部的温度控制在比外部周围的温度高30K以上的温度。

第三十五技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十二至第三十四中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第三十六技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使上述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于：包括控制上述载置部的温度用的温度控制步骤，上述温度控制步骤使上述载置部形成规定的温度梯度。

第三十七技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十六技术方案所述的颗粒除去方法，上述温度控制步骤包括检测上述收容室内的温度的检测步骤；以及根据由上述检测步骤检测到的上述收容室内的温度，加热上述载置部的加热步骤。

第三十八技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十七技术方案所述的颗粒除去方法，上述温度控制步骤将上述载置部的温度控制在比上述收容室内的温度高30K以上的温度。

第三十九技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十六至第三十八中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，其特征在于：还包括根据由上述检测步骤检测到的上述收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制步骤。

第四十技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十六至第三十九中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，其特征在于：还包括控制上述收容室内的压力用的压力控制步骤。

第四十一技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十技术方案所述的颗粒除去方法，上述压力控制步骤将上述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

第四十二技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第三十六至第四十一中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第四十三技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有载置基板的载置部；以及连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于：包括将超声波区域的振动加在上述载置部上的振动施加步骤。

为了达到上述目的，第四十四技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使上述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于：包括将超声波区域的振动加在上述载置部上的振动施加步骤。

第四十五技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有载置基板的载置部；以及连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于：包括控制上述载置部的温度用的温度控制步骤；以及将超声波区域的振动加在上述载置部上的振动施加步骤，上述温度控制步骤在上述载置部上形成规定的温度梯度。

第四十六技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十五技术方案所述的颗粒除去方法，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第四十七技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使上述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于：包括控制上述载置部的温度用的温度控制步骤；以及将超声波区域的振动加在上述载置部上的振动施加步骤，上述温度控制步骤在上述载置部上形成温度梯度。

第四十八技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十七技术方案所述的颗粒除去方法，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第四十九技术方案所述的颗粒除去方法是一种具有收容基板的收容室、配置在上述收容室内载置基板的载置部、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于：包括控制上述载置部的温度用的温度控制步骤；上述温度控制步骤在上述载置部上形成规定的温度梯度。

第五十技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十九技术方案所述的颗粒除去方法，上述温度控制步骤包括检测上述收容室内的温度的检测步骤；以及根据由该检测步骤检测到的上述收容室内的温度，加热上述载置部的加热步骤。

第五十一技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第五十技术方案所述的颗粒除去方法，上述控制步骤将上述载置部的温度控制在比上述收容室内的温度高30K以上的温度。

第五十二技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十九至第五十一中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，还包括根据由上述检测步骤检测到的收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制步骤。

第五十三技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十九至第五十二中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，其特征在于：还包括控制上述收容室内的压力用的压力控制步骤。

第五十四技术方案所述的颗粒除去方法的特征在于，在第五十三技术方案所述的颗粒除去方法，上述压力控制步骤将上述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

第五十五面所述的颗粒除去方法的特征在于，在第四十九至第五十四中的任意一技术方案所述的颗粒除去方法，上述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在上述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

为了达到上述目的，第五十六技术方案所述的程序是一种在计算机中执行具有载置基板的载置部、以及连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法用的程序，其特征在于：有控制上述载置部的温度用的温度控制模块，上述温度控制模块在上述载置部上形成温度梯度，上述温度控制模块有检测外部周围的温度的检测模块；以及根据由该检测模块检测到的外部周围的温度，加热上述载置部的加热模块。

为了达到上述目的，第五十七技术方案所述的程序是一种在计算机中执行具有收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使上述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置的颗粒除去方法用的程序，其特征在于：有控制上述载置部的温度用的温度控制模块；以及根据由上述检测步骤检测到的上述收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制模块，上述温度控制模块在上述载置部上形成规定的温度梯度。

第五十八技术方案所述的程序的特征在于，在第五十七技术方案所述的程序，其特征在于：还有控制上述收容室内的压力用的压力控制模块。

为了达到上述目的，第五十九技术方案所述的程序是一种在计算机中执行具有载置基板的载置部、以及连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法用的程序，其特征在于：有控制上述载置部的温度用的温度控制模块，以及将超声波区域的振动加在上述载置部上的振动施加模块，上述温度控制模块在上述载置部上形成规定的温度梯度。

为了达到上述目的，第六十技术方案所述的存储介质是一种存储在计算机中执行具有载置基板的载置部、以及连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法用的程序的存储介质，上述程序有控制上述载置部的温度用的温度控制模块，上述温度控制模块在上述载置部上形成规定的温度梯度，上述温度控制模块有检测外部周围的温度的检测模块；以及根据由该检测模块检测到的外部周围的温度，加热上述载置部的加热模块。

为了达到上述目的，第六十一技术方案所述的存储介质是一种存储在计算机中执行具有收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使上述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使上述收容室内排气的排气部、以及将气体导入上述收容室中的气体导入部的基板输送装置的颗粒除去方法用的程序的存储介质，上述程序有控制上述载置部的温度用的温度控制模块；以及根据由上述检测步骤检测到的上述收容室内的温度，控制上述导入的规定的气体的温度的气体温度控制模块，上述温度控制模块在上述载置部上形成规定的温度梯度。

第六十二技术方案所述的存储介质的特征在于，在第六十一技术方案所述的存储介质，上述程序还有控制上述收容室内的压力用的压力控制模块。

为了达到上述目的，第六十三技术方案所述的存储介质是一种存储在计算机中执行具有载置基板的载置部、以及连接在上述载置部上且使上述载置部移动的腕部的基板输送机构的颗粒除去方法用的程序的存储介质，上述程序有控制上述载置部的温度用的温度控制模块，以及将超声波区域的振动加在上述载置部上的振动施加模块，上述温度控制模块在上述载置部上形成规定的温度梯度。

如果采用第一技术方案所述的基板输送机构、第五技术方案所述的基板输送装置、第三十二技术方案所述的颗粒除去方法、以及第三十六技术方案所述的颗粒除去方法，则由于在载置基板的载置部上形成规定的温度梯度，所以能利用在基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板上剥离，利用朝向远离基板的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板上除去，因此能将附着在基板上的颗粒剥离并除去。

如果采用第二技术方案所述的基板输送机构及第三十三技术方案所述的颗粒除去方法，则由于根据检测到的外部周围的温度加热载置部，所以能将附着在载置部的基板上的颗粒可靠地剥离并除去。

如果采用第三技术方案所述的基板输送机构及第三十四技术方案所述的颗粒除去方法，则由于载置部的温度被控制在比外部周围的温度高30K以上的温度，所以能将附着在基板上的颗粒更可靠地剥离并除去。

如果采用第四技术方案所述的基板输送机构、第十一技术方案所述的基板输送装置、第三十五技术方案所述的颗粒除去方法、以及第四十二技术方案所述的颗粒除去方法，则由于载置部表层的材料的线膨胀系数与在载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同，所以能使在载置部和颗粒的界面上发生的热应力增大，因此能促进附着在载置部上的颗粒的剥离及除去。

如果采用第八技术方案所述的基板输送装置及第三十九技术方案所述的颗粒除去方法，则由于气体温度控制装置根据检测到的收容室内的温度，控制该导入的规定的气体的温度，所以即使在不能将载置部加热到所希望的温度的情况下，也能在载置部附近形成温度梯度。

如果采用第九技术方案所述的基板输送装置及第四十技术方案所述的颗粒除去方法，则由于能控制收容室的压力，所以利用依赖于收容室内的压力的热迁移力，能将附着在基板上的颗粒更可靠地剥离。

如果采用第十技术方案所述的基板输送装置及第四十一技术方案所述的颗粒除去方法，则由于收容室的压力被控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。如果收容室的压力被设定为1.3×10^-2～1.3kPa，则热迁移力增加。因此，能利用增大了的热迁移力将附着在基板上的颗粒更可靠地剥离。

如果采用第十二技术方案所述的基板输送机构、第十三技术方案所述的基板输送装置、第四十三技术方案所述的颗粒除去方法、以及第四十四技术方案所述的颗粒除去方法，则由于将超声波区域的振动加在载置基板的载置部上，所以将超声波区域的振动加在基板上，能减弱基板和颗粒的结合力，因此能将附着在基板上的颗粒剥离并除去。

如果采用第十四技术方案所述的基板输送机构、第十八技术方案所述的基板输送装置、第四十五技术方案所述的颗粒除去方法、以及第四十七技术方案所述的颗粒除去方法，则由于在载置基板的载置部上形成规定的温度梯度，同时超声波区域的振动被加在载置基板的载置部上，所以能利用在基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板上剥离，利用朝向远离基板的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板上除去，另外，将超声波区域的振动加在基板上，能减弱基板和颗粒的结合力，因此能将附着在基板上的颗粒可靠地剥离及除去。

如果采用第二十五技术方案所述的基板输送装置及第四十九技术方案所述的颗粒除去方法，则由于在载置基板的载置部上形成规定的温度梯度，所以能利用在基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板上剥离，利用朝向远离基板的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板上除去，因此能将附着在基板上的颗粒可靠地剥离及除去。

如果采用第五十六技术方案所述的程序及第六十技术方案所述的存储介质，则由于在载置基板的载置部上形成规定的温度梯度，根据检测到的外部周围的温度，加热载置部，所以能利用在基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板上剥离，利用朝向远离基板的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板上除去，因此能将附着在基板上的颗粒可靠地剥离及除去。

如果采用第五十七技术方案所述的程序及第六十一技术方案所述的存储介质，则由于在载置基板的载置部上形成规定的温度梯度，根据检测到的收容室内的温度，控制该导入的规定的气体的温度，所以能利用在基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板上剥离，利用朝向远离基板的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板上除去，此外，即使在不能将载置部加热到所希望的温度的情况下，也能在载置部附近形成温度梯度，因此能将附着在基板上的颗粒剥离及除去。

如果采用第五十八技术方案所述的程序及第六十二技术方案所述的存储介质，则由于控制收容室内的压力，所以利用依赖于收容室内的压力的热迁移力，能将附着在基板上的颗粒更可靠地剥离。

如果采用第五十九技术方案所述的程序及第六十三技术方案所述的存储介质，则由于在载置基板的载置部上形成规定的温度梯度，同时超声波区域的振动被加在载置基板的载置部上，所以能利用在基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板上剥离，利用朝向远离基板的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板上除去，另外，将超声波区域的振动加在基板上，能减弱基板和颗粒的结合力，因此能将附着在基板上的颗粒可靠地剥离及除去。

附图说明

图1是概略地表示本发明的第一实施方式的基板输送装置的结构的图。

图2是概略地表示图1中的输送臂的结构的立体图。

图3是表示计算从基板上剥离的颗粒的移动速度的结果的图。

图4是表示计算对应于室内的各规定的压力的温度梯度的结果的图。

图5是表示计算作用在颗粒上的热迁移力对压力的依赖性的结果的图。

图6是概略地表示本发明的第二实施方式的基板输送装置的结构的图。

图7是概略地表示本发明的第三实施方式的基板输送装置的结构的图。

图8是表示测量散布在基板W上的SiO₂粒子的除去率的结果的图。

图9是概略地表示具有本发明的第四实施方式的基板输送装置的基板处理装置的结构的图。

图10是概略地表示基板载置室的结构的图。

图11是表示具有基板载置室的等离子体处理系统的变形例的图。

图12是表示在作为本发明的实施例实施的颗粒除去处理中，处理室内的上部电极和Si晶片的温度差与Si晶片上的SiO₂颗粒的减少率的关系的图。

图13是表示在作为本发明的实施例实施的颗粒除去处理中，处理室内的压力和Si晶片上的SiO₂颗粒的减少率的关系的图。

图14是表示在作为本发明的实施例实施的颗粒除去处理中，室内的Si晶片的输送时间和Si晶片上的SiO₂颗粒的减少率的关系的图。

图15是概略地表示配置了关节臂式操作装置的现有的集束基板处理系统的结构的图，图15(a)是集束基板处理系统的水平截面图，图15(b)是沿图15(a)中的线VI-VI的截面图。

符号说明：10基板输送装置；11腔室；12输送臂；15排气管线；18气体导入管线；21旋转台；22第一腕部件；23第二腕部件；24拾取器；28温度控制装置；8温度传感器；25电阻体；9控制部。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。

图1是概略地表示本发明的第一实施方式的基板输送装置的结构的图。

在图1中，基板输送装置10具有：金属制的、例如铝或不锈钢制的安全接地的箱形腔室11(收容室)；以及向该腔室11内输送基板W的输送臂12(基板输送机构)。

在腔室11的侧壁上，设有输送臂12将基板W搬入搬出腔室11时使基板W通过的搬入搬出口13，该搬入搬出口13由开闭自如的门阀14来密封。另外，排气管线(排气部)15连接在腔室11的底部上。该排气管线15有：直径例如为25mm的排气管16、配置在该排气管16的中途的阀V1、以及连接在排气管16上的作为排气泵的干式泵17，对腔室11进行排气减压。该阀V1能将腔室11内和干式泵17隔断。另外，气体导入管线18(气体导入部)连接在腔室11的顶部。该气体导入管线18具有：例如供给N₂气的气体供给装置19、以及将N₂气从该气体供给装置19导入腔室11内的气体导入管20，阀V2配置在气体导入管20的中途。该阀V2能将腔室11内和气体供给装置19隔断。

另外，基板输送装置10通过气体导入管20与腔室11及气体供给装置19连结，具有：使导入腔室11内的N₂气冷却的冷却装置6(气体温度控制装置)；以及设置在排气管16上，控制腔室11内的压力用的压力控制装置7。冷却装置6根据由后面所述的温度传感器8检测的腔室11的温度，使导入腔室11内的N₂气冷却，压力控制装置7将腔室11内的压力控制在例如1.3kPa(10Torr)。

该基板输送装置10例如设置在组合型或并行型的基板处理系统中，通过门阀14连接在该基板处理系统具有的等离子体处理装置等上。

图2是概略地表示图1中的输送臂12的结构的立体图。

在图2中，作为关节臂式操作装置的输送臂12具有：配置在腔室11的底面上，绕相对于该底面垂直的轴(以下称“室垂直轴”)旋转自如的旋转台21；连接在该旋转台21上的棒状的第一腕部件22；连接在该第一腕部件22上的棒状的第二腕部件23；以及连接在该第二腕部件23的另一端上的载置基板W的拾取器24(载置部)。

在该输送臂12中，第二腕部件23的一端绕室垂直轴旋转自如地与第一腕部件22的另一端连接，拾取器24绕室垂直轴旋转自如地与第二腕部件23的另一端连接，旋转台21、第一腕部件22、第二腕部件23及拾取器24协同进行旋转运动，因此，能使拾取器24及载置在该拾取器24上的基板W移动到腔室11中的所希望的位置或通过搬入搬出口13移动到相邻的等离子体处理装置等中。

拾取器24呈音叉形状，将基板W置于两分叉部上，另一方面，如上所述，与两分叉部相反的端部与第二腕部件23的另一端连接。

另外，输送臂12具有控制拾取器24的温度用的温度控制装置28，温度控制装置28在拾取器24和腔室11的内壁上形成规定的温度梯度。具体地说，温度控制装置28具有：检测腔室11的内壁温度的温度传感器8(检测部)；埋设在输送臂12的拾取器24的内部，且加热拾取器24的例如铠装加热器等电阻体25(加热部)；通过配置在第二腕部件23、第一腕部件22及旋转台21的内部的电线26，与电阻体25连接、同时控制电阻体25的温度的控制部9。

该控制部9根据用温度传感器8检测的腔室11的内壁温度，加热电阻体25，控制拾取器24的温度。因此，能在拾取器24和腔室11的内壁上形成所希望的温度梯度，因而能将附着在基板W上的颗粒可靠地剥离及除去。另外，这时，输送臂12的拾取器24优选被控制为比腔室11的内壁温度高30K以上的温度。因此，能将附着在基板W上的颗粒更可靠地剥离及除去。

基板输送装置10用温度传感器8检测腔室11的内壁温度，将对应于该检测到的温度的电信号输出给控制部9，由控制部9确定对应于该电信号的电阻体25的施加电压，通过将该确定的施加电压加在电阻体25上，来加热电阻体25，利用主要来自拾取器24的传导热，加热载置在拾取器24上的基板W。因此，能在输送臂12的拾取器24及载置在拾取器24上的基板W和腔室11的内壁上形成温度梯度，朝向远离基板W的方向(从拾取器24朝向腔室11的内壁的方向)的热迁移力(热泳动力)作用在颗粒上。另外，这时在基板W上，由于材料固有的线膨胀系数不同，所以在基板W和颗粒的界面上发生沿互相分离的方向的热应力，利用该发生的热应力，将颗粒从基板W上剥离下来。被剥离下来的颗粒利用上述的热迁移力，被拉到温度比拾取器24低的腔室11的内壁上。

如上所述，颗粒从基板W及输送臂的拾取器24上被除去的机理，能用颗粒利用热应力进行剥离的颗粒剥离行程和颗粒利用热迁移力移动的颗粒移动行程来说明。这里，假定从基板W上剥离的颗粒的初速度为10m/s，腔室11内的压力为1.3kPa(1.0Torr)，用下面所示的众所周知的速度公式，计算从基板W上剥离的颗粒的移动速度。

[数学式1]

$F_T=-\frac{6\mathrm{\π}{d}_p{\mathrm{\μ}}^2{C}_s(\mathrm{\γ}+C_t\mathrm{Kn})}{\mathrm{\ρ}(1+3C_m\mathrm{Kn})(1+2\mathrm{\γ}+2C_t\mathrm{Kn})}\frac{1}{T}\frac{\mathrm{dT}}{\mathrm{dx}}$

其结果如图3所示，颗粒从基板W上剥离后，经过0.004s、即在几ms内，颗粒的速度(图中的实线)达到热迁移速度(图中用虚线表示的终了速度)。另外，颗粒的速度达到了热迁移速度时颗粒的移动距离(图中的点划线)距离基板W的上表面约为0.9cm。换句话说，从基板W剥离的颗粒在距离几mm左右的位置由热迁移力引起的速度达到支配性的速度，从基板W剥离后，不会滞留在基板W附近，而被连续地输送。

其次，说明颗粒的除去机理中的颗粒移动行程和压力的关系。

在图1所示的基板输送装置10中，如果利用排气管线15使腔室11内减压，则在腔室11内，腔室11的内壁和室内的气氛之间发生温度起伏，所以与腔室11的内壁接触的N₂气的温度与腔室11的内壁温度不同。这里，使基板W的温度为500K，腔室11的内壁温度为350K，而且在考虑了温度起伏的影响的情况下，计算了腔室11内的对应于各规定的压力的温度梯度，将其结果示于图4。另外，图4中的横轴表示基板W和腔室11的上部内壁的距离。

如图4所示，腔室11内的稀薄度(真空度)越大，即表示流量场的稀薄度的克努森(Knudsen)数越大，温度越起伏，例如，上述距离为0.00m的温度梯度的温度和基板W的温度的差增大，输送臂12的拾取器24及载置在拾取器24上的基板W和腔室11的内壁的温度差即使相同，温度梯度也减小。如上所述，可知由于温度梯度受温度起伏的影响，所以腔室11内的稀薄度增大，温度起伏越大，作用在颗粒上的热迁移力变的越小。

考虑图4所示的结果，计算条件为：基板W的温度为623.15K，腔室11的内壁温度为338.15K，基板W和腔室11的上部内壁的间隔为35mm，计算作用在直径约为0.6微米的SiO₂颗粒上的热迁移力对压力的依赖性。其结果如图5所示，腔室11内的压力在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)范围内，作用在颗粒上的热迁移力为最大(F＝1.0×10^-13[N])。因此，通过将腔室11内的压力控制在0.013～1.3kPa(0.1～10Torr)，能更有效地将附着在基板W上的颗粒除去。

如果采用本实施方式，则由于在载置基板W的拾取器24上形成规定的温度梯度，所以利用在基板W和颗粒的界面上发生的热应力将颗粒从基板W上剥离，能利用朝向远离基板W的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板W上除去，从而能将附着在基板W上的颗粒剥离及除去。另外，在使基板W移动到与基板输送装置10相邻的等离子体处理装置等中时，由于能利用拾取器24将附着在基板W上的颗粒剥离及除去，所以即使在基板W的连续处理时，也能输送对接下来的处理没有不良影响的基板W。另外，通过利用基板W的输送时间，能进行颗粒的剥离及除去，而不会降低配置基板输送装置10的基板处理系统的动作效率。

另外，如果采用本实施方式，则由于冷却装置6根据用温度传感器8检测到的腔室11的内壁温度，使导入腔室11内的N₂气冷却，所以即使在通过控制电阻体25而不能将拾取器24加热到所希望的温度的情况下，也能在拾取器24的附近形成温度梯度。

图6是概略地表示本发明的第二实施方式的基板输送装置的结构图。

在图6所示的基板输送装置中，其结构与图1所示的基本上相同，对相同的结构要素，标以相同的参照编号，省略重复的说明，以下只说明不同的部分。

在图6中，基板输送装置30具有将基板W输送到腔室11内的输送臂32。输送臂32具有：配置在腔室11的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台21；连接在该旋转台21上的棒状的第一腕部件22；连接在该第一腕部件22上的棒状的第二腕部件23；以及连接在该第二腕部件23的另一端上的载置基板W的拾取器24。

另外，输送臂32具有：发生超声波区域的振动，例如发生其频率为40kHz的振动用的振动发生部33；以及连接在振动发生部33上，同时固定在拾取器24上的振荡部34。振动发生部33发生的超声波区域的振动的方向沿着垂直于载置在拾取器24上的基板W的主面的方向。另外，振动发生部33虽然沿着垂直于基板W的主面的方向配置，但任意方向都可以，也可以在沿着基板W的主面水平的方向配置。

振动发生部33发生超声波区域的振动，通过将该发生的振动传递给振荡部34，能使输送臂32的拾取器24振动。载置在拾取器24上的基板W通过传递来自拾取器24的振动而以超声波区域的频率振动。因此，能减弱基板W和颗粒的结合力，因此能将颗粒从基板W上剥离及除去。

如果采用本实施方式，则由于超声波区域的振动通过输送臂32加在载置基板W的拾取器24上，所以将超声波区域的振动加在基板W上，能减弱基板W和颗粒的结合力，因此能将附着在基板W上的颗粒剥离及除去。

图7是概略地表示本发明的第三实施方式的基板输送装置的结构图。

图7所示的基板输送装置，其结构与图1所示的基本上相同，对相同的结构要素，标以相同的参照编号，省略重复的说明，以下只说明不同的部分。

在图7中，基板输送装置40具有将基板W输送到腔室11内的输送臂42。输送臂42具有：配置在腔室11的底面上，绕室垂直轴旋转自如的旋转台21；连接在该旋转台21上的棒状的第一腕部件22；连接在该第一腕部件22上的棒状的第二腕部件23；连接在该第二腕部件23的另一端上的载置基板W的拾取器24；控制拾取器24的温度用的温度控制装置28；发生超声波区域、例如其频率为40kHz的振动用的振动发生部33；以及连接在振动发生部33上、同时固定在拾取器24上的振荡部34。

温度控制装置28在拾取器24和腔室11的内壁上形成规定的温度梯度。具体地说，温度控制装置28具有：检测腔室11的内壁温度的温度传感器8；埋设在输送臂42的拾取器24的内部且加热拾取器24的、例如铠装加热器等电阻体25；以及通过配置在第二腕部件23、第一腕部件22及旋转台21的内部的电线26，与电阻体25连接、同时控制电阻体25的温度的控制部9。

如果采用本实施方式，则由于在载置基板W的拾取器24上形成规定的温度梯度，同时超声波区域的振动被加在载置基板W的拾取器24上，所以利用在基板W和颗粒的界面上发生的热应力将颗粒从基板W上剥离，能利用朝向远离基板W的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板W上除去，另外，由于将超声波区域的振动加在基板W上，所以能减弱基板W和颗粒的结合力，从而能将附着在基板W上的颗粒可靠地剥离及除去。

在上述的实施方式中，被导入腔室11内的气体虽然是N₂气，但不限于此，也可以是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)等惰性气体，另外，也可以使用O₂气等。

在上述的实施方式中，虽然用铠装加热器等电阻体25加热拾取器24，但不限于此，也可以用红外线等的灯加热拾取器24。

在上述的实施方式中，振动发生部33虽然发生其频率为40kHz的振动，但不限于此，也可以发生频率为16000～10MHz的振动。另外，优选其频率为16000～40kHz。

在上述的实施方式中，作为输送臂12、32、42，虽然使用了关节臂式操作装置，但输送臂的形式不限于此，也可以是蛙腿式操作装置。

另外，在上述的实施方式中，输送臂12、32、42虽然将附着在基板W上的颗粒剥离及除去，但不限于此，在未被颗粒污染的基板的输送过程中或基板输送装置10、30、40空载时，通过实施上述处理，能防止颗粒对基板的污染。

另外，在上述的实施方式中，如上所述，利用由于材料固有的线膨胀系数的不同而发生的热应力，能将颗粒从基板W上剥离，所以在能预测在腔室11内可能发生的颗粒的材质的情况下，优选用具有与可能发生的颗粒的线膨胀系数不同的线膨胀系数的材质，覆盖腔室11的内壁及输送臂12、32、42等的室内部分。具体地说，输送臂12、32、42优选有由与在输送臂12、32、42附近发生的颗粒的线膨胀系数不同的规定的材料构成的表层。因此，能在腔室11的内壁及输送臂12、32、42等的室内部分和颗粒的界面上发生大的热应力，因此能将附着在室内部分上的颗粒可靠地剥离及除去。

为了确认其效果，用SiO₂、Si、SiN、W、Cu、PR、以及CF系列聚合物分别覆盖基板，将SiO₂粒子散布在用上述各种材质覆盖的各个基板上，测量了加热该基板时基板上的SiO₂粒子的除去率，如图8所示，与用SiO₂覆盖的基板W上的SiO₂粒子的除去率进行比较，用特氟龙(注册商标)等CF系列聚合物覆盖的基板W上的SiO₂粒子的除去率高。因此，例如在能预测发生Si或SiO₂颗粒的情况下，优选用特氟龙(注册商标)等CF系列聚合物覆盖室内部分，另外，在能预测作为颗粒而发生CF系列聚合物的情况下，优选用SiO₂覆盖室内部分。因此，能提高附着在室内部分上的颗粒除去率。另外，在用具有与可能发生的颗粒的线膨胀系数不同的线膨胀系数的材质覆盖基板W的表面的情况下也能获得同样的效果。

图9是概略地表示本发明的第四实施方式的具有基板输送装置的基板处理装置的结构图。

在图9中，作为基板处理装置的等离子体处理系统50具有：对基板W进行蚀刻处理的第一处理单元51及第二处理单元52；基板搬入搬出载物台53；以及控制等离子体处理系统50的动作的控制单元80。

第一处理单元51具有：有对基板W进行蚀刻处理的处理室2a的等离子体处理装置1a；通过能气密地开闭的门阀55a连接在等离子体处理装置1a的处理室2a上，将基板W搬入搬出处理室2a的输送室56a；以及通过能气密地开闭的门阀57a连接在输送室56a上，将基板W搬入搬出输送室56a的负载锁定室58a。另外，第二处理单元52与第一处理室51的结构相同，所以将与第一处理室51的各结构要素附带的编号对应的编号赋予第二处理单元52的各结构要素，省略其说明。

输送室56a构成得能清除颗粒等及进行真空排气，在输送室56a的内部，设有在处理室2a、负载锁定室58a及输送室56a之间进行基板W的搬入搬出的、例如作为能伸缩及旋转的多关节结构的关节臂式操作装置的输送臂59a。另外，在输送臂59a的前端设有能载置基板W的载置台60a。

负载锁定室58a也构成得能清除残留物及进行真空排气，内部设有能载置基板W的接收台62a。在接收台62a上也可以根据需要，设置冷却套管，使处理过的晶片冷却，或者设置加热灯，对处理前的基板W进行预热。另外，也可以将接收台62a本身做成多段结构，能载置多个基板W。

基板搬入搬出载物台53大致呈长方体箱形，在其侧面通过能气密地开闭而构成的门阀64a及门阀64b连接着第一处理单元51的负载锁定室58a及第二处理单元52的负载锁定室58b，另外，在其一个端部上具有定位室72，该定位室72的内部具有旋转载置台73、以及对基板W的周边部进行光学检测的光学传感器74。而且，定位室72利用光学传感器74，检测基板W的取向平面或切口等，利用旋转载置台73使基板W旋转，进行定位。

另外，在基板搬入搬出载物台53中，在其内部设有输送臂65，输送臂65构成得能沿其纵向配置的图中未示出的导轨移动，输送臂65例如具有被分别驱动的输送晶片用的多关节叉66、67，多关节叉66、67构成得能伸缩及旋转。另外，输送臂65在多关节叉66、67的前端分别具有能分别把持基板W的臂68、69。

输送臂65能将被收容在载置在后面所述的环箍体台54上的作为基板盒的环箍体76中的基板W输送到定位室72的旋转载置台73、以及负载锁定室58的接收台62上，另外，能将载置在接收台62上的基板W输送到旋转载置台73上、以及环箍体76a～76c内。另外，在各环箍体76a～76c内部具有25个槽，能收容25个基板W。另外，输送臂65能将载置在第一处理单元51的负载锁定室58a的接收台62a上的基板W输送到后面所述的基板载置室90中，同时能将载置在该基板载置室90中的基板W输送到第二处理单元51中的负载锁定室58b的接收台62b上。

另外，基板搬入搬出载物台53在与连接负载锁定室58a及负载锁定室58b的侧面相对的侧面上，有4个开闭自如的作为开口部的口77a～77d，对应于口77a～77c中的各口的位置，有从基板搬入搬出载物台53的侧面突出的作为平台的环箍体台54；以及与口77d的位置对应、暂时载置进行了蚀刻处理的基板W的作为基板输送装置的基板载置室90。各环箍体台54有载置一个环箍体76的载置面78；以及开闭载置在该载置面78上的环箍体76的盖体的环箍体开启工具(图中未示出)。

图10是概略地表示基板载置室90的结构图。基板载置室90的结构与图1所示的结构基本上相同，相同的结构要素标以同一参照编号，省略重复的说明，以下说明不同的部分。

在图10中，基板载置室90构成得能清除颗粒等及进行真空排气，具有：铝或不锈钢制的安全接地的箱形的腔室91(收容室)；载置基板的载置台(载置部)92；在基板载置室90的侧壁上，连接在口77d上，输送臂65将基板W搬入搬出基板载置室90时使基板W通过的搬入搬出口93；控制载置台92的温度用的温度控制装置94；发生超声波区域、例如其频率为40kHz的振动用的振动发生部95；以及连接在振动发生部95上，同时固定在拾取器载置台92上的振荡部96。该搬入搬出口93用开闭自如的口77d密封。

温度控制装置94具有：检测腔室91的内壁温度用的温度传感器97；通过将红外线照射在配置在腔室91的上部且载置在载置台92上的基板W上，加热基板W的灯98；以及与灯98电连接、同时控制灯98的动作的控制部99。另外，从灯98发射的光线不限于红外线，只要是能将基板W加热的光线即可，另外，优选是具有不影响在基板W上形成的抗蚀剂膜的波长的光线。

该控制部99根据用温度传感器97检测的腔室91的内壁温度，控制从灯98辐射的红外线的辐射量，来控制基板W的温度。另外，在基板W未载置在载置台92上的情况下，根据用温度传感器97检测的腔室91的内壁温度，控制从灯98辐射的红外线的辐射量，来控制载置台92的温度。因此，在基板W和腔室91的内壁之间、以及载置台92和腔室91的内壁之间，分别形成规定的温度梯度。另外，载置台92优选被控制在比腔室91的内壁温度高30K以上的温度。

在如上所述构成的等离子体处理系统50中，处理环箍体76内的未处理的基板W时，环箍体开启工具打开环箍体76的盖体，且打开对应于载置该环箍体76的环箍体台54的口77a～77c中的任意一个或多个，由输送臂65将收容在环箍体76中的基板W送出，接着，通过定位室72、第一处理单元51中的负载锁定室58a及输送室56a，将基板W送入等离子体处理装置1a的处理室2a中。另外，在处理室2a中进行了规定的处理的基板W通过第一处理单元51的输送室56a及负载锁定室58a，被送给基板载置室90。

被送入基板载置室90内的基板W，利用输送臂65载置在载置台92上，根据用温度传感器97检测到的腔室91的内壁温度，利用从灯98辐射的红外线进行加热。因此，在基板W及腔室91的内壁上形成所希望的温度梯度，另外，还在载置台92及腔室91的内壁上形成所希望的温度梯度。另外，利用振动发生部95对基板W施加超声波区域的振动。此后，进行腔室91内的颗粒的清除及真空排气。

进行了腔室91内的清除及真空排气后，在基板载置室90内进行了加热及振动施加后的基板W通过第二处理单元52中的负载锁定室58b及输送室56b，被送入等离子体处理装置1b的处理室2b中，在处理室2b中进行规定的等离子体处理。

如果采用本实施方式，则由于根据用温度传感器97检测到的腔室91的内壁温度，控制从灯98辐射的红外线的辐射量，在由该光线加热的载置部92及基板W上形成规定的温度梯度，所以在由第一处理单元51及第二处理单元52对基板W进行的多种处理期间，在将基板W输送到了腔室91内的情况下，利用在被载置在载置台92上的基板和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板W上剥离，能利用向远离基板W的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板W上除去，由此可将附着在基板W上的颗粒可靠地剥离去除。

在本实施方式中，虽然设置了独立的基板载置室90，但也可以使负载锁定室58a及负载锁定室58b两者中的至少一者具有作为基板载置室的功能。在此情况下，具有作为基板载置室的功能的负载锁定室58具有与基板载置室90同样的结构。

另外，在本实施方式中，虽然等离子体处理系统50具有对基板W进行蚀刻处理的第一处理单元51及第二处理单元52、以及基板搬入搬出载物台53，该基板搬入搬出载物台53在其侧面有基板载置室90，但不限于此，如图11所示，也可以具有：通过能气密地开闭的门阀(图中未示出)连接在后面所述的多个处理室上，将基板W搬入搬出多个处理室的输送组件100；配置在输送组件100内的由两个关节型的输送臂构成的双臂型的转移臂101；呈辐射状配置在输送组件100周围的5个处理室102A～102E；以及通过能气密地开闭的门阀(图中未示出)连接在输送组件100上，作为暂时载置利用处理室102A～102E进行了蚀刻处理的基板W的基板输送室的基板载置室90。

在图11所示的等离子体处理系统中，未处理的基板W由转移臂101送入输送组件100内，其次，通过门阀(图中未示出)送入处理室102A～102E中规定的处理室、例如处理室102A内。另外，在处理室102A中进行了规定的处理的基板W由转移臂101通过输送组件100，输送到基板载置室90中。

被送入基板载置室90内的基板W由转移臂101载置到载置台92上，根据用温度传感器97检测到的腔室91的内壁温度，利用从灯98辐射的红外线进行加热。因此，在基板W及腔室91的内壁上形成所希望的温度梯度，另外，还在载置台92及腔室91的内壁上形成所希望的温度梯度。另外，利用振动发生部95对基板W施加超声波区域的振动。此后，进行腔室91内的颗粒的清除及真空排气。

进行了腔室91内的颗粒的清除及真空排气后，在基板载置室90内进行了加热及振动施加后的基板W，利用转移臂101通过输送组件100，被送入另一个处理室、例如处理室102B内，在处理室102B中进行规定的等离子体处理。

另外，基板W被送入基板载置室90中的时刻，不限于从处理室102A送入处理室102B时，在处理室102A～102E中的任意两个处理室之间，从一个处理室输送到另一个处理室时也可以，另外，即使是在处理室102A～102E中的两个以上的处理室中的多个处理完成后也可以。

在本实施方式中，虽然温度控制装置94有配置在腔室91的上部，且通过将红外线等辐射到载置在载置台92上的基板W上，对基板W加热的灯98，但不限于此，也可以有埋设在载置台92的内部，且加热载置台92及基板W的例如铠装加热器(sheath heater)等电阻体。因此，能控制载置台92的温度，在载置台92上形成规定的温度梯度，所以利用在被载置在载置台92上的基板W和颗粒的界面上发生的热应力，将颗粒从基板W上剥离，能利用向远离基板W的方向作用的热迁移力，将该颗粒从基板W上除去，因此能将附着在基板W上的颗粒可靠地剥离及除去。

在本实施方式中，在能预测在腔室91内可能发生的颗粒的材质的情况下，与上述第一实施方式相同，优选用具有与可能发生的颗粒的线膨胀系数大大不同的线膨胀系数的材质，覆盖腔室11的内壁及载置台92等的室内部分。因此，能在腔室91的内壁及载置台92等的室内部分和颗粒的界面上发生大的热应力，因此能将附着在室内部分上的颗粒可靠地剥离及除去。

另外，通过将记录了实现上述的各实施方式的功能的软件的程序码的存储介质供给上述系统或装置，该系统的计算机(或CPU、MPU等)读出存储在存储介质中的程序码并执行之，也能达到本发明的目的。

在此情况下，从存储介质读出的程序码本身成为实现本发明的新的功能，该程序码及存储了该程序码的存储介质及程序就构成本发明。

另外，作为供给程序码用的存储介质，例如，能使用软(注册商标)盘、硬盘、光盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁盘、非易失性存储卡、ROM等。或者，通过从连接在因特网、商用网络、或局域网等上的图中未示出的其他计算机或数据库等中下载，来供给上述程序。

另外，计算机通过执行读出的程序码，不仅能实现上述的各实施方式的功能，而且也包括根据该程序码的指示，在计算机上动作的OS(操作系统)等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理实现上述的各实施方式的功能的情况。

另外，还包括从存储介质读出的程序码被写入计算机中插入的功能扩展插件板或连接在计算机上的功能扩展单元中具有的存储器中后，根据该程序码的指示，该功能扩展卡或功能扩展单元中具有的CPU等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理实现上述的各实施方式的功能的情况。

实施例

其次，具体地说明本发明的实施例。另外，在以下的实施例中，在设定了基板输送装置10及基板输送装置30的处理装置的处理室中，进行了模拟实验。

首先，在设定了基板输送装置10处理室中，准备预先将粒子直径为0.6微米的SiO₂颗粒附着在了表面上的Si晶片，将Si晶片载置在设定了处理室内的输送臂的下部电极上。其次，一边将处理室内的压力控制在0.13kPa(1.0Torr)，一边使下部电极升温，测量了在该升温过程中从Si晶片上剥离的SiO₂颗粒的个数(个/分)。另外，求出了设定了基板输送装置10的内壁温度和Si晶片的温度差的上部电极的温度和Si晶片的温度差。

同样，一边将处理室内的压力控制在1.3kPa(10Torr)，一边使下部电极升温，测量了在该升温过程中从Si晶片上剥离的SiO₂颗粒的个数(个/分)。将其结果示于图12中。

由此，可知上部电极的温度和Si晶片的温度差为150℃以上时，从Si晶片上剥离的SiO₂颗粒数急剧增大。即，从图12可知，根据对应于处理室内的压力的热迁移力的效果，Si晶片上的SiO₂颗粒的剥离量与压力有关。

其次，在处理室中，准备预先将粒子直径为0.6微米的SiO₂颗粒附着在了表面上的Si晶片，将Si晶片载置在下部电极上。其次，将下部电极加热到规定的温度，一边将处理室内的压力控制在0.0013kPa(0.01Torr)，一边以规定的时间将Si晶片载置在下部电极上。测量了在该规定时间内从Si晶片上剥离的SiO₂颗粒的个数，从该测量结果，求出了Si晶片上的SiO₂颗粒减少率。另外，使处理室内的压力变化到0.0013～130kPa(0.01～1000Torr)，进行了同样的测量。将其结果示于图13中。

由此，可知在将处理室内的压力控制在0.013～13kPa(0.1～100Torr)时，能使许多SiO₂颗粒从Si晶片上剥离，优选是将处理室内的压力控制在0.13～1.3kPa(1.0～10Torr)时，能使许多SiO₂颗粒从Si晶片上剥离。即，由于Si晶片附近的热迁移力与处理室内的压力有关，所以可知能将载置在Si晶片上的SiO₂颗粒更可靠地剥离。

另外，在设定了基板输送装置30的处理室中，与上述实施例相同，准备预先将粒子直径为0.6微米的SiO₂颗粒附着在了表面上的Si晶片，载置在下部电极上。其次，将处理室内的压力控制在1.3kPa(10Torr)，将Si晶片载置在下部电极上40分钟后，将频率为40kHz的振动加在Si晶片上。这时，测量了从Si晶片上剥离的SiO₂颗粒的个数。将其结果示于图14中。

由此，可知通过将超声波振动加在附着了SiO₂颗粒的Si晶片上，能将许多SiO₂颗粒从Si晶片上剥离。

Claims (63)

1、一种输送基板的基板输送机构，其特征在于，该基板输送机构具有：

载置基板的载置部；

连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部；和

控制所述载置部的温度的温度控制装置，

所述温度控制装置使所述载置部形成规定的温度梯度。

2、根据权利要求1所述的基板输送机构，其特征在于：

所述温度控制装置具有：检测外部周围的温度的检测部；加热所述载置部的加热部；和根据由所述检测部检测到的外部周围的温度，控制所述加热部的动作的控制部。

3、根据权利要求2所述的基板输送机构，其特征在于：

所述控制部将所述载置部的温度控制在比外部周围的温度高30K以上的温度。

4、根据权利要求1至3中的任意一项所述的基板输送机构，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

5、一种基板输送装置，其特征在于，具有：收容基板的收容室、配置在该收容室内且输送基板的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

所述基板输送机构具有：载置基板的载置部；连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部；和控制所述载置部的温度的温度控制装置，所述温度控制装置使所述载置部形成规定的温度梯度。

6、根据权利要求5所述的基板输送装置，其特征在于：

所述温度控制装置具有检测所述收容室内的温度的检测部；加热所述载置部的加热部；和根据由所述检测部检测到的所述收容室内的温度，控制所述加热部的动作的控制部。

7、根据权利要求6所述的基板输送装置，其特征在于：

所述控制部将所述载置部的温度控制在比所述收容室内的温度高30K以上的温度。

8、根据权利要求5至7中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

所述气体导入部具有根据由所述检测部检测到的所述收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制装置。

9、根据权利要求5至8中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

还具有控制所述收容室内的压力的压力控制装置。

10、根据权利要求9所述的基板输送装置，其特征在于：

所述压力控制装置将所述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

11、根据权利要求5至10中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

12、一种输送基板的基板输送机构，其特征在于，该基板输送机构具有：

载置基板的载置部；连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部；发生超声波区域的振动用的振动发生部；和连接在所述振动发生部上，并固定在所述载置部上的振荡部。

13、一种基板输送装置，具有收容基板的收容室、配置在该收容室内且输送基板的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，其特征在于：

所述基板输送机构具有：载置基板的载置部；连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部；发生超声波区域的振动用的振动发生部；和连接在所述振动发生部上，并固定在所述载置部上的振荡部。

14、一种输送基板的基板输送机构，其特征在于，该基板输送机构具有：

载置基板的载置部；连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部；控制所述载置部的温度的温度控制装置；发生超声波区域的振动用的振动发生部；和连接在所述振动发生部上，并固定在所述载置部上的振荡部，所述温度控制装置使所述载置部形成规定的温度梯度。

15、根据权利要求14所述的基板输送机构，其特征在于：

所述温度控制装置具有检测外部周围的温度的检测部；加热所述载置部的加热部；和根据由所述检测部检测到的外部周围的温度，控制所述加热部的动作的控制部。

16、根据权利要求15所述的基板输送机构，其特征在于：

所述控制部将所述载置部的温度控制在比外部周围的温度高30K以上的温度。

17、根据权利要求14至16中的任意一项所述的基板输送机构，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

18、一种基板输送装置，具有：收容基板的收容室、配置在该收容室内且输送基板的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，其特征在于：

所述基板输送机构具有：载置基板的载置部；连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部；控制所述载置部的温度的温度控制装置；发生超声波区域的振动用的振动发生部；和连接在所述振动发生部上，并固定在所述载置部上的振荡部，所述温度控制装置使所述载置部形成规定的温度梯度。

19、根据权利要求18所述的基板输送装置，其特征在于：

所述温度控制装置具有检测所述收容室内的温度的检测部；加热所述载置部的加热部；和根据由所述检测部检测到的所述收容室内的温度，控制所述加热部的动作的控制部。

20、根据权利要求19所述的基板输送装置，其特征在于：

所述控制部将所述载置部的温度控制在比所述收容室内的温度高30K以上的温度。

21、根据权利要求18至20中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

所述气体导入部具有根据由所述检测部检测到的收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制装置。

22、根据权利要求18至21中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

还具有控制所述收容室内的压力用的压力控制装置。

23、根据权利要求22所述的基板输送装置，其特征在于：

所述压力控制装置将所述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

24、根据权利要求18至23中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

25、一种基板输送装置，具有：收容基板的收容室、配置在该收容室内载置所述基板的载置部、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，其特征在于：

具有控制所述载置部的温度的温度控制装置，所述温度控制装置使所述载置部形成规定的温度梯度。

26、根据权利要求25所述的基板输送装置，其特征在于：

所述温度控制装置具有：检测所述收容室内的温度的检测部；加热所述载置部的加热部；和根据由所述检测部检测到的所述收容室内的温度，控制所述加热部的动作的控制部。

27、根据权利要求26所述的基板输送装置，其特征在于：

所述控制部将所述载置部的温度控制在比所述收容室内的温度高30K以上的温度。

28、根据权利要求25至27中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

所述气体导入部具有根据由所述检测部检测到的收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制装置。

29、根据权利要求25至28中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

还具有控制所述收容室内的压力的压力控制装置。

30、根据权利要求29所述的基板输送装置，其特征在于：

所述压力控制装置将所述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

31、根据权利要求25至30中的任意一项所述的基板输送装置，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

32、一种基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送机构具有：载置基板的载置部、和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

该颗粒除去方法包括控制所述载置部的温度的温度控制步骤，所述温度控制步骤在所述载置部上形成规定的温度梯度。

33、根据权利要求32所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述温度控制步骤包括：检测外部周围的温度的检测步骤；和根据由该检测步骤检测到的外部周围的温度，加热所述载置部的加热步骤。

34、根据权利要求33所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述温度控制步骤将所述载置部的温度控制在比外部周围的温度高30K以上的温度。

35、根据权利要求32至34中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

36、一种基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送装置具有：收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

该颗粒除去方法包括控制所述载置部的温度用的温度控制步骤，所述温度控制步骤使所述载置部形成规定的温度梯度。

37、根据权利要求36所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述温度控制步骤包括：检测所述收容室内的温度的检测步骤；和根据由该检测步骤检测到的所述收容室内的温度，加热所述载置部的加热步骤。

38、根据权利要求37所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述控制步骤将所述载置部的温度控制在比所述收容室内的温度高30K以上的温度。

39、根据权利要求36至38中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

还包括根据由所述检测步骤检测到的所述收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制步骤。

40、根据权利要求36至39中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

还包括控制所述收容室内的压力的压力控制步骤。

41、根据权利要求40所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述压力控制步骤将所述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

42、根据权利要求36至41中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

43、一种基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送机构的具有：载置基板的载置部；和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

该颗粒除去方法包括将超声波区域的振动加在所述载置部上的振动施加步骤。

44、一种基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送装置具有：收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

该颗粒除去方法包括将超声波区域的振动加在所述载置部上的振动施加步骤。

45、一种基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送机构具有：载置基板的载置部；和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

该颗粒除去方法包括：控制所述载置部的温度的温度控制步骤；和将超声波区域的振动加在所述载置部上的振动施加步骤，所述温度控制步骤在所述载置部上形成规定的温度梯度。

46、根据权利要求45所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

47、一种基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送装置具有：收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

该颗粒除去方法包括：控制所述载置部的温度的温度控制步骤；和将超声波区域的振动加在所述载置部上的振动施加步骤，所述温度控制步骤在所述载置部上形成温度梯度。

48、根据权利要求47所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

49、一种基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送装置具有：收容基板的收容室、配置在所述收容室内载置所述基板的载置部、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

该颗粒除去方法包括控制所述载置部的温度用的温度控制步骤，所述温度控制步骤在所述载置部上形成规定的温度梯度。

50、根据权利要求49所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述温度控制步骤包括：检测所述收容室内的温度的检测步骤；和根据由该检测步骤检测到的所述收容室内的温度，加热所述载置部的加热步骤。

51、根据权利要求50所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述温度控制步骤将所述载置部的温度控制在比所述收容室内的温度高30K以上的温度。

52、根据权利要求49至51中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

还包括根据由所述检测步骤检测到的收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制步骤。

53、根据权利要求49至52中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

还包括控制所述收容室内的压力的压力控制步骤。

54、根据权利要求53所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述压力控制步骤将所述收容室内的压力控制在1.3×10^-2～1.3kPa(0.1～10Torr)。

55、根据权利要求49至54中的任意一项所述的颗粒除去方法，其特征在于：

所述载置部有由规定的材料构成的表层，该表层的材料的线膨胀系数与在所述载置部附近发生的颗粒的线膨胀系数不同。

56、一种程序，用于在计算机中执行基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送机构具有载置基板的载置部；和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

该程序有控制所述载置部的温度用的温度控制模块，所述温度控制模块在所述载置部上形成规定的温度梯度，

所述温度控制模块具有：检测外部周围的温度的检测模块；和根据由该检测模块检测到的外部周围的温度，加热所述载置部的加热模块。

57、一种程序，用于在计算机中执行基板输送装置的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送装置具有：收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

该程序具有：控制所述载置部的温度的温度控制模块；和根据由所述检测步骤检测到的所述收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制模块，

所述温度控制模块在所述载置部上形成规定的温度梯度。

58、根据权利要求57所述的程序，其特征在于：

还有控制所述收容室内的压力的压力控制模块。

59、一种程序，用于在计算机中执行基板输送机构的颗粒除去方法，其特征在于，

该基板输送机构具有：载置基板的载置部；和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

该程序具有：控制所述载置部的温度的温度控制模块；和将超声波区域的振动加在所述载置部上的振动施加模块，所述温度控制模块在所述载置部上形成规定的温度梯度。

60、一种存储介质，存储用于在计算机中执行基板输送机构的颗粒除去方法的程序，其特征在于，

该基板输送机构具有：载置基板的载置部；和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

所述程序具有控制所述载置部的温度的温度控制模块，所述温度控制模块在所述载置部上形成规定的温度梯度，

所述温度控制模块具有：检测外部周围的温度的检测模块；和根据由该检测模块检测到的外部周围的温度，加热所述载置部的加热模块。

61、一种存储介质，存储用于在计算机中执行基板输送装置的颗粒除去方法的程序，其特征在于，

该基板输送装置具有：收容基板的收容室、由配置在该收容室内载置基板的载置部及连接在该载置部上且使所述载置部移动的腕部构成的基板输送机构、使所述收容室内排气的排气部、和将气体导入所述收容室中的气体导入部，

所述程序具有：控制所述载置部的温度的温度控制模块；和根据由所述检测步骤检测到的所述收容室内的温度，控制所述导入的规定的气体的温度的气体温度控制模块，

所述温度控制模块在所述载置部上形成规定的温度梯度。

62、根据权利要求57所述的存储介质，其特征在于：

所述程序还有控制所述收容室内的压力的压力控制模块。

63、一种存储介质，存储用于在计算机中执行基板输送机构的颗粒除去方法的程序，其特征在于，

该基板输送机构具有：载置基板的载置部；和连接在所述载置部上且使所述载置部移动的腕部，

所述程序具有：控制所述载置部的温度的温度控制模块；和将超声波区域的振动加在所述载置部上的振动施加模块，所述温度控制模块在所述载置部上形成规定的温度梯度。

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