CN1692553A - 电子电路 - Google Patents

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Abstract

具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子的晶体管的电子电路。电子电路包含：具有用第三端子接收输入信号(IN)的输入晶体管(QI)、第一端子连接在输入晶体管(QI)的第二端子上并且第三端子通过电容(C1)连接在接地电位上并且从第二端子把输出信号输出的输出晶体管(QO)的多级放大器(10)；用第三端子接收控制信号的控制晶体管(QC)、与控制晶体管(QC)的第一以及第二端子串联的二极管(D)的控制电路(20)。把多级放大器(10)的输出晶体管(QO)的第三端子通过控制电路(20)的控制晶体管(QC)的第三端子通过控制电路(20)的控制晶体管(QC)以及二极管(D)连接在接地电位上。电子电路具有缩短的信号切换时间。

Description

电子电路
技术领域
本发明涉及电子电路，特别涉及通过多级放大器的基极和栅极接地晶体管的偏置控制，进行电路的动作状态或信号路径的切换的电子电路。
背景技术
在无线通信电路等中使用的高频电路中，需要用于切换信号的路径或增益的电子电路。图10是表示一般的移动无线机器中的高频收发部的框图。在收发天线切换部102和收发振荡器切换器112中使用用于切换高频路径的电子电路，在低噪声放大器103、中间频率放大器106、功率放大器110和发送放大器11等的一部分中使用用于使电路特性或增益可变的电子电路。这里，作为以往的电子电路的例子，列举2个高频切换器和1个增益可变放大器。
首先，图11是以往的高频切换器的电子电路的构成例(参照特开2000-278109号公报(图1))。在该电子电路中，晶体管QI和晶体管QO串联，从输入端子IN向晶体管QI的基极供给高频输入信号。在晶体管QO的基极上连接用于把晶体管以高频接地的电容C1、控制信号端子CTL。通过来自控制信号端子CTL的信号，使该晶体管QO通断，从输出信号端子OUT输出的高频信号变化。
图13是以往的高频切换器的电子电路的构成例(参照特开平9-121119号公报(图1))。在电子电路中，在晶体管QI的集电极串联发射极结合的晶体管QO1和QO2，从输入端子IN向晶体管QI的基极供给高频输入信号。在晶体管QO1和QO2的基极上连接用于以高频把晶体管接地的电容C1和C2、用于切换晶体管QO1和QO2的通断的开关SW1和SW2。通过切换开关SW1和SW2，切换信号的输出端子OUT1、OUT2。
图14是以往的增益可变放大器的电子电路的构成例(参照特开200-151983号公报(图1))。在该电子电路中，并联有：由把源极接地的晶体管QI1、通过电容C1把基极接地的晶体管QO1构成的多级放大器；由把源极接地的晶体管QI2、通过电容C2把基极接地的晶体管QO2构成的多级放大器。在晶体管QI2的栅极上通过电容C3连接晶体管QIO的漏极。从输入端子IN向晶体管QI1的栅极供给高频输入信号。用通过电阻R1、R3连接的控制电源VC控制晶体管QO1和QO2，从而控制放大器的增益。
上述的各以往装置中，通过偏置控制通过电容接地的多级放大器的基极和栅极接地晶体管的基极，进行电路的动作状态或线路的切换是公共技术。控制通过电容接地的多级放大器的基极和栅极接地晶体管的偏置，进行电路的动作状态或信号线路的切换的以往电子电路的问题在于：接地电容的充放电需要时间，所以切换时间慢。
例如，在图11所示的以往的切换器中，在带有由电阻R2、电阻R3构成的控制电路的图12中，当使晶体管QO导通时，通过电阻R1对电容C1充电。切换器断开时的电容C1的充电电压为V0，晶体管QI导通的集电极和发射极间电压为VCEQI，晶体管QO导通的基极和发射极间电压为VBEQO，如果晶体管QO导通前的基极电流充分小，则切换器从断开切换为导通时所需时间等于电容C1充电电压VC1从V0充电到VCEQI+VBEQO时所需的时间。
从控制电路切换开始的时间t的充电电压VC1由以下表达式1表示。VC1(t)＝(V0-Vcc2)exp(-t/R1·C1)+Vcc2  …1
即从断开到导通的切换时间大大依存与基于电阻R1和电容C1的时间常数。
如果R1为10kΩ，C1为10pF，Vcc2为3.0V，V0为0.2V，VCEQI为0.6V，VBEQO为1.2V，图16表示计算的充电电压VC1对于时间t的曲线图。须指出的是，变为VC1(t)＞VCEQI+VBEQ0之前的切换时间为77ns。这里，通过增大电阻值R2的值，提高断开时的充电电压V0，能缩短从断开到导通的时间，但是从导通切换到断开时的时间同样依存与电阻R2和电容C1的时间常数，所以相反，从导通切换到断开时的切换时间变长。
发明内容
本发明的目的在于：提供减少接地电容充电时间引起的切换时间延迟的电子电路。
本发明的第一视点提供一种电子电路，其特征在于：包括：
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收输入信号的输入晶体管、具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且把第一端子连接在所述输入晶体管的第二端子上并且第三端子通过电容连接在基准电位上并且从第二端子输出输出信号的输出晶体管的多级放大器；包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收控制信号的控制晶体管、与该控制晶体管的第一以及第二端子串联的二极管的控制电路；通过所述控制电路的控制晶体管和二极管把所述多级放大器的输出晶体管的第三端子连接在所述基准电位上。
本发明的第二视点提供一种电子电路其特征在于：包括：
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且第三端子通过电容连接在基准电位上并且用第一端子接收输入信号并且从第二端子输出输出信号的输出晶体管、具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且该输出晶体管为导通状态时决定该输出晶体管的第一和第二端子间的电流量的电流源晶体管，把所述输出晶体管的第一端子连接在所述电流源晶体管的第二端子上的多级放大器；具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收控制信号的控制晶体管、与控制晶体管的第一以及第二端子串联的二极管的控制电路；把多级放大器的所述输出晶体管的第三端子通过所述控制电路的控制晶体管和二极管连接在所述基准电位上。
在本发明的电子电路中，通过使用串联晶体管的第一以及第二端子和二极管的控制电路，在使多级放大器断开时，能把多级放大器的接地电容的放电抑制在很少。结果，能缩短再充电时间，不会增加从导通到断开的切换时间，能缩短从断开到导通的切换时间。
特别当切换多级放大器的导通和断开时，多级放大器变为断开状态的输入晶体管的第一以及第二端子间的电压下降与输出晶体管的第一以及第二端子间的电压下降的和等于基于控制电路的电压下降时，基于本发明的电子电路的切换电路能用极短的时间切换。
附图说明
图1是本发明实施形态1的电子电路的电路图。
图2是图1的变形例的电子电路的电路图。
图3是本发明实施形态2的电子电路的电路图。
图4是图3的变形例的电子电路的电路图。
图5是本发明实施形态3的电子电路的电路图。
图6是本发明实施形态4的电子电路的电路图。
图7是本发明实施形态5的电子电路的电路图。
图8是本发明实施形态6的电子电路的电路图。
图9是本发明实施例1的电子电路的电路图。
图10是一般的移动无线机器的高频收发部的框图。
图11是以往的电子电路的电路图。
图12是以往的电子电路的电路图。
图13是以往的电子电路的电路图。
图14是以往的电子电路的电路图。
图15是以往的电子电路的电路图。
图16是表示以往的电子电路的切换时间的曲线图。
图17是表示集电极电流和导通电压的关系的曲线图。
图18是表示以往的电子电路的切换时间的曲线图。
图19是表示本发明的电子电路的切换时间的曲线图。
图20是表示以往的电子电路的切换时间的曲线图。
图21是表示本发明的电子电路的切换时间的曲线图。
图22是本发明实施例2的电子电路的电路图。
图23是本发明实施例3的电子电路的电路图。
图24实施例3的变形例的电子电路的电路图。
图25是本发明实施例4的电子电路的电路图。
图26是图25的变形例的电路图。
图27是图22的变形例的电路图。
图28是本发明实施例5的电子电路的电路图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明实施形态的电子电路。
如果参照表示本发明实施形态1的图1，则电子电路由使用能用第三端子控制第一端子和第二端子间的电流的晶体管的多级放大器10和控制电路构成。多级放大器10具有：用第三端子接收来自高频输入端子IN的输入信号的输入晶体管QI；第一端子连接在所述输入晶体管QI的第二端子上，第三端子通过电容C1连接在基准电位上，把输出信号从第二端子输出的输出晶体管QO。控制电路20具有：用第三端子接收来自控制信号端子CTL的控制信号的控制晶体管QC；与该控制晶体管QC的第一以及第二端子串联的二极管D。在本电子电路中，输出晶体管QO的第三端子通过控制电路20连接在基准电位上，控制输出晶体管QO的第三端子的偏置，能控制输入信号对输出端子OUT的输出量。
电源Vcc2和电阻R1是把输出晶体管QO的第三端子偏置的偏置电路。可是，本发明的效果只要使输出晶体管QO的第三端子偏置的偏置电路不是内部阻抗为0的理想电压源，就有效。这是因为即使使用电流镜或电流源等其他偏置电路，一定会发生电容的充电时间引起的延迟问题。
在所述电子电路中，当晶体管为双极性晶体管时，第一端子为发射极，第二端子为集电极，第三端子为基极。此外，当晶体管为场效应晶体管时，第一端子为源极，第二端子为漏极，第三端子为栅极。
在图1的实施形态中，说明全部晶体管为双极性晶体管时的动作。当使多级放大器10为导通状态时，通过电阻R1从电源Vcc2对电容C1充电。切换器断开始时电容C1的充电电压为V0，输入晶体管Q1导通的集电极和发射极间电压为VCEQI，输入晶体管Q1断开时的集电极和发射极间电压为VCEQIOFF，输出晶体管QO导通的基极和发射极间电压为VBEQO，如果输出晶体管QO导通前的基极电流充分小，则切换器从断开切换为导通时所需时间等于电容C1充电电压VC1从V0充电到VCEQI+VBEQO时所需的时间。到这里为止与图12所示的以往的切换器同样。
图2所示的电子电路是在图1的控制电路20中设置电阻R2而构成的实施形态1的变形例。在本变形例中，如果电阻R2为0Ω，控制晶体管QC导通的集电极和发射极间电压为VCEQC，二极管D的电压下降为VD，则断开时的电容C1的充电电压VC1变为VCEQC+VD。图12所示的以往的切换器的充电电压VC1为VCEQC，所以从上述表达式1可知，从断开切换为导通的时间缩短。关于从导通到断开的切换时间，因为能减小电阻R2，所以能减小电阻R2和电容C1的时间常数，能缩短切换时间。
当VCEQC+VD＝VCEQIOFF+VBEQO时，切换器断开时的充电电压VC1成为能断开切换器的最大电压，所以能使从断开到导通的切换时间最短。此外，能用集成电路容易实现VCEQC+VDVCEQIOFF+VBEQO。首先，为了使VD＝VBEQO，可以用与输出晶体管QO的基极发射极间相同的层构造的pn结形成二极管D。此外，为了使VCEQC＝VCEQIOFF，可以使断开控制晶体管QC时的电流密度下降到输入晶体管QI断开的程度。
图17表示集电极电流和导通电压的例子。在图17中，当输入晶体管QI的集电极电流偏置为4.5mA时，导通电压变为0.6V，VCEQIOFF变为0.3V。这里，通过降低集电极电流密度，能使控制晶体管QC的导通电压VCEQC接近VCEQIOFF。因此，为了使VCEQC＝VCEQIOFF，可以使断开控制晶体管QC时的电流密度下降到输入晶体管QI断开的程度，能用晶体管面积的调整实现它。
下面，参照图2的变形例说明输出晶体管QO为场效应晶体管时的情形。在场效应晶体管中，用于切换状态的电压值只由输出晶体管QO决定，所以关于输入晶体管QI和控制晶体管QC，采用双极性晶体管和场效应晶体管的任意一方时，本发明的效果相同。如果变为断开状态的最小输出晶体管QO的栅极电压值为VGOFF，变为导通状态的最小输出晶体管QO的栅极电压值为VGON，则为了使从断开状态到导通状态的切换时间为最小，可以使基于断开状态的控制电路20的电压下降接近VGOFF。到这里为止与图15所示的以往的切换器同样。可是，关于从导通状态切换到断开状态的时间，因为能按基于二极管D的电压下降减小电阻R2，所以能减小电阻R2和电容C1的时间常数，能缩短切换时间。
如果参照表示本发明实施形态2的图3，则电子电路具有多个并联的实施形态1中定义的多级放大器10，通过实施形态1中定义的控制电路20把构成多级放大器10的输出晶体管QO的第三端子连接在基准电位上，控制多级放大器10的电路特性和增益。通过并联多个多级放大器10，即使接地电容增大，也能缩短充电时间。在本实施形态中，并联2个多级放大器10，并且通过电容把高频输出端子OUT1连接在高频输出端子IN2上的电路具有与图15所示的以往的电子电路对应的功能。此外，如图4的变形例所示，由实施形态1中定义的控制电路20控制多个并联的实施形态1中定义的多级放大器10中的至少一个，能在切换电路的增益时使用。
如果参照表示本发明实施形态3的图5，则电子电路则在该电子电路中，并联有多个实施形态1中定义的多级放大器10(101、102、…10n)，对构成各多级放大器10的输入晶体管QI的第三端子供给公共的输入信号。按照提供给构成控制电路201、202、…20n的各控制晶体管QC的第三端子的控制信号CTL1、CTL2、…、CTLn，切换输入信号的输出去向(输出端子)。通过使控制电路201、202、…20n的至少一个为实施形态1中定义的控制电路，能缩短该路径的切换时间。
如果参照表示本发明实施形态4的图6，则实施形态在实施形态3中，使各多级放大器10的输入晶体管QI为公共(同一)的。与实施形态3同样，通过使控制电路201、202、…20n的至少一个为实施形态1中定义的控制电路，能缩短该路径的切换时间。在本实施形态中，构成多级放大器10的输出晶体管QO的第二端子能相互连接。
因为输入晶体管QI是公共的，所以如果任意一个路径一定为导通状态，则输入晶体管QI也为导通状态。因此，使任意路径m断开的控制电路20m的最大电压在输入晶体管Q1导通的集电极和发射极间电压为VCEQI，输出晶体管QO导通的基极和发射极间电压为VBEQO，晶体管为双极性晶体管时，变为VCEQI+VBEQOm。
在上述的实施形态1～4中，构成多级放大器10的输出晶体管QO的第一端子相互连接，按照提供给构成控制电路20的控制晶体管QC的第三端子的控制信号，能使来自输出晶体管QO的第一端子的输出信号变化。
如果参照表示本发明实施形态5的图7，则电子电路由能具有用第三端子控制第一和第二端子间的电流的第三端子的晶体管的多级放大器30、实施形态1中定义的控制电路20构成。多级放大器30具有：第三端子通过电容连接在基准电位上，用第一端子接收输入信号，把输出信号从第二端子输出的输出晶体管QO；当输出晶体管QO为导通状态时，决定输出晶体管QO的第一和第二端子间的电流量的电流源晶体管QB。所述输出晶体管QO的第一端子连接在所述电流源晶体管QB的第二端子上。输出晶体管QO的第三端子通过控制电路20连接在基准电位上，控制输出晶体管QO的第三端子的偏置，能控制输入信号对输出端子OUT的输出量。本实施形态的效果与实施形态1同样。
如果参照表示本发明实施形态6的图8，则在该电子电路中，实施形态1中定义的多级放大器10、实施形态5中定义的多级放大器30并联。对各多级放大器10、30提供公共的输入信号，由控制电路20切换信号的输出端子。通过同样实施形态1中定义的控制电路控制控制电路201、202中的至少一个，能缩短该路径的切换时间。
在以上的实施形态的电子电路中，能从双极性晶体管和场效应晶体管中选择应用晶体管，此外，能使输入晶体管QI为双极性晶体管，使输出晶体管QO为场效应晶体管，此外，也可以相反。此外，作为构成控制电路的晶体管D，能使用与输出晶体管QO的基极和发射极相同的层构造的pn结，或使用晶体管的基极和发射极间pn结。
须指出的是，在以上的实施形态中，省略与本发明的效果的说明无关的部分的匹配电路、偏置电路、直流阻止电容等，但是输入晶体管的第三端子是偏置的。
实施例
下面，说明本发明的具体实施例。在以下说明的实施例中，对晶体管全部使用高频特性优异的GaAs-HBT(异双极性晶体管)，基极和发射极间导通电压为1.2V。可是，使用Si异双极性晶体管或SiGe-HBT等任意的晶体管，也能取得同样的效果。此外，为了简单，基准电位全部是接地，电源端子Vcc1～Vcc6全部使用3.0V的直流电压源。对二极管全部使用连接基极和集电极的HBT。省略串联的晶体管的集电极接地晶体管的偏置电路和输入输出的直流阻止电容，但是当基准电压或电源为不同的电压时，对二极管使用基极和发射极间结或肖特基结等其他二极管时，也能取得同样的效果。
[实施例1]
如果参照表示本发明实施例1的图9，则在把基极输入到高频输入端子IN的集电极接地晶体管QI的集电极上，连接基极通过电容C1接地的基极接地晶体管QO。输出晶体管QO的集电极通过输出端子OUT和负载Load连接在电源Vcc1上。输出晶体管QO的基极通过电阻R1由电源Vcc2偏置，并且通过串联电阻R2、二极管D、把基极通过电阻R3连接在控制端子CTL上的控制晶体管QC的集电极和发射极的控制电路20接地。
R1和R3的电阻值为10kΩ、R2的电阻值为0Ω，C1的电容为10Pf，计算出的频率2GHz的输出信号和输入信号的分贝比增益的时间变化与切换信号VCTL、C1的充电电压VC1一起在图19中表示。如果把切换时间定义为增益变为±1dB以内的时间，则切换时间约为30ns。同样，图18表示用图12的以往的切换电路计算的增益的时间变化、切换信号VCTL、C1的充电电压VC1。从以上可知，根据本发明，断开到导通的切换时间变为约1/3。
图20表示从以往的切换电路的导通到断开的增益的时间变化。图21表R2示本发明的电子电路的导通到断开的增益的时间变化。在该例子中R2为0Ω，所以以往的切换电路切换快一些，但是两者几乎没有差距。
从导通到断开的切换时间比从断开到导通的切换时间快。为了使从导通到断开的切换时间变慢，使时间一致，可以增大电阻R2。
[实施例2]
图22表示把本发明应用于差动放大电路中的实施例2的结构。在把基极输入到高频输入端子IN的发射极接地晶体管QI的集电极上，串联通过电容C1、C2把基极接地的基极接地晶体管QO1和QO2。输出晶体管QO1的集电极通过输出端子OUT1和负载Load1连接在电源Vcc1上。输出晶体管QO2的集电极通过输出端子OUT2和负载Load2连接在电源Vcc4上。输出晶体管QO1的基极通过电阻R1，由电源Vcc2偏置，并且通过串联电阻R2、二极管QD1、把基极通过电阻R3连接在控制端子CTL1上的控制晶体管QC1的集电极和发射极的控制电路20接地。输出晶体管QO2的基极通过电阻R2，由电源Vcc3偏置，并且通过串联电阻R5、二极管QD2、把基极通过电阻R4连接在控制端子CTL2上的控制晶体管QC2的集电极和发射极的控制电路20接地。
在本实施例的电路中，通过来自控制端子CTL1和CTL2的控制信号，能把来自输入信号IN的输出切换到输出端子OUT1和OUT2上。
同样，如图27所示，在把输出分配到3端子以上时，也能应用本发明。
[实施例3]
如果参照表示本发明实施例3的结构的图23，则在把基极输入到高频输入端子IN的发射极接地晶体管QI1的集电极上，串联通过电容C1把基极接地的基极接地晶体管QO1。同样，在把基极输入到高频输入端子IN的发射极接地晶体管QI2的集电极上，串联通过电容C2把基极接地的基极接地晶体管QO2。输出晶体管QO1的集电极通过输出端子OUT1和负载Load1连接在电源Vcc1上。输出晶体管QO2的集电极通过输出端子OUT2和负载Load2连接在电源Vcc4上。输出晶体管QO1的基极通过电阻R1，由电源Vcc2偏置，并且通过串联电阻R2、二极管D1、把基极通过电阻R3连接在控制端子CTL1上的控制晶体管QC1的集电极和发射极的控制电路20接地。输出晶体管QO2的基极通过电阻R2，由电源Vcc3偏置，并且通过串联电阻R5、二极管D2、把基极通过电阻R4连接在控制端子CTL2上的控制晶体管QC2的集电极和发射极的控制电路20接地。
在本实施例的电路中，通过来自控制端子CTL1和CTL2的控制信号，能把来自输入信号IN的输出切换到输出端子OUT1和OUT2上。此外，如图24所示，通过电流阻止电容连接接收输入晶体管QI1和QI2的高频的基极，共享负载Load1，使输入晶体管QI1和QI2的偏置量变化，能改变晶体管QI1和QO1的多级放大器、晶体管QI2和QO2的多级放大器的电流量。
[实施例4]
如果参照表示本发明实施例4的结构的图25，则在把基极输入到高频输入端子IN的发射极接地晶体管QI的集电极上，串联通过电容C1、C2把基极接地的基极接地晶体管QO1和QO2。输出晶体管QO2的集电极通过输出端子OUT1和负载Load1连接在电源Vcc1上。输出晶体管QO2的基极通过电阻R2由电源Vcc3偏置。输出晶体管QO1的集电极连接在电源Vcc4上。输出晶体管QO1的基极通过电阻R1，由电源Vcc2偏置，并且通过串联电阻R2、二极管D、把基极通过电阻R3连接在控制端子CTL上的控制晶体管QC的集电极和发射极的控制电路20接地。
在本实施例的电路中，通过来自控制端子CTL1的控制信号，能调整向输出端子OUT的输出。同样，如图26所示，通过采用在单侧的路径上用电阻等形成的衰减器的结构，能通过来自控制端子CTL1的控制信号，能调整向输出端子OUT的输出。
[实施例5]
如果参照表示本发明实施例5的结构的图28，则本实施例的电子电路除了在各切换电路中共享二极管D，与实施例2同样。本实施例也能取得同样的效果。
须指出的是，以上的实施例表示的数值由电路的使用目的或晶体管的特性等最优化。
以上根据首选的实施形态说明本发明，但是本发明的电子电路并不局限于所述实施形态、实施例的结构，从所述实施形态的结构进行各种修正和变更的结构也包含在本发明的范围中。

Claims (17)

1.一种电子电路，其特征在于：包括：
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收输入信号(IN)的输入晶体管(QI)、具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且第一端子连接在所述输入晶体管的第二端子上并且第三端子通过电容连接在基准电位上并且从第二端子输出输出信号的输出晶体管(QO)的多级放大器(10)；和
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收控制信号的控制晶体管(QC)、与该控制晶体管的第一以及第二端子串联的二极管(D)的控制电路(20)，
将所述多级放大器(10)的输出晶体管(QO)的第三端子，通过所述控制电路(20)的控制晶体管(QC)和二极管(D)连接在所述基准电位上。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于：
并联多个所述多级放大器(101、102、…10n)，将所述多级放大器(101、102、…10n)的输出晶体管(QO)的第三端子中的1个以上，通过所述控制电路20的控制晶体管(QC)和二极管(D)连接在基准电位上。
3.根据权利要求2所述的电子电路，其特征在于：
对所述多级放大器(101、102、…10n)的输入晶体管(QI)的第三端子供给公共的输入信号，按照提供给所述控制电路(20)的控制晶体管(QC)的第三端子的控制信号(CTL)，选择所述输入信号(IN)的输出去向。
4.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于：
所述多级放大器(10)具有多个输出晶体管(QO)，该多个输出晶体管(QO)的第一端子相互连接。
5.根据权利要求2～4中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：所述多级放大器(101、102、…10n)的输出晶体管(QO)的第二端子相互连接，按照提供给所述控制电路(20)的控制晶体管(QC)的第三端子的控制信号(CTL)，使来自所述输出晶体管(QO)的第二端子的输出信号变化。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述晶体管是双极性晶体管。
7.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述晶体管是场效应晶体管。
8.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述输入晶体管(QI)是双极性晶体管，所述输出晶体管(QO)是场效应晶体管。
9.根据权利要求1～5中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述输入晶体管(QI)是场效应晶体管，所述输出晶体管(QO)是双极性晶体管。
10.根据权利要求6或9中所述的电子电路，其特征在于：
所述二极管(D)的pn结是与输出晶体管(QO)的基极以及发射极相同的层构造的pn结。
11.根据权利要求6或9中所述的电子电路，其特征在于：
所述二极管(D)的pn结和一个晶体管的基极以及发射极间的pn结是公共的。
12.根据权利要求1～11中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述控制电路(20)的电压降是所述多级放大器(10)的输入晶体管(QI)的第一及第二端子间的电压降、与所述多级放大器(10)的输出晶体管(QO)的第一端子及第三端子间的电压降的和以下，并且是所述输入晶体管(QI)的第一及第二端子间的电压降以上。
13.根据权利要求1～12中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述控制晶体管(QC)的第一及第二端子间的电流密度，比所述输入晶体管(QI)的第一及第二端子间的电流密度低。
14.一种电子电路，其特征在于：包括：
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且第三端子通过电容连接在基准电位上并且用第一端子接收输入信号并且从第二端子输出输出信号的输出晶体管(QO)、具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且当该输出晶体管(QO)为导通状态时决定该输出晶体管(QO)的第一与第二端子间的电流量的电流源晶体管(QB)，所述输出晶体管(QO)的第一端子连接在所述电流源晶体管(QB)的第二端子上的多级放大器(30)；和
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收控制信号的控制晶体管(QC)、与控制晶体管(QC)的第一以及第二端子串联连接的二极管(D)的控制电路(20)，
将所述第一和第二多级放大器(10、30)的所述输出晶体管(QO)的第三端子，通过所述控制电路(20)的控制晶体管和二极管连接在所述基准电位上。
15.根据权利要求14所述的电子电路，其特征在于：
并联多个所述多级放大器(30)，把该多级放大器(30)的输出晶体管(QO)的第三端子中的1个以上，通过所述控制电路20的控制晶体管(QC)和二极管(D)连接在所述基准电位上。
16.一种电子电路，其特征在于：包括：
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收第一输入信号(IN)的输入晶体管(QI)、具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且第一端子连接在所述输入晶体管(QI)的第二端子上并且第三端子通过电容连接在基准电位上并且从第二端子输出输出信号的输出晶体管(QO)的第一多级放大器(10)；
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且第三端子经电容(C1)接基准电位并且用第一端子接收第二输入信号(IN)并且从第二端子输出输出信号的第二输出晶体管(QO)、具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且当该第二输出晶体管(QO)为导通状态时决定该第二输出晶体管(QO)的第一以及第二端子间的电流量的电流源晶体管(QB)，所述第二输出晶体管(QO)的第一端子连接在所述电流源晶体管(QB)的第二端子上的第二多级放大器(30)；以及
包含具有能用第三端子控制第一端子与第二端子之间的电流的第一～第三端子并且用第三端子接收控制信号(CTL)的控制晶体管(QC)、与该控制晶体管(QC)的第一以及第二端子串联的二极管(D)的控制电路(20)，
并联所述第一多级放大器(10)和所述第二多级放大器(30)，把所述第一以及第二多级放大器(10、30)的输出晶体管(QO)的第三端子的至少一个，通过所述控制电路(20)的控制晶体管(QC)以及二极管(D)连接在所述基准电位上。
17.根据权利要求14～16中的任意一项所述的电子电路，其特征在于：
所述晶体管是双极性晶体管。
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