CN1688017A - PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，进行沉积SiN薄膜。(3)将基片取出放置于酮类溶液中，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，即可。采用本发明工艺加工PECVD沉积SiN薄膜的图形，使SiN薄膜能够方便地成为所需要的图形和结构，避免了干法刻蚀对SiN薄膜和光刻胶的损伤、侵蚀和破坏。本发明的PECVD沉积SiN薄膜可作为MEMS器件绝缘层、隔离层，具有较好的绝缘强度，厚度约为0.1～0.4μm。
Description
技术领域：
本发明涉及一种薄膜的剥离工艺。
背景技术：
采用PECVD方法制备出的SiN薄膜，在加工制作图形时有较大的难度。因所制作出的SiN薄膜致密性好，绝缘强度高，耐酸碱腐蚀性好，采用常规的光刻和湿法腐蚀方法进行图形加工比较困难，无法有效地去除图形以外的SiN薄膜材料。至今尚无一种有效的方法能够方便地解决这一难题。
发明内容：
本发明的目的在于克服现有技术所存在的上述缺陷，提供一种能避免干法刻蚀对SiN薄膜和光刻胶的损伤、侵蚀和破坏的PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺。
本发明的工艺步骤如下：
(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。
(2把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，进行沉积SiN薄膜。
(3)将基片取出放置于酮类溶液中，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，即剩下所需的SiN薄膜图形。
采用本发明的剥离工艺实现PECVD沉积SiN薄膜的图形加工问题，使SiN薄膜能够成为所需要的图形和结构，避免了干法刻蚀对SiN薄膜和光刻胶的损伤、侵蚀和破坏。本发明的PECVD沉积SiN薄膜可作为MEMS器件绝缘层、隔离层，具有较好的绝缘强度，厚度约为0.1～0.4μm。
具体实施方式：
(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，其厚度为2～4μm，放置于90℃真空烘箱中烘烤5～20分钟，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，时间为15～60秒，放置到0.6％的NaOH或KOH溶液中显影，时间为6～60秒，待显出所需图形后取出，冲洗，放置于100～150℃烘箱中烘烤10～30min。
(2)把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，当真空度达到3×10-3Pa时，充入NH3和SiH4，或充入NH3和被N2稀释至12％的SiH4，NH3为30sccm，SiH4/N2为30sccm，气压为2～5Pa，以10～20℃/min的速度将温度升至80～120℃，开始沉积SiN薄膜，功率为200～300W，沉积时间20～45分钟，之后15～20℃/min的速度将温度降至室温。
(3)将基片取出放置于丙酮或丁酮或环己酮溶液中，静置约1～2小时后，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，剩下所需的SiN薄膜图形。
最佳实施例：
采用AZ5214正性光刻胶旋涂于硅片上，胶厚为3.5μm，前烘90℃10min，置于掩膜之下，在曝光台上曝光25秒，在0.6％NaOH溶液中显影6秒后冲洗干净，在120℃烘箱中烘烤15min，取出放入PECVD真空室中，待真空室温度以15℃/min升至100℃后，沉积SiN薄膜约20min，完成后15℃/min的速度降温。取出将硅片放置于丙酮溶液中，静置1小时，待光刻胶脱离基片后，冲洗烘干，得到所需的SiN薄膜图形。
Claims (6)
1、一种PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其特征在于：其步骤如下：
(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可；
(2把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，进行沉积SiN薄膜；
(3)将基片取出放置于酮类溶液中，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，即剩下所需的SiN薄膜图形。
2、根据权利要求1所述的PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(1)的具体工艺为：采用正性光刻胶旋涂于基片上，其厚度为2～4μm，放置于90℃真空烘箱中烘烤5～10分钟，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，时间为15～60秒，放置到0.6％的NaOH或KOH溶液中显影，时间为6～60秒，待显出所需图形后取出，冲洗，放置于100～150℃烘箱中烘烤10～30min。
3、根据权利要求1所述的PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(2)的具体工艺为：把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，当真空度达到3×10-3Pa时，充入NH3和SiH4或NH3和被N2稀释至12％的SiH4，NH3为30sccm，SiH4/N2为30sccm，气压为2～5Pa，以10～20℃/min的速度将温度升至80～120℃，开始沉积SiN薄膜，功率为200～300W，沉积时间20～45分钟，之后15～20℃/min的速度将温度降至室温。
4、根据权利要求1所述的PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其特征在于，步骤(3)的具体工艺为：将基片取出放置于内酮或丁酮或环己酮溶液中，静置约1～2小时后，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，剩下所需的SiN薄膜图形。
5、根据权利要求1或2所述的PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其特征在于：步骤(1)中所采用正性光刻胶为AZ5214。
6、根据权利要求1或2所述的PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其特征在于：步骤(1)中所述的基片为硅片。
Priority Applications (1)
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| CN 200510018649 CN1688017A (zh) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺 |
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| CN 200510018649 CN1688017A (zh) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN1688017A true CN1688017A (zh) | 2005-10-26 |
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Family Applications (1)
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| CN 200510018649 Pending CN1688017A (zh) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104878355A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-09-02 | 北京空间飞行器总体设计部 | 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法 |
| US12040188B2 (en) | 2020-07-23 | 2024-07-16 | Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited | Photoresist structure, patterned deposition layer, semiconductor chip and manufacturing method thereof |
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2005
- 2005-04-27 CN CN 200510018649 patent/CN1688017A/zh active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN104878355A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-09-02 | 北京空间飞行器总体设计部 | 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法 |
| CN104878355B (zh) * | 2015-04-30 | 2017-04-05 | 北京空间飞行器总体设计部 | 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法 |
| US12040188B2 (en) | 2020-07-23 | 2024-07-16 | Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited | Photoresist structure, patterned deposition layer, semiconductor chip and manufacturing method thereof |
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