CN1681053A - 高电流馈通装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种高电流多层芯片型馈通装置，该装置可以以一种方式由导体材料和半导体材料的多层交错层组成，以形成具有瞬态抑制特性的馈通装置。本发明提供相对公知技术具有相似波形因数的装置具有显著改进的电流处理能力的馈通装置。改进的电流处理能力通过分量几何的转换实现，其导致在馈通电容内阻中的显著降低。半导体材料层中叠加的导体层的特征在于主信号传送导体或瞬态接地电导体。主信号传送导体沿着馈通装置的通常更短宽边延伸，并且其特征在于宽电流通道。瞬态接地导体以及本垂直方式延伸到沿馈通装置长边的主信号传送导体。多个焊接元件可以电镀到馈通装置用于电连接选择的导体层。

Description

高电流馈通装置

技术领域

本发明的主题大体涉及一种高电流芯片型的馈通(feed-through)装置，该装置可以用于各种电子应用中的电涌保护。更具体地，本发明公开的装置是一种多层、瞬态抑制的馈通装置，其特征在于高载流能力和如变阻器一样的电涌抑制能力。

背景技术

变阻器，“可变电压电阻器”的简称，是一种具有对电压敏感的非线性电阻特性的装置。多数变阻器由半导体材料组成，该半导体材料的电阻取决于施加到该装置上的电压。变阻器通常并行连接到一些电子设备或电路元件上，以避免该设备或元件过压。当电子设备或者电路元件受到增强的电压电平时，变阻器的电阻急剧降低。因此，在瞬态电压中，变阻器通常短路它连接的设备以避免由于过压导致的电位组件故障的发生。

变阻器能帮助提供多种类型的过压保护，包括由闪电、电感切换、核电磁脉冲(NEMP)、静电放电(ESD)或者电磁干扰(EMI)引起的过压。变阻器的性能特性使其在许多应用中用作保护装置。此类应用包括数据系统、电源供应、切换装备、包括RF天线和RF放大器的电信系统、消费电子设备、自动化系统、和诸如控制系统、报警系统、触摸式开关、变压器和发电机的工业设备。变阻器通常特别有利于保护对瞬态电压高度过敏的半导体组件，包括硅二极管和晶体管。

两种通用类型的变阻器结构是本领域公知的，称为“压片(pressed-pill)”型变阻器和多层芯片型变阻器。压片(pressed-pill)型变阻器利用单层技术来生产通常更大、径向或者轴心导向的组件。这种片状(pill)变阻器典型地提供通常高量的电源保护。具有该压片(pressed-pill)型结构的变阻器的示例在美国专利号5,594,406公开(Koyama等人)。

多层芯片变阻器是最新现有技术的尝试结果，并通常设计成易于安装到底板上。它们通常由具有内嵌在设备中的内部电极层的半导体壳体组成。外围终端也可以电连接到内部电极层和变阻器芯片，从而方便地连接到底板。许多这种小芯片型装置比片状(pill)型装置更好地适应现代集成电路的高包装密度和其他环境。其中，这种内部电极和终端的保护半导体装置的示例可以在美国专利号5,976,420(Nakamura等人)、美国专利号5,119,062(Nakamura等人)和美国专利号4,729,058(Gupta等人)中找到。

公知的多层变阻器设备的另一个示例是TransFeed商标的瞬态电压抑制器，例如由AVX公司销售的瞬态电压抑制器。这瞬态电压抑制器具有显著电压和能量处理能力以及EMI/RFI衰减性能。它的芯片型设计对应于多个内部电极层，该电极层嵌入到锌氧化物壳体中并配置为提供信号馈通和瞬态电压抑制。

其他信号馈通和瞬态电压抑制方案的示例例如是可在美国专利号4,935,842(Carlson等人)和美国专利申请号5,531,003(Seifried等人)中找到的馈通电容器设备。

尽管在馈通电容器技术领域中已知各种方面和可选特征，但是并没有出现一种基本综合所有如这里讨论的理想特征和性能特性的设计。

除这些在说明书中已经引用的以外，示例性背景参考包括由AVX公司公布在AVX公司站点的URL地址：www.avxcorp.com上的，提名为″Feedthru0805/1206 Capacitors，W3F/W3F Series″和″Feedthru 0805/1206 Capacitors，W3F/W3F/W3F4 Series″。所有这些前述美国专利的公开在此充分结合到该申请中作为参考。

发明内容

本发明认识到并解决馈通电容器技术的各种前述技术问题。因此，广义上说，本发明公开的技术目的是提供改良的馈通电容器结构和相应性能。更具体地，本发明公开的技术的目的是提供改良的结构以用于多层馈通芯片型电容器设备。

本发明的一些实施例的另一目的是提供一种多层馈通电容器，该多层馈通电容器在许多电子的应用中提供有效的电涌保护和可靠性能，用于感知和限制瞬态能量脉冲。

本发明的一些实施例的又一目的是提供一种多层馈通电容器，该多层电容器相比公知的多层馈通电容器结构能够显著地增加载流能力。

本发明的一些实施例的又一目的是提供一种多层馈通电容器，该电容器能够显著增加载流能力，同时在使用相似波形因数或总体组件大小的、健壮性较差的现有装置中提供所述增强的能力。

本发明的一些实施例的又一目的是提供一种多层馈通装置，该装置通过将所选的电导体元件调整到预定长度来提供双频滤波。

本发明的一些实施例的又一目的是提供与在此讨论的示例性多层馈通电容器结构的形式和实施例相关的各种处理步骤和方法。

本发明的附加目的和优点将在随后的详细描述中提出，或者通过随后的详细描述而对本领域技术人员变得显然。同样，本领域技术人员应进一步认识到，借助于对本发明的说明，在不脱离本发明实质和范围的情况下，可以在不同实施例和该主题使用中实践这里专门示出的、引用的和讨论的特征和步骤的修改和变形。这样的变形可以包括但不局限于，同等设备和特征、材料、或这些示出的、引用的、或讨论的步骤、和功能性、操作性、或位置上反转的各种部件、特性、步骤等等的置换。

还有，应当理解本发明主题的不同实施例，以及不同的目前优选实施例可以包括目前公开的特征、步骤、或者元件的各种组合或者结构、或者它们的等同物(包括没有在附图中示出或者在详细的描述中阐述的特征或步骤或结构的组合)。

本发明第一示例性实施例对应于一个多层馈通装置，该装置包括一个宽度尺寸通常比其长度尺寸更短的壳体，并具有导体和半导体材料的多层交替层。所选的导体材料层对应于主信号传送导体，该主信号导体通常沿着该装置壳体的更短边延伸，而导体材料的其他层对应于瞬态接地电导体，该瞬态接地电导体通常以垂直方式沿着装置壳体的长延伸到主信号传送导体。主信号传送导体具有一条通常宽的电流通道，以便当馈通装置的电流处理能力相对增加时，馈通装置所得的内部等效序列电阻相对降低。

在上述的多层馈通装置的一些更特定的示例性实施例中，每一个瞬态接地电导体包括具有各自第一和第二预定长度的成对部分。第一和第二预定长度可以在一些实施例中大体上相等，或者在其他实施例中大体上不相等，以在两种不同的各个预定频率上提供双频滤波。多层馈通装置的长度通常可能是该装置的更短边的大约两倍，和主信号传送导体的相对更宽的电流通道的尺寸可能通常比该装置的更短宽度的尺寸更大。多层馈通装置也可以包括金属元件，该金属元件的至少一个连接到和电连接所选的主信号传送导体，以及该元件的至少一个连接到和电连接到所选瞬态接地电导体。

本发明的另一示例性实施例对应于多层馈通装置，该装置包括半导体材料的壳体、多个设置在半导体材料壳体内，并配置成为能够在其中传播电信号的基本平面的第一半导体层，多个同样设置在半导体材料壳体中并配置为将它连接到电接地的基本平面的第二导体层。半导体材料壳体具有被第一尺寸互相隔开的第一对相对边和被第二尺寸互相隔开的第二对相对边。每一个第一导体层沿着第一对相对边间的第一尺寸延伸，并且每一个第一导体层也表征为第三尺寸。每一个第二导体层沿着第二对相对边间的第二尺寸延伸。在上面示例性结构中，第三尺寸比第一尺寸更长，以及第二尺寸比第三尺寸更长。

在上面参考的馈通装置的更具体实施例中，第二尺寸大约是第一尺寸的两倍长，并且第三尺寸具有大约等于第三尺寸的百分之七十五的值。半导体材料壳体可以包括诸如锌氧化物的金属氧化物。该装置具有增加的额定电流，例如在大约五和大约十安培之间的顺序上的一个。也可以在装置的各个边上提供电终端，用来将第一导体层连接在一起和分别将第二导体层连接在一起。

还有，本发明的另一示例性实施例对应于多层馈通装置，该装置包括多个半导体层、多个导体接地层和多个在多个半导体层中交替叠加以形成层叠组件(stacked assembly)的导体信号层。层叠组件具有各自最高和最低层(在一些实施例中对应于半导体层)，一对由第一距离互相隔开的第一相对侧面，和一对由第二距离互相隔开的第二相对侧面。第二距离比第一距离更大。每一个导体信号层延伸到该对第一相对侧面的至少一个侧面并沿着该侧面暴露，而每一导体接地层延伸到该对第二相对侧面的至少一个侧面并沿着该侧面暴露。

在上面的多层馈通装置的更具体的示例性实施例中，第二距离大约是第一距离的两倍长。在其他实施例中，每一个沿着该对第一相对侧面的至少一个侧面暴露的导体信号层的部分的特征在于通常比第一距离更大的第三距离，而在一些实施例中具有一个大约等于第二距离的百分之七十五的值。在一些实施例中，多数半导体层可能包括锌氧化物，并且在一些实施例中该装置可能具有大约五和大约十安培之间的额定电流。示例性多层馈通装置也可以包括至少一个第一电终端，其设置在该对第一相对侧面的每一侧面上，并连接到多个导体信号层中的每一个信号层，以及至少一个第二电终端，其设置在该对第二相对侧面的每一侧面上，并连接到多个导体接地层的每一个接地层。

在又一个更具体的示例性实施例中，每一个导体接地层包括各自的第一和第二导体部分，其中每一个导体接地层的每一个第一导体部分延伸到所选的该对第二相对侧面的其中一个侧面，并沿着该侧面暴露，且特征在于长度为L1，并且其中每一个导体接地层的每一个第二导体部分延伸到该对第二相对侧面的另一个侧面，并沿着该侧面暴露，且特征在于长度为L2。长度L1和L2在一些实施例中实际上相等或者可以是不同的值以便影响在其他实施例中的两个不同预定频率的信号滤波。在这样实施例中，可能在该对第一相对侧面的每一侧面提供至少一个第一电终端，并将其连接到多个导体信号层中的每一个信号层上，而在所选的该对第二相对侧面的其中一个侧面上提供至少一个第二电终端，并将其连接到每一个导体接地层的第一导体部分的每一部分上，以及在该对第二侧面的另一侧面上提供至少一个附加的第二电终端，并将其连接到每一导体接地层的第二导体部分的每一部分。

本发明的又一示例性实施例对应于表面安装的馈通装置，该装置包括印刷电路板、馈通装置和第一、第二、第三和第四电子连接。印刷电路板具有至少一个其上的信号线连接和至少一个其上的接地平面连接。馈通装置更具体地包括半导体材料的壳体、多个设置在半导体材料的壳体中的基本平面的导体信号层、和多个设置在半导体材料的壳体中的基本平面的导体接地层。半导体材料的壳体具有被第一尺寸互相隔开的第一对相对边和被第二尺寸互相隔开的第二对相对边，其中第二尺寸比第一尺寸更大。每一个基本平面的导体信号层延伸到第一对相对边的至少一边并沿着该边暴露，而每一个基本平面的导体接地层延伸到第二对相对边的至少一边并沿着该边暴露。第一和第二电连接将基本平面的导体信号层连接到印刷电路板上的至少一个信号线连接上，而第三和第四电连接将基本平面的导体接地层连接到印刷电路板上的至少一个接地平面连接上。

根据上面的示例性表面安装的馈通装置的更具体的示例性实施例，第一、二、三和四电连接可以包括焊接和/或在所选半导体材料壳体的边上提供的终端。馈通装置壳体的第二尺寸大约是第一尺寸的两倍长。沿着第一对相对边的至少一边暴露的每一个基本平面的导体信号层的部分的特征可以在于：第三尺寸大于第一尺寸。每一基本平面的导体接地层包括各自第一和第二导体部分，其中每一个基本平面的导体接地层的每一个第一导体部分延伸到所选第二对相对边的其中一边并沿着该边暴露，其特征在于长度L1，以及每一个基本平面的导体接地层的每一个第二导体部分延伸到第二对相对边的另一边并沿着该边暴露，以及其特征在于长度L2。长度L1和L2在一些实施例中实际上相等或者可以是不同的值，以便在影响其他实施例中的两个不同预定频率上信号滤波。

根据公开主题的上述示例性实施例和其他实施例优选地可以使用各种薄膜技术制成。例如，本发明的多层馈通电容器的某些元件可以根据电镀或者蚀刻方法或光刻制成，这些技术是薄膜组件和相关技术领域的普通技术人员公知的。

没必要在发明内容部分叙述的主题技术的附加实施例可以包括和结合参照本发明内容部分描述的特征、部件、或步骤的组合，和/或在本申请中另行讨论的特征、部件、或步骤的组合。

本发明的主题同样涉及各种用于实施和制造所有这里参考的多层馈通电容器结构和相关技术的示例的相应方法。

技术领域的普通技术人员通过阅读本说明书的余下部分可以更好地理解该实施例的特征和方面。

附图说明

参考附图在说明书中详细描述本发明，这种描述包括其对于本领域技术人员来说的最佳模式，附图中：

图1示出根据本发明的多层馈通电容器的示例性实施例的俯视图；

图2示出根据本发明的多层馈通电容器的示例性实施例的侧视图；

图3示出根据本发明的第一示例性多层馈通电容器实施例的局部切去的俯视图；

图4示出根据本发明的第一示例性多层馈通电容器实施例的局部切去的剖视图，其包括图3所示的示例性导体层部分；

图5示出根据本发明的第二多层馈通电容器实施例的局部切去的俯视图；

图6示出根据本发明的第二示例性多层馈通电容器实施例的局部切去的剖视图，包括如图5所示的示例性导体层部分；

图7示出根据公知技术的多层馈通电容器实施例的局部切去的俯视图；

图8示出根据公知技术的多层馈通电容器实施例的局部切去的剖视图；和

图9示出固定到印刷电路板上的本发明多层馈通电容器的透视图。

本说明书和附图中的附图标记重复使用，表示本发明的相同或者类似的特征或元件。

具体实施方式

如在前发明部分的简述中所述的，本发明主题涉及一种改进的多层馈通电容器结构及其性能特性。

更具体地，本发明公开的多层馈通电容器的一个示例相比以前可用但是基本类似的电容器能够显著提高载流能力，其通过使用先前使用的、但是健壮性相对差的波形因数来实现上述功能。

多层馈通电容器的公知方案将参照图7和图8论述。参照图7和图8，可以观察到已经示出了公知的多层馈通电容器通常类似于先前提到的AVX公司出版物中描述的电容器。作为一个示例，示出的装置可以装在1206或0805外壳尺寸中并可以由许多夹在半导体层间的导体材料层组成。″0805″和″1206″指定是标准EIA(电子工业协会)指定用于具有大约分别0.08×0.05英寸和0.12×0.06英寸的尺寸的装置。应当理解，尽管示意图表示至少常规关系，这里论述的附图不必按比例绘制。同样应该理解，在附图中的所选的每一附图元件可以不与附图中的其他元件对称表示。此外，所列出的用于形成这里描述的实施例的特定元件的材料仅作为示例提供，并且决不应该理解为将公开的范围限制于根据本发明在实践中使用的具体变阻器实施例的组合。应当理解，随着设计和发明出新进改良的材料，这些材料物质也可以被加入本公开的内容，这是可以预期的。

现在参照附图，附图7和图8涉及结合瞬态抑制特征的多层馈通电容器装置的公知示例性实施例。这样的示例性多层馈通电容器装置50通常对应于夹在电导体材料的多层52、54、56和62、64、66、68间的半导体材料层80、82、84、86的长方形形状的多层结构。电导体层52、54、56被电镀终端70、72一起连接在馈通装置50的每一端，并且并行操作作为馈通装置的主信号通道。电导体层62、64、66、68同样被电镀的终端74、76连接在一起，该终端通常可以连接到接地或地面参考。在浮动电极设计中，这样的终端74、76可交替连接到相对于终端70和72的不同接地平面。从图7和图8中可以看到，各种电导体层以这种方式叠加半导体材料层，以形成信号传输电导体层52、54、56和通常接地的电导体层62、64、66、68间的同等电容器。另外，半导体材料可以由基于锌氧化物的材料组成，并因此作为变阻器操作以通过电镀终端74、76将瞬时电压分流到地面。这样，信号输入/输出线和其他连接到这的电组件可以避免应用到或连接到馈通装置的任何信号线感应的瞬时产生的损伤。

进一步，参考如图7和图8所示的公知装置，观察到主信号传送电导体52、54、56沿着馈通电容器装置的长度延伸，即如图7和图8所示的从左到右，而瞬态接地电导体62、64、66、68以垂直方向延伸到电导体52、54、56。这种方案的结果是电导体52、54、56相对长和窄，因为它们沿着馈通电容器装置的更长尺寸延伸，因此导致相对高的等效的序列电阻用于信号通道。信号通道的相对高电阻有效地限制导体可以安全传送的电流量。在公知的馈通电容器装置的示例性实施例中，最大电流限定为大约300mA。

本发明的第一示例性实施例现在参照图3和图4描述。参照图3和图4，根据本发明的多层馈通电容器装置20a与图7和图8所示的公知装置50的比较示出具有相似波形因数的装置。根据本发明一个实施例的多层馈通电容器装置20a包括沿着馈通电容器装置的长度延伸的电导体层22、24、26，即如图3和4所示的从左到右和沿着多层馈通电容器装置的宽度延伸的电导体层32、34、36、38，即图3所示的从上到下。此外，如图3和图4所示的多层馈通电容器装置20a也包括类似与图7和图8示出的公知技术的相应层的结构和操作特性的半导体层80、82、84、86。如公知技术所示，这些半导体层80、82、84、86给多层馈通电容器装置提供瞬态电压抑制能力，并且可以由诸如基于锌氧化物的材料或其他合适电压敏材料的金属氧化物组成。

本发明和公知技术的显著差别是本发明和现有技术之间的基本几何逆转。通过将图3和图4与图7和图8比较明显可知，形成本发明的主要信号通道的基本平面的电导体元件32、34、36、38(称为如图3和图7所示的″信号输入/输出″并引用在这作为配置为传播电信号的导体信号层或第一导体层)比图7所示的公知技术的类似功能元件52、54、56更短且更宽。这样的导体信号层32、34、36和38通常沿着馈通装置20a的第一对相对边之间的第一尺寸35延伸。基本平面的导体元件22、24和26形成本发明的接地通道，如图3所示，其通过接地形成接地通道。这种导体元件22、24和26在此被称作配置用来连接到电接地的导体接地层或第二导体层。这种导体接地层22、24和26通常沿着馈通装置20a的第二对相对边间的第二尺寸25延伸。

进一步参考示例性馈通装置实施例20a，在示例性1206波形因数中，第二尺寸25大约是第一尺寸35的两倍。这样，由于通过芯片将电流通道从120mils减少到60mils，等效序列电阻减少50％。此外，每一个导体信号层32、34、36和38有一个通常较宽的电流通道，其特征在于第三尺寸45。由于该电流通道的宽度从45mils增加到90mils(即第三尺寸45大于第一尺寸35并且大约是第二尺寸25的百分之七十五(75％))，等效序列电阻再次减少。这些电阻减少的合成在内部电阻中提供总计75％的减少，相应地实现装置电流处理能力的增长。如前指出的，现有类似装置的额定值为300mA，而通过本发明。可以在使用现有公知技术的波形因数的装置将额定电流值提高5至10安培或更多。这种结构还能得到额外的优点：当将本发明的装置安装到电路板上并且通常位于其他电子设备中时，由非常宽的导电电极元件得到的非常宽的电极片能够提供为电极连接提供更好的终端。

本发明的第二示例性实施例现在参照图5和6示出。本发明第二示例性实施例的许多方面与图3和4所示的第一示例性多层馈通装置类似。相同附图标记用于描述这样相似方面，参照图3和4描述的所述方面的具体特征同样适用于图5和图6的示例性实施例。

第一示例性馈通装置实施例20a(如图3和图4描述)和图5和图6的第二示例性馈通装置实施例20b间的主要差别是馈通装置20a的电导体层22、24和26(即导体接地层)在馈通装置20b中分别由成对的导体层部分22a/22b、24a/24b和26a/26b代替。换句话说，每一个导体接地层22、24、26现在包括第一导体接地部分22a、24a或26a和第二导体接地部分22b、24b或26b。通过提供相对于其分别与电导体元件32、34、36和38重叠的面积大小而切割成不同长度的电导体元件，可以影响馈通装置20b的预定谐振频率。更具体地，当馈通装置20a被设计为在单谐振点提供滤波功能时，能通过图5和图6的馈通装置20b提供双频滤波。例如，第一导体接地部分22a、24a和26a可以具有预定的长度L1，该长度比第二导体接地部分22b、24b和26b的长度L2短，或者反之亦然。成对导体接地部分22a/22b、24a/24b和26a/26b的相应更长和更短的长度，可以设计用于不同的预定频率操作。或者，成对导体接地部分22a/22b、24a/24b和26a/26b在一些实施例中可以具有相同的长度(即L1≈L2或L1＝L2)以提供对称的T形滤波器型功能。

图1示出本发明的多层电容性馈通装置20的最终形状的整体示意图。通常，馈通装置20包含前述的示例性实施例20a或20b的任一个。主信号输入/输出端10、12通过信号传送电导体32、34、36、38的电镀终端提供，这些终端通常可以在形成该馈通装置的半导体材料壳体的较长侧面露出。在这些通常较长侧面的每一边上提供至少一个电终端，用于连接到导体体信号层32、34、36和38的每一层。接地终端40、42通过电镀电导体层22、24、26(或成对的导体层部分22a/22b、24a/24b、26a/26b)的终端形成，这些终端通常可以在形成该馈通装置的半导体材料的壳体的较短侧面露出。在每个这些通常较短的侧面上设置至少一个电终端，用于连接导体接地层22、24和26。如图5和6所示，当导体接地层22、24和26包括成对的导体接地部分22a/22b、24a/24b和26a/26b时，电终端40、42中的其中一个连接到第一导体接地部分22a、24b和26的每一部分，而其他电终端40、42连接到第二导体接地部分22b、24b和26b的每一部分。

图9示出本发明的多层馈通电容装置20通过焊连接21、23或其他类似的有效电连接方式安装到印刷电路板15上的透视图。如图9所示，印刷电路板15包括至少一个信号线连接(具体为信号线14、16)和至少一个接地平面连接(具体为接地平面连接17和/或19)。通过终端10、12和电/焊连接21(图9仅示出其中一个)的选择组合，提供从馈通装置20内的每一导体信号层到信号线14、16的第一和第二电连接。通过终端40、42和电/焊连接23(仅其中一种在图9中示出)的选择组合，提供从馈通装置20内的每一导体接地层到接地平面连接17的第三和第四电连接。

尽管以上已经参照具体实施例详细描述了本发明，但是应该理解，本领域技术人员在理解前述说明之后可以很容易地对所述实施例进行替换、变化和等效变换。因此，此处公开的范围是作为示例而不是限制，并且本发明包括其修改、变化和/或增加，这对本发明普通技术人员来说是显然的。

本申请要求于2004年1月13日提交的标题为“HIGH CURRENTFEEDTHRU DEVICE”，发明者是Wilson Hayworth和Ronald S.Demcko的美国临时申请60/536,066号的优选权，因此，将该临时专利申请的全部内容引用作为参考。

Claims (40)

1、一种多层馈通装置，包括：

一个半导体材料的壳体，具有被第一尺寸互相隔开的第一对相对边和被第二尺寸互相隔开的第二对相对边；

多个基本平面的第一导体层，其设置在所述半导体材料壳体中，并配置为在其中传播电信号，其中，所述导体层的每一层沿着所述第一对相对边间的所述第一尺寸延伸，每一第一导体层的特征还在于第三尺寸；以及

多个基本平面的第二导体层，其设置在所述半导体材料的壳体中，并配置为用于将其连接到电接地，其中所述第二导体层的每一层沿着所述第二对相对边间的所述第二尺寸延伸；

其中，所述第三尺寸比第一尺寸长，所述第二尺寸比第三尺寸长。

2、如权利要求1所述的多层馈通装置，其中，所述第二尺寸大约是所述第一尺寸的两倍。

3、如权利要求1所述的多层馈通装置，其中，所述第三尺寸的值大约等于所述第二尺寸的百分之七十五。

4、如权利要求1所述的多层馈通装置，其中，所述半导体材料的壳体包括金属氧化物。

5、如权利要求1所述的多层馈通装置，其中，所述半导体材料的壳体包括锌氧化物。

6、如权利要求1所述的多层馈通装置，其中，所述装置的额定电流为大约五安培和十安培之间。

7、如权利要求1所述的多层馈通装置，还包括：

至少一个第一电终端，其设置在所述第一对相对边的每一边上，并电连接到每一所述第一导体层；和

至少一个第二电终端，其设置在所述第二对相对边的每一边上，并电连接到每一所述第二导体层。

8、一种多层馈通装置，包括：

多个半导体层；和

多个导体接地层和多个导体信号层，它们在所述多个半导体层中交替叠加以形成一个层叠组件；

其中，所述层叠组件分别具有最高层和最低层、一对由第一距离互相隔开的第一相对侧面以及一对由第二距离互相隔开的第二相对侧面，并且其中所述第二距离大于所述第一距离；

所述导体信号层的每一层延伸到所述成对的第一相对侧面的至少一个侧面并沿着该侧面暴露；和

所述导体接地层的每一层延伸到所述成对的第二相对侧面的至少一个侧面并沿着该侧面暴露。

9、如权利要求8所述的多层馈通装置，其中，所述第二距离大约是所述第一距离的两倍。

10、如权利要求8所述的多层馈通装置，其中，沿着所述成对的第一相对侧面的至少一个侧面暴露的每一个导体信号层部分的特征在于第三距离，并且该第三距离大于所述第一距离。

11、如权利要求10所述的多层馈通装置，其中，所述第三距离的值大约等于所述第二距离的百分之七十五。

12、如权利要求8所述的多层馈通装置，其中，所述多个半导体层包括锌氧化物。

13、如权利要求8所述的多层馈通装置，其中，所述装置的额定电流在大约五安培和十安培之间。

14、如权利要求8所述的多层馈通装置，其中，所述层叠组件的最高层和最低层包括半导体层。

15、如权利要求8所述的多层馈通装置，还包括：

至少一个第一电终端，其设置在所述对第一相对侧面的每一侧面上，并连接到所述多个导体信号层的每一层；和

至少一个第二电终端，其设置在所述对第二相对侧面的每一侧面上，并连接到所述多个导体接地层的每一层。

16、如权利要求8所述的多层馈通装置，其中，每一个所述导体接地层分别包括第一和第二导体部分，所述每一个导体接地层的每一个第一导体部分延伸到所选的所述一对相对侧面的其中一侧面并沿着该侧面暴露，以及其中所述每一个导体接地层的每一个第二导体部分延伸到所述第二对相对侧面的另一侧面并沿着该侧面暴露。

17、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，所述每一个导体接地层的每一个第一导体部分的特征在于所述对第二相对侧面间计量的距离为L1，所述每一个导体接地层的每一个第二导体部分的特征在于所述一对第二相对侧面间计量的距离为L2。

18、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，所述每一个导体接地层的所述第一个导体部分的特征在于所述一对第二相对侧面间计量的距离L1，所述每一个导体接地层的每一个第二导体部分的特征在于所述一对第二相对侧面间计量的距离L2，并且距离L1和L2是不同的值以便影响处于两个不同的预定频率的信号滤波。

19、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，所述第二距离是第一距离的大约两倍。

20、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，沿着所述对第一相对侧面的至少一个侧面的每一个导体信号层部分的特征在于第三距离，该第三距离大于所述第一距离。

21、如权利要求20所述的多层馈通装置，其中，所述第三距离的值大约等于所述第二距离的百分之七十五。

22、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，所述多数半导体体层包括锌氧化物。

23、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，所述装置的额定电流大约在五安培和十安培之间。

24、如权利要求16所述的多层馈通装置，其中，所述层叠组件的最高层和最低层包括半导体层。

25、如权利要求16所述的多层馈通装置，还包括：

至少一个第一电终端，其设置在所述对第一相对侧面的每一侧面上，并连接到所述多个导体信号层的每一个；和

至少一个第二电终端，其设置在所述一对第二相对面中所选的其中一个上，并连接到所述每一个导体接地层的所述第一导体部分中的每一个，以及

至少一个附加的第二电终端，其设置在所述一对第二相对侧面的另一侧面上，并连接到所述每一导体接地层的所述第二导体部分的每一个上。

26、一种表面安装的馈通装置，包括：

一个印刷电路板，具有至少一个信号线连接和至少一个接地平面连接；

一个馈通装置，包括：

半导体材料的壳体，具有被第一尺寸互相隔开的第一对相对边和被第二尺寸互相隔开的第二相对边，其中所述第二尺寸比第一尺寸长；

多个设置在所述半导体材料壳体中的基本平面的导体信号层，其中每一个基本平面的导体信号层延伸到所述第一对相对边的至少一个并沿着它暴露；和

多个设置在所述半导体材料壳体中的基本平面的导体接地层，其中每一个基本平面的导体接地层延伸到所述第二对相对边并沿着它暴露；

从所述多个基本平面的导体信号层连接到所述印刷电路板上的至少一个信号线连接的第一和第二电连接；和

从所述多个基本平面的导体接地层到所述印刷电路板上的至少一个接地层连接的第三和第四电连接。

27、如权利要求26所述的表面安装的馈通装置，其中，选择的所述第一、第二、第三和第四电连接包括焊接连接。

28、如权利要求27所述的表面安装的馈通装置，其中，选择的第一、第二、第三和第四电连接还包括设置在所述半导体材料的壳体所选边上的终端。

29、如权利要求26所述的表面安装的馈通装置，其中，所述第二尺寸大约是所述第一尺寸的两倍。

30、如权利要求26所述的表面安装的馈通装置，其中，沿着所述第一对相对边的至少一个暴露的每一个基本平面导体信号层部分的特征在于第三距离，该第三尺寸大于所述第一尺寸。

31、如权利要求26所述的表面安装的馈通装置，其中，每一个所述基本平面的导体接地层包括第一和第二导体部分，所述基本平面导体接地层的每一个第二导体部分延伸到并暴露在所选的第二对相对边的其中一个，每一个所述基本平面的导体接地层的每一个第二导体部分延伸到并暴露在所述第二对相对边的另一个。

32、如权利要求31所述的表面安装的馈通装置，其中，所述基本平面的导体接地层的每一个所述第一导体部分的特征在于沿着所述第二对相对边间的第二尺寸计量的距离为L1，和所述基本平面的导体接地层的每一个的所述第二导体部分的每一个的特征在于沿着所述在所述第二对相对边间的第二尺寸计量的距离为L2，距离L1基本等于距离L2。

33、如权利要求31所述的表面安装的馈通装置，其中，每一个所述基本平面的导体接地层的每一个所述第一导体部分的特征在于沿着所述第二对相对边间的所述第二尺寸测量的距离为L1，以及每一个所述基本平面导体接地层的每一个所述第二导体部分的特征在于沿着所述第二对相对边间的第二尺寸计量的距离为L2，距离L1和距离L2是不同值以便影响两个不同预定频率上的信号滤波。

34、一种多层馈通装置，包括：

一个壳体，其宽度尺寸通常比其长度尺寸更短，并且具有导体和半导体材料的多层交替层；

其中，所选的所述导体材料层包括沿着所述多层馈通装置壳体的通常更短的宽边延伸的主信号传送导体，而所选的所述导体材料层的其他层包括通常以垂直方式沿着所述多层馈通装置壳体的所述长边延伸到主信号传送导体的瞬态接地电导体；以及

所述主信号传送导体具有相对宽电流通道，以便当所述多层馈通装置的电流处理能力相对增加时，所述多层馈通装置所得的内部等效的序列电阻相对降低。

35、如权利要求34所述的多层馈通装置，其中，每一个瞬态接地电导体包括成对的分别具有第一和第二预定长度的部分。

36、如权利要求35所述的多层馈通装置，其中，所述第一和第二预定长度大体上相等。

37、如权利要求35所述的多层馈通装置，其中，所述第一和第二预定长度大体上不相等以便在两个分别不同的预定频率上提供双频滤波。

38、如权利要求34所述的多层馈通装置，还包括多个金属元件，其中至少一个所述金属元件附加到并且电连接到所选所述信号传送导体，至少一个其他金属元件附加到并且电连接到所选的所述瞬态接地电导体。

39、如权利要求34所述的多层馈通装置，其中，所述多层馈通装置的所述长边大约是所述多层馈通装置的所述更短宽边的两倍。

40、如权利要求34所述的多层馈通装置，其中，所述主信号传送导体的所述相对更宽电流通道分别具有比所述多层馈通装置的所述通常更短宽度更长的尺寸。

Images