CN1665955A - 用于在等离子体加工系统中电弧抑制的方法和系统 - Google Patents

用于在等离子体加工系统中电弧抑制的方法和系统 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于等离子体加工的电弧抑制系统，其包括至少一个耦合到等离子体加工系统上的传感器，和耦合到至少一个传感器上的控制器。该控制器提供至少一种算法用于确定和衬底接触的等离子体的状态并控制等离子体加工系统抑制电弧放电发生，该衬底使用至少一个信号，该信号由至少一个传感器产生。当传感器之间的电压差超过目标差时，等离子体加工系统被确定为易产生电弧放电。在该条件下，通知操作员，并做出是否继续加工，修改加工，或中止加工的决定。

Description

用于在等离子体加工系统中 电弧抑制的方法和系统
相关申请的交叉参考
本申请要求2002年6月28日申请的美国专利60/391950的优先权，且该申请涉及标题为“Device and method for detecting andpreventing arcing in RF plasma systems”的美国专利6332961，它们的整个内容以参考的方式并入此处。
技术领域
本发明涉及等离子体加工，更具体地，涉及用于等离子体加工的电弧抑制系统及用于其中的方法。
背景技术
半导体工业中集成电路(IC)的制造通常采用等离子体以产生和辅助等离子体反应器中表面化学，该反应器是将材料从沉积材料上移到衬底必须的。一般地，等离子体是通过加热电子以使其能量足够维持离子化和所供应的工艺气体碰撞，而形成于真空条件下的等离子体反应器中。而且，被加热的电子具有足够的能量以维持离化碰撞，且因此在预定条件(如，腔室压力，气流速率等)选择一组特定气体以产生大量荷电的物质和化学反应性物质，这些物质适合于在腔室内执行的具体工艺(如蚀刻工艺，其中材料从衬底上除去，或沉积工艺，其中材料被添加至衬底上)。通常，在等离子体加工，如蚀刻工艺中，可能电荷在衬底表面上积累。然而，衬底荷电在衬底表面上是空间上不均匀的。已经发现衬底表面不均匀的荷电是由于空间上不均匀的等离子体在衬底表面上且与其接触引起的。等离子体不均匀性是由于，例如不一致的等离子体产生和损失导致的不一致的等离子体密度，或衬底表面上的不一致的等离子体覆层，其与环绕衬底的等离子体反应器结构关联，从而导致不一致的离子能量(因为离子撞击衬底表面)。作为这些不均匀性的结果，跨衬底边缘的电弧放电的危险增加。衬底电弧放电必须完全避免以便保持可接受的器件成品率。
发明内容
本发明提供一种电弧抑制系统用于等离子体加工系统，其包括至少一个能够被耦合至等离子体加工系统的传感器，和耦合至至少一个传感器的控制器，其中控制器提供至少一种算法，该算法使用至少一个由至少一个传感器产生的信号确定等离子体加工系统的状态，并控制等离子体加工系统以便抑制电弧放电事件。
本发明进一步提供一种用于在等离子体加工系统中抑制电弧放电的方法，该等离子体加工系统使用电弧抑制系统，该方法包括下列步骤：测量至少一个与等离子体加工系统关联的信号，该等离子体加工系统使用至少一个传感器；确定至少一个在至少一个信号和地电势之间的差值信号；至少将一个差值信号和目标差值比较；并从该比较确定等离子体加工系统的状态。
本发明进一步提供另一种用于抑制等离子体加工系统中电弧放电的方法，该等离子体加工系统使用电弧抑制系统，该方法包括下列步骤：使用第一传感器测量与等离子体加工系统有关的第一信号；使用第二传感器测量与等离子体加工系统有关的第二信号；确定第一信号和第二信号之间的差值信号；将该差值信号和目标信号比较；并从该比较确定等离子体加工系统的状态。
本发明的另一个目的是提供一种用于抑制等离子体加工系统中电弧放电的方法，该等离子体加工系统使用电弧抑制系统，该方法进一步包括下列步骤：根据等离子体加工系统的状态控制等离子体加工系统，以便抑制电弧放电事件。
附图说明
本发明的这些和其它的优势将从本发明示例性的实施例结合附图的详细说明而变得更明显和更易于理解，其中：
图1示出根据本发明优选实施例的用于等离子体加工的电弧抑制系统；
图2示出根据本发明可替换的优选实施例的用于等离子体加工的电弧抑制系统；
图3示出根据本发明另一个实施例的用于等离子体加工的电弧抑制系统；
图4示出根据本发明另一个实施例的用于等离子体加工的电弧抑制系统；
图5示出根据本发明另外的实施例的用于等离子体加工的电弧抑制系统；
图6示出根据本发明实施例的并有电弧抑制系统的衬底夹持器的剖视图；
图7A示出根据本发明实施例的并有电弧抑制系统的衬底夹持器的顶视图；
图7B示出根据本发明另一个实施例的并有电弧抑制系统的衬底夹持器的顶视图；
图7C示出根据本发明另一个实施例的并有电弧抑制系统的衬底夹持器的顶视图；
图7D示出根据本发明另一个实施例的并有电弧抑制系统的衬底夹持器的顶视图；
图8A示出根据本发明实施例的天线电极和天线引线的剖视图；
图8B示出根据本发明另一个实施例的天线电极和天线引线的剖视图；
图8C示出根据本发明另一个实施例的天线电极和天线引线的剖视图；
图8D示出根据本发明另一个实施例的天线电极和天线引线的剖视图；
图9给出根据本发明实施例的用于电弧抑制过程的流程图；
图10示出根据本发明实施例，电弧抑制系统用来确定加工等离子体状态并控制等离子体加工系统以避免电弧放电事件的示例性信号；以及
图11给出根据本发明另一个实施例的用于电弧抑制过程的流程图。
具体实施方式
根据本发明实施例，等离子体加工系统1示于图1中，其包括工艺反应器10，用于支撑衬底25的衬底夹持器20，和电弧抑制系统100，其中电弧抑制系统100包括至少一个耦合到工艺反应器10上的传感器50，和耦合到至少一个传感器50上的控制器55。而且，控制器55能够执行至少一种算法，以便用由至少一个传感器50生成的至少一个信号来确定等离子体加工系统1状态，并控制等离子体加工系统1以便抑制电弧放电事件。
在本发明的一个实施例中，至少一个传感器50能包括至少一个天线，且电气测量装置56耦合到每个天线上。在可替换的实施例中，至少一个天线包括至少一个天线电极52，和一个耦合到至少一个天线电极52上的天线引线54。
在所图示的实施例中，示于图1的等离子体加工系统1使用用于材料加工的等离子体。最好等离子体加工系统1包括蚀刻腔室。可替换地，等离子体加工系统1可包括沉积腔室，如化学气相沉积(CVD)系统或物理气相沉积(PVD)系统。
根据示于图2的本发明所图示的实施例，等离子体加工系统1可包括工艺反应器10，衬底夹持器20，要加工的衬底25固定于其上，气体注入系统40，和真空抽吸系统58。衬底25可以是，例如半导体衬底，晶片，或液晶显示器(LCD)。工艺反应器10可以是，例如经配置促进加工区域45中等离子体的发生，该加工区域45邻近衬底25的表面，其中等离子体是通过加热的电子和可离子化的其它之间的碰撞形成的。例如，一种可离子化的气体或气体混合物可通过气体注入系统40引入，且工艺压力可使用真空抽吸系统58调整。最好是使用等离子体以产生针对预定材料工艺的材料，并辅助材料在衬底25上沉积或将材料从衬底25暴露的表面上除去。
例如，衬底25可通过静电夹持系统28固定到衬底夹持器20上。而且，衬底夹持器20可进一步包括冷却系统，该冷却系统包括再循环冷却液液流，其接收来自衬底夹持器20的热并将热传递至热交换器系统(未示出)，或当加热时，传递来自热交换系统的热。而且，气体可通过背面气体系统26输送至衬底的背面，以促进衬底25和衬底夹持器20之间的气隙(gas-gap)的热导。当衬底的温度控制被要求提升或降低温度时，可采用这样的系统。例如，在温度超过所达到的稳定温度时，衬底的温度控制是有用的，稳定温度是由于从等离子体传输至衬底25的热流和从衬底25通过传导至衬底夹持器20而输出的热流之间的平衡而达到的。在其它实施例中，加热元件可包括，如电阻加热元件，或热电加热器/冷却器。
在示于图2的示例性实施例中，衬底夹持器20可进一步用作电极，通过它，RF功率被耦合到加工区域45中的等离子体中。例如，可通过阻抗匹配网络32将来自RF发生器30的RF功率传送到衬底夹持器20，衬底夹持器20被偏置以RF电压。RF偏压可用作加热电子，且因此形成并保持等离子体。在该构型中，系统可用作反应性离子蚀刻(RIE)反应器，其中腔室和上部气体注入电极用作接地表面。用于RF偏压的典型频率范围在1MHz到100MHz之间，且优选为13.56MHz。用于等离子体加工的RF系统为本领域技术人员所公知。
可替换地，RF功率可以多个频率施加到衬底夹持器电极上。而且，阻抗匹配网络32可通过最小化反射的功率而最大化RF功率传递至工艺反应器10中的等离子体。匹配网络的拓扑结构(如，L型，π型，T型等)和自动控制方法是本领域技术人员所公知的。
继续参考图2，工艺气体可通过气体注入系统40引入加工区域45。工艺气体可以，例如包括气体混合物，如氩气，CF4和O2，或氩气，C4F8和O2，以用于氧化物蚀刻有用，或其它的化学物质，如O2/CO/Ar/C4O8，O2/CO/Ar/C5F8，O2/CO/Ar/C4F6，O2/Ar/C4F6，N2H2。气体注入系统40可包括喷头，其中工艺气体从气体传输系统(未示出)通过气体注入气室(plenum)(未示出)被供应至加工区域45。气体注入系统为本领域技术人员所公知。
真空泵系统58可以，例如包括涡轮分子真空泵(TMP)，其抽吸速率能够达到5000升每秒(及更大)，和用于节流腔室压力的门阀。在传统用于干等离子体蚀刻的等离子体加工装置，通常采用每秒1000到3000升的TMP。TMPs用于低压加工是有用的，通常低于50mTorr。在较高的压力时，TMP抽吸速率急剧下降。对于高压加工(即大于100mTorr)，可采用机械增压泵和干式初抽泵(dry roughing pump)。而且，用于监控腔室压力的装置(未示出)被耦合到压力反应器10。该压力测量装置可以是，例如628B型的Baratron绝对容量压力计，其可从MKS仪器公司(Andover，MA)购得。
例如，控制器55可包括微处理器，存储器和数字I/O端口，该数字I/O端口能够生成足够通信和激活对等离子体加工系统1输入和监视来自等离子体加工系统1的输出的控制电压。而且，控制器55耦合到RF发生器30并与其交换信息，阻抗匹配网络32，气体注入系统40，真空泵系统58，背面气体输送系统26，静电夹持系统28，和传感器50。存储在存储器中的程序用来根据存储的工艺菜单，激活对前面所述的等离子体加工系统1的元件的输入。一个控制器55的例子是DELL PRESION WORKSTATION 610TM，其可从Texas的Dallas的Dell公司得到。可替换地，控制器55可包括数字信号处理器(DSP)。
在示于图3的示例性实施例中，等离子体加工系统1可进一步包括磁场系统60。例如，磁场系统60可包括固定的或要么机械旋转要么电动旋转的DC磁场系统，为了能潜在增加等离子体密度和/或促进等离子体加工一致性。而且，控制器55可以耦合到旋转磁场系统以便调节旋转速度和磁场强度。旋转磁场的设计和执行为本领域技术人员所公知。
在示于图4的示例性的实施例中，图1和图2的等离子体加工系统1可进一步包括上部电极70，RF功率可通过阻抗匹配网络74从RF发生器72耦合到该电极上。RF功率施加到上部电极的典型频率范围在10MHz到200MHz之间，优选在60MHz。此外，功率施加到下部电极的典型频率范围在0.1MHz到30MHz之间，并优选在2MHz。而且，控制器55被耦合到RF发生器72，和阻抗匹配网络74，以便控制RF功率施加到上部电极70。上部电极的设计和执行为本领域技术人员所公知。
在示于图5的示例性实施例中，图1和图2中的等离子体加工系统可以，例如进一步包括感应线圈80，RF功率经RF发生器82通过阻抗匹配网络84耦合到其上。RF功率从感应线圈80通过介电窗口(未示出)感应耦合到等离子体加工区域45。RF功率施加到感应线圈80的典型频率范围在10MHz到100MHz之间，且优选在13.56MHz。类似地，功率施加到卡盘电极的非典型频率范围在0.1MHz到30MHz之间，且优选在13.56MHz。此外，可采用狭缝式法拉第屏蔽屏(未示出)来降低感应线圈80和等离子体之间的电容性耦合。而且，控制器55通过阻抗匹配网络84耦合到RF发生器82，以便控制功率施加至感应线圈80。在可替换实施例中，感应线圈80可以是“螺旋型”线圈或“薄饼型”线圈，其从上面与等离子体加工区域通信，如在变压器耦合的等离子体(TCP)反应器中那样。感应耦合的等离子体(ICP)源的设计和执行和/或变压器耦合的等离子体(TCP)源为本领域技术人员所公知。
可替换地，可用电子回旋加速器共振(ECR)形成。在另一个实施例中，等离子体是由发起Helicon波而形成的。在又一个实施例中，等离子体是由表面波传播形成的。上述每种等离子体源都为本领域技术人员所公知。
如上所述，电弧抑制系统100包括至少一个传感器50，其耦合到工艺反应器10，和控制器55，其耦合到至少一个传感器50，其中控制器55能够执行至少一种算法，该算法利用至少一个由至少一个传感器50发生的信号确定等离子体加工系统1，并控制等离子体加工系统1以便抑制电弧事件。在下面的讨论中，电弧抑制系统100被更详细地讨论。
现参考图6，给出了衬底夹持器20的横截面剖视图。一般地，衬底夹持器20包括外部护罩122，绝缘环124，在衬底25下面的RF可偏置电极126和环绕衬底25的聚焦环128。外部护罩122可以是，例如电接地的导电元件，其包括这样的材料，如表面阳极氧化了的或表面没有阳极氧化的，和/或具有表面涂层(如Y2O3)的铝。绝缘环124提供RF可偏置电极126和外部护罩122之间的电绝缘，且其可以，例如包括介电材料，如铝，石英等。RF可偏置电极126可用来自RF发生器的RF能量偏置，RF发生器如图2到5所示出的RF发生器。可替换地，RF可偏置电极126可被接地。该RF可偏置电极126可包括导电材料，如铝。聚焦环128通常用于影响发生在衬底25边缘的蚀刻或沉积，其影响方式为允许对整个衬底表面均匀加工衬底25。聚焦环128可包括材料，如硅，碳，碳化硅等。
除了上述指出的特征，静电夹持装置130可形成于RF可偏置电极126的上部表面内。静电夹持装置130包括掩埋在绝缘层134内的夹持电极132，其中夹持电极132被用来自高压的DC电压源(被标识为图2到图5中的静电夹持系统28的一部分)的DC电压偏置。在传统的静电夹持装置中，夹持电极132是由如铜，镍，铬，铝，铁，钨和它们的合金等材料制成的，且绝缘层134是由陶瓷，玻璃或高温聚合物材料，如氧化铝Al2O3，石英SiO2，氮化铝AlN，Si3N4，ZrO2，碳化硅SiC，氮化硼BN，玻璃陶瓷，和聚酰亚胺材料制成的。制造静电夹持装置130的方法为本领域技术人员所公知，其中静电夹持装置130包括夹持电极133和陶瓷层134和这样的装置，通过该装置，高压，DC信号被耦合到夹持电极132上。
如图6(横截面侧视图)和图7(顶视图)所示，至少一个传感器50被耦合到衬底夹持器20。例如，至少一个传感器50可包括至少一个天线电极52，至少一个天线引线54，和至少一个电测量装置56。至少一个天线电极52可邻近陶瓷层134的上表面掩埋于其中，其中至少一个天线引线54延伸穿过夹持电极132中的开口136，并耦合到至少一个天线电极52。耦合到至少一个天线电极52的至少一个天线引线54可进一步被耦合到至少一个电测量装置56。至少一个传感器50测量至少一个电信号，该电信号然后被耦合到控制器55。在可替换的实施例中，如图7C所示，该至少一个天线电极52可以是“肾形的”。在一个可替换的实施例中，该至少一个电极52可以是矩形的。如图7D所示的可替换实施例中，可改变天线电极52的布局，而将它们放置在不同位置。然而，应该理解，根据本发明可采用任何布局的天线，和任何数目的天线。
参考夹持电极132，至少一个天线电极52和至少一个天线引线54的导电元件可由铜或类似的导电材料制成。在优选实施例中，至少一个天线引线54是用外部导电屏蔽屏屏蔽的，且与夹持电极132及RF可配置电极126绝缘。
图8A给出天线电极52和掩埋在静电夹持装置130中的天线引线54及RF可偏置电极126的剖面图。天线引线54包括内部导电元件542，内部介电元件544，外部导电元件546，和外部介电元件548。内部介电元件544包围内部导电元件542并将内部导电元件542与外部导电元件546绝缘。外部导电元件546包围内部介电元件544，并屏蔽内部导电元件542。外部介电元件548包围内部导电元件546，并将外部导电元件546与RF可配置电极126绝缘。最好是外部导电元件546被耦合到电气接地点。在可替换的实施例中，如图8B所示，天线电极52的上部表面与陶瓷层134的上部表面不共面。
介电夹持装置130包括夹持电极132，绝缘层134，和至少一个掩埋的天线电极52，其具有至少一个天线引线54。这样的静电夹持装置130可用烧结技术，浇铸技术和/或薄膜形成技术(如化学气相沉积(CVD))制造，这成为业内标准且为静电卡盘制造领域内的技术人员所公知。示例性的技术揭示于美国专利5539179，5625526和5701228(这三个专利被受让给Tokyo Electron公司；它们每个都以参考的方式完全并入此处。
如图6所示，至少一个电测量装置56被连接到至少一个天线引线以执行，例如，RF电压测量。每个电测量装置56可以是，例如Tektronix公司制造的(高阻抗)Tektronix P6245 1.5GHz 10X ActiveProbe。由至少一个传感器50产生的信号可被输入到控制器55，例如，使用如模数(A/D)转换器的数字信号处理器(DSP)。
在图6和图8A-8D中，虽然已经示出天线电极52和天线引线54将制造于静电夹持装置130和RF可偏置电极126中，天线电极52和天线引线54可制造于其它结构，如聚焦环128，介电环124，外部护罩122，护罩环，腔室壁，腔室衬垫等。例如图8C和8D给出掩埋在聚焦环560中的自耗电极570，该聚焦环560爱RF可偏置电极126顶上，其中自耗电极570可包括凸起的表面580以便将自耗电极570电耦合至天线电极52上。在图8C中，自耗电极570和聚焦环560的上部表面共面，在图8D中，自耗电极570不与聚焦环560的上部表面共面。在传统系统中，聚焦环560被设计为可重复安置于RF可配置电极126上，因此自耗电极570可始终耦合到天线电极52上。聚焦环128或560可以，例如包括硅，碳化硅，氧化铝，或石英中的一种。此外，自耗电极570可以，例如包括搀杂的硅或掩埋的导电材料，如钨。
现说明使用电弧抑制系统的方法。图9给出根据本发明实施例的用于电弧抑制过程的流程图。过程600起始于610，其中至少一个信号用至少一个传感器测量。例如，至少一个传感器可包括至少一个天线电极，该天线电极耦合到至少一个天线引线上，该天线引线耦合到至少一个电测量装置。信号可以是，例如随时间变化的电压信号或随时间变化的电压振幅，其用例如电压探头测量。在可替换的实施例中，由传感器测量的信号可用低通，高通，和/或带通滤波器过滤。滤波的信号可以是，例如滤波的随时间变化的电压信号，或滤波的随时间变化的电压振幅。在620中，测量的信号和/或滤波的信号和参考比较以确定差值信号。例如，系统中地电势或其它电势点可用作参考。差值信号可以是，例如瞬间实时测量的瞬间信号值和地电势之间的差值，测量的信号的幅值，瞬间实时测量的滤波信号瞬间值和地电势之间的差值，或滤波信号的幅值。例如，差值信号可以由减法操作确定。
在630中，差值信号与目标差值比较，如图10所示。图10给出实时绘出的示例性差值信号634，其上有目标差值632(虚线示出)。通过察看，测量的差值信号超出目标差值的时间636以箭头示出。在640，等离子体加工系统的状态用在630中的比较确定。例如，如果差值信号超出目标差值，那么电弧放电事件的几率相对高；且如果至少一个差值信号不超过目标差值，那么电弧放电事件的几率就相对低。基于640的确定，在650做出给出电弧警报的决定。例如，如果电弧放电事件的几率相对高，那么在660通知操作员，且如果电弧放电事件的几率相对低，那么在670继续加工。
而且，如果有电弧警报，可在660中通知操作员之后控制工艺。在680，做出控制工艺的决定，包括在670继续工艺，在690停止工艺，和在695修改工艺。在可替换的实施例中，在680中控制工艺的决定和在660中通知操作员由控制器同时执行。在可替换的实施例中，在680中控制工艺的决定和在660中的电弧放电事件几率的简单纪录同时执行。在可替换实施例中，执行在680中的控制工艺的决定，而不于660中通知操作员。在695中，可通过调整工艺参数而修改工艺。例如，工艺参数可包括工艺压力，衬底夹持器RF偏压，静电夹持电极偏压，背面气体压力，工艺气流速率，等等。
图11给出根据本发明一个可替换实施例的用于电弧抑制过程的流程图。过程700起始于710，其中涉及等离子体加工系统的第一信号是用第一传感器测量的。例如，第一传感器可包括耦合到第一天线引线的第一天线电极，该第一天线引线耦合到第一电测量装置。第一信号可以是，例如从衬底第一区域获得的。第一信号可以是，例如随时间变化的电压信号或随时间变化的电压振幅，该电压振幅是用例如电压探头测量的。在可替换实施例中，通过第一传感器测量的第一信号可用低通，高通，和/或带通滤波器滤波。滤波信号可以是，例如滤波的随时间变化的电压信号，或滤波的随时间变化的电压振幅。
在720中，其中涉及等离子体加工系统的第二信号是用第二传感器测量的。例如，第二传感器可包括耦合到第二天线引线的第二天线电极，该第二天线引线耦合到第二电测量装置。第二信号可以是，例如从衬底第二区域获得的。第二信号可以是，例如随时间变化的电压信号或随时间变化的电压振幅，该电压振幅是用例如电压探头测量的。在可替换实施例中，通过第二电传感器测量的第二信号可用低通，高通，和/或带通滤波器滤波。滤波信号可以是，例如滤波的随时间变化的电压信号，或滤波的随时间变化的电压振幅。优选地，第一信号和第二信号的获取是于同时瞬时实时执行的。
在一个实施例中，第一信号相应于邻近衬底中心的位置，而第二信号相应于邻近衬底边缘的位置。在另一个实施例中，第一信号相应于邻近衬底边缘的位置，而第二信号相应于邻近聚焦环的位置。
在另一个实施例中，第一信号相应于第一位置和用于测量的第一时间，而第二信号相应于第一位置和用于测量的第二时间。第一信号和第二信号在同一位置测量；然而，不同时间可允许检查测量的变化速率。
在730中，差值信号是通过在每个瞬时比较第一信号和第二信号确定的。差值信号可以是，例如第一信号的瞬时值和第二信号的瞬时值，第一信号的幅值和第二信号的幅值之间的差值，滤波的第一信号的瞬时值和滤波的第二信号的瞬时值，或滤波的第一信号的幅值和滤波的第二信号的幅值之间的差值。
在740中，差值信号和目标差值比较，如图10所示。图10给出示例性实时绘出的差值信号634，其上交叠有目标差值632(虚线示出)。通过察看，测量的差值信号超出目标差值的时间636以箭头示出。在750，等离子体加工系统的状态用在740中的比较确定。例如，如果差值信号超出目标差值，那么电弧放电事件的几率相对高；且如果至少一个差值信号不超过目标差值，那么电弧放电事件的几率就相对低。基于750的确定，在760做出给出电弧警报的决定。例如，如果电弧放电事件的几率相对高，那么在770通知操作员，且如果电弧放电事件的几率相对低，那么在780继续加工。
当两个或更多信号被利用时，可得到更多信息。例如，电弧放电几率最高的位置可通过监视这些差值信号幅值最大的区域而确定。
而且，如果有电弧警报，可在770中通知操作员之后控制工艺。在790，做出控制工艺的决定，包括在780继续工艺，在800停止工艺，和在810修改工艺。在可替换的实施例中，在790中控制工艺的决定和在770中通知操作员由控制器同时执行。在可替换实施例中，在790中控制工艺的决定和770中电弧放电事件几率的简单纪录同时执行。在可替换实施例中，执行在790中的控制工艺的决定，而不于770中通知操作员。在810中，可通过调整工艺参数而修改工艺。例如，工艺参数可包括工艺压力，衬底夹持器RF偏压，静电卡盘电极偏压，背面气体压力，工艺气流速率，等等。
虽然只详细说明了本发明的某些示例性实施例，本领域的技术人员易于理解，本质上不偏离本发明的新颖的教导和优点而对示例性实施例做出很多修改是可能的。因此，所有这样的修改倾向于包括在本发明的范畴内。

Claims (64)

1.一种等离子体加工系统，其包括：
经配置以促进等离子体形成的工艺反应器；以及
电弧抑制系统，其耦合到所述工艺反应器，所述电弧抑制系统包括至少一个传感器，该传感器经配置以产生至少一个与所述等离子体相关的信号；和控制器，其耦合到所述至少一个传感器，其中所述控制器经配置以执行以下操作中的至少一个：用所述至少一个信号确定所述等离子体加工系统的状态，和根据所述状态控制所述等离子体加工系统以抑制电弧放电事件。
2.如权利要求1所述的等离子体加工系统，其中所述至少一个传感器包括至少一个天线，该天线至少掩埋在衬底夹持器，腔室壁和腔室衬垫中的一个。
3.如权利要求2所述的等离子体加工系统，其中所述至少一个天线包括至少一个天线电极和天线引线，该天线引线耦合到至少一个天线电极中的每个天线电极。
4.如权利要求3所述的等离子体加工系统，其中所述天线引线包括内部导电元件和内部介电元件。
5.如权利要求4所述的等离子体加工系统，其中所述天线引线进一步包括外部导电元件和外部介电元件。
6.如权利要求2所述的等离子体加工系统，进一步包括电测量装置，其经配置以连接至所述至少一个天线。
7.如权利要求2所述的等离子体加工系统，所述的至少一个天线被掩埋在所述衬底夹持器中，该衬底夹持器包括RF可偏置电极，静电夹持装置，外部护罩，绝缘环，聚焦环，介电环，和屏蔽环中的至少一个。
8.如权利要求2所述的等离子体加工系统，其中所述衬底夹持器包括静电夹持系统和背面气体系统中的至少一个。
9.如权利要求6所述的等离子体加工系统，其中所述电测量装置包括电压探头。
10.如权利要求1所述的等离子体加工系统，其中至少一个所述的与所述等离子体相关的信号是随时间变化的电压信号和随时间变化的电压振幅中的至少一个。
11.如权利要求1所述的等离子体加工系统，其中至少一个所述的与所述等离子体相关的信号包括滤波信号。
12.如权利要求11所述的等离子体加工系统，其中所述滤波信号是从使用低通滤波器，高通滤波器，和带通滤波器中的至少一个滤波器的所述至少一个信号获得的。
13.如权利要求1所述的等离子体加工系统，其中所述使用所述至少一种与所述等离子体相关的信号确定所述等离子体的状态包括确定在所述等离子体加工系统中出现电弧放电的几率。
14.如权利要求1所述的等离子体加工系统，其中根据所述等离子体的所述状态控制所述等离子体加工系统，以便抑制电弧放电事件包括执行警示操作员，继续工艺，修改工艺和停止工艺中的至少一个。
15.一种电弧抑制系统，其包括：
至少一个传感器，其经配置以耦合至一个等离子体加工系统；以及
控制器，其经配置以执行至少一种算法，用于执行以下操作中的至少一个：用所述至少一个关系所述等离子体加工系统的信号确定所述等离子体加工系统的状态，和根据所述等离子体加工系统的状态控制所述等离子体加工系统以便抑制电弧放电事件。
16.如权利要求15所述的电弧抑制系统，其中所述至少一个传感器包括至少一个天线，该天线至少掩埋在衬底夹持器，腔室壁和腔室衬垫中一个。
17.如权利要求16所述的电弧抑制系统，其中所述至少一个天线包括至少一个天线电极和天线引线，该天线引线耦合到至少一个天线电极中的每个天线电极上。
18.如权利要求17所述的电弧抑制系统，其中所述天线引线包括内部导电元件和内部介电元件。
19.如权利要求18所述的电弧抑制系统，其中所述天线引线进一步包括外部导电元件和外部介电元件。
20.如权利要求16所述的电弧抑制系统，进一步包括电测量装置，其经配置以连接至所述至少一个天线。
21.如权利要求15所述的电弧抑制系统，其中所述至少一个掩埋在所述衬底夹持器的天线包括至少一个天线，该天线掩埋在RF可偏置电极，静电夹持装置，外部护罩，绝缘环，聚焦环，介电环，和屏蔽环中的至少一个。
22.如权利要求16所述的电弧抑制系统，其中所述衬底夹持器包括静电夹持系统和背面气体系统中的至少一个。
23.如权利要求20所述的电弧抑制系统，其中所述电测量装置包括电压探头。
24.如权利要求15所述的电弧抑制系统，其中所述至少一个关系所述等离子体的信号是随时间变化的电压信号和随时间变化的电压振幅中的至少一个。
25.如权利要求15所述的电弧抑制系统，其中所述至少一个关系所述等离子体的信号包括滤波信号。
26.如权利要求25所述的电弧抑制系统，进一步至少包括低通滤波器，高通滤波器和带通滤波器中的一个，其经配置以从所述的至少一个信号获取滤波信号。
27.如权利要求15所述的电弧抑制系统，其中所述的用至少一个关系所述等离子体的信号确定所述等离子体状态包括确定在所述等离子体加工系统中出现电弧放电的几率。
28.如权利要求15所述的电弧抑制系统，其中所述的根据所述等离子体的所述状态控制所述等离子体加工系统以便抑制电弧放电事件包括执行警报操作员，继续工艺，修改工艺和停止工艺中的至少一个。
29.一种用于使用电弧抑制系统抑制等离子体加工系统中电弧放电的方法，该电弧抑制系统包括至少一个传感器，该传感器耦合到所述等离子体加工系统，和控制器，该控制器耦合到所述至少一个传感器，该方法包括：
用所述至少一个传感器测量至少一个关系所述等离子体加工系统的信号；
确定所述至少一个信号和参考信号之间的至少一个差值信号；
比较所述的至少一个差值信号和目标差值；以及
从所述比较确定所述等离子体加工系统的状态；
其中所述至少一个信号是用至少一个传感器测量的，该传感器包括至少一个天线，该天线掩埋在衬底夹持器，腔室壁和腔室衬垫中的至少一个中。
30.如权利要求29所述的方法，其中所述的测量进一步包括滤波所述至少一个信号。
31.如权利要求30所述的方法，其中所述滤波包括使用低通滤波器，高通滤波器和带通滤波器中的至少一种。
32.如权利要求30所述的方法，其中所述滤波提供滤波的随时间变化的信号和滤波的随时间变化的振幅中的至少一个。
33.如权利要求29所述的方法，其中所述确定所述至少一个信号和所述参考信号之间的至少一个差值信号包括从所述至少一个信号中减去所述参考信号。
34.如权利要求29所述的方法，其中所述至少一个差值信号包括，至少一个在瞬间实时测量的信号的瞬时值和所述参考信号、所述至少一个信号的幅值和所述参考信号、瞬间实时测量的滤波的所述至少一个信号的瞬时值和所述参考信号、以及滤波的所述至少一个信号的幅值和所述参考信号之间的差值中的至少一个。
35.如权利要求29所述的方法，其中所述的从所述比较确定所述等离子体加工系统的状态包括确定在所述等离子体加工系统中出现电弧放电的几率。
36.如权利要求35所述的方法，其中所述的在所述等离子体加工系统中出现电弧放电的几率包括高几率和低几率中的至少一个。
37.如权利要求29所述的方法，其中所述方法进一步包括根据所述等离子体加工系统的所述状态控制所述等离子体加工系统以便抑制电弧放电事件。
38.如权利要求33所述的方法，其中所述控制至少包括通知操作员，继续工艺，停止工艺，和修改工艺中的一个。
39.如权利要求38所述的方法，其中所述修改工艺包括调整工艺压力，衬底夹持器RF偏压，静电夹持电极偏压，背面气体压力，和工艺气流速率中的至少一个。
40.如权利要求29所述的方法，其中所述参考信号包括地电势。
41.一种使用电弧抑制系统在等离子体加工系统中抑制电弧放电的方法，该电弧抑制系统包括至少一个传感器，该传感器耦合到所述等离子体加工系统，和控制器，该控制器耦合到所述至少一个传感器，该方法包括：
用第一传感器测量关系所述等离子体加工系统的第一信号；
用第二传感器测量关系所述等离子体加工系统的第二信号；
确定所述第一信号和所述第二信号之间的差值信号；
比较所述差值信号和目标差值；以及
基于所述比较确定所述等离子体加工系统的状态。
42.如权利要求41所述的方法，其中所述第一信号是用至少一个传感器测量的，该传感器包括至少一个天线，该天线掩埋在衬底夹持器，腔室壁和腔室衬垫中的至少一个。
43.如权利要求41所述的方法，其中所述测量第一信号进一步包括滤波所述第一信号。
44.如权利要求43所述的方法，其中所述滤波包括使用低通滤波器，高通滤波器和带通滤波器中的至少一种。
45.如权利要求43所述的方法，其中所述滤波提供第一滤波的随时间变化的信号和第一滤波的随时间变化的振幅中的至少一个。
46.如权利要求41所述的方法，其中所述第二信号是使用至少一个传感器测量的，该传感器包括至少一个天线，该天线掩埋在衬底夹持器，腔室壁和腔室衬垫中的至少一个中。
47.如权利要求41所述的方法，其中所述测量第二信号进一步包括滤波所述第二信号。
48.如权利要求47所述的方法，其中所述滤波包括使用低通滤波器，高通滤波器和带通滤波器中的至少一种。
49.如权利要求47所述的方法，其中所述滤波提供第二滤波的随时间变化的信号和第二滤波的随时间变化的振幅中的至少一个。
50.如权利要求41所述的方法，其中所述确定所述第一信号和所述第二信号之间的差值信号包括从所述第二信号中减去所述第一信号。
51.如权利要求41所述的方法，其中所述从所述比较确定所述等离子体加工系统状态包括确定在所述等离子体加工系统中出现电弧放电的几率。
52.如权利要求51所述的方法，其中所述的在所述等离子体加工系统中出现电弧放电的几率包括高几率和低几率中的至少一个。
53.如权利要求43所述的方法，其中所述方法进一步包括根据所述等离子体加工系统的所述状态控制所述等离子体加工系统以便抑制电弧放电事件。
54.如权利要求53所述的方法，其中所述控制至少包括通知操作员，继续工艺，停止工艺，和修改工艺中的一个。
55.如权利要求54所述的方法，其中所述修改工艺包括调整工艺压力，衬底夹持器RF偏压，静电夹持电极偏压，背面气体压力，和工艺气流速率中的至少一个。
56.如权利要求41所述的方法，其中所述测量第一信号和所述测量第二信号基本在同一时间执行。
57.如权利要求41所述的方法，其中所述测量第一信号和所述测量第二信号基本在不同时间执行。
58.如权利要求41所述的方法，其中所述测量第一信号相应于第一位置，而所述测量第二信号相应于第二位置。
59.如权利要求58所述的方法，其中所述第一位置包括衬底中心，衬底边缘和聚焦环中的至少一个；所述第二位置包括衬底中心，衬底边缘和聚焦环中的至少一个。
60.一种等离子体加工系统，其包括：
等离子体反应器，其经配置以促进等离子体的形成；和
用于电弧抑制的装置，该装置耦合到等离子体反应器，所述用于电弧抑制的装置包括用于产生至少一个关系所述等离子体信号的装置；和用于控制耦合到所述至少一个传感器的装置，其中所述用于控制的装置执行用所述至少一个信号确定所述等离子体加工系统的状态，和根据所述状态控制所述等离子体加工系统以抑制电弧事件中的至少一个。
61.如权利要求60所述的等离子体加工系统，其中所述用于产生至少一个信号的装置包括至少一个天线，该天线掩埋在衬底夹持器，腔室壁和腔室衬垫中的至少一个中。
62.如权利要求60所述的等离子体加工系统，进一步包括电测量装置。
63.如权利要求62所述的等离子体加工系统，其中所述电测量装置包括电压探头。
64.如权利要求60所述的等离子体加工系统，进一步包括容放装置，其用于防止用来产生至少一个信号的装置受到所述等离子体反应器中的等离子体的影响。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101970166B (zh) * 2007-12-13 2013-05-08 朗姆研究公司 等离子体无约束传感器及其方法
CN103098558A (zh) * 2010-09-23 2013-05-08 应用材料公司 用于检测基于电压的等离子体偏移的系统与方法
CN104730372A (zh) * 2013-12-13 2015-06-24 朗姆研究公司 基于rf阻抗模型的故障检测
TWI496513B (zh) * 2008-02-14 2015-08-11 Mks Instr Inc 電漿產生系統之電弧偵測裝置及其偵測方法
CN107799411A (zh) * 2016-09-06 2018-03-13 Spts科技有限公司 监测和控制晶片衬底形变的方法和系统
CN109854483A (zh) * 2019-02-22 2019-06-07 深圳市圆梦精密技术研究院 真空装置及其排气方法
CN112567072A (zh) * 2018-08-07 2021-03-26 朗姆研究公司 用于预防或抑制发弧的化学气相沉积工具
CN114695044A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种基座组件以及等离子体处理设备

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US20080264564A1 (en) 2007-04-27 2008-10-30 Applied Materials, Inc. Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas
US7988833B2 (en) 2002-04-12 2011-08-02 Schneider Electric USA, Inc. System and method for detecting non-cathode arcing in a plasma generation apparatus
US7981257B2 (en) 2002-04-12 2011-07-19 Schneider Electric USA, Inc. Current-based method and apparatus for detecting and classifying arcs
JP3748559B2 (ja) * 2003-06-30 2006-02-22 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置、荷電ビーム描画装置、デバイス製造方法、基板電位測定方法及び静電チャック
ATE543198T1 (de) * 2004-12-24 2012-02-15 Huettinger Elektronik Gmbh Plasmaanregungssystem
US7305311B2 (en) * 2005-04-22 2007-12-04 Advanced Energy Industries, Inc. Arc detection and handling in radio frequency power applications
US20070042131A1 (en) * 2005-08-22 2007-02-22 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Non-intrusive plasma monitoring system for arc detection and prevention for blanket CVD films
WO2008034092A2 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Schneider Automation Inc. System and method for detecting non-cathode arcing in a plasma generation apparatus
BRPI0622083A2 (pt) 2006-10-27 2014-06-10 Oerlikon Trading Ag Método e aparelho destinados à fabricação de substratos purificados ou substratos puros que são adicionalmente processados.
US7795817B2 (en) * 2006-11-24 2010-09-14 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Controlled plasma power supply
US8941037B2 (en) * 2006-12-25 2015-01-27 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, focus ring heating method, and substrate processing method
US10242888B2 (en) 2007-04-27 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
TWI483291B (zh) * 2007-04-27 2015-05-01 Applied Materials Inc 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備
US10622194B2 (en) 2007-04-27 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US7750644B2 (en) * 2007-08-15 2010-07-06 Applied Materials, Inc. System with multi-location arc threshold comparators and communication channels for carrying arc detection flags and threshold updating
US7768269B2 (en) * 2007-08-15 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Method of multi-location ARC sensing with adaptive threshold comparison
US7733095B2 (en) * 2007-08-15 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer level arc detection at an RF bias impedance match to the pedestal electrode
US7737702B2 (en) * 2007-08-15 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer level arc detection at an electrostatic chuck electrode
US7750645B2 (en) * 2007-08-15 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Method of wafer level transient sensing, threshold comparison and arc flag generation/deactivation
US8334700B2 (en) * 2008-02-14 2012-12-18 Mks Instruments, Inc. Arc detection
US8264237B2 (en) * 2008-02-14 2012-09-11 Mks Instruments, Inc. Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events
JP4426642B2 (ja) * 2008-02-18 2010-03-03 三井造船株式会社 原子層成長装置および原子層成長方法
US8022718B2 (en) * 2008-02-29 2011-09-20 Lam Research Corporation Method for inspecting electrostatic chucks with Kelvin probe analysis
US8158017B2 (en) * 2008-05-12 2012-04-17 Lam Research Corporation Detection of arcing events in wafer plasma processing through monitoring of trace gas concentrations
JP5012701B2 (ja) * 2008-07-02 2012-08-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法
WO2010005929A2 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Lam Research Corporation Passive capacitively-coupled electrostatic (cce) probe arrangement for detecting in-situ arcing events in a plasma processing chamber
WO2011002798A2 (en) * 2009-06-30 2011-01-06 Lam Research Corporation Automatic fault detection and classification in a plasma processing system and methods thereof
US8501631B2 (en) * 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
US8587321B2 (en) * 2010-09-24 2013-11-19 Applied Materials, Inc. System and method for current-based plasma excursion detection
US9508530B2 (en) 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US9263240B2 (en) * 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
WO2013078098A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-30 Lam Research Corporation Multi zone gas injection upper electrode system
US9197196B2 (en) 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
US9462672B2 (en) 2012-02-22 2016-10-04 Lam Research Corporation Adjustment of power and frequency based on three or more states
US9114666B2 (en) 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US10128090B2 (en) 2012-02-22 2018-11-13 Lam Research Corporation RF impedance model based fault detection
US9320126B2 (en) 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
US9842725B2 (en) 2013-01-31 2017-12-12 Lam Research Corporation Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US9673069B2 (en) 2012-07-20 2017-06-06 Applied Materials, Inc. High frequency filter for improved RF bias signal stability
US9594105B2 (en) 2014-01-10 2017-03-14 Lam Research Corporation Cable power loss determination for virtual metrology
US10950421B2 (en) 2014-04-21 2021-03-16 Lam Research Corporation Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system
US10522330B2 (en) 2015-06-12 2019-12-31 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. In-situ plasma cleaning of process chamber components
US20170092473A1 (en) * 2015-09-28 2017-03-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. In-situ plasma cleaning of process chamber electrostatic elements having varied geometries
JP6967944B2 (ja) * 2017-11-17 2021-11-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102352650B1 (ko) * 2019-11-26 2022-01-20 (주)제니스월드 무선충전 정전척 및 이를 이용한 기판 처리 시스템
US11521832B2 (en) * 2020-01-10 2022-12-06 COMET Technologies USA, Inc. Uniformity control for radio frequency plasma processing systems
KR102274530B1 (ko) * 2021-01-11 2021-07-07 티오에스주식회사 초고속 다채널 플라즈마 감지 장치
KR20230006725A (ko) * 2021-07-02 2023-01-11 삼성전자주식회사 반도체 공정 시스템 및 그 제어 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5241152A (en) * 1990-03-23 1993-08-31 Anderson Glen L Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus
DE4127504A1 (de) 1991-08-20 1993-02-25 Leybold Ag Einrichtung zur unterdrueckung von lichtboegen
DE4202425C2 (de) * 1992-01-29 1997-07-17 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
JPH07169702A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の温度検出装置
DE4441206C2 (de) * 1994-11-19 1996-09-26 Leybold Ag Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen
US5584972A (en) * 1995-02-01 1996-12-17 Sony Corporation Plasma noise and arcing suppressor apparatus and method for sputter deposition
JP3208044B2 (ja) * 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5993615A (en) * 1997-06-19 1999-11-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting arcs
US6356097B1 (en) * 1997-06-20 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage
CN1186476C (zh) * 1997-09-17 2005-01-26 东京电子株式会社 检测并防止射频等离子体系统中电弧放电的装置和方法
JP2000269108A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Sharp Corp 半導体製造装置の管理システム
US6318384B1 (en) * 1999-09-24 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101970166B (zh) * 2007-12-13 2013-05-08 朗姆研究公司 等离子体无约束传感器及其方法
TWI496513B (zh) * 2008-02-14 2015-08-11 Mks Instr Inc 電漿產生系統之電弧偵測裝置及其偵測方法
CN103098558A (zh) * 2010-09-23 2013-05-08 应用材料公司 用于检测基于电压的等离子体偏移的系统与方法
TWI452600B (zh) * 2010-09-23 2014-09-11 Applied Materials Inc 用於偵測基於電壓的電漿偏移之系統與方法
CN104730372A (zh) * 2013-12-13 2015-06-24 朗姆研究公司 基于rf阻抗模型的故障检测
CN104730372B (zh) * 2013-12-13 2018-08-10 朗姆研究公司 基于rf阻抗模型的故障检测
CN107799411A (zh) * 2016-09-06 2018-03-13 Spts科技有限公司 监测和控制晶片衬底形变的方法和系统
CN107799411B (zh) * 2016-09-06 2022-11-15 Spts科技有限公司 监测和控制晶片衬底形变的方法和系统
CN112567072A (zh) * 2018-08-07 2021-03-26 朗姆研究公司 用于预防或抑制发弧的化学气相沉积工具
CN109854483A (zh) * 2019-02-22 2019-06-07 深圳市圆梦精密技术研究院 真空装置及其排气方法
CN109854483B (zh) * 2019-02-22 2020-05-05 深圳市圆梦精密技术研究院 真空装置
CN114695044A (zh) * 2020-12-29 2022-07-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种基座组件以及等离子体处理设备

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