CN1662453A - 用于流体处理系统的射频识别系统 - Google Patents
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Abstract
公开了一种流体处理系统(10),包括控制流体处理系统(10)全部工作的控制单元(102)。镇流器电路(103)与电磁辐射发射装置(14)相耦合。在优选的流体处理系统(10)中,镇流器电路(103)与电磁辐射装置(14)感应耦合。感应耦合的镇流器电路(103)响应控制单元发出的预设电信号感应激励安装在电磁辐射发射装置(14)中的电磁辐射发射器件(60)。另外,流体处理系统(10)包括射频识别系统(124),监视用于流体处理系统(10)的电磁辐射发射装置(14)和过滤器装置(16)的不同功能和运行情况。
Description
本申请要求于2002年6月18日提交的美国专利申请序列号为No.10/175,095,名为“用于流体处理系统的射频识别系统”(RadioFrequency Identification System for a Fluid Treatment System)的权益。
技术领域
本发明一般涉及水处理系统,具体涉及用于水处理系统的射频识别系统。
背景技术
本发明解决了与先前家庭或办公室使用的水处理系统相关的多个难题。一个难题是,常规的水处理系统使用具有紫外线灯的照明装置,在能量使用上效率很低。紫外灯若未开启,就会导致微生物再生,所以照明装置一般是保持连续工作以防止水处理系统中的微生物再生。常规的照明装置开启时,需要一个相当长的开启时间来充分激发紫外灯内的气体,使其输出能够达到预定光强,该预定光强度确保能够适当破坏水处理系统中的微生物。在紫外灯充分激励之前,水处理系统中流出的水可能携带较高程度的活的微生物,其含量超出了我们所能接受的范围。连续工作的照明装置使用巨大的能量,十分消耗能源。而且,照明装置连续工作,例如通宵工作,会使水处理系统单元中残留的水变得过热。
另外一个难题是照明装置与水处理系统的电耦合。每次安装水处理系统中的照明装置时,照明装置与水处理系统都必须机械和电学耦合,而每次拆卸照明装置时,又必须解除耦合。这通常需要复杂和昂贵的安装装置。而且,必须万分小心以确保电源经过水处理系统时不弄湿电连接。
为减小水处理系统的尺寸,有时会使用同轴对准照明装置和过滤器装置。在特定的水处理系统中,照明装置和过滤器装置有的能同时从水系统中拆卸,有的不能。如果这些装置被同时拆卸,这些装置通常会装满水,加上自重,它们会很沉。或者,即使照明装置和过滤器装置分别从水处理系统中拆卸,此时常出现的问题是,在处理过程中水会从这些装置中的其中之一泄漏。
具有照明装置的水处理系统单元所面临的另一个难题是需要复杂的监视系统来监视照明装置。随着照明装置的老化,照明装置输出的光强通常会减弱。最终,光强将低于有效杀伤微生物所需的水平。在光强到达此临界最小强度之前,照明装置需要更换。因此,监视系统需要检查水处理系统中的光强。这些监视系统通常很昂贵。它们通常需要贵重的具有石英窗口的紫外线传感器。
普通的镇流器控制电路使用双极晶体管和饱和变压器来驱动灯。镇流器控制电路在一定频率振荡,该频率与材料磁性质及变压器的绕组布置有关。具有饱和变压振荡器的电路产生一种方波输出,需要半桥晶体管在负载下硬开关(hard-switch),还需要分立的电感来限制流经放电灯的电流。
具有照明装置和过滤器装置的现有水处理系统的上述和其它不足,都在本发明中得到解决。
发明内容
本发明公开了一种用于水处理系统(包括一个感应耦合镇流器电路)的电子控制系统。水处理系统在其他物质中过滤水,引导水流从水源流到过滤器装置。过滤器装置从水流中排除有害颗粒。经过过滤器装置后,水被引导到可置换的紫外照明装置。
水流经过紫外照明装置,经高强度的紫外光照射,水源中的有机物质被紫外照明装置破坏。在工作开始时,紫外照明装置就提供几乎同步的高强度紫外光,这就比需要预热时间的现有技术的水处理系统更具有优势。在开启紫外照明装置以后,水流通过出口装置从水处理系统流出。
水处理系统的全部工作由一控制单元控制,该控制单元与紫外照明装置及过滤器装置电连接。在优选的实施方案中,控制单元还与以下器件电连接:流量传感器,周围环境温度传感器电路,周围环境光传感器电路,紫外光传感器电路,功率探测电路,显示器,音频产生电路,记忆存贮器件,通讯端口以及射频识别系统。这些器件都被控制单元监视或控制,它们为水处理系统带来很多优点,这在下面将有阐述。
水处理系统进一步包括与控制单元电连接的记忆存储器件。该记忆存储器件用于存储与水处理系统及其相关部件有关的各项数据值。在本发明的优选实施方案中,记忆存储器件是一个EEPROM或其他等效存储器件。通讯端口与控制单元相连,它提供控制单元与外围设备(例如个人电脑或掌上监视器件)双向通信的能力。
射频识别系统包括安置在每个紫外照明装置中的紫外光应答器。另外,射频识别系统包括安置在过滤器设备中的过滤器应答器。紫外光应答器和过滤应答器使用射频与射频识别系统进行通信。每个应答器包括紫外照明装置和过滤器装置的特定信息。本领域技术人员应该知道接触式识别系统可以用来代替射频识别系统。
在本发明的优选实施例总,公开了具有射频识别系统的流体处理系统。该流体处理系统包括控制单元;与控制单元电学相连的基站;至少一个安置在电磁辐射发射器件装置中的射频识别应答器,该电磁辐射发射器件装置与基站进行无线电通信。在本发明的另一优选实施例中,电磁辐射发射装置被过滤器装置代替。
本发明公开的另一优选方法涉及流体处理系统中监视电磁辐射发射装置信息的方法。该方法包括以下步骤:提供流体处理系统所用的电磁辐射发射装置;使用安置在电磁辐射发射装置中的电磁辐射发射识别应答器产生电磁辐射发射装置信息信号;发送电磁辐射发射装置信息信号到安置在流体处理系统中的基站;将所述的电磁辐射发射装置信息信号送入控制单元。在另一优选实施例中,电磁辐射发射装置可以被过滤器装置代替。
结合附图以及下面的本发明现有优选实施例的详细描述,本发明的上述特征和其它特征与优点将显而易见。
附图说明
图1是水处理系统主机架的透视图,顶护罩被移开,过滤器装置和紫外照明装置也从基部单元移开。
图2A-C是水处理系统主要组件的分解图。
图3示出了水处理系统主要电路和装置的框图。
图4示出了感应耦合镇流器电路的框图。
图5是部分感应耦合镇流器电路、镇流器反馈电路和联锁电路的电路图。
图6示出了紫外照明装置的二次线圈、谐振照明电路和紫外灯。
图7是启动电路的电路图。
图8示出了用于水处理系统的射频识别系统的电路图。
图9是流量传感器电路的电路图。
图10是周围环境光传感器电路的电路图。
图11是紫外光传感器电路的电路图。
图12是周围环境温度传感器电路的电路图。
图13是音频产生电路的电路图。
图14是通讯端口的电路图。
具体实施方式
参照图1,本发明公开了一种用于水处理系统10的电子控制系统,该水处理系统通常使用碳基(carbon-based)过滤器和紫外光来净化水。为评估本发明,具有优选水处理系统10的机械方面的一般背景知识是很重要的。优选水处理系统10包括主机架12、可替换的紫外照明装置14和过滤器装置16。紫外照明装置14和过滤器装置16可以从主机架12上拆卸和替换。主机架12包括底护罩18,背护罩20,前护罩22,顶护罩24和内部套管护罩26。透镜28容纳有显示器106(见图3),通过显示器106可以显示水处理系统10状态的有关信息。为装配水处理系统10,先将紫外照明装置14牢固的安置在主机架12中,然后过滤器装置16安置在紫外照明装置14上和主机架12中。
本领域技术人员应该知道,可替换的紫外照明装置14也可以制造为不可替换的方式。另外,本领域技术人员应该知道可替换的紫外照明装置14可以和多种不同类型的电磁辐射发射装置互换。照这样,本发明不应理解为仅涵盖使用紫外照明装置的水处理系统,本领域技术人员应该知道公开的紫外照明装置14代表本发明的优选实施方案。
参照图2A-C,与本发明有关的水处理系统10的主要机械部件以透视图的形式示出。如图2A所述,内部套管护罩26包括多个内部套管盖30,一个入口筏装置32和一个具有出口杯36的出口杯装置34。底护罩装置38被进一步公开,其包括底护罩18,入口装置40和出口装置42。电子装置44牢固的装配在底护罩18中,这在下面将有详述。当水处理系统10装配完全时,这些部件被牢固的安装在底护罩18,背护罩20,前护罩22,顶护罩24,内部套管护罩26及透镜28中。在优选的实施例中,磁铁支架46和磁铁48也安装在顶护罩24中。
参照图2B,紫外照明装置14一般包括基部子组件50,二次线圈52,底部支撑子组件54,顶部支撑组件56,一对石英套管58,紫外灯60,O型环62和一对协同工作的外壳反射镜子组件64。一般而言,二次线圈52,底部支撑子组件54和外壳反射镜子组件64与基部子组件50相连。外壳反射镜子组件64中安置有石英管对58,紫外灯60和O型环62。当紫外照明装置14装配完全时,顶部支撑部件56牢固的安置在外壳反射镜装置64顶部的上方。
如图2C所述,过滤器装置16一般包括基部装置66,过滤块装置68,过滤器机架70和弹性塑料的过滤器机架夹72。一般而言,过滤块装置68安置在基部装置66的上方,而基部装置66,反过来被过滤器机架70包围。过滤器机架夹72安装在过滤器机架70顶部的上方,进而为拆卸过滤器机架70提供了好的夹具。过滤器装置16引导水流在到达紫外照明装置14之前经过过滤块装置68进行过滤。
参照图3,本发明公开了用于上述水处理系统10的电子控制系统100。在优选实施例中,水处理系统10由控制单元102控制,该控制单元最好是微处理器。如图所述,控制单元102通过感应耦合镇流器电路103与紫外照明装置14电连接。如在下面详细说明的,该控制单元102还通过双向无线通信与紫外照明装置14电连接。工作时,控制单元102能够产生输入到感应耦合镇流器电路的预设电信号,立即激励照明装置14,进而,获得处理水流的高强度紫外光。
在优选的实施例中,控制单元102还与以下部件相连:流量传感器电路104,显示器106,周围环境光传感器电路108,可见光传感器电路110,功率监测电路112,周围环境温度传感器电路114,音频产生电路116,记忆存储器器件118,通讯端口120,镇流器反馈电路122以及射频识别系统124。图3还进一步示出,紫外光射频识别应答器126与紫外照明装置14相连,过滤器射频识别应答器128与过滤器装置16相连。紫外线射频识别应答器126和过滤器射频识别应答器128使用双向无线通讯与射频识别系统124进行通信,这在后面将有较详细的阐述。
一般而言,控制单元102利用流量传感器电路104来判断水或流体何时流动并且跟踪水处理系统10处理的水或流体的体积。显示器106由控制单元102驱动,用来显示水处理系统10的状态信息。本领域现有已知的多种类型的显示器都可以应用于本发明;优选的显示器是真空荧光显示器。周围环境光传感器电路108测量周围环境光大小,进而,为控制单元102提供电信号使其能相应调整显示器106的强度。
可见光传感器电路110为控制单元102提供与紫外照明装置14发射光强有关的电信号。这尤为重要,因为控制单元102根据这些信号增加或减弱紫外照明装置14发射的电磁辐射。本领域技术人员应该知道本发明中可见光传感器电路110可以与多种电磁辐射传感器电路(这些电磁辐射传感器电路能够感应不同电磁辐射发射器件发出的电磁辐射的强度)互换。
功率监测电路112为控制单元102提供表明水处理系统10有无功率的电信号。功率由外部电源(例如一个普通的功率输出口)提供到水处理系统10。本领域技术人员应该知道存在多种这样的电路,能够监视外部电源并且提供响应于功率损失的电信号。
周围环境温度传感器电路114测量大气的周围环境温度,这样水处理系统10可以维持在凝固温度或一些其它预设温度以上。如有需要,控制单元102激励紫外灯60产生热量。控制单元102利用音频产生电路116产生音频发音。音频发音一般在水处理系统10处于预设系统状态时发生。控制单元102识别这些预设系统状态,激活音频产生电路116产生音频发音。
如前所述,记忆存储器器件118还与控制单元102电连接。记忆存储器器件118用于存储与水处理系统10及其相关部件相关的各种数据值。本发明的优选实施例中,记忆存储器器件118为EEPROM或其他等效存储器器件。本领域技术人员应该知道本发明可以使用多种记忆存储器器件。
通讯端口120还与控制单元102电连接,它为水处理系统10提供控制单元102与外围设备(例如个人电脑或掌上监视器件)之间的双向通讯能力。本发明的优选实施例中,通讯端口120使用RS-232通讯平台与外围设备进行通信。在其他的优选实施例中,通信端口120也可与紫外照明装置14和过滤器装置16相连以监视和控制这些器件的各种工作特性。本发明的优选实施例中,使用射频识别系统124来向控制单元102报告紫外照明装置14及过滤器装置16的有关信息。
图3描述的优选方案中,射频识别系统124利用从紫外灯射频识别应答器126和过滤器射频识别应答器128发出的信号来向控制单元102报告各种信息。工作时,紫外灯射频识别应答器126和过滤器射频识别应答器128使用无线电通讯与射频识别系统124进行通信。因为紫外照明装置14和过滤器装置16在使用寿命内设计为可替换的,那么每个紫外照明装置14和过滤器装置16都包括应答器126,128(存储有每个器件的特殊信息)。本领域技术人员应该知道紫外灯射频应答器可以和其它电磁辐射发射器件或装置结合使用。射频识别系统124在下面将有详述。
参照图4,本发明的优选实施例中,紫外照明装置14被感应耦合镇流器电路103激励,该感应耦合镇流器电路103与控制单元102电连接。感应耦合镇流器电路103是一个自振荡、半桥式开关设计,高频工作时,提供即时紫外灯照射。另外,一旦到达共振条件,感应耦合镇流器电路103自振荡,它使用MOSFET晶体管作为开关元件,并且被设计成容纳空气心变压器的耦合排列,简化了紫外照明装置14的设计。因为感应耦合镇流器电路103的空气心变压器的耦合排列,紫外照明装置14或其它电磁辐射发射装置可很容易地被替换。本领域技术人员应该知道感应耦合镇流器电路103还可以用作普通的镇流器电路。
如图4所述,感应耦合镇流器电路103包括控制电路142,振荡器144,驱动器146,半桥式开关电路148,串联谐振储能电路150,二次线圈52(见图2),谐振照明电路152和紫外灯60。振荡器144与控制单元102电连接,控制单元102通过为控制电路142提供电信号而激励振荡器144。工作时,振荡器144为驱动器146提供电信号,进而为半桥式开关电路148供电。半桥式开关电路148激励串联共振储能电路150,进而感应激励紫外照明装置14中的紫外灯60。
图4还进一步示出,紫外照明装置14容纳有二次线圈52,共振照明电路152以及紫外灯60,同时电子装置44(见图2A)容纳有控制电路142,振荡器144,驱动器146,半桥式开关电路148及串联共振储能电路150。如前所述,一旦串联共振储能电路150被激励,紫外照明装置14中的二次线圈52将被感应激励。在优选实施例中,镇流器电路103的共振频率为100KHz左右。因此,紫外照明装置14中的二次线圈52在100KHz左右共振。如前所述,为方便部件选择,工作的振荡频率可以通过控制单元102调高或调低。另外,共振频率同样可以通过选择串联共振储能电路150的元件加以控制,这在下面将有详述。
参照图5,控制电路142与控制单元102及振荡器144电连接。控制电路142包括多个电阻器156,158,160,162,164,166,多个电容器168,170,172,一个二极管174,第一运算放大器176和第二运算放大器178。如图所示,电阻器156与第一直流(DC)电源180、控制单元102的输出以及电阻器158相连。电阻器158进一步与二极管174、电阻器160及电容器168相连。第一DC电源180与电容器168相连,该电容器168还和二极管174相连。本领域的技术人员应该知道,二极管174进一步与接地端182相连。电阻器160和运算放大器176的负输入端以及运算放大器178的正输入端相连,完成了从控制单元102到运算放大器176、178的电流通路。
再次参照图5示出的控制电路142,电阻器162与第二直流(DC)电源184相连,并与电阻器164、166串联。电阻器166与接地端182以及电容器170相连,该电容器170又与第一直流电源180以及电阻器164相连。运算放大器176的正输入端连在电阻器162和164之间,当工作时,电阻器162和164为运算放大器176提供直流参考电压。运算放大器178的负输入端连在电阻器164和166之间,工作时它们为运算放大器178提供直流参考电压。运算放大器176和178的输出与振荡器144相连,如下详述。
工作时,控制电路142接收控制单元102的电信号,作为窗口比较器,仅当控制单元102产生的输入电压在一定的电压窗口内时该窗口比较器才接通。控制单元102提供的优选信号是具有一定占空比的交流信号,通过感应耦合镇流器电路103的其他部件,控制单元102能够开启或关闭紫外灯60,这在下面将有详述。控制电路142还可防止误触发,如果控制单元102出错,仍能获得正确的控制。
如图5所述,第一直流电源180和第二直流电源184为图5所示的电路供电。本领域电子技术人员应该知道现有技术中直流电源电路广为人知,这一点超出了本发明涉及的范围。对于本发明,重要的是注意这种电路存在,并能从给定交流或直流电源产生各种直流电压值。本发明的优选实施例中,如图所示,使用+14V和+19V的直流信号。本领域的技术人员应该知道图5公开的电路可以设计为工作在不同的直流电平下,并且这些值不应解释为是对本发明的局限。
如图5所示的优选实施例中,控制电路142的输出与联锁电路190相连以防止紫外灯60在水处理系统10没有被正确安装的情况下被激励。联锁电路190包括磁联锁传感器192,多个电阻器193,194,196,198,200,202,204,晶体管206以及二极管208。参照图1,本发明的优选实施例中,安装磁联锁传感器192,使得在顶护罩24没有正确安放在内套管护罩26上方时,水处理系统10将不会激励紫外灯60。然而,本领域技术人员应该知道磁联锁传感器192也可以安放在水处理系统10的其他方便的位置。
参照图5,如上所述,如果磁联锁传感器192探测到水处理系统10没有被正确安装,则磁联锁电路190工作,通过晶体管206使控制电路142的输出到接地端182。本领域技术人员应该知道,如果水处理系统10没有装配合适,磁联锁传感器192的输出会使电流经过电阻器194,196以及198以激励晶体管206的栅极,因而将控制电路142的输出信号与接地端182短路。磁联锁传感器192通过电阻器193由第二直流电源184供电,并与接地端182相连。另外,磁联锁传感器192发送一个信号到控制单元102,途经电阻器200,202,204,二极管208,第一直流电源180和第二直流电源184的组合。该信号允许控制单元102判断水处理系统10何时未被正确安装。最后,如果水处理系统10未被正确安装,联锁电路190提供两种方法确保紫外灯60不被激励。
再次参照图5,水处理系统10处理水流时,振荡器144提供激励驱动器146的电信号。如上所述,一旦控制单元102通过控制电路142传输电信号,振荡器144立即开始工作。优选的振荡器144包括运算放大器210,线性偏置电阻器212,缓冲电路214,缓冲反馈保护电路216以及正反馈电路218。工作时,运算放大器210接收来自控制电路142、线性偏置电阻器212和正反馈电路218的输入信号。运算放大器210还与第二直流电源184以及接地端182连接,它们为运算放大器210供电。
如图5所述,优选的缓冲电路214包括第一晶体管220,第二晶体管222和一对电阻器224,226。运算放大器210的输出与晶体管220,222的栅极相连,进而控制晶体管220,222的工作。第二直流电源184与电阻器224相连,该电阻器224还与晶体管220的集电极相连。晶体管220的发射极与电阻器226,晶体管222的发射极以及驱动器146的输入相连。晶体管222的集电极与接地端182相连。工作时,缓冲电路214缓冲运算放大器210的输出信号,防止拉动振荡频率而引起负载变化。另外,缓冲电路214增加了感应耦合镇流器电路103的有效增益,这有助于振荡器144的快速启动。
缓冲反馈保护电路216包括一对二极管228,230,它们通过电阻器226与缓冲电路214的输出电连接。如图5所示,第二直流电源184与二极管228的阴极相连。二极管228的阳极和二极管220的阴极与电阻器226及线性偏置电阻器212相连。线性偏置电阻器212为运算放大器210的负输入端提供偏置反馈信号。另外二极管230的阳极和接地端182相连,完成了缓冲反馈保护电路216。当水处理系统10工作时,缓冲反馈电路216通过漏极到栅极的密勒(Miller)效应反馈来保护缓冲电路214。
如图5所示,正反馈电路218包括第一多绕组变压器232,多个电阻器234,236,238,一对二极管240,242和电容器244。如图5,变压器232的次级与半桥式开关电路148的输出以及串联共振储能电路150的输入电连接。另外,每个多绕组变压器232的二次线圈的一个绕组与变压器232相对的二次线圈的另一个绕组相连。
变压器232的第一初级线圈与电阻器234,236,238,二极管240,242以及运算放大器210的正输入端相连。变压器232的第二初级线圈与电阻器238,二极管242的阴极,二极管240的阳极以及电容器244相连。如图5所示,电阻器238,二极管242,244与变压器232的第一和第二初级线圈并联。电容器244还与运算放大器210的负输入端相连。另外,电阻器234与第二直流电源184相连,电阻器236与接地端182相连。电阻器234,236和238防止运算放大器210电流过载,二极管240,242钳制送往运算放大器210输入端的反馈信号。
工作时,振荡器144从给电容器244充电的控制电路142接收信号,并向运算放大器210的负输入端发送一个电信号。运算放大器210的输出端直接电连接到驱动器146,该驱动器为半桥开关电路148供电。如图5所示,变压器232与此电流通路相连,并且通过限流电阻器234,236,238传送反馈的电信号,最终将电信号传送到运算放大器210的输入端。变压器232允许振荡器144自振荡,感应耦合镇流器电路103将保持振荡,直到控制单元102关闭水处理系统10或者联锁电路190中的晶体管206拉低振荡器144的输入。
再次参照图5,在优选实施例中,振荡器144的输出与驱动器146电连接,该驱动器包括第二多绕组变压器246的第一初级线圈。第二变压器246是驱动器146的优选实施方案,因为变压器246的相位排列保证了半桥式开关电路148被交替的驱动,这避免了击穿传导。电容器248,250与变压器246的第二初级线圈电连接,因而防止了变压器246中的直流电流溢出。电容器246还与接地端182相连,电容器250还与第二直流电源184相连。
变压器246的两个二次线圈都与半桥式开关电路148电连接,工作时,半桥式开关电路148从变压器246接收能量。图5中示出的半桥式开关电路148被电学地布置成MOSFET图腾柱半桥式开关电路252,该半桥式开关电路252由变压器246的两个二次线圈驱动。MOSFET图腾柱半桥式开关电路252包括第一MOSFET晶体管254,第二MOSFET晶体管256,它们与普通的双极晶体管开关电路相比具有明显的优势。能量从驱动器146传输到MOSFET晶体管254,256,途经多个电阻器258,260,262,264。MOSFET晶体管254,256设计成在零电流处的软开关,工作时只有传导损耗。MOSFET晶体管254,256产生的输出大多数是正弦波形式,比普通的双极晶体管具有更少的谐波。使用MOSFET晶体管254,256还具有减少射频干扰的优点,工作时该干扰由MOSFET晶体管254,256开关操作产生。
在图5所示的优选的半桥式开关电路148中,变压器246的第一二次线圈与电阻器258以及电阻器260相连。变压器246的第二二次线圈与电阻器262以及变阻器264相连。电阻器260与MOSFET晶体管254的栅极相连,电阻器264与MOSFET晶体管256的栅极相连。如图所述,变压器246的第一二次线圈及电阻器258与MOSFET晶体管254的发射极相连。变压器246的第二二次线圈以及电阻器264与MOSFET晶体管256的栅极相连。MOSFET晶体管254的集电极与第二直流电源184相连,MOSFET晶体管254的发射极与MOSFET晶体管256的集电极相连。MOSFET晶体管256的发射极及电阻器262与接地端182相连。
驱动器146的进一步优势在于,多绕组变压器246便于为MOSFET晶体管254,256提供超过第二直流电源184的栅极驱动电压,而这是有效工作的一个必要条件。MOSFET晶体管254,256的进一步优势在于,它们具有二极管的特性,从而保护MOSFET图腾柱半桥式开关电路252不受负载瞬变的影响。另外,由于负载改变,串联共振储能电路150反射的过电压通过MOSFET晶体管254,256的内在二极管返回到电源总线。
参照图5,半桥式开关电路148的输出与串联共振储能电路150的输入连接,进而给紫外照明装置14的二次线圈52以激励。如上所述,本发明的优选实施例中,振荡器144的正反馈电路218与半桥式开关电路148的输出以及串联共振储能电路150的输入相连,工作时为振荡器144的运算放大器210提供反馈。然而,如图5所示,半桥式开关电路148的输出通过变压器232的二次线圈与串联共振储能电路150的输入相连。
参照图5,串联共振储能电路150包括一个电感耦合器270,一对槽路电容器271,272的并联组合,一对二极管274,276和一个电容器278。电感耦合器270与变压器232的二次线圈相连,并在槽路电容器271,272之间。槽路电容器271还与第二直流电源184相连,槽路电容器272与接地端182相连。另外,槽路电容器271及第二直流电源184与二极管274的阳极相连。二极管274的阴极及电容器278与第二直流电源184相连。电容器278与二极管276的阳极以及接地端182相连。槽路电容器272还与二极管276的阴极相连。
值得注意的是,串联共振储能电路150可以见到所有的感应耦合镇流器电路103中元件组合的杂散电感。这一点是重要的,这是因为杂散电感是串联共振储能电路150见到的组合电感,该杂散电感将在任何共振以外的条件下限制功率向负载的动态传输。二次线圈52和共振照明电路152的电感还是反射阻抗值,该阻抗值可帮助判断和限制传送到紫外照明装置的二次线圈52的功率。一般来说,由于杂散和反射电感的存在,强力振荡器/变压器组合受到功率传输限制。换句话说,变压器的电感和电容器可看作与负载串联。
串联共振储能电路150的工作频率设置在100KHz附近,这由电感耦合器270的电感以及平行的槽路电容器271,272的电容值决定,在优选实施例中,槽路电容器为0.1uF。槽路电容器271,272必须具有低的损耗因子,并在启动时能够处理大约为14安培的大电流。该共振频率可以根据选择元件的方便而调高或调低。
电感耦合器270包括10圈线圈,用以产生感应激励紫外照明装置14中二次线圈52所需的功率。电感耦合器270放置在水处理系统10的出口杯36(见图2A)中,线圈缠绕在出口杯36附近,直径大约为3.5英寸。在优选实施例中,利兹线(litz wire)为电感耦合器270所用,这是因为工作在100KHz条件下产生的大电流而引起的边缘效应,使得利兹线性能好、操作温度优越。如上所述,工作时,电感耦合器270感应激励紫外照明装置单元14的二次线圈52。
参照图2A,装配水处理系统10时,紫外照明装置单元14的二次线圈52放置在出口杯36和内部套管护罩26中。优选实施例中,二次线圈52有55圈小直径的螺旋线,其直径大约为2英寸。值得注意的是,出口杯36和容纳二次线圈的基部子组件50之间的耦合被设计成对于缝隙和未对准来讲是可以接受的。实际上,缝隙用来调整耦合效率,进而调整紫外灯60的工作点。另外,因为感应耦合镇流器电路103的存在,本发明通过提供不需要与紫外照明装置14特殊接触的耦合,因此具有另外的优点。
对于本领域技术人员显而易见的是,上述感应耦合镇流器电路103可以容易和其他照明系统结合,因为它在不需要物理连接的情况下来驱动灯,因而比现有的镇流器电路更具有优势。这就使得一旦紫外灯154到达其工作寿命,紫外照明装置14可被容易替换。感应耦合镇流器电路103能够立即激励多种不同类型的照明器或灯泡。
再次参照图5,镇流器反馈电路122与串联共振储能电路150的电感耦合器270以及控制单元102电连接。感应耦合镇流器电路103驱动紫外灯60时,镇流器反馈电路122为控制单元102提供反馈。使得控制单元102监视电感耦合器270提供给紫外照明装置14的二次线圈52的能量。这使得控制单元102有能力判断紫外灯60是开启还是关闭,而且,在其他的实施例中,它还决定施加到紫外灯60的电流和电压的大小。
如图5所示,镇流器反馈电路122包括运算放大器280,一对电阻器282,284,一对二极管286,288以及一个电容器290。串联共振储能电路150传出的信号输入到二极管286的阳极。二极管286的阴极与电容器290及电阻器282相连。另外,电阻器282与二极管288的阳极,电阻器284以及运算放大器280的正输入端相连。电阻器284还与运算放大器280的正输入端以及第一直流电源180相连。电容器290还与第一直流电源180相连,二极管288的阴极与第二直流电源184相连。运算放大器280的负输入端直接与运算放大器280的输出相连。运算放大器280的输出与控制单元102相连,从而为控制单元102提供来自运算放大器280的反馈信号。
参照图6,紫外照明装置14包括紫外灯60,共振照明电路152和二次线圈52。紫外灯60包括一对灯泡300,302和一对灯丝304,306。使用上连接支架308和下连接支架310将灯泡300,302保持在一起。二次线圈52与共振照明电路152相连,并依次与紫外灯60的灯丝304,306相连。共振照明电路152包括电容器312,它与启动电路314电连接。
尽管如前所述,在本发明的优选实施例中解释了紫外照明装置14,但本领域的技术人员应该知道其它电磁辐射发射装置也可用于本发明。例如,紫外照明装置14可以使用脉冲白光灯或电介质阻挡层放电灯来使得水流中的微生物失去活性。本领域的技术人员应该知道感应耦合镇流器电路103可以用来驱动不同类型的可用于本发明的电磁辐射发射器件。因此,本发明不应解释为仅仅含盖了使用紫外照明装置14(包括紫外灯300)的水处理系统。
如图7所示,启动电路314包括桥式整流器电路320,硅可控整流器322,二极管324,326,328,330的串联排列,三端双向可控硅开关元件332,多个晶体管334,336,多个电阻器338,340,342,344,346和多个电容器348,350。本领域技术人员应该知道,三端双向可控硅开关元件332可以是其它等效器件,例如FET晶体管或硅可控整流器。另外,本领域技术人员应该知道,桥式整流器电路320包括多个二极管352,354,356,358,它们与紫外灯60的灯丝304,306相连。
参照图7,桥式整流器电路320与硅可控整流器322,电阻器338以及接地端182相连。硅可控整流器322还与串联排列的二极管324,326,328,330以及三端双向可控硅开关元件332相连,此二极管串联组合以及三端双向可控硅开关元件都与接地端182相连。电阻器338与三端双向可控硅开关元件332,电阻器340,电阻器342相连。电阻器340与晶体管334的集电极,晶体管336的栅极,电容器348以及电阻器344相连。电容器348及电阻器344还进一步与接地端182相连。电阻器342与晶体管336的发射极以及与接地端182相连的电容器350相连。三端双向可控硅开关元件332与晶体管334的发射极相连,晶体管334的栅极与晶体管336的集电极以及电阻器346相连。电阻器346与接地端182相连从而完成启动电路314。
再参照图6,工作时,通过串联共振储能电路150的电感耦合器270(见图5)改变紫外灯60的反射阻抗,电容器312改变和限制二次线圈52提供到紫外灯60的电流。设计启动电路314,使其在启动时短路灯丝304,306,因而可以最大程度的预热灯泡300,302。这使得紫外灯60触发灯泡300,302的汞最大程度的分散,进而获得最大的紫外光强,在水经过紫外照明装置14时给与水以最大剂量的照射。换句话说,设计启动电路314使紫外灯60在最大光强即时开启。灯泡300,302中汞的放置对最大输出至关重要。当汞凝结在等离子通道内时,汞在灯泡300,302内分配地更均匀。快速分散还能较快到达峰值强度,进而能够在启动时给水流快速高剂量的紫外光照射。
参照图2B,O型环62作为热沉,有目的的放置在流经石英管对58的水路径与紫外灯60的等离子路径之间,使得汞在等离子通道凝结,以改善瞬态紫外光输出。当紫外灯60被激励时,全电路电压降都加在电容器312,灯丝304,306和启动电压314上。因为灯丝304,306和启动电路314(启动时相当于短路)的阻抗低,所以能获得很大的电流,该电流相对于紫外灯60的最大程度预热来讲是高的。这使得启动时紫外灯60预热,散布初始的汞气。当启动电路314加热,启动电路314RC时间常数释放短路器件,在优选实施例中为三端双向可控硅开关元件332,进而为灯丝304,306提供全部电压。启动电路314比热敏电阻器具有更好的启动效果,因为在开启后热敏电阻器消耗更多的能量并且不能快速开启。
参照图8,优选的射频识别系统124与控制单元102电连接。射频识别系统124通过基站与紫外光射频识别应答器126以及过滤器射频应答器128进行通信。射频识别系统124允许非接触式读写数据,该数据在基站360与应答器126,128之间双向传输。在优选实施例中,射频识别系统124由TEMIC半导体制造,型号为TR5551A-PP。
控制单元102使用射频识别系统124来跟踪每个紫外照明装置14以及过滤器装置16的特殊信息。如前所述,紫外照明装置14和过滤器装置16都设计为可容易替换的。因为紫外光射频识别应答器126和过滤器射频识别应答器128安置在紫外照明装置14或过滤器装置16中,这些器件从不分离,这就允许控制单元102通过基站360从/向应答器126、128中读取/写入信息。
再次参照图8,紫外光射频识别应答器126包括应答器天线362和读/写IDIC(e5551)芯片364。读/写IDIC(e5551)芯片进一步包括一个EEPROM器件366,它在存储单元物理存储每个独立紫外照明装置14相关的信息。本优选实施例中,该信息包括紫外灯序列号,紫外灯启动限制,紫外灯接通时间限制,紫外灯安装时间限制,紫外灯循环接通时间,循环模式低温,最小紫外灯接通时间,紫外灯高模式时间和紫外灯预热时间。另外,紫外灯射频识别应答器126中的EEPROM器件366还允许控制单元102跟踪紫外灯安装时间,紫外灯供电时间,紫外灯启动和总紫外灯冷启动。
紫外灯序列号是每个紫外照明装置14所特有的,它允许水处理系统10的控制单元102跟踪已经安装在水处理系统10中的紫外照明装置14。紫外灯启动限制与紫外灯启动的最大允许次数有关,紫外灯接通时间限制与紫外灯60的最大允许安装时间有关。紫外灯安装时间限制与紫外照明装置14的最大允许安装时间相关,紫外灯循环接通时间与低温模式下激励紫外灯60所需的最小时间有关。循环模式低温信息与水处理系统10切换到低温模式的温度值有关,最小紫外灯接通时间与紫外灯60必须保持激励的最小时间有关。紫外灯高模式时间信息与紫外灯60工作在高模式时的时间有关,紫外灯预热时间与预热紫外灯60所需的时间有关。
如上所述,紫外光射频识别应答器126中的EEPROM器件366还能跟踪紫外灯安装时间。该信息跟踪当前的紫外灯60插入水处理系统10的小时数。优选实施例中,对于紫外灯60被插入到水处理系统10的每一分钟,都在总量上加一分钟。EEPROM器件366还跟踪紫外灯供电时间和总的紫外灯供电时间。紫外灯供电时间和总的紫外灯供电时间跟踪紫外灯60的总的接通时间,使得控制单元102能够确定是否需要安装新的紫外照明装置14。紫外灯启动存储单元来存储紫外灯60被启动的次数,使得控制单元102能够运用该信息判断紫外灯60的寿命。当周围环境温度传感器114显示温度低于预定阈值时,总紫外灯冷启动存储单元跟踪紫外灯60的启动次数。
再次参照图8,过滤器射频识别应答器128包括应答器天线368和读/写IDIC(e5551)芯片370。读/写IDIC(e5551)芯片370进一步包括EEPROM器件372,它在存储单元物理存储每个独立过滤器装置16的相关信息。本优选实施例中,相关信息包括过滤器装置序列号,过滤器装置容量限制,过滤器装置安装时间限制,以及阻塞过滤器装置的阈值百分比。
过滤器装置序列号用来区别每一个不同的过滤器装置16,使得控制单元102能够监视哪个过滤器装置16已经被安装在水处理系统10中。过滤器装置容量限制与过滤器装置的水体积有关,设计过滤器装置使其在到达它的使用寿命之前进行过滤。基于预先设定的不动时间,过滤器装置安装时间限制被控制单元102用来计算过滤器装置16的剩余寿命。阻塞过滤器装置阈值百分比包括需要替换过滤器装置16前允许水流减少的最大百分比。在控制单元102引发阻塞过滤器装置16误差之前,这维持了过滤器装置16的退化百分比。
射频识别系统124包括基站360,线圈380,多个二极管382,384,386,388,390,392,394,多个电阻器396,398,400,402,404,406,408,410,412,414,416,418,420以及多个电容器422,424,426,428,430,432,434,436,它们如图8所示进行电连接。本领域技术人员应该知道上述元件的连接方式在本领域众所周知。射频识别系统124被安置在水处理系统10中,该水处理系统10使用上述TEMIC半导体制造的TK5551A-PP的技术要求。对于本发明的目的,重要的是注意,基站360使用线圈380与紫外光射频识别应答器126和过滤器射频识别应答器128进行双向通讯。
控制单元102与基站360电连接,所以控制单元102可与基站360进行通信。使用线圈380,控制单元102能够通过基站360从/向紫外灯射频识别应答器126和过滤器射频识别应答器128读/写信息。如图8所示,射频识别系统124与第一直流电源180和第二直流电源184相连,工作时,这两个电源为射频识别系统124供电。
在优选实施例中,在水处理系统10的显示器106上显示与紫外照明装置14和过滤器装置16相关的一个寿命信息。这使得水处理系统10的使用者可以看见紫外照明装置14和过滤器装置16的状态。射频识别系统124的一个主要用途是在未来紫外照明装置14和过滤器装置16的设计改变时提供和保持产品的兼容性。
射频识别系统124使得控制单元102知道怎样与紫外照明装置14以及过滤器装置16进行对接。控制单元102不仅监视紫外照明装置和过滤器装置16的寿命,还使用可替换的紫外照明装置14和过滤器装置16中的数据来计算该数据。射频识别系统124还输入附加的信息,该附加的信息允许控制单元102调整未来系统可能改变的特殊参数。当水处理系统10为紫外照明装置14提供预热时间,为UV传感器提供阈值和阻塞过滤器装置16的容量时,射频识别系统124允许控制单元102输入这些参数的最新变化并正确执行。
控制单元102输入来自紫外照明装置14和过滤器装置16的数据并存储该数据,直到水处理系统10的下一次替换。输入的数据是不同类型的各灯所专有的。具有阻塞数据的过滤器装置16允许控制单元102输入该数据并且知晓过滤器装置16何时开始阻塞。水处理系统10中的过滤器压力和阻塞控制也是专用的。
控制单元102还给可置换的紫外照明装置14和过滤器装置16传输用户数据,为用户惯用器件提供信息。控制单元102能够在各自的紫外照明装置14和过滤器装置16中储存用户惯用信息,便于收集以后的数据。射频识别系统124还可为紫外照明装置14和过滤器装置16传送口令信息以及唤醒序列而独立激活每个单元。
本领域技术人员应该知道其它识别系统也可用于本发明,例如接触式识别系统。本发明的现有优选实施例使用射频识别系统124,这是因为该系统具有其特有的优点。
参照图9,流量传感器电路104与控制单元102相连,为控制单元102提供电信号,显示水正流经水处理系统10。流量传感器电路104包括流量传感器440,多个电容器442,444及电阻器446。流量传感器由Allegro制造,型号为3134。电容器442与流量传感器440,第一直流电源180及第二直流电源184相连。流量传感器440的输出在与控制单元102连接之前,与并列组合的电阻器446及电容器444相连。电阻器446及电容器444还与第二直流电源184相连。工作时,流量传感器440为控制单元102发送水处理系统10中水正在流动的电信号,使得控制单元102立即激励紫外灯60。本领域技术人员应该知道此处公开的流量传感器电路104存在多种类型,并且此处公开的流量传感器电路104仅仅是用于实例的目的,不应解释为是对本发明的限制。
参照图10,周围环境光传感器电路108包括光敏二极管450,运算放大器452,多个电阻器454,456,458,460,二极管462以及电容器464,它们的连接方式如图10所示。对于本发明的目的,值得注意的是,光敏二极管450为运算放大器452的负输入端提供电信号,进而限制了控制单元102的信号。周围环境光传感器电路108由第一直流电源180和第二直流电源184供电(如图10)。本领域技术人员应该知道周围环境光传感器108的设计存在多种形式,并且本发明的优选实施例不应解释为是对本发明的限制。
参照图11,如前所述,可见光传感器电路110与控制单元102相连,工作时为控制单元102提供紫外灯60强度有关的电信号。在优选实施例中,可见光传感器电路110包括光敏电阻器470,运算放大器472,二极管474,多个电阻器476,478,480,482,484,486和电容器488,它们的连接方式见图11。另外,可见光传感器电路110由第一直流电源180和第二直流电源184供电。本领域技术人员应该知道可见光传感器电路110获取光敏电阻器470产生的电信号,并在传输给控制单元102之前通过运算放大器472将它放大。另外,本领域技术人员应该知道,可以改变可见光传感器电路110的设计,公开的紫外光传感器电路110仅是用于实例目的,不应解释为是对本发明的限制。
参照图12,如前所述,优选的周围环境温度传感器电路114与控制单元102相连,为控制单元102提供随周围环境温度改变而改变的电信号。周围环境温度传感器电路114包括热敏电阻器490,运算放大器492,多个电阻器494,496,498和电容器500,它们的连接方式见图12。工作时,热敏电阻器490的电压降随周围环境温度的改变而改变,使得由运算放大器492的输出传输到控制单元102的电信号增大或减小。本领域技术人员应该知道可以改变周围环境温度传感器电路114的设计。图12阐述的优选的周围环境温度传感器电路114仅用于实例目的,不应解释为是对本发明的限制。
参照图13,如前所述,优选的音频产生电路116与控制单元102相连,用于产生响应预设系统状态的音频发音。优选的音频产生电路116包括压电元件510,多个晶体管512,514,516,多个电阻器518,520,522,524,526,528,530,532,534,多个电容器536,538及二极管540,它们的连接方式见图13。对于本领域技术人员显而易见的是,控制单元102能够给压电元件510供电,使压电元件510振动产生听得到的音调。本领域技术人员应该知道存在能够产生听得到的音调的多种器件和电路。现公开的音频产生电路116仅用于实例目的,不应解释为是对本发明的限制。
参照图14,如前所述,通讯端口120与控制单元102相连。控制单元102通过通讯端口120与外围设备(未画出)如个人电脑或掌上器件进行双向通信。在优选实施例中,通讯端口120包括多个齐纳二极管550,552,554和多个电阻器556,558,560,562,566,568,570,它们的连接方式如图14所示。第一直流电源180和第二直流电源184为通讯端口120供电。通讯端口120的设计使用RS-232通讯标准,这在本领域众所周知。端口连接器572的提供使得外围设备能与通讯端口120相连。本领域技术人员应该知道可以使用不同类型的通讯端口,而这超出了本发明的范畴。最后,此处公开的优选的通讯端口120仅用于实例目的,不应解释为是对本发明的限制。
虽然对本发明以它目前最熟知的操作和实施方式进行了叙述,但对于本领域技术人员来说本发明的其它模式或实施方式是显而易见并且是可以考虑的。另外,尽管本发明的优选实施例是针对于水处理系统10,但本领域技术人员应该知道本发明可以包括其它多种类型的流体处理系统。
Claims (48)
1.一种具有射频识别系统的流体处理系统,包括:
安置在流体处理系统机架中的控制单元;
安置在所述流体处理系统机架内的可替换的电磁辐射发射装置;
安置在所述流体处理系统机架内的基站,该基站与一个线圈以及所述控制单元电连接,其中所述线圈能够传送和接收无线电信号以响应来自所述基站的预设控制信号;和
安置在所述电磁辐射发射装置中的射频识别应答器,该电磁辐射发射装置与所述基站进行无线电通信。
2.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器包括应答器天线和读/写芯片。
3.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件序列号,以供所述控制单元之用。
4.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件启动限制,以供所述控制单元之用。
5.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件接通时间限制,以供所述控制单元之用。
6.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件安装时间限制,以供所述控制单元之用。
7.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件循环接通时间,以供所述控制单元之用。
8.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送循环模式低温,以供所述控制单元之用。
9.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送最小电磁辐射发射器件接通时间,以供所述控制单元之用。
10.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件高模式时间,以供所述控制单元之用。
11.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器能够向所述基站发送电磁辐射发射器件预热时间,以供所述控制单元之用。
12.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射器件安装时间。
13.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射器件供电时间。
14.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射器件启动。
15.根据权利要求1所述的流体处理系统,其中所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射器件冷启动。
16.一种具有射频识别系统的流体处理系统,包括:
安置在流体处理系统机架内的控制单元;
安置在所述流体处理系统机架内的可替换的过滤器装置;
安置在所述流体处理系统机架内的基站,该基站与一线圈及所述控制单元电连接,其中,所述线圈能够发送和接收无线电信号以响应来自所述基站的预设控制信号;和
安置在所述过滤器装置中的射频识别应答器,该过滤器装置与所述基站进行无线电通信。
17.根据权利要求16所述的流体处理系统,其中,所述射频识别应答器包括应答器天线和读/写芯片。
18.根据权利要求16所述的流体处理系统,其中,所述射频识别应答器能够向所述基站发送序列号,以供所述控制单元之用。
19.根据权利要求16所述的流体处理系统,其中,所述射频识别应答器能够向所述基站发送过滤器装置容量限制,以供所述控制单元之用。
20.根据权利要求16所述的流体处理系统,其中,所述射频识别应答器能够向所述基站发送过滤器装置安装时间限制,以供所述控制单元之用。
21.根据权利要求16所述的流体处理系统,其中,所述射频识别应答器能够向所述基站发送阻塞过滤器阈值百分比,以供所述控制单元之用。
22.根据权利要求16所述的流体处理系统,其中,所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪过滤器装置安装时间。
23.一种监视流体处理系统中电磁辐射发射装置信息的方法,包括以下步骤:
提供可替换的电磁辐射发射装置,以供所述流体处理系统之用;
通过安装在所述可替换电磁辐射发射装置中的电磁辐射发射识别应答器,产生电磁辐射发射装置信息信号;
发送所述电磁辐射发射装置信息信号到一线圈,该线圈与所述流体处理系统中的基站相连;和
将所述电磁辐射发射装置信息信号引导到一控制单元。
24.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置包括紫外灯。
25.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置包括脉冲白光灯。
26.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射器件是电介质阻挡层放电管。
27.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射射频识别应答器包括应答器天线和读/写芯片。
28.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射器件序列号。
29.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射装置启动限制。
30.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射接通时间限制。
31.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射装置安装时间限制。
32.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射装置循环接通时间。
33.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括循环模式低温。
34.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括最小电磁辐射发射装置接通时间。
35.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射装置高模式时间。
36.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射装置信息信号包括电磁辐射发射装置预热时间。
37.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射装置安装时间。
38.根据权利要求23所述的方法,其中,所述电磁辐射发射射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射装置供电时间。
39.根据权利要求23所述的方法,其中,所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射装置启动。
40.根据权利要求23所述的方法,其中,所述射频识别应答器允许所述控制单元跟踪电磁辐射发射装置冷启动。
41.一种监视流体处理系统中过滤器装置信息的方法,包括以下步骤:
提供可替换的过滤器装置,以供所述流体处理系统之用;
通过安装在所述可替换过滤器装置中的过滤器装置射频识别应答器,产生过滤器装置信息信号;
发送所述过滤器装置信息信号到一线圈,该线圈与所述流体处理系统中的基站相连;和
将所述过滤器装置信息信号引导到控制单元。
42.根据权利要求41所述的方法,其中,所述过滤器装置信息信号包括过滤器单元序列号。
43.根据权利要求41所述的方法,其中,所述过滤器装置信息信号包括过滤器装置容量限制。
44.根据权利要求41所述的方法,其中,所述过滤器装置信息信号包括过滤器装置安装时间限制。
45.根据权利要求41所述的方法,其中,所述过滤器装置信息信号包括阻塞过滤器阈值百分比。
46.根据权利要求41所述的方法,其中,所述过滤器装置射频识别应答器允许所述控制单元跟踪过滤器装置安装时间。
47.一种具有射频识别系统的流体处理系统,包括:
安置在流体处理系统机架中的控制单元;
安置在所述流体处理系统机架中的可替换的电磁辐射发射装置;
安置在所述流体处理系统机架中的基站,该基站与所述控制单元电连接,其中,所述基站能够发射和接收无线电信号以响应来自所述控制单元的预设控制信号;和
安置在所述电磁辐射发射装置中的射频识别应答器,该电磁辐射发射装置与所述基站进行无线电通信。
48.一种具有射频识别系统的流体处理系统,包括:
安置在流体处理系统机架中的控制单元;
安置在所述流体处理系统机架中的可替换的过滤器装置;
安置在所述流体处理系统机架中的基站,该基站与所述控制单元电连接,其中,所述基站能够发射和接收无线电信号以响应来自所述控制单元的预设控制信号;和
安置在所述过滤器装置中的射频识别应答器,该过滤器装置与所述基站进行无线电通信。
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