CN1661753A - 奈米碳管的图腾形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种奈米碳管的图腾形成方法，是提供一种奈米碳管的图腾形成方法制作高解析的图腾化电子发射源层；利用可微影制程的负型光阻材料图腾化制作高解析的荫罩阻隔层，再以喷涂奈米碳管喷涂液形成奈米碳管层，接着以烧结过程移除荫罩阻隔层并同时使图腾化的奈米碳管层固着于阴极导电层以形成电子发射源层。依本发明方法实施的电子发射源层可满足高解析图腾的需求，并且以喷涂的制作奈米碳管层，其涂层厚度薄，电子产生效率与均匀性均高，从而更加适于实用。

Description

奈米碳管的图腾形成方法

技术领域

本发明涉及一种场发显示器(field emission display；FED)阴极面板电子源层的制作技术，特别是涉及一种以喷涂奈米碳管的方式制作阴极板的电子发射源层的图腾化制作技术的奈米碳管的图腾形成方法。

背景技术

本发明中所谓的场发显示器，是一种利用电场使阴极电子发射源(Cathode electron emitter)产生电子，藉由该电子激发阳极板的萤光粉体，使萤光粉体产生光子，其特色是轻、薄、有效显示区域尺寸的大小可依制程及产品需求制作，此外也没有如平面液晶显示器的视角问题。

请参阅图1所示，是一种现有习知场发射显示器的组件结构示意图。该现有习知的场发射显示器1a，其结构至少包括阳极3a与阴极4a，该阳极3a与阴极4a之间设置有阻隔壁(rib)53a，提供为阳极与阴极间真空区域的间隔，以及作为阳极与阴极之间的支撑，如图1所示，该阳极3a，至少包括一阳极玻璃基板31a、一阳极导电层32a以及一萤光粉体层33a；而该阴极4a，至少包括一阴极玻璃基板41a、一阴极导电层42a以及一电子发射源层43a；其中阳极3a与阴极4a的间隔是由阻隔壁53a配置，因此对于阻隔壁的功能，由图1的结构可理解，为了保持阴极板与阳极板之间的真空区域的维系，并藉提供的一外加电场，使阴极板上的电子源产生电子并射向阳极板上的萤光粉体激发而使萤光粉体发光，此外需避免该一外加电场的产生过程中阴极板与阳极板产生导通，阻隔壁的材料则需为一种绝缘材质。由该电子的产生模式是藉由该电场(E)发生而形成，该电场(E)的强度，与各该单元结构5a的该单元阳极51a与该单元阴极52a的提供电压有正比关系，与各该单元结构的该单元阳极51a与该单元阴极52a间的距离为反比关系；因此，各该单元结构的单元阳极51a与单元阴极52a间的距离，直接影响邻近区域的该电场(E)的强度；所以各阴阳极的板上的涂层厚度均匀性，及阻隔壁53a的该厚度的均匀性对于场发射显示器1a所呈现的发光均匀性具有决定性的因素。

近年来一种新的奈米碳管材料(Carbon nanotube)自从1991年被Iijima提出后(Nature 354，56(1991))，由于该材料具有高长宽比(aspectratio)、高机械强度、不易被毒化(high chemical resistance)、不易磨耗、低启闸电场(threshold electric field)等特性，已成为一种场发射电子源(filed emission electrons)的材料，被广泛研究(Science269，p1550(1995)；SID’98 Digest，p1052(1998)；SID’01 Digest，p316(2001))。其中所谓的场电子发射，是利用一种施加于材料表面的高电场(high electric filed)，将材料能障壁(energy barrier)的厚度减小致使电子可藉由量子力学的信道效应(Quantum-mechanical tunneling effect)从材料表面脱离成为自由电子(J.Appl.phys.39，7，pp 3504-3504(1968))，因此场电子发射的电流可藉由材料的一具有低工作函数的表面而提升效果，又，该电子产生方式是藉由对该材料施予一电场来达成，无须对材料提供一定热源，因此这类场电子发射装置素有冷阴极(cold cathode)之称。因此这类奈米碳管已做为普遍应用于场发射显示器阴极板的电子发射源的应用。

这类包含奈米碳管的电子发射源层的制作方式，有一种以化学蒸镀方式将碳原子沉积形成于阴极板的阴极导电层上以形成奈米碳管，该方法是以图腾化成长奈米碳管所需的触媒金属层，然后以化学蒸镀法在触媒金属层上成长奈米碳管，然而目前的制程虽然已可稳定成长一均匀长度的奈米碳管于导电层上，并且可以制作高解析的图腾化阴极电子发射源层，不过以该化学蒸镀成长的奈米碳管多会在奈米碳管的一端仍保存着催化金属，此将影响该电子射源电子产生的效率，必须以一种表面处理方式以提升电子产生效率，另外，该制程成本偏高及所能制作的场发射显示器阴极板尺寸仍在中小型(20英寸)尺寸以下，而多所限制。为此，一种可以降低制作成本的场发射显示器的制作是以厚膜制程方式制作阴阳极板的各膜层(如台湾发明专利公告号502395)，提供业界以厚膜制作电子发射源提供一新思维，其中一种以网印制程制作阴极电子发射源的专利或期刊不断被提出。

然而即便如此，请参阅图2所示，是现有的网印技术的电子发射层结构示意图，对于以网印方法印制的电子发射源层60仍存在以下问题而有待克服：

第一、由于含奈米碳管的印刷用涂料黏度通常至少10万cps以上，以维持所印制图腾的外型与精度。

第二、为配合网印刷的制程，受限于网板上网布结构及乳胶厚度的基本要求，因此所制作的涂层区域至少大于70μm以上，难满足高解析产品的需求。另外，所印制的涂层厚度至少10μm以上，并且网布上的网结也容易造成所印制后的图腾的表面厚度分布偏差通常达4-8μm，容易造成电子发射源电子产生的密度差异，而影响发光的均匀性。

第三、奈米碳管62因为其有很好的长宽比，碳管长度与碳管直径比例通常达40以上，因此为使奈米碳管分布于涂料中，且不影响网印制的下墨制程，对于碳管长度需加以限制，不过又因第二点限制中的说明，网印后的图腾厚度达10μm，如此也容易造成大量的奈米碳管62将被涂料包覆，即使经过烧结后仍有部分奈米碳管埋藏于固着剂或导电材料61之内，可参考图2所示，致使电子产生的效率大大降低，例如发明人则设置一种含多层璧奈米碳管以网印制作的电子发射源层，其在电场(E)4V/μm下的电流密度通常仍在10mA/cm2以下。

因此，需要一种如何而可制作出一高解析图腾化的电子发射源层并兼具有高效率电子产出的电子发射源层制作。本发明人结合一种本发明人的已有发明(台湾申请案号92131590)以一种以喷装方式喷涂奈米碳管喷涂液，并结合一种可微影制程图腾化的高分子聚酯类负型光阻层为荫罩阻隔层的制作，以制作高解析图腾化电子发射源层，据此制作的结合，具有以下特点：

一、一种可微影制程的高分子聚酯类负型光阻层制作为荫罩阻隔层可图腾化制作高解析的电子发射源；

二、所谓的荫罩阻隔层可藉以烧结过程氧化移除，并移除在荫罩阻隔层附着的喷涂碳管；

三、配合以喷涂奈米碳管喷涂液制作电子发射源层，可以提高阴极电子发射源层的电子产生效率，而可满足以上的需求。

由此可见，上述现有的图腾形成方法仍存在有诸多的缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的图腾形成方法的缺陷，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的图腾形成方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新的奈米碳管的图腾形成方法，能够改进一般现有的图腾形成方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的图腾形成方法存在的缺陷，而提供一种新的奈米碳管的图腾形成方法，所要解决的技术问题是使其可以制作高解析电子发射源层，从而更加适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种奈米碳管的图腾形成方法，所要解决的技术问题是使其制作荫罩阻隔层的制作方法非常简易，并可以轻易移除，从而更加适于实用。

本发明的再一目的在于，提供一种奈米碳管的图腾形成方法，所要解决的技术问题是使其仍然可维持以喷涂奈米碳管喷涂液的特性所制作的电子发射源层，而可提升电流密度，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种奈米碳管的图腾形成方法，是用于具显示功能的电子装置，其包括以下步骤：(1)、在阴极基板含阴极导电层的一侧涂布一负型光阻层；(2)、以曝光显影制程造成电子发射源层的镂空区域以制作荫罩阻隔层；(3)、喷涂奈米碳管喷涂溶液，使奈米碳管填充沾附于镂空区域内，以成为初始的电子发射源层；以及(4)、以高温烧结或真空烧结移除荫罩阻隔层及附着于其上的非有效的奈米碳管，并在此烧结过程使该镂空区域内的奈米碳管层固着于阴极导电层上，以形成电子发射源层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中所述的负型光阻层为高分子聚酯负型光阻层，且是以旋转涂布(spin coating)或热转印(laminate)方式涂设于阴极之上。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中所述的负型光阻层为高分子聚酯负型光阻层，且是包含聚乙烯醇与重铬酸盐类。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中所述的奈米碳管喷涂溶液包含固着剂，使得该奈米碳管藉由固着剂连接于一电子装置的阴极构造喷涂表面，以及分散剂，以适当的分散喷涂溶液内的各该粉体材料。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中所述的奈米碳管喷涂溶液包含银粉、铟盐类或氧化铟锡的粉体，且该固着剂为玻璃粉或硝化棉。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中所述的负型光阻层为高分子聚酯负型光阻层，且膜层厚度为10μm到30μm之间。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中所述的喷涂奈米碳管喷涂溶液喷涂后形成的膜成厚度为8μm-0.5μm之间。

前述的奈米碳管的图腾形成方法，其中烧结过程中在400℃以下通入空气0.1-0.3Mpa，以充分氧化荫罩阻隔层，而在400℃-500℃渐渐减少空气的提供改以氮气充入烧结室。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。经由上述可知，本发明的主要技术内容如下：

有鉴于现有习知场发射显示器的阴极电子发射源层的制作，是以习知的化学蒸镀直接在阴极电极上产生奈米碳管，并可制作高解析的阴极电子发射源层，不过仍仅限于硅晶圆基板上，且所需的设备成本昂贵，制程繁复；又，另一种以网印法制作电子发射源层，容易使涂层厚度不均，影响发光的均匀性及多数的奈米碳管仍埋藏于涂层内部，电子产生效率降低，电流密度降低，并且无法满足制作高解析的图腾化需求，因此，本发明人则对于场发射显示器的阴极电子发射源层的制作，是以一种微影制作荫罩阻隔层并结合喷涂奈米碳管喷涂液的方式制作，而可制作高解析图腾化的电子发射源层，该荫罩阻隔层可藉由烧结过程移除；又，以喷涂奈米碳管喷涂液制作的电子发射源层，可以控制并提高电子发射源层的厚度均匀性及提升电子发射电流密度。

由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明提出一种奈米碳管的图腾形成方法，是提供一种奈米碳管的图腾形成方法制作电子发射源层43；选用与奈米碳管喷涂液极性接近的高分子聚酯类负型光阻，制作高分子聚酯类负型光阻层80，如图3所示，接着以微显影制程在阴极基板41上的阴极导电层42上图腾化制作荫罩阻隔层70，如图4所示的荫罩阻隔层结构70，其中该荫罩设计是以欲被图腾化的阴极电子发射源层43为镂空的区域72，以提供为喷涂奈米碳管喷涂液与阴极电极层42涂覆的区域，接着喷涂奈米碳管喷涂液于该所谓的荫罩阻隔层70表面，如图5所示，经过一简单干燥程序之后，再以一高温烧结，或一真空烧结，以氧化或汽化移除荫罩阻隔层结构70，此过程图腾化区域内的奈米碳管与阴极电极层烧结固着于阴极电极上形成所谓的电子发射源层，如图6及图7所示。以本方法制作的荫罩阻隔层70以微影制程可图腾化高解析的镂空区域72，该区域面积至少可小于20×20μm以下，邻接的非电子发射源层间隙可以小于20μm以下，此外以喷涂制程制作可提高电子发射源的电流密度，并可以维持各该电子发射源层之间的电子发射的均匀性。

本发明的材料组成包含：高分子聚酯负型光阻剂(干膜)，可应用以微影制程，膜层厚度至少10μm以上为佳，并在高温烧结或真空烧结过程可被完全氧化或汽化移除；显影剂，以提供为高分子聚酯负型光阻剂(干膜)于微影制程制作荫罩阻层的显影药剂；奈米碳管喷涂溶液，溶液中的溶剂成分可在特定温度范围下挥发，具有使奈米碳管悬浮分散于其中的特性，溶液内含必要的固着剂，可使得该奈米碳管藉由固着剂连接于一电子装置的阴极构造喷涂表面，以及分散剂，以适当的分散喷涂溶液内的各该粉体材料。

本发明奈米碳管的图腾形成方法，包括下列步骤：(1)在阴极(玻璃)基板41含阴极导电层的一侧实施制作一高分子聚酯负型光阻层80；(2)以微影制程图腾化所欲实施的电子发射源层的镂空区域72以制作为所谓的荫罩阻隔层70；(3)喷涂奈米碳管喷涂溶液，使奈米碳管填充沾附于镂空区域72内，以为将来所谓的电子发射源层43；(4)以高温烧结或真空烧结移除荫罩阻隔层70及附着于其上的非有效的奈米碳管，并在此烧结过程中可使镂空区域72内的奈米碳管层固着于阴极导电层42上，以形成电子发射源层43。

经由上述可知，本发明是关于一种奈米碳管的图腾形成方法，是提供一种奈米碳管的图腾形成方法制作高解析的图腾化电子发射源层；利用可微影制程的负型光阻材料图腾化制作高解析的荫罩阻隔层，再以喷涂奈米碳管喷涂液形成奈米碳管层，接着以烧结过程移除荫罩阻隔层并同时使图腾化的奈米碳管层固着于阴极导电层以形成电子发射源层。依本发明方法实施的电子发射源层可满足高解析图腾的需求，并且以喷涂的制作奈米碳管层，其涂层厚度薄，电子产生效率与均匀性均高，从而更加适于实用。

借由上述技术方案，本发明至少具有下列优点：

1、依据本发明，可将喷涂奈米碳管的喷涂技术实施于高解析图腾化的电子发射源层的制作。

2、依据本发明所制作的高解析奈米碳管电子发射源层，是以喷涂方式制作，仍可保留原喷涂技术制作的奈米碳管电子发射源层的特色，奈米碳管露出电子发射源的表面更多，而可大大提升电子的产生，有利于电流密度的提升，电子发射源层厚度亦较为均匀。

3、依据本发明制作的电子发射源层，微影图腾化荫罩阻隔层实施技术成熟简易，喷涂奈米碳管喷涂溶液制备简易，实施涂布用料省，可以实施于商业应用。

综上所述，本发明特殊的奈米碳管的图腾形成方法，可以制作高解析电子发射源层。另外，其制作荫罩阻隔层的制作方法得长简易，并可以轻易移除。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类方法中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在方法上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的图腾形成方法具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是一种现有习知的场发射显示器的组件结构示意图。

图2是现有习知网印技术的电子发射层的结构示意图。

图3是本发明涂布光阻层步骤示意图。

图4是本发明曝光显影制程步骤示意图。

图5是本发明喷涂奈米碳管喷涂溶液步骤示意图。

图6是本发明奈米碳管的图腾形成构造示意图。

图7是本发明奈米碳管的图腾形成的上视示意图。

1a： 场发射显示器    3a： 阳极

31a：阳极玻璃基板    32a：阳极导电层

33a：萤光粉体层      4a：  阴极

41a：阴极玻璃基板    42a： 阴极导电层

43a：电子发射源层    5a：  单元结构

51a：单元阳极        52a： 单元阴极

53a：阻隔壁          41：  阴极基板

42： 阴极导电层      43：  电子发射源层

60： 电子发射源层    61：  固着剂或导电材料

62： 奈米碳管        70：  荫罩阻隔层

72： 镂空区域

具体实施方式

以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的奈米碳管的图腾形成方法其具体方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。有关本发明的详细说明与附图仅是提供参考与说明之用，并非对本发明加以限制。

本发明的奈米碳管的图腾形成方法，是提供一种奈米碳管的图腾形成方法制作高解析的图腾化电子发射源层；利用可微影制程的负型光阻材料图腾化制作高解析的荫罩阻隔层，再以喷涂奈米碳管喷涂液形成奈米碳管层，接着以烧结过程除荫罩阻隔层并同时使图腾化的奈米碳管层固着于阴极导电层以形成电子发射源层，依据本发明方法实施的电子发射源层可以满足高解析图腾的需求，并且以喷涂的制作奈米碳管层，其涂层厚度薄，电子产生效率与均匀性均高。

请参阅图3到图7所示本发明实施的一种奈米碳管的图腾形成方法制作高解析的图腾化电子发射源层；选用高分子聚酯负型光阻剂或干膜，其中光阻剂可以旋转涂布(spin coating)或是印刷方式实施涂覆于阴极基板的有阴极导电层一侧，或是一种负型光阻干膜，以热转印方式(laminate)将光阻干膜贴覆于阴极基板的有阴极导电层一侧，以形成负型光阻层80，由于喷涂奈米碳管的膜层厚度以小于5μm以下为佳，且避免烧结后形成的电子发射源层四周有非必要的奈米碳管残留附着，因此所形成的负型光阻层厚度以大于10μm上为佳，然而虽然光阻层厚度至少大于10μm以上也非无所限制，涂层过厚由于遮蔽效应将致使镂空区域72内的所喷涂奈米碳管的电子发射源层43的区域面积与厚度将被限制；接着以微影制程将所谓的负型光阻层80制作为荫罩阻隔层70，在阴极导电层42上图腾化形成所谓的镂空区域72，以提供为喷涂奈米碳管喷涂液涂覆的区域，接着以喷涂方式喷涂奈米碳管喷涂液于荫罩阻隔层70表面形成奈米碳管层，之后再进行烧结，适当调整烧结条件，可以一种高温烧结或是真空烧结，使荫罩阻隔层70氧化或汽化移除，保留下图腾化的镂空区域72内的图腾化电子发射射源层43。

为阐述本发明的一种奈米碳管的图腾形成方法制作电子发射源层，现说明本发明以下的应用表述具体实施例：

一、选用已制作阴极导电层42的阴极(玻璃)基板半成品作为被实施对象，并设计在阴极导电层42上制作复数个20μm×20μm平方面积的电子发射源层43，各该电子发射源层的间隙是保持为15μm，请结合参阅图7所示，

二、选用一种东京应化所出品的ORDYL BF系列的高分子聚酯干膜负型光阻材料，膜层厚度可为30μm，以热转印贴覆于阴极(玻璃)基板41的阴极导电层42一侧，配合微影制程所需的曝光条件，将贴覆后的玻璃基板保持于50℃为佳，随后进行曝光，曝光使用的光罩是对欲图腾化的电子发射源层图腾区域暗影化的光罩，使曝光区域的负型光阻层被保留，而未曝光镂空区域72可被显影后移除，形成所谓的荫罩阻隔层70，以水银激发紫外光源曝光，曝光后以碳酸钠水溶液进行显影，使预备喷涂的电子发射源层区域被镂空，在阴极导电层上形成一镂空区域72，接着将该基板以稀盐酸将残留于面板上的碳酸钠溶液进行中和后，再施以简单干燥焙烤基板上的残留液体，据此可以制作出复数个20μm×20μm的镂空区域72；

三、接着进行喷涂奈米碳管作业程序，以反复喷涂10至15次奈米碳管喷涂液，以形成奈米碳管层；

四、将喷涂奈米碳管后的阴极(玻璃)基板进行高温烧结，调节适当的升温与温度分布调整，并调节烧结过程的供应气体，在本发明实施例中是在烧结过程400℃以下通入空气0.2Mpa，以充分氧化荫罩阻隔层72，400℃以上渐渐减少空气的提供改以氮气，以确保奈米碳管的品质，并且使奈米碳管固着于阴极电层上，此外在该高温过层可以藉由高温炉内的气体流动以移除氧化荫罩阻隔层72的氧化物及非阴极电子发射源层区域内的奈米碳管。依本制程制作的奈米碳管电子发射源层各该结构可以维持约为18μm×18μm的复数个图腾，电子发射源层的厚度可为约1-2μm，各该奈米碳管电子发射源层之间仍有部分区域残留少许的氧化荫罩阻隔层，不过可以简单溶剂溶解清除，不会影响所制作的复数高解析图腾的奈米碳管电子发射源层的品质，依本发明所制作的阴极板电子产生特性，其起始电场2.1V/μm(电流密度0.5μA/cm2)，电场3.0V/μm以上电流密度即可超越10mA/cm2。

在此对本发明的方法做一综合整理的叙述，本发明包括以下步骤：

(1)、在阴极基板含阴极导电层的一侧涂布一负型光阻层，可为含高分子聚酯；

(2)、以曝光显影制程造成电子发射源层的镂空区域72以制作荫罩阻隔层70；

(3)、喷涂奈米碳管喷涂溶液，使奈米碳管62填充沾附于镂空区域72内，以成为初始的电子发射源层；以及

(4)、以高温烧结或真空烧结移除荫罩阻隔层70及附着于其上的非有效的奈米碳管，并在此烧结过程使该镂空区域内的奈米碳管层固着于阴极导电层上，以形成电子发射源层43。

有鉴于本发明的诸多变化应加以详细叙述，将有以下的说明：其中该负型光阻层可为高分子聚酯负型光阻层，且是可以旋转涂布(spin coating)或热转印(laminate)方式涂设于阴极之上；且其中该负型光阻层可为高分子聚酯负型光阻层是可包含聚乙烯醇与重铬酸盐类；又其中该奈米碳管喷涂溶液可包含固着剂，使得该奈米碳管藉由固着剂连接于一电子装置的阴极构造喷涂表面，以及可有分散剂，以适当的分散喷涂溶液内的各该粉体材料；进一步详细指定其中的条件时，该奈米碳管喷涂溶液可包含银粉、铟盐类或氧化铟锡的粉体，且该固着剂可为玻璃粉或硝化棉；为了求得显影及烧结的一般需求，其中该高分子聚酯负型光阻层膜层厚度可为10μm到30μm之间；而为求得制程的方便及喷涂效果，其中该喷涂奈米碳管喷涂溶液喷涂后形成的膜成厚度可为8μm-0.5μm之间；而其中该烧结过程中在400℃以下可通入空气0.1-0.3Mpa，以充分氧化荫罩阻隔层，而在400℃-500℃渐渐减少空气的提供改以氮气充入烧结室。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1、一种奈米碳管的图腾形成方法，是用于具显示功能的电子装置，其特征在于其包括以下步骤：

(1)、在阴极基板含阴极导电层的一侧涂布一负型光阻层；

(2)、以曝光显影制程造成电子发射源层的镂空区域以制作荫罩阻隔层；

(3)、喷涂奈米碳管喷涂溶液，使奈米碳管填充沾附于镂空区域内，以成为初始的电子发射源层；以及

(4)、以高温烧结或真空烧结移除荫罩阻隔层及附着于其上的非有效的奈米碳管，并在此烧结过程使该镂空区域内的奈米碳管层固着于阴极导电层上，以形成电子发射源层。

2、根据权利要求1所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中所述的负型光阻层为高分子聚酯负型光阻层，且是以旋转涂布(spincoating)或热转印(laminate)方式涂设于阴极之上。

3、根据权利要求1所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中所述的负型光阻层为高分子聚酯负型光阻层，且是包含聚乙烯醇与重铬酸盐类。

4、根据权利要求1所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中所述的奈米碳管喷涂溶液包含固着剂，使得该奈米碳管藉由固着剂连接于一电子装置的阴极构造喷涂表面，以及分散剂，以适当的分散喷涂溶液内的各该粉体材料。

5、根据权利要求4所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中所述的奈米碳管喷涂溶液包含银粉、铟盐类或氧化铟锡的粉体，且该固着剂为玻璃粉或硝化棉。

6、根据权利要求1所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中所述的负型光阻层为高分子聚酯负型光阻层，且膜层厚度为10μm到30μm之间。

7、根据权利要求1所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中所述的喷涂奈米碳管喷涂溶液喷涂后形成的膜成厚度为8μm-0.5μm之间。

8、根据权利要求1所述的奈米碳管的图腾形成方法，其特征在于其中烧结过程中在400℃以下通入空气0.1-0.3Mpa，以充分氧化荫罩阻隔层，而在400℃-500℃渐渐减少空气的提供改以氮气充入烧结室。

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