CN1621922A - 基片组合设备和方法 - Google Patents
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Abstract
基片组合设备和方法使用由于重力而导致的下降和由于压力差而导致的吸收。基片组合设备包括:真空室,其内部压力通过对闸阀的操作来控制;上基板,用于通过真空吸收将基片安装在真空室内部的顶部上;以及下基板,用于借助被施加给其上表面的密封材料将基片固定于真空室内部的底部。所述上基板包括基片下落装置,其使基片下降。
Description
技术领域
本发明涉及基片组合设备和方法,更具体而言,涉及一种基片组合设备,其通过由于重力而导致的下降使用真空室来组合上和下基片并且使用压力上的差异来改进其组合;并涉及一种基片组合方法。
背景技术
由于现在计算机和TV日益增加的使用,对液晶显示器(LCD)的需求已迅速增加。
作为LCD的一个部件,液晶基片包括两个基片,其被相互组合以使内部空间被形成于两个基片之间,并且液晶被注入到两个基片之间的内部空间中。
日本公开专利No.2000-147528和韩国公开专利No.2003-66845公开了用于组合液晶基片的常规设备和方法。韩国公开专利No.2003-66845所公开的基片组合设备在图1中被示出,并且其操作将被描述如下。
就是说,液晶12被加载到第一玻璃基片11上。Ag点被形成于第二玻璃基片13上,并且密封材料14被施加于第二玻璃基片13。第一和第二玻璃基片11和13通过真空吸收而分别加载于所述设备的室10的上台15和下台16上。上台和下台15和16被驱动以使液晶均匀地填充第一和第二玻璃基片11和13,通过将均匀的压力施加于其而相互组合,并且密封材料14被硬化。
在此,由于第一和第二玻璃基片11和13的组合是在真空条件下实现的,室10中的真空度比上台和第二台15和16的高,从而导致第一和第二玻璃基片11和13的吸收力的损失。因此,为了防止第一和第二玻璃基片11和13的吸收力的损失,基片容器(receiver)被安装在上台15上。
如在以上常规基片组合设备中所示,真空条件下的室10需要昂贵的上台和下台15和16(例如静电卡盘)以便于吸收对应的基片11和13,由此增加设备的尺寸和产品的生产成本。操作台15和16的错误可导致维持基片11和13的吸收力的均匀性中的困难。
室10中的真空度通常是低的,如0.001托。这样,室10需要膨胀涡轮泵。
由于对基片11和13的组合是在真空条件下实现的,上台或下台15或16和第一或第二玻璃基片11或13之间的吸收可被释放。因此,为了解决以上问题,上台或下台15或16需要附加的基片容器。
发明内容
因此,考虑到以上问题而作出了本发明,并且本发明的目的是提供基片组合设备和方法,其中简单且不贵的结构被获得以降低产品的生产成本,基片被有效地组合,并且用于组合基片的压力被自由地调节。
本发明的另一个目的是提供基片组合设备和方法,其中至少两个基片通过单个步骤而同时组合。
依照本发明,以上和其它目的可通过提供基片组合设备来实现,该设备包括:真空室,其内部压力通过对闸阀的操作来控制;上基板,用于通过真空吸收将基片安装在真空室内部的顶部上,该上基板包括基片下落装置,其使基片下降;以及下基板,用于借助被施加给其上表面的密封材料将基片固定于真空室内部的底部。
优选地,真空室可包括中等真空泵和正压供应线,并且真空室的内部可通过对闸阀的操作而处于中等真空状态或正压状态。
附图说明
从结合附图进行以下详述将较为清楚地理解本发明的以上和其它目的、特点和其它优点,在附图中:
图1是常规基片组合设备的纵向断面图;
图2是依照本发明第一实施例的基片组合设备的纵向断面图;
图3A到3F是分别说明图2的基片组合设备的操作步骤的纵向断面图;
图4是说明使用图2的基片组合设备的基片组合方法的流程图;
图5是依照本发明第二实施例的基片组合设备的纵向断面图;
图6是说明使用依照本发明第一实施例的基片组合设备组合上和下基片的示意图;
图7是说明依照本发明第二实施例的基片组合方法的流程图;
图8是依照本发明第三实施例的基片组合设备的纵向断面图;
图9是说明依照本发明第三实施例的基片组合方法的流程图;以及
图10A到10D是说明依照本发明第三实施例的基片组合方法的纵向断面图。
具体实施方式
现在将参照附图来详述本发明的优选实施例。
<第一实施例>
如图2中所示,依照本发明第一实施例的基片组合设备包括:真空室110;上基板120,其被安装在真空室110的顶部上;以及下基板130,其被安装在真空室110的底部上。
真空室110具有足以容纳基片的尺寸,并且包括在其一侧的闸阀111。中等真空泵(未示出)和正压供应线(未示出)被连接于闸阀111。因此,真空泵110的内部通过对闸阀111的操作从中等真空状态变化到大气压力状态和指定正压状态。在此,中等真空状态指的是近似500托的真空度,并且通用的旋转泵被用作中等真空泵以便于维持中等真空状态。正压状态指的是比大气压力(760托)高的压力的状态。在该实施例中,正压状态表示近似1,500托的压力的状态。通用的压缩机供应线适合于用作正压供应线以便于维持正压状态。在闸阀111位于图2中的位置1处的情况下,闸阀111被连接于正压供应线以使真空室110的内部处于正压状态。在闸阀111位于图2中的位置2处的情况下,真空室110的内部处于大气压力状态。在闸阀111位于图2中的位置3处的情况下,真空室110被连接于中等真空泵以使真空室110的内部处于中等真空状态。
上基板120被安装在真空室110内部的顶部上,并且包括用于使用真空来吸收基片的设备。在此,与通用的基片固定装置相同,真空吸收所需的真空度通常是0.001托的低真空状态。此外,上基板120包括基片下落装置(未示出),用于使基片从上基板120被去除并且由于重力而降下来。
下基板130被安装在真空室110内部的底部上以使下基板130面对上基板120,并且包括用于在低真空度(0.001托)下吸收基片的设备。此外,下基板130包括对准装置131,用于将被吸收的基片对准得与上基板120所吸收的基片平行。对准装置131用来水平移动基片并对准基片。
在以下将描述本发明的上述基片组合设备的操作(参照图3A到3F和图4)。
首先,如图3A中所示,在大气压力状态下,上基片P1和下基片P2分别被上基板120和下基板130吸收。在此,具有指定厚度的密封材料S被施加于下基片P2的上表面的边缘(图4的步骤S1)。
之后,如图3B中所示,闸阀111被改变到中等真空状态的位置以使真空室110的内部被维持在500托的中等真空状态下。在此,由于上和下基片P1和P2在低真空状态下分别被上和下基板120和130吸收,尽管真空室110的内部处于中等真空状态下,上和下基片P1和P2也不从上和下基板120和130被分离。因此,与常规的基片组合设备不同,本发明的基片组合设备不需要任何附加的基片容器。然后,下基板130的对准装置131被操作以对准下基片P2,从而使下基片P2与上基片P1平行(图4的步骤S2)。
如图3C中所示,上基板120的基片下落装置(未示出)被操作以释放对上基片P1的吸收并且使上基片P1由于重力而下降。通过由于重力而导致的下降,上基片P1被附着于施加给下基片P2的上表面的密封材料S,并被固定于下基片P2(图4的步骤S3)。
之后,如图3D中所示,真空室110的闸阀111位于用于大气压力状态的位置。因此,真空室110的内部变成760托的大气压力状态。由于由通过使用密封材料S而相互附着的上基片P1和下基片P2形成的内部空间处于500托的中等真空状态下,粘附力借助于上和下基片P1和P2的内部和外部之间的压力差而强加于上和下基片P1和P2上。就是说,密封材料S的高度被降低并且密封材料S的宽度被增加,由此增加了上基片P1和和下基片P2之间的接触面积,并由此密封了上和下基片P1和P2之间的内部(图4的步骤S4)。就是说,依照本发明使用压力差的基片组合技术不需要在常规技术中使用的膨胀台(stage),由此与常规技术相比,具有了设备的简单结构和产品的低生产成本。
之后,如图3E中所示,真空室110的闸阀111位于用于正压状态的位置。就是说,真空室110的内部变成正压状态(1,500托)以增加经组合的上和下基片P1和P2的内部和外部之间的压力差,由此改进上和下基片P1和P2的组合(图4的步骤S5)。
最后,如图3F中所示,真空室110的闸阀111位于用于大气压力状态的位置。然后,经组合的上和下基片P1和P2被排出到真空室110的外部(图4的步骤S6)。
<第二实施例>
如图5中所示,依照本发明第二实施例的基片组合设备200包括:真空室210、上基板220、下基板230、真空装置240、基片下落装置(未示出)和压力恢复装置260。
用于形成真空气氛的真空室210被形成于基片组合设备200的主体中。真空室210被密封以使真空气氛被形成于其中,并且被打开以使基片被进入到真空室210中。
上基板220被安装在真空室210内部的顶部上,并且被配置成使上基片S1被安装在其下表面上。在此,基片的安装指的是通过吸收将基片固定于上基板220的下表面。在该实施例中,用于安装基片的静电卡盘可被安装在上基板220上,或者包括通过其中而形成的细小真空孔并使用外部真空泵250的真空吸收卡盘可被安装在上基板220上。两种卡盘均可吸收并固定基片而不导致对基片的损坏,切断功率,或切断真空吸收力,以容易地将基片从上基板220分离,由此被有效地使用。此外,上基板220可同时包括这两种卡盘。
下基板230被安装在真空室210内部的底部上,并且被配置成使下基片S2被安装在其上表面上。用于固定下基片S2的静电卡盘或真空抽吸卡盘被安装在下基板230上。
真空装置240用来形成真空室210中的真空状态。在上和下基片S1和S2被进入到真空室210中并被安装在真空室210中的上和下基板220和230上之后,真空装置240抽吸真空室210中的气体,由此使真空室210的内部处于真空气氛。真空装置240可采用干泵、TMP或机械增压泵。
用于使在上基板220上安装的基片由于重力而下降的基片下落装置(未示出)被安装在真空室210中。基片下落装置用来预附着上基片S1和下基片S2。基片下落装置使上基片S1下降到下基片S2,由此导致对上基片S1和下基片S2的预附着。由于密封材料被施加给下基片S2的边缘,上基片S1下降到下基片S2的上表面,由此被附着于下基片S2。在该实施例中,静电卡盘或真空抽吸卡盘被安装在上基板220上,并且功率切断单元或真空吸收切断单元被用作基片下落装置。就是说,基片下落装置切断功率,其产生用于借助上基板220而吸收上基片S1的吸收力,或者切断吸收力,其由真空泵产生以切断真空吸收力。
依照该实施例的基片组合设备200进一步包括压力恢复装置260。压力恢复装置260用来将真空室210中的压力恢复到比真空高的压力。压力恢复装置260将压力施加给被预附着的上和下基片S1和S2,由此完全组合上和下基片S1和S2。
在组合基片的过程中,重要的是维持上和下基片之间的平行度以增加面板的质量。在该实施例中,基片被预附着于彼此以使上和下基片之间的密封空间被形成,然后基片外部的压力,即真空室内部的压力被增加,由此通过使用帕斯卡原理将压力施加给上和下基片。因此,借助于上和下基片的内部和外部之间的压力差将均匀的力施加给上和下基片的所有表面,由此允许上和下基片在维持其之间的平行度的条件下被相互组合。当使用以上的压力差将压力施加给上和下基片S1和S2时,如图6中所示,均匀的力被施加给上和下基片上的任何点。因此,经组合的上和下基片S1和S2之间的间隔被均匀地维持。
在此,压力恢复装置260被配置成使其将气体稳定地供应到真空室210中。因此,具有压力恢复装置260的基片组合设备不需要用于将真空室210中的压力恢复到大气压力的任何附加装置。
优选地,该实施例的基片组合设备200进一步包括对准装置270,用于对准由上或下基板220或230吸取的基片的位置。如图1中所示,对准装置270移动下基板230,由此校正在下基板230上安装的下基片S2的位置。因此,对准装置270相对于上基片S1而改变下基片S2的相对位置,由此使上和下基片S1和S2的位置相互一致。在此,对准装置270在XY和θ的方向上移动下基板230。上基片S1在Z方向上的移动是由垂直驱动装置280来实现的。
由对准装置270实现的对下基片S2位置的校正受视觉装置290的帮助。视觉装置290通过观察口使用在上和下基片S1和S2的边缘上形成的标记来确定上和下基片S1和S2的位置是否在垂直方向上相互一致,所述观察口通过真空室210的上部而形成以便于观察真空室210的内部。当确定上和下基片S1和S2的位置相互不一致时,对准装置270被驱动,由此使上和下基片S1和S2的位置相互一致。
在以下将参照图7来描述依照该实施例的基片组合方法。图7是说明依照本发明的该实施例的基片组合方法的流程图。
首先,上基片S1和下基片S2分别被安装在上基板220和下基板230上(步骤S210)。此时,真空室210被打开,而上基片S1和下基片S2由搬运设备(未示出)分别供应给上基板220和下基板230,并且分别被吸收到上和下基板220和230上。
之后,优选地,上和下基片S1和S2的位置被校正(步骤S220)。当上和下基片S1和S2的位置在垂直方向上相互一致时,该步骤是不必要的,但当上和下基片S1和S2的位置在垂直方向上相互不一致时是必要的。当上和下基片S1和S2的位置在垂直方向上相互不一致时,下基片S2的位置被校正以使上和下基片S1和S2的位置相互一致。
然后,真空室210的内部被抽真空(步骤S230)。此时,使真空室210成为气密的,并且使用真空装置240将真空室210中的气体排放到外部以使真空室210中的压力被降低。
上和下基片S1和S2被预附着于彼此(步骤S240)。此时,上和下基片S1和S2被暂时附着于彼此。在该实施例中,安装在上基板220上的上基片S1由于重力而降下来,并且被预附着于在下基板230上安装的下基片S2。
之后,被预附着于彼此的上和下基片S1和S2彼此被坚固地组合(步骤S250)。此时,压力被施加给被预附着于彼此的上和下基片S1和S2,由此坚固地组合上和下基片S1和S2以使上和下基片S1和S2彼此不被分离。在该实施例中,真空室210中的压力被增加,并且上和下基片S1和S2通过上和下基片S1和S2的内部和外部之间的压力差而被相互坚固地组合。此时,优选地,真空室210的内部所恢复到的压力是大气压力。大气压力是容易被去除的,并且不需要任何另外的步骤,这是因为将在以后完成的上和下基片S1和S2的卸载是在大气压力下实现的。
<第三实施例>
如图8中所示,依照第三实施例的基片组合设备300包括真空室310、上基板320、下基板330、真空装置340、组合装置360、对准装置370和视觉装置380。
该实施例的基片组合设备300的真空室310被配置成使至少两个上基片和至少两个下基片被插入到其中。就是说,真空室310的尺度被扩展成使用于安装至少两个基片的上基板320和用于安装至少两个基片的下基板330可被放置在真空室310中。
上基板320被安装在真空室310内部的顶部上以使至少两个上基片S1在其上是单独可安装的而没有重叠,并且可从其可分离地拆卸。就是说,上基板320具有适合于在其上单独安装至少两个上基片S1并且可从其分离地拆卸至少两个上基片S1的尺度。因此,如图8中所示,上基板320包括至少两个抽吸卡盘。在抽吸卡盘是静电卡盘的情况下,至少两个静电卡盘彼此被分离一个指定的距离以使至少两个上基片不被重叠。另外,抽吸卡盘可以是真空抽吸卡盘。
下基板330被安装在真空室310内部的底部上以使至少两个下基片S2在其上是单独可安装的而没有重叠。此时,下基板330具有适合于在其上单独安装至少两个下基片S2而没有重叠的尺度,但不被配置成使至少两个下基片S2可从其可分离地拆卸。
对准装置370用来校正在上基板320上安装的上基片S1或在下基板330上安装的下基片S2的位置以使上和下基片S1和S2的位置相互一致。如图8中所示,该实施例的对准装置370被配置成使上和下基板320和330由对准装置370单独移动。下基板330在XY和θ的方向上由对准装置370移动,而上基板320在Z方向上由垂直驱动装置390移动。因此,上基片S1和下基片S2的相对位置被改变,从而允许上和下基片S1和S2的位置相互一致。
在上和下基片S1和S2被进入到真空室310并且被安装在真空室310中的上和下基板320和330上之后,真空装置340通过抽吸从真空室210去除气体,从而使真空室310的内部处于真空气氛。真空装置340可采用干泵、TMP或机械增压泵。
组合装置360用来坚固地组合彼此被预附着的上和下基片S1和S2。在该实施例中,组合装置360是压力恢复装置,其通过把气体注入到真空室310中将真空室310中的压力增加得比由上和下基片S1和S2形成的内部空间的高,由此坚固地组合上和下基片S1和S2。就是说,在上和下基片S1和S2彼此被预附着之后,组合装置360将空气或惰性气体注入到真空室310中以增加真空室310中的压力。然后,由于上和下基片S1和S2的外部的压力比上和下基片S1和S2的内部的高,相同的压力被施加给上和下基片S1和S2的所有表面。因此,上和下基片S1和S2在均匀维持上和下基片S1和S2之间的间隔的条件下被组合。此时,优选地,真空室所恢复到的压力是大气压力。大气压力允许经组合的基片被排出到外部而无需任何另外的步骤。
优选地,该实施例的基片组合设备300进一步包括视觉装置380,其被形成通过真空室310上表面的指定部分,从而允许用户观察被吸收到上和下基板320和330中的上和下基片。在此,视觉装置380被配置成使用户可通过它看到在上和下基板320和330上安装的所有基片。就是说,视觉装置380被配置成使上和下基板320和330被虚拟地划分成几个部分并且所划分的部分被单独扫描。因此,其上安装了上和下基片S1和S2的上和下基板320和330的部分被划分成几个虚拟部分,而视觉装置380被分别安装在几个虚拟部分上。
该实施例的基片组合设备300进一步包括控制单元(未示出)。控制单元驱动对准装置370以使第一上基片S1的位置与第一下基片S2的位置一致,控制上基板320以使第一上基片由于重力而下降到第一下基片S2,再次驱动对准装置370以使第二上基片S1的位置与第二下基片S2的位置一致,然后控制上基板320以使第二上基片从上基板320被拆卸。控制单元控制以上部件使得以上过程被依次执行,直到真空室310中的所有上和下基片S1和S2被相互预附着。在真空室中的所有上和下基片被相互预附着之后,控制单元驱动组合装置360以使被相互预附着的真空室310中的所有上和下基片S1和S2同时被相互组合。
在以下将参照图9和图10A到10D来描述依照该实施例使用基片组合设备300的基片组合方法。
首先,上基片S1和下基片S2分别被安装在上基板320和下基板330上(步骤S310)。此时,相同数量的上和下基片S1和S2分别被安装在上和下基板320和330上,即至少两个上和下基片S1和S2分别被安装在上和下基板320和330上。
之后,真空室310的内部被抽真空(步骤S320)。就是说,在完成将上和下基片S1和S2安装在上和下基板320和330之后,使真空室310成为气密的,并且真空室310中的气体通过抽吸而排放到外部以使真空室310中的压力被降低。
然后,上和下基片S1和S2被预附着于彼此(步骤S330)。此时,在被安装于上基板320上的上基片S1的位置与被安装于下基板330上的下基片S2的位置一致之后,上和下基片S1和S2被暂时附着于彼此。在该实施例中,由于至少两个上和下基片S1和S2被预附着于彼此,该步骤S330被分成如图10A到10D中所示的几个子步骤。首先,如图10A中所示,待相互组合的上和下基片S1和S2的位置被校正以使上基片S1的位置与下基片S2的位置一致,然后上和下基片S1和S2被预附着于彼此。就是说,在使用视觉装置来观察第一上基片S1和第一下基片S2的位置的条件下,使用对准装置来使第一上基片S1和第一下基片S2的位置相互一致。然后,如图10B中所示,第一上基片S1由于重力而下降,并且被附着于第一下基片。
之后,接下来的上和下基片的附着被进行。此时,由于第一上和下基片被相互附着,下基板330上的经附着的上和下基片的位置的变化是无关紧要的。因此,如图10C中所示,有可能自由地校正第二上和下基片S1和S2的位置。之后,如图10D中所示,第二上基片S1由于重力而降下来,并且被附着于第二下基片S2。以上附着按照与在上和下基板320和330上安装的上和下基片S1和S2的数量的比例而被连续重复。
之后,被预附着于彼此的上和下基片S1和S2被相互组合(步骤S340)。此时,压力被施加给被预附着于彼此的上和下基片S1和S2,由此坚固地组合上和下基片S1和S2。在该实施例中,真空室310中的压力被增加,并且上和下基片S1和S2通过上和下基片S1和S2的内部和外部之间的压力差而被相互坚固地组合。此时,在该实施例中,被预附着于彼此的所有上和下基片同时被相互组合。因此,有可能通过单个步骤同时将多个上和下基片相互组合。
如从以上描述显而易见的,本发明提供了基片组合设备和方法,其中简单且廉价的结构被获得以降低产品的生产成本,基片被有效地组合,并且用于组合基片的压力被自由地调节。
在依照本发明的基片组合设备和方法中,压力不是通过在常规基片组合方法中使用的机械装置而施加给经预附着的上和下基片的,而是通过使用上和下基片的内部和外部之间的压力差而施加给经预附着的上和下基片的。就是说,如图6中所示,相同的压力被施加给上和下基片S1和S2的任何点。因此,通过相同的压力而相互组合的上和下基片之间的间隔被均匀地维持。因此,有可能生产具有高质量的面板,其中上和下基片的平行度被维持。
该基片组合设备不需要任何附加的机械装置,而仅需要压力恢复装置,用于将所述室中的压力恢复到大气压力,由此具有简单的配置并容易被生产。
在维持对上和下基片的组合之后,所述室中的压力被改变到大气压力,然后经组合的上和下基片被排出到室的外部。由于当以本发明的基片组合方法来组合上和下基片时室的内部处于大气压力下,本发明的基片组合设备和方法的优点在于组合上和下基片所花费的时间被缩短。
由于多个上和下基片通过单个步骤而同时组合,本发明的基片组合设备和方法的优点在于组合每个上和下基片所花费的时间被缩短。
尽管已为了说明性目的而公开了本发明的优选实施例,但本领域的技术人员将理解,不脱离如被公开于所附权利要求中的本发明的精神和范围的各种修改、添加和替换是可能的。
Claims (18)
1.一种基片组合设备,包括:
真空室,在其中可形成真空;
上和下基板,其被提供在真空室中,其每个都安装上或下基片;以及
基片下落装置,用于使在上基板上安装的基片降下来。
2.权利要求1的基片组合设备,其中:
中等真空泵和正压供应线被提供在真空室中;并且
真空室的内部通过对闸阀的操作而处于中等真空状态或正压状态。
3.权利要求1的基片组合设备,其中上或下基板包括对准装置,用于水平调节在其上安装的基片的位置。
4.权利要求1的基片组合设备,其中上和下基板使用真空吸收力来固定在其上安装的基片。
5.权利要求1的基片组合设备,其中上和下基板使用由于静电而导致的吸引力来固定在其上安装的基片。
6.权利要求1的基片组合设备,进一步包括视觉装置,其被形成通过真空室的上表面的指定部分,用于观察在上或下基板上安装的基片。
7.权利要求1的基片组合设备,进一步包括压力恢复装置,用于把气体注入到真空室中以使真空室中的压力达到大气压力。
8.一种基片组合设备,包括:
真空室,至少两个上基片和至少两个下基片可被插入到其中;
在真空室内部的顶部上提供的上基板,用于在其上安装至少两个上基片而没有重叠并且从其可分离地拆卸上基片;
在真空室内部的底部上提供的下基板,用于在其上安装至少两个下基片而没有重叠;
基片位置校正装置,用于校正在上或下基板上安装的上或下基片的位置以使上和下基片的位置相互一致;
真空装置,用于在真空室中形成真空状态;以及
组合装置,用于在相对的方向上将压力施加给上和下基片以使上和下基片被相互组合。
9.权利要求8的基片组合设备,进一步包括控制单元,用于:
驱动基片位置校正装置以使一个上基片的位置与对应的下基片的位置一致,并且控制上基板以使上基片下降到具有与该上基片一致的位置的下基片;
在真空室中还有其他基片的情况下,再次驱动基片位置校正装置以使接下来的上基片的位置与接下来的下基片的位置一致,并且控制上基板以使上基片下降到具有与该上基片一致的位置的下基片;并且
在真空室中的所有上和下基片彼此被预附着之后,驱动组合装置以使所有经预附着的上和下基片同时被相互组合。
10.权利要求9的基片组合设备,其中组合装置是压力恢复装置,用于通过把气体注入到真空室中将真空室中的压力增加得比由上和下基片形成的内部空间的高,由此组合上和下基片。
11.权利要求9的基片组合设备,其中组合装置是基片拆卸单元,其被提供在上基板上,用于从上基板拆卸上基片。
12.权利要求8或9的基片组合设备,进一步包括视觉装置,其被形成通过真空室的上表面的指定部分,用于可分离地观察在上和下基板上安装的每个上和下基片。
13.一种基片组合方法,包括以下步骤:
(a)将多个基片固定放置在室的顶部和底部上以使上基片与下基片平行;
(b)在所述室中形成真空状态;
(c)使上基片由于重力而下降到对应的下基片并且预附着上和下基片;
(d)使所述室的内部处于大气压力状态或正压状态以使上和下基片通过压力差而相互坚固地组合;以及
(e)使所述室的内部处于大气压力下,并且排出经组合的上和下基片。
14.权利要求13的基片组合方法,其中步骤(a)或(b)包括对准上或下基片的子步骤。
15.权利要求13的基片组合方法,其中所述室的内部处于步骤(b)中的中等真空状态。
16.一种用于组合用于液晶面板的基片的方法,包括以下步骤:
(a)将基片插入到真空室中,并且将至少两个上基片和至少两个下基片分别安装在上和下基板上而没有重叠;
(b)在真空室中形成真空状态;
(c)使在上基板上安装的各个上基片由于重力而下降到对应的下基片并预附着上和下基片;以及
(d)将压力施加给所有经预附着的上和下基片以使经预附着的上和下基片被相互组合。
17.权利要求16的方法,其中在步骤(c)中,通过校正上和下基片的位置对一个上基片和对应下基片的位置的一致化,以及通过使上基片下降到对应的下基片对上和下基片的预附着,按照与在真空室中安装的上和下基片的数量的比例而被依次重复。
18.权利要求16的方法,其中在步骤(D)中,真空室中的压力被增加以使上和下基片通过经预附着的上和下基片的内部和外部之间的压力差而相互组合。
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