TWI275868B - Substrate combining device and method - Google Patents

Description

1275868 . I ' 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係與基板組合裝置及其組合方法有關，尤指一種利用 重力下墜與壓力差原理以-真空室組合上/下基板之基板組合裝置： 及其組合方法。 . 【先前技術】 由於’近年來電腦與電視等電氣設姻量愈來愈大，液晶顯 示器(LCD)產量也曰益擴張，隨著蓬勃發展。 馨 做為液晶顯示器構件之一的液晶基板，包括有兩個互相組構 之單片基板，而該等單片基板之間保留有一内部空間以供注入液 晶。 按，日本專利公告第2000-147528號及韓國專利公告第 2〇〇3_66845所揭示者皆與液晶基板之傳統組合裝置與組合方法有 關，後者公告之基板組合裝置係如第1圖所示，說明如下： 首先，一第-玻璃基板U之上置有液晶12，而一第二玻璃基❿ 板之上心成有銀點及施作一種密封物質14。該第一與第二玻璃 基板1U3係利用真空吸附原理分別乘載於此裝置一真空室1〇之 j平台15與下平台16。該上平台15與下平台16經驅動後，液晶 、、真π亥第與第二玻璃基板U，13，且均勻施壓使該兩玻璃基板 相互結合，而其間之密封物質14亦逐漸硬化。 返第與第二玻璃基板11，13係在真空條件下組合，或由於 659-krip 6 1275868 1 真空室10之真空度高於該上平台15與下平台16之真空度，故而 導致兩玻㈤基板間吸引力降低。為避免發生這種現象，所以，在 該上平台15之上特別加裝一基板容置器。 如上述傳統之基板組合裝置所示，該置於真空條件中之真空 室10需要價位高播之上/下平台15，16 (例如，靜電爽盤)用以吸附 對應之基板11，13，其結果難免會擴大設備之體積與增加產品之生

產成本。而且，該上/下平台15，16如果發生操作失誤，要維持兩 基板11，13之均勻吸附力恐有困難。 再者，因為該真空室1〇之真空度通常不甚高， •般僅約0.00] 托(Torr)而已，故必須額外增添一部高價渦輪幫浦 ，、由於兩玻璃基板U，13係在真空中進行合併 右^下平台15，16與第一或第二玻璃基板1U3之間 2月ΓΞί不全而分離。為避免發生此—問題，所以有必】 在μ上平口 15或下平台16加設一個基板容置器。 【發明内容】 有雲於此柄明之主要目的在於提供一種基板組合裝置與春 ,合方法，其_之結構既簡單又廉價，故可降低生產成本。此 ι置與方法不但組合基板之效率高，而且用以組合基板之壓力係 可自由調整者。 _ 、又’本發明之另—目的在於提供—縣板齡裝置無合方 法’其中至少有兩基板係可_單_步驟同時組合者。 為達]上《目％本發明所提供之基板組合裝置必須包含： 659-krip 7 1275868 ; . 内口隨力可利用閘Η力π以操控之真空室；—利用真空吸附以置 放基板於該真空室内部之上基座板，且該上基座板進而含有一可 々基板掉洛之基板洛下裝置；以及，一設於該真空室内侧底部且 其上表面施作一種密封材料用以固定基板之下基座板。 又，該真空室宜設有一中級真空幫浦與一正壓供應管線，且 《真空室宜透過該閘門之操作而呈現—中度真空狀態或正壓狀 態0 【實施方式】 以下詳予說明本發明之若干較佳實施例： <第一實施例> 本發明一基板組合裝置之第一實施例係如第2圖所示，包括 有.真空室110、設於該真空室11〇内側頂部之上基座板12〇、及 設於該真空室110内侧底部之下基座板13❶。 真空室110尺寸必須大到足以容置基板，且其一侧設有一間 門111，而該真空室110係接於一中級真空幫浦(未示)與一正壓供 應官線(未示），透過該閘門U1之操作，真空室11〇之内部空間可 在中度真球態、大紐狀態、與特定正壓狀態之㈣換。此處 所謂之中度真空狀態係指真空度約(托)之巾級真空狀態，而中 級真空幫浦係指可供維持此中度真空狀態之_般迴轉幫浦者；一 正壓狀態則指壓力高於一大氣壓力(托)之狀態而言，本實施例 之正壓狀祕指大約15〇()⑽之壓力狀態；至於為維持正壓狀態 659-krip 8 1275868 之正壓供應管線，使用一般屢縮機之供應管線即可。若該間門出. 先叹於第2圖所示之位置！且接於該正壓供應管線，則該真空室 110内部呈現-正壓狀態；若該閘門m改設於第2圖之位置2， 貝K亥真空至110内部呈現大氣壓狀態；若該閘門改設於第2 圖之位置3,而真空室110接於該中級真空幫浦，則該真空室則 内部呈現中度真空狀態。 月il述上基座板120係安置於該真空室11〇之内側頂部，其含 有-利用真空以吸附基板之裝置。如同一般基板固定裝置，該裝囊 置之真空吸附所需真空度，通常僅約議聊之低度真空狀態即 可。又，該上基座板no尚含有一基板落下裝置(未示），藉以利用 重力使基板脫離該上基座板往下掉落。 前述下基座板130係安置於該真空室11〇之内側底部而與該 上基座板120形成對峙姿態，且該下基座板備有一可在低度真空 (0.001托海境中用以吸附基板之裝置。又，該下基座板⑽尚設 有-整列裝i 131使其吸附之基板與吸附於該上基座板12〇之基籲 板形成平行狀態，其中該整列裝置131之功能在於排列基板之用。 以下係上述本發明基板組合裝置之操作說明(請參閱第3八至 3F圖以及第4圖）： 首先，如第3A圖所示，一上基板pl與一下基板p2係於一 大氣壓之環境下分別吸附於該上基座板12❶與下基座板13❶之 上，同日寸，该下基板P2之上表面邊緣佈設一具有特定厚度之密封 659-krip 9 '1275868 材料S (第4圖步驟si)。 其次’如第3B圖所示，將閘門m之位置改設於巾度 紐真空室110峰鱗在(托)之愤細域。此权真空 至110内部雖呈中度真空狀態，但仍然足以維持該上/下基板η 與打分別吸附於呈現低度真空狀態之上/下基座板工触咖上。 從柯見不同於傳統基板組合裝置，本發明完全不需要額外之基 板容置器。再其次’操作該下基座板13〇之整列裝置饥以排列 下基板Ρ2使之平行於該上基板Ρ1(第4圖步驟S2)。 如第3C圖所不，操作該上基座板12〇之基板落下裝置(未示） 以利用重娜放該上基板P1，並使之貼附於佈設在該下基板朽 上表面之减材料S上，然後再經過重力作用而固定於該下基板 P2(即，第4圖步驟S3)。 ，之後’如第3D圖所示，真空請之閘門m再改設於大氣 壓之位置，其時，該真空室11〇内部係呈一錢遂⑽托)狀態。 今=於前此使用密封材料s而相互結合之上/下兩基板朽與p2 1係壬500托之中度真空狀態，故該兩基板之内外遂藉由壓力差 而產f 一施加於該上/下基板之黏結力，亦即，該密封材料 S之南度被矮化且寬度被擴大而增加兩基板間之接觸面積，以利封 閉該兩基板間之内部空間(第4圖步驟S4)。從而可知，本發明利 用壓力差顧採行之基板組合技術，完全不再需要傳統技術使用 之高價平台’故得叫化設備結構鱗低生產成本。 659-krip 10 '1275868 ·

, * I 其次，如第3E圖所示，真空室no之閘mil再改設於正壓 植置，其時，該真空室11G内部係呈正壓_罐態因而進 一步擴大該兩基板P1，P2之内外壓力差，藉以改善該兩基板ρι，ρ2 間之組構品質(第4圖步驟S5)。 a、最後，如第3F圖所示，真空室110之閘門ill再改設於大氣 5之位置。此步驟係將已組合完成之該祕板P1，P2釋出該真空 室110外部(第4圖步驟S6)。 <第二實施例> 如第5圖所示，依照本發明一第二實施例，一基板組合裝置 2〇〇包括有··真空室21〇、上基座板2;2〇、下基座板23〇、真空裝 置240基板落下裝置(未示）、以及壓力恢復裝置％❶。 用以形成-纽環境之真空室21〇係形成於該基板組合裝置 200之本體内”亥真空冑21〇、經密封後，可在内部形成一真空環 境’經打開後可裝入若干基板。 鈾述上基座板220係安置於該真空室21〇之内侧頂部，該處 下表面設有-上基板S1。此處，絲板之架設動作，實係透過吸 附作用將絲板固定於祕上基練22G之下表面者。本實施例 中，係可女置一用以架設基板之靜電夾盤於該上基座板22Q之上 或安置一抽氣夾盤其本身係以真空微孔222穿透且配合使用一外 邛真工桌浦250於该上基座板220之上。此兩種夾盤皆可用以吸 附及固定基板而無損傷基板或切斷電源或切斷真空吸附力致使基 659-krip 11 4 '1275868 板輕易脫離該上基座板22〇之虞，故得有效加以利用。又， 基座板22〇亦得同時擁有上述兩種夾盤。 / 下基座板230係設於該真空室21〇之内側底部， 面 設有一下基板S2。又，該下A庙柘p七 表面 巧下基座板230之上設有一靜電夹般 空抽氣夾盤，用以固定該下基板S2。 现〆、 真空裝置24〇係用以在該真空室加内部形成_直空狀能 者。在該上基板S1與下基板S2進入該真空室21〇且分別安倾 上/下基座板220,230後，該真空裝置24〇乃開始抽取直空室別 ^氣體而造成該真空室210内部形成一真空環境，其中，該真 =裝置240係可為-乾式幫浦，渦輪分子幫浦(着），或機械增壓 絮浦。 。亥基板落下裝置(未不)係設於前述真空室21〇中，主要功能為 透過重力作用使原設於上基雜220之上基板叫卓落而預齡於 下基板S2上。其中，由於該下基板α之邊緣佈設有密封材料， I此’當上基板S1掉落在該下基板S2之上表面時，上基板S1就 曰、貼附於下基板S2。此實施例中，該上基座板2如上設有—靜電 失‘或真空抽氣爽盤’ 電源斷路單元或真空吸喊斷單元則 做為—基板落下裝置使用。脚，本實酬係_縣板落下裝 置去切斷產生吸附力以吸附上基板S1於該上基座板咖上之電 原，抑或截斷由一真空幫浦所產生之吸附力藉以截斷真空吸附力 ° 659-krip 12 *1275868 本實施例之壓力恢復裝置260係用以恢復該真空室21〇内之 壓力至-高於真空之壓力水平。該壓力恢復裝置26〇係用以施加 一壓力於該等已預貼合之上/下基板S1與幻，使彼等完全併合。 於組構基板時，必須充分維持上/下基板間之平行狀態以提昇 面板品質。本實施例中，因為兩基板係預貼合且其間保留有一封 閉空間，所以現在如對該等基板之外部，即該真空室内部，增壓 時，依巴斯葛原理，壓力將施加於該上/下基板。從而，因該上/ 下兩基板形成有⑽壓力差，兩基板之全部表面时承受一均勾 壓力，使得兩基板在維持彼此平行之狀態下互相結合。當前述壓 力差對该等基板S1與S2施加壓力時，如第6圖所示，該上/下基 板之任意點皆承受-均勻力量，從而，該上/下兩基板si，幻之 間得以均勻保持一間距。 此處’由於該壓力恢復裝置26G之組織雜可穩定提供氣體 進入該真^室21G，所以，具有前述壓力恢復裝置26()之本發明基 板組合U ’可以不再需要任侧外裝置以供恢復該真空室⑽ 之内部壓力至大氣壓力。 本實施例之基板組合裝置2〇〇宜進而設有一位置對準裝置 270，用崎準該上基座板22G或下基座板咖所吸附之基板位 置。2第5圖所示，該對準裝置27〇係可移動該下基座板⑽以 枚正叹於其上之下基板82位置。亦即，該對準裝置謂係用以改 變該下基板S2相對於上基板S1之位置，以達到兩者位置彼此吻 659-ki-ip 13 j275868

* * -I 合之狀態。此處，該對準裝置270基本上是在χγ_^之水平 方向調整下基座板230，至若該上基板S1在z轴方向之移動，則 有賴垂直驅動裝置280來達成。 、 …_上述對準裝置27〇以校正下基板S2之位置時，尚需仰賴 規察裝置290之協助。此觀察裝置29〇係透過形成於該真空室⑽ 内側頂部用以觀察該室内部之觀察口槔並利用該上/下基板幻與 S2之邊緣事先做好之記號’以確定該上/下基板&與％在垂財 向疋否彼此勿合’ ^•發現兩基板不夠吻合，則驅動該對準裝置a% 加以校正使兩者進入吻合狀態。 第7圖係採用本發明第二實施例之基板組合方法流程圖。茲 配合第7圖詳細說明本實施例之基板組合方法如下： 百先，分別設置該上基板S1與下基板S2於上基座板22〇與 下基座板230之上(步驟咖）。此時，該真空室21〇係呈開放狀 態，而該上基板S1與下基板S2係糊—乘載裝置(未示)分別提供 給予該上基座板220與下基座板23〇且吸附其上。 之後且進行该上基板S1與下基板S2之位置校正(步驟 S220)。此際該上基板S1與下基板S2之位置在垂直方向若已彼此 吻合’則此-步驟並非必要；但若該兩基板之位置在垂直方向尚 非彼此吻合’則此-步驟不可或缺。假設其時兩基板位置在垂直 方向尚非彼此吻合之情況下’則調整該下基板S2使兩基板之位置 完全吻合。 659-kiip 14 4 1275868 其次之步驟係將該真空室21〇内部真空化(步驟㈣），過程 中利用-真空裝置24G將該真空室21()内部氣體排至外界以降低 室内氣壓，然後予以完全密封。 再其次係執行獅合虹絲S1與下餘％之動作(步驟 湖)’惟此處之相互貼合係屬臨時性質。本實施例中，原吸附於 该上基座板22G之上基板S1係_重力顧掉落及麵合於該下 基座板230上方之下基板S2。 又其次係執行已航獅合之該上級S1與下魏幻之進 一步緊密組合(步驟S25G)，過程中必須引進某-程度之壓力施加 於已初步貼合之該上/下基板S2，使之枝結合以防脫落。此 實施例中’係藉由該真空室210内部壓力之昇高而得以利用該上/ 下基板S卜S2内外所產生之壓力差，使兩基板能夠形成緊密結 。上逑引進之壓力，最好就是該真空冑21〇内部須要恢復之壓 力，即-大力。理由是：完全Μ任何㈣步料可輕易導 入-大氣壓的壓力，更何況卸除該上/下基板Μ、％之後續動作， 仍將在一大氣壓之環境條件下進行。 <第二實施例> 如第8圖所不之第三實施例基板組合裝置3〇〇包括有··真空 至310、上基座板32〇、下基座板33〇、真空裝置MO、組合裝置 360、對準裝置37^與觀察裝置38〇。 又 本貫施例基板組合裝置300之真空室31〇内部，至少配置有 659-krip 15 1275868 : % » 兩片上基板與兩片下基板。亦即，該真空室31〇之尺寸經過放大 後，其内部之上基座板320與下基座板33〇分別得以置放至少兩 該上基座板320之配置於該真空室31〇内側頂部，係以至少 兩片上基板S1皆可架設其上且彼此可分離而不相互重疊之方式構 成亦即，δ亥上基座板320之尺寸大小係可分別容置至少兩片上 基板S1 ’且其組織形態上亦容許自該上基純獅至少兩片上基 板sn是以如第8圖所示，該上基座板32〇應包含至少兩具抽二 失盤。設減魏屬於靜電鍾， 且i 分開一特定距離之靜電夾盤，如此_來則至少有則=重2 上基板。又，該抽氣夾盤亦得替換為真空抽氣夾盤。 該下基座板330係設於真空室31〇之内側底部，使之至少可 有兩片分卿設其上且不至於重疊之下基板S2。此處，該下基座 板330之尺寸大小雖可分別安置至少兩片下基板S2且無重疊之 虞，但其組織形態上不能容許自訂基座板繼至少兩片下基板 S2。 & 謂準I置370係用以修正該貼設於上基座板32〇之上基板 si位置或該貼設於下基座板33〇之下基板％位置，使兩基板之 位置彼此吻合。如第8圖所示，本發明之對準裝置37G其構成主 要在於個別移動該上基座板32❶與下基座板⑽，其中該對準裝置 370係在χγ軸及θ角方向移動該下基座板，而在z轴方向利 659-krip 16 1275868 ·< i ι 用垂直驅動裝置390移動該上基座板32〇，從而，該等基板幻與 S2之相對位置產生變化’藉以調整兩基板之位置至吻合為止。 在前述上/下基板S1與S2進入真空室31〇且分設於該上/下基 座板32〇與330之上後，該真空裝置34〇遂以抽取方式從該真空： 至310内部移走氣體使其成為真空狀態。該真空裝置如❶可為一 .· 乾式幫浦或渦輪分子幫浦或機械增壓幫浦。 該組合裝置360係用以穩固彼此已經預貼合之上/下基板μ 與S2。此實施例中’該組合褒置36〇實為一將氣體灌入該真空室 310以提昇其内部壓力使之高於該上/下基板&與幻内部空間壓籲 力之壓力恢復裝置，藉以固定該上/下兩基板31與％之結合。亦 即’在该上/下基板S1與S2彼此初步預貼合之後，該組合裝置綱 乃將空氣或惰性氣體注入該真空室31〇以增加其内部壓力。然後， 因為該基板S1與S2之外部墨力高於其内部壓力，且施加於該基 板S1與S2全部表面之壓力相同，所以，絲板81與幻兩者係 在保持等間距之條件下組構而成。又’該真空室恢復之壓力宜為、鲁 一大氣壓’則釋出組合後之該等基板時，可以省去執行任何額外 之步驟。 又’本實施例之基板組合裝置3〇〇宜進而包含觀察裝置38〇，-其係穿透該真空室3K)上表面一特定部位而形成，藉以提供使用· 人觀察貼附於上/下基座板320與33〇之該兩基板者。此觀察裝置 380之組_態在於使贿狀可透裝置喊察般於該上/ 659-krip 17 1275868 下基施320與330上之所有基板。亦即，該觀察裝置識之組 構形態在於將該等上/下基座板32〇與33〇實質上切割為若干部 分，然後各別加以掃晦。從而，其上設有基板si與&之該上/下 基座板320與330部分係被切割為數個實質部分，而該觀察裝置 380則各別分設於該等實質部分。 、

^實施例之基板組合裝置3⑽進而包括一控制單⑹未示)。該 控制單狀動作包括：驅動前述對準裝置37G使第—上基板幻之 :置與第-下基板S2之位置—致；其次，控_上基絲32〇使 弟-上基板S1因重力_而掉落在第—下基板S2上面κ後， 再度驅動該對準裝置37G使第二上基板S1之位置與第二下基板 S2之位置-致；#次，再控制該上基座板32〇使該第二上基板脫 離該上基座板32〇。該控制單元依此方式控制上方部件，直到該真 空室310内部所有上基板S1均與下基板％完成預貼合為止。當 工至310内#所有上基板81均與下基板幻完成預貼合動作 後’该控制單το這-次則驅動該組合裝置36()以促使該真空室則 内部已經麵合之所有上基板S1與下基板S2，同時相互組合起 茲配合第9圖以及第10A至圖所示，以一利用本實施例. 之基板組合裝置3GG為例’說明—基板組合方法如下： 百先是’分別擺置數片上基板S1與下基板％於上基座板幻〇 與下基座板330上(步驟S31〇)。此處意指分別置放等量之上基板 659-kiip 18 .1 1275868 » · S1與下基板S2於上基座板32〇與下基座板33〇上，亦即分別置 放至少兩片以上等量之上基板S1與下基板S2於上基座板32〇與 下基座板330上。 其次是，將該真空室310内部真空化(步驟S32〇)。亦即，完 成分聰置特上餘S1與下紐S2以基雜32g與下基座 板330 ’徹底封閉該真空室31〇，以及抽取該真空室⑽内部氣體 且排出室外使其内部壓力降低。 然後，是執行該上基板S1與下基板S2之預貼合動作(步驟 S33〇)。虽置放於上基座板320之上基板S1其位置與置放於下基 座板330之下基板S2位置一致後，由於本實施例中包括至少各有 ^片相互預貼合之上基板S1與下基板S2，因此本步驟跳〇係劃 /刀為如第10A至10D圖所示之數個子步驟。如第圖所示，首 先進行待組合上基板S1與下基板S2之位置校正，使彼等之上/下 位置-致，織獅合該上基板S1與下基板％。亦即，在使用 觀察裝置觀察該上基板S1與下基板幻位置之情況下，利用對準籲 裝置調整第-上基板S1與第-τ基板S2使兩者位置—致。其次， =第10B圖所示，該第一上基板31因為重力關係掉落而貝占附於該 第一下基板S2上。 · 之後，次一上基板S1亦如法泡製掉落及貼附於次一下基板 - S2。此處’由於上基板與對應之下基板互相貼附，所以，已貼附 之兩上/下基板即使整體在該下基座板33〇上之位置稍有變動，亦 659-krip 19 * 1275868 無大礙。從而，如第10C圖所示，應可自由調整上基板si與下基 板S2之位置。其後，如第10D圖所示，一第二上基板以亦因重 力吸引而貼附於一第二下基板S2上。上述貼附動作端視置於該上 /下基座板320與330之上/下基板數量，呈比例重複進行。

接下來的步驟是，將已經預貼合之上/下基板S1與S2進行組 合動作(步驟S340)。這裡主要是對該預貼合之上/下基板S1與S2 施加壓力，使兩基板S1與S2緊密結合。此實施例中，此處因該 真空至310内部壓力升高，所以，透職兩基板S1與s2之内外 部壓力差，故而兩基板得以更進—步緊密貼合。而且，在本實施 例中，全部已經初步預貼合之上/下基板，皆可同時完成組合。、因 此’利用本實施例之方式，—胡時解決多組上/下基板之組合工 作，並無困難。

從以上所麵射知，本剌所提供之基板組合裝置如且 方法僅只轉到，簡單且價廉之結構，其不但可降低生產成 及有效組合基板1且可自由調·合基板所需之壓力。 對照本發明提供之基板組合裝置她合方法，傳統上運用: 預貼口上/下基板之基板組合機械m全不制壓力方式， 如弟6圖所不，該上/下基板S1盥^ =何一點均獅鴨。如，細-壓力她合之 土反之間，储有—均㈣距。因此，_彼此維持平行之」 659-krip 20 1275868 下基板去製作高品質面板，理當更為容易。 曰本基I组合裝置完全不需要任何額外機械裝置，惟一需要的 構及易於產製 疋用以恢復真空室塵力為一大气、 .·· [力為大禱之昼力恢復裝置，藉以簡化結 於完成上/下基板之組合後，真空室内部之勤 氣愿，故有利釋出組合完成之該上/下基板至外界。鸟大 就因為本發明之基板組合方法在上/下基板組合完畢時，該直

部勤时變為—大缝，所以，本翻之基板組合裝置 兵組合方法能夠大幅驗每—組上/下基板之組合時間。 者以上’對於熟悉本技術領域之人士而言，本發明之基本理念 '可運用於其他不同形式或方式’而本發明職示之實施例僅供 例證而非肋_其實施翻者，惟任何引伸之變化仍應受申請 專利範圍各申請項之節制。 【圖式簡單說明】為促使本發明之結構、特徵、及效用等更胁瞭解起見，兹配

合貫施方式及/或先前技術之解說提供若干相關圖式以利說明，里 中： 第1圖係-傳統基板組合裝置之縱向斷面視圖； 第2圖係本發明_第—實施例之基板組合裝魏向斷面視圖； F圖77別為弟2圖所示基板組合裝置之操作步驟縱向 斷面視圖； 659-krip 21 1275868^ 圖 第4圖係採用第2圖所示該基板組合裝 置之基板組合方法流程 第第第二實麵之顧視圖； 弟6圖係採用本發明第二實施例之其 基板之示賴，· -之妨岭灯输合上/下 第7圖係採用本發明第二實施例之基板組合方法. 第8圖係本發明-第三實施例之基板組轉n見 弟^圖係採用本發明第三實施例之基板組合方=視丨 弟10Α至10D圖係採用本發明第二告 爪私圖，及 程圖。 也例之基板組合方法流 【主要元件符號說明】 P1 …上基板 P2…· •…下基板 S—… …密封材料 S1-— _…上基板 S2—- •…下基板 1—一一 -位置 10—· ·—真空室 11-— •-第玻璃基板 110— …真空室 111 — 一一閘門 659-krip 22 1275868 12 … …液曰曰 120… .…上基座板 13-- …第二玻璃基板 130— —下基座板 131-- …整列裝置 14—— ---密封物質 15…- …上平台 16…- …下平台 2—— -位置 200— …基板組合k置 210— -…真空室 220— -…上基座板 230- -…下基座板 240- -…真空裝置 250- …-外部真空幫浦 260— …-壓力恢復裝置 270- …-位置對準裝置 280- ——垂直驅動裝置 290- •…-觀察裝置 3—… ——位置 300- —基板組合t置 659-krip '1275868 % 310——真空室 320--…上基座板 330——下基座板 340……真空裝置 360……組合裝置 370——對準裝置 380……觀察裝置

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Claims (1)

1. 十、申請專利範園： 1· 一種基板組合裝置，包括·· 一内部可形成真空之真空室； σ又於兩述真工至内且各置有一上基板或下基板之上/下基座板; 引起設於前述基座板上之基板掉落之基板落下裝置； 中級真空V4 ’可將該真空室内部由—大氣壓的狀態轉換為 一中級真空的狀態； -正壓供應管線，可將該真空室内部由—大氣壓的狀態轉換為 一正壓的狀態；以及 閥門，可藉由改變該閥門之位置的方式改變上述真空室的壓 力狀態。 2.如申請專利範圍第1項所述之基板組合裝置，其中該上或下 基座板含有-對準裝置以供水平調整設於其上之基板位置。 3·如申請專利範圍第1項所述之基板組合襞置，其中該上與下 基座板係利用一真空吸附力固定設於其上之美板。 4·如申請專利範圍第1項所述之基板組合農置，其中該上與下 基座板係利用一靜電吸引力固定設於其上之基板。 5·如申請專利範圍第1項所述之基板組合裝置，其進而人有 穿設於該真空室之上表面一特定部位之 又規祭I置，用以觀察設 659-krip 25 1275868 • · 4 於該上或下基座板上之基板。 6.如申請專利細第〗項所述之基板組合 勤恢復裝置用以注人氣體於該^二== 大氣壓。 7.—種基板組合装置，包括·· 真工至’其内部可設入至少兩片上基板與至少兩片下基板·鲁 -設於該真空室_頂部之上基座板，伽以設置至少兩片上 基板而不致於疊置或剝離者； 一設於該真空室内側底部之下基絲，_以設置至少兩片下 基板而不致於疊致者； 基板位置权正裝置，係用以校正位於該上/下基座板上之上/ 下基版位置，使對應之上/下基版位置一致； =真空裝置，係用以造成該真空室内部之真空狀態；及 # 一組合裝置，_以施加反向勤_上與下基板使之彼此組 合構成一體。 如申請專利顧第7項所述之基板組合裝置，其進而包括有 一控制單元用以： 驅動該對準裝置使上/下對應之基偷置-致，及控制該上 659-krip 26 Γ275868 * 4 * 基座板使其上基板掉落於位置與之一致之下基板上； 若該真空室中尚有另外基板時，則再度驅動該對準裝置以 對準次一上/下基板之位置，及控制該上基座板使其次一上基板 掉落於位置與之一致之次一下基板上；及 在忒真空室内全體上/下基板皆已預貼合後，驅動該組合裝 置使全體已預贴合之上/下基板皆同時完成互相組合之動作。 9·如申請專利範圍第8項所述之基板組合裝置，其中，該組合p 裝置係-壓力恢復裝置，用以灌注氣體進入該真空室以提高其 内部壓力使之高於上/下基板圍住之内部空間壓力，藉以組合該 上/下基板。 J0·如申凊專利範圍第8項所述之基板組合裝置，其中，該組合 叙置係-設於該上基座板表關以從該上基座板剝離前述上 基板之基板剝離單元。 I U·如申請專利範圍第7或8項所述之基板組合裝置，其進而包 括有-穿設於該真空室上表面—特定位置之觀察裝置，用^ 、 別觀察設於該上/下基座板上之上/下基板。 口 _ 12·—種基板組合方法，包括有以下若干步驟： 659-krip 27 4 1275868 ( 1 ⑻於艙㈣之頂部麵料設翻^基板，且令該等上 基板與下基板相互平行，· ⑻於該艙室内形成—真空狀態； ⑷利用重力顧使轉上基祕落於職之下基板，且進 行預貼合該等上/下基板，· ⑹使讀至畴成為—域驗態或讀狀態，藉使該等 上/下基板得以利用一壓力差而相互結合；及 ⑹引介該艙室進人—大氣壓，及釋出料已組合之上/下基 13·如申請翻第12賴叙紐組合枝，射步驟⑻ 或(b)包括有一對準上/下基板之子步驟。 14·如申請專利範圍第12項所述之基板組合方法，其中，在步 ‘(b)時該驗室係處於一中度真空狀態。 5·種液晶面板用基板組合方法，係包括以下步驟· 兩片上基板 (a) 嵌設基板進入一真空室中，且分別置放至少 與至少兩片下基板於上/下基座板並不得重疊； (b) 於該真空室内形成一真空狀態； (e)利用重力原理使置放於該等上基座板之各上基板掉落於 659-krip 28 Γ275868 -I 1 1 Μ 對應之下基板上且彼此形成預貼合；及 (d)施加一塵力於全體已預貼合之上/下基板，使該等已預貼 合之上/下基板相互結合。 16.如申請專利範圍第15項所述之基板組合方法，其中，在該 步私⑻裡’透過紅/下基板之位置校正*獲得—上基板與其對應 下基板之位置-致性以及利用該上基板之掉落於對應下基板而達 成之上/下兩基板之預貼合動作，皆視設於該真空室内該上/下基板 之數量而呈比例連續反覆實施。 Π.如申請專利範圍第15項所述之基板組合方法，其中，於續 步驟⑷中增加該真空室之内部壓力，促使上/下基板得以利用已預 貼合之上/下基板所產生之内外壓力差而相互結合。

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