一种中低温烧结高压陶瓷电容器介质
技术领域
本发明是关于中低温烧结高压陶瓷电容器介质的配方组成,特指一种中低温烧结高压陶瓷电容器介质,适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器,能大大降低陶瓷电容器的成本,并且在制备和使用过程中不污染环境。
技术背景
彩电、电脑、通迅、航天、导弹、航海等领域迫切需要击穿电压高、温度稳定性好(如X7R、Y5T和Y5U特性等)、可靠性高的陶瓷电容器。一般单片高压陶瓷电容器介质的烧结温度通常为1300~1400℃,而本发明的中低温烧结陶瓷电容器介质的烧结温度为1100~1150℃,这样能大大降低高压陶瓷电容器的成本,同时本专利电容器陶瓷介质不含铅和镉,电容器陶瓷在制备和使用过程中不污染环境。
随着多种类型的电子设备如数码相机、移动电话、笔记本电脑、掌上电脑等移动电子设备的高速发展,小型化和轻型化是必然的趋势,构成这些电子设备的元器件也必须减少体积和重量,以适应电子元件的安装技术转变为表面贴装技术(SMD)的需要,表面贴装技术要求的元器件为片式元器件。多层陶瓷电容器是片式元器件中应用最广泛的一类多层陶瓷电容器(Mulltilayer CeramicCapacitor)简称MLCC。它是将电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合起来,并同时烧成一个整体。根据国际电子工业协会EIA标准,温度稳定型(X7R)MLCC是指以25℃的电容值为基准,在温度从-55℃~+125℃的范围内,容温变化率<=+/-15%,介电损耗(DF)<=2.5%。X7R型MLCC按组分分成两大类:一类是含铅的铁电体组成,另一类是以BaTiO3基非铅系铁电体组成。而后者由于对环境无污染,并且机械强度及可靠性优于前者,因此非铅系BaTiO3基高稳定MLCC具有广阔的应用前景。
通常用于生产中低温烧结高压陶瓷电容器的介质中含有一定量的铅,这不仅在生产、使用和废弃过程中对人体和环境造成危害,而且对性能稳定性有不良影响。
片式多层陶瓷电容器介质的烧成温度为1100~1150℃,内电极可以用银含量比70Ag/30Pd合金电极更高的内电极,使得MLCC片式多层陶瓷电容器的成本大大降低。
中国期刊《压电与声光》第23卷第4期(2001年8月)在“中温烧结BaTiO3铁电-玻璃陶瓷介电性能”一文公开了一种中低温烧结BaTiO3铁电陶瓷,它采用的是高纯、细颗粒草钛氧酸液相法合成的BaTiO3为主要原料,将使所制备的陶瓷电容器成本增加。同时采用的助熔剂是含大量铅的玻璃料,介质的配方组成也不同于本发明专利,该文在性能测试中未涉及耐压值。
中国期刊《华南理工大学学报(自然科学版)》第24卷第3期(1996年3月)在“中温烧结BaTiO3基多相铁电瓷料X7R特性”一文中探讨了BaTiO3基瓷料中温烧结机制,分析了中温烧结BaTiO3基瓷料的组成及不均匀结构分布对ε-T特性的影响。所用的BaTiO3原料是采用化学共沉淀的方法来制备的,这样会增加陶瓷电容器的成本,而本专利所用的BaTiO3、SrTiO3、CaZrO3都是采用常规的化学原料用固相法合成,同时该文公布的满足X7R特性的材料的室温介电常数1500~2000之间,组分中含有一定量的铅,并且未涉及耐压。
另有专利“高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料”(专利申请号97117286.2),它是采用固相法合成等价和异价离子同时取代(Sr2+,Zr4+,Sn4+,Nb5+)BaTiO3固溶体,加入适量的硼铅锌铜玻璃烧结剂,使瓷料在中温烧结,其性能为:介电常数大于等于16000,tanδ<2.5%,电容温度变化率在-78~+20%(-30~+85℃),耐压为700V/mm。该专利虽然介电常数高,但是电容温度变化率大,远远超过X7R、Y5T和Y5U特性,会导致使用过程中性能波动大,同时所报道的材料的耐压太差,仅为700V/mm,另外其组分含有一定量的铅。
还有专利“高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料”(专利申请号97117287.0),它采用独特的配方(BaTiO3 93~96%+Nb2O5 0.8~1.5%+Bi2O3 1.0~2.2+助熔剂1.8~3.5%+改性剂0.25~1.0%)得到中温烧结的满足如下性能的电容器陶瓷:介电常数为3000,tanδ<1.5%,耐压为860V/mm,而且不满足X7R、Y5T和Y5U特性。该专利的助熔剂含有一定量的铅,该专利的温度稳定性和耐压都差。导致使用过程中性能波动大,所制得的电容器使用安全性差。
发明内容
本发明的目的是提供一种中低温烧结高压陶瓷电容器介质。
本发明的目的是这样来实现的:
中低温烧结高压陶瓷电容器介质配方组成包括(重量百分比):BaTiO360-90%,SrTiO3 1-20%,CaZrO3 0.1-10%,Nb2O5 0.01-1%,MgO 0.01-1%,CeO20.01-0.8%,ZnO 0.01-0.6%,Co2O3 0.03-1%,铋锂固溶体0.05-10%。
本发明的介质中所用的铋锂固溶体是采用如下工艺制备的:将常规的化学原料Bi2O3和Li2CO3按89∶11摩尔比配料,研磨混合均匀后放入氧化铝坩锅内于850℃下保温30分钟,随后倒入冷水中进行淬冷,干燥以后研磨直到可以过200目筛,即成铋锂固溶体。
本发明采用常规的高压陶瓷电容器介质制备工艺,即首先采用常规的化学原料用固相法分别合成BaTiO3、SrTiO3、CaZrO3,然后按配方配料将配合料球磨粉碎混合,进行烘干后,加入粘合剂造粒,再压制成生坯片,然后在空气中烧结,经保温并自然冷却后,获得陶瓷电容器介质,在介质上被上电极即成。
上述陶瓷介质的配方最好采用下列三种方案(重量百分比):
1)BaTiO3 73-88%,SrTiO3 3-18%,CaZrO3 3-8%,Nb2O5 0.3-0.6%,MgO0.01-0.3%,CeO2 0.2-0.5%,ZnO 0.2-0.5%,Co2O3 0.6-0.8%,铋锂固溶体0.05-3%。
2)BaTiO370-86%,SrTiO3 1-20%,CaZrO3 6-10%,Nb2O5 0.3-0.6%,MgO0.01-0.3%,CeO2 0.2-0.5%,ZnO 0.2-0.5%,Co2O3 0.6-0.8%,铋锂固溶体4-7%。
3)BaTiO3 66-83%,SrTiO3 1-20%,CaZrO3 2-8%,Nb2O5 0.3-0.6%,MgO0.1-0.5%,CeO2 0.2-0.5%,ZnO 0.2-0.5%,Co2O3 0.4-1%,铋锂固溶体6-9%。
本发明与现有技术相比,有如下优点:
1.本专利的介质是中低温烧结(1100~1150℃)钛酸钡锶基电容器陶瓷,这样能大大降低高压陶瓷电容器的成本,同时本专利的介质组分中不含铅,对环境无污染。
2.本介质耐压高,可达6KV/mm以上。
3.本介质电容温度变化率小,使用过程中性能稳定性好,安全性高。
4.所制得的介质成本低,主要原料采用陶瓷电容器级纯即可制造出本发明的陶瓷介质。
5.本介质工艺简单,采用常规的固相法陶瓷电容器介质制备工艺即可进行制备。
6.本介质采用了铋锂固溶体作为助熔剂,实现中低温烧结。
具体实施方式
现在结合实施例对本发明作进一步的描述。
表1、2、3给出本发明的三组实施例共9个试样的配方。第一组实施例(试样1,2,3)具有Y5U温度特性;第二组实施例(试样4,5,6)具有Y5T和X7R温度特性;第三组实施例(试样7,8,9)具有X7R温度特性。
表1
试样编号 |
成 分 (重量%) |
BaTiO3 | SrTiO3 | CaZrO3 | Nb2O5 | MgO | CeO2 | ZnO | Co2O3 |
铋锂固溶体 |
1 |
73.5 |
17.3 |
6 |
0.5 |
0.2 |
0.3 |
0.4 |
0.8 |
1 |
2 |
74 |
16.5 |
6 |
0.6 |
0.2 |
0.2 |
0.3 |
0.7 |
1.5 |
3 |
74.5 |
15 |
6.5 |
0.5 |
0.2 |
0.3 |
0.3 |
0.6 |
2.1 |
表2
试样编号 |
成 分 (重量%) |
BaTiO3 | SrTiO3 | CaZrO3 | Nb2O5 | MgO | CeO2 | ZnO | Co2O3 |
铋锂固溶体 |
4 |
72.5 |
15.5 |
6 |
0.6 |
0.25 |
0.3 |
0.4 |
0.8 |
3.65 |
5 |
72 |
14.5 |
6.5 |
0.6 |
0.3 |
0.3 |
0.5 |
0.8 |
4.5 |
6 |
71 |
15 |
6.1 |
0.6 |
0.3 |
0.25 |
0.45 |
0.8 |
5.5 |
表3
试样编号 |
成 分 (重量%) |
BaTiO3 | SrTiO3 | CaZrO3 | Nb2O5 | MgO | CeO2 | ZnO | Co2O3 |
铋锂固溶体 |
7 |
68 |
20 |
3 |
0.6 |
0.25 |
0.3 |
0.4 |
0.8 |
6.65 |
8 |
69 |
18 |
3 |
0.6 |
0.3 |
0.3 |
0.5 |
0.8 |
7.5 |
9 |
67 |
18 |
4 |
0.6 |
0.3 |
0.25 |
0.45 |
0.8 |
8.6 |
上述配方的主要原料采用电容器级纯,在制备时首先采用常规的化学原料用固相法分别合成BaTiO3、SrTiO3、CaZrO3,然后按上述配方配料,将配好的料用蒸馏水或去离子水采用行星球磨机球磨混合,料∶球∶水(重量比)=1∶3∶(0.6~1.0),球磨4~8小时后,烘干得干粉料,在干粉料中加入占其重量10%的浓度为10%的聚乙烯醇溶液,进行造粒,混研后过40目筛,再在10~20Mpa压力下进行干压成生坯片,然后在温度为1100℃~1150℃下保温0.5~4小时进行排胶和烧成,再在780℃~870℃下保温15分钟进行烧银,形成银电极,再焊引线,进行包封,即得电容器,可以测试其介电性能。上述各配方试样的介电性能列于表4。
表4
试样编号 |
介电常数(ε) |
介质损耗(×10-4) |
绝缘电阻(×1010Ω·Cm) |
电容温度变化率(%)(-55℃~+125℃) |
耐流电压(KV/mm) |
1 |
2800 |
210 |
>30 |
-43/+21 |
>6.0 |
2 |
2670 |
190 |
>30 |
-40/+18 |
>6.0 |
3 |
2710 |
165 |
>30 |
-35/+21 |
>6.0 |
4 |
2509 |
156 |
>20 |
-31/+20 |
>=6.0 |
5 |
2520 |
143 |
>20 |
-22/+21 |
>=6.0 |
6 |
2300 |
200 |
>20 |
-14/+13 |
>=6.0 |
7 |
2208 |
220 |
>18 |
-12.5/+11 |
>=6.0 |
8 |
2160 |
233 |
>17 |
-13/+10 |
>=6.0 |
9 |
2078 |
245 |
>18 |
-11.5/+11.5 |
>=6.0 |