CN1607424A - 面内切换型液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

面内切换型液晶显示装置。本发明公开了一种用于面内切换型液晶显示装置的基板,包括:沿第一方向的选通线;沿第二方向的数据线,所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区;位于所述选通和数据线的交叉处的薄膜晶体管;位于所述像素区中的沿第三方向的像素电极多个,所述像素电极与所述薄膜晶体管连接;沿所述第三方向的公共电极多个,所述公共电极与所述像素电极以交替方式排列;以及覆盖所述公共电极和所述像素电极的配向层,所述配向层具有沿所述第一方向的配向方向。

Description

面内切换型液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)装置,更具体地,本发明涉及面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置。
背景技术
由于功耗低、易于携带,液晶显示(LCD)装置已被认为是具有巨大价值的下一代显示装置。
液晶材料的光学各向异性和偏振特性是驱动LCD装置的基础。通常,LCD装置包括:两个基板,分隔开布置并相互面对;以及介于该两个基板之间的液晶层。偏振片被分别布置在两个基板的外表面上。两个基板中的每一个都包括电极,并且两个基板的电极也相互面对。对各电极施加的电压在电极之间产生了电场。通过改变该电场的强度或方向来改变液晶分子的配向。LCD装置通过根据液晶分子的排列(或重新排列)改变透光性来显示图像。
液晶显示器(LCD)的一种类型是有源矩阵LCD(AM-LCD),其具有以矩阵形式排列的薄膜晶体管(TFT)和像素电极,由于高分辨率和显示运动图像时的优越性,其已经成为重要研究和开发的主题。
现有技术的液晶显示板具有上基板、下基板和布置于二者之间的液晶层。通常被称作滤色器基板的上基板通常包括公共电极和多个滤色器。通常被称为阵列基板的下基板包括多个开关元件(如薄膜晶体管)和多个像素电极。
根据以下的原理操作LCD装置:液晶分子的配向方向依赖于施加在公共电极和像素电极之间的电场。因而,液晶分子的配向方向由施加到液晶层的电场控制。当液晶分子的配向方向被正确调整时,入射光沿配向方向折射以显示图像数据。液晶分子起到光调制元件的功能,具有依赖于所施加的电压极性的可变光学特性。
在现有技术的LCD装置中,像素电极和公共电极分别布置在下基板和上基板上,因而,它们之间产生的电场垂直于上下基板。然而,具有纵向电场的现有技术LCD装置具有视角非常小的缺点。为解决视角狭窄的问题,开发了面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置。IPS-LCD装置通常包括其中布置了像素电极和公共电极的下基板、没有电极的上基板、以及布置在上基板和下基板之间的液晶。将参照图1详细地解释现有技术的IPS-LCD装置的操作模式。
图1是示出了现有技术的IPS-LCD装置的原理的示意性剖视图。如图1所示,上下基板10和20相互隔开,其间布置液晶层30。上下基板10和20通常分别称作滤色器基板和阵列基板。位于下基板20上的是公共电极22和像素电极24。公共电极和像素电极22和24基本相互平行地排列。在上基板10的表面上,滤色器层(未示出)通常位于下基板20的像素电极24和公共电极22之间。在公共电极和像素电极22和24上施加的电压产生了通过液晶层30的液晶分子的电场26。液晶层30具有正介电各向异性,并因此使液晶分子基本平行于电场26排列。
现有技术IPS-LCD装置的操作如下。当未对公共电极和像素电极22和24施加电场时,也就是OFF状态,各液晶(LC)分子的纵轴平行并与公共电极和像素电极22和24形成了一定的角度。例如,LC分子的纵轴被布置得与公共电极和像素电极22和24都平行。
相反,当对公共电极和像素电极22和24施加了电场时,也就是ON状态,因为公共电极和像素电极22和24位于下基板20上,所以产生了平行于下基板20表面的面内电场26。因而,LC分子重新排列,从而它们的纵轴与电场26一致。
结果是获得较宽的视角,例如在上下方向和左右方向相对于垂直于IPS-LCD装置的线具有大约80到85度的视角范围。
图2是示出了依据现有技术的用于IPS-LCD装置的阵列基板的示意性平面图。如图2所示,选通线40和数据线42相互交叉,限定了像素区P。在选通线40和数据线42的交叉点形成薄膜晶体管(TFT)T。
公共线44与选通线40基本平行地形成,并与选通线40分隔开。在像素区P内,多个公共电极46从公共线44基本垂直地延伸,并基本与数据线42平行。公共电极46包括两个第一公共电极46a以及一个第二公共电极46b。该两个第一公共电极46a分别与相应数据线42相邻。第二公共电极46b布置在该两个第一公共电极46a之间,并因此位于像素区P的中部。
第一像素连接线48与薄膜晶体管T相连。多个像素电极50从第一像素连接线48垂直地延伸,并与多个公共电极46以交替方式排列。第二像素连接线52连接到像素电极50的与第一像素连接线48相对的端部。第二像素连接线52与公共线44交叠。被交叠的公共线44和第二像素连接线52连同其间布置的绝缘体(未示出)一起形成存储电容器CST
各公共电极46和各像素电极50之间的各空间基本上与开口区域(aperture area)A相对应,在该空间,依据平行于基板的横向电场来驱动液晶分子。每个开口区域A可被称作一个块。在图2中,一个像素具有4个块,也就是说,4个开口区域A。因而,在每个像素区P中,三个公共电极46和两个像素电极50以相互交替的方式布置。
图3A和图3B是图2的区域B的放大图,图3A和图3B主要示出了配向层(alignment layer)的摩擦方向和公共电极与像素电极之间产生的电场的方向的相关性。
在图3A和3B中,沿图中从右下侧到左上侧的方向摩擦配向层(未示出)。液晶分子最初依据配向层的摩擦方向排列,相对于选通线(未示出)具有大约45度的角。当电压施加到公共电极和像素电极时,在公共电极和像素电极之间产生了横向电场,该横向电场基本上与基板平行。因此,横向电场具有垂直于公共电极和像素电极的方向56。
在图3A中,分别向公共电极和像素电极施加大约5V和大约8V的电压,并向数据线施加大约8V的电压。在公共电极和像素电极之间存在着大约3V的电压差。液晶分子(未示出)沿由于电压差产生的横向电场56重新排列,从而具有第一方向54。此时,上述电压与灰度图像对应。
在图3B中,分别向公共电极和像素电极施加大约5V和大约8V的电压,并向数据线施加大约10V的电压。因而,虽然在公共电极和像素电极之间存在着大约3V的电压差(与图3A中的电压差相同),但施加到数据线上的电压的变化显著改变了公共电极和像素电极之间的电场。因而,液晶分子沿第二方向58排列,比图3A的第一方向54旋转得更多,但不平行于横向磁场56。即使对公共电极和像素电极施加相同的电压,也会因数据信号不同而改变透光性。
为解决上述问题,可加宽外侧公共电极的宽度。也就是,在图2中,为减少数据线42和相邻的像素电极50之间的交叉干扰并防止漏光,图2的第一公共电极46a可以具有比图2的第二公共电极46b更宽的宽度。然而这降低了孔径比(aperture ratio)。
发明内容
因而,本发明意在提供一种面内切换型液晶显示装置,其基本消除了由于现有技术的缺点和局限产生的一个或更多个问题。
本发明的一个优点是提供了一种增大了视角的面内切换型液晶显示装置。
本发明的另一优点是提供一种面内切换型液晶显示装置,其不减小孔径比,而可提高亮度。
本发明的其它特征和优点将在以下的说明中阐明,部分地将在说明中变得明显,部分地可在对本发明的实践中习得。通过说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构,可实现本发明的目的,并获得其它的优点。
为实现这些和其它的优点,并结合本发明的目的,如本文所示例并广泛描述的,一种面内切换型液晶显示装置包括:沿第一方向的选通线;沿第二方向的数据线,所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区;在选通线和数据线的交叉处的薄膜晶体管;在所述像素区中的沿第三方向的多个像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管连接;沿所述第三方向的多个公共电极,所述公共电极与所述像素电极以交替方式排列;以及覆盖所述公共电极和所述像素电极的配向层,所述配向层具有沿所述第一方向的配向方向。
应该理解,前述的一般描述和以下的详细描述是示例性和解释性的,并意在对权利要求所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
所包括的附图用于对本发明提供进一步的理解,被合并在说明书中,并构成说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例并与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中:
图1是示出了现有技术的面内切换型液晶显示(IPS-LCD)装置的示意性剖视图;
图2是示出了依据现有技术的用于IPS-LCD装置的阵列基板的示意性平面图;
图3A和图3B是图2的区域B的放大图;
图4是依据本发明第一实施例的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图;
图5A和图5B是图4的区域D的放大图,分别示出了液晶分子在OFF状态和ON状态的排列;
图6是依据本发明第二实施例的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图;
图7示出了当施加了电压时,依据本发明第二实施例的阵列基板中的电场的方向;以及
图8是依据本发明第三实施例的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图。
具体实施方式
现在详细说明本发明的实施例,其示例在附图中显示。
图4是依据本发明第一实施例的用于面内切换型液晶显示装置的阵列基板的平面图。
在图4中,在第一方向形成选通线110,在第二方向形成数据线126。选通线110和数据线126相互交叉以限定像素区P。薄膜晶体管T在选通线和数据线110和126的交叉点处形成。在像素区P内形成多个与薄膜晶体管T相连的像素电极130。在像素区P内形成多个公共电极118,其与所述多个公共电极130以交替方式排列。
在第一实施例中,使像素电极130和公共电极118倾斜,以相对于第一方向具有预定的角度θ,预定的角度θ可以在大约1度到45度的范围内。
薄膜晶体管T包括栅极112、半导体层120、源极122和漏极124。像素连接线128与漏极124相连。像素连接线128为反L形。多个像素电极130从像素连接线128的两侧基本沿第一方向延伸。这些像素电极130基本上相互平行。
沿第二方向在像素区P中形成多个公共连接线116。公共连接线116在各数据线126附近。也就是说,在一个像素区P中形成两个公共连接线116。在公共连接线116之间形成多个公共电极118,公共电极118与像素电极130交替排列。在相邻像素区P中的公共连接线116通过在第一方向形成的公共线114相互电连接。
虽然图中没有详细地示出,在基板的近乎整个表面上形成了配向层以覆盖像素电极130。沿数据线126和与之相邻的公共连接线116之间产生的电场的方向摩擦配向层。数据线126和与之相邻的公共连接线116之间的电场的方向基本与第一方向平行。因而,沿第一方向摩擦配向层。
在第一实施例中,因为决定液晶分子(未示出)的初始排列的摩擦方向和决定施加电压时液晶分子排列的、数据线126和与之相邻的公共连接线116之间的电场方向相同,因此,可以有效地防止在数据线126和与之相邻的公共连接线116之间的区域中的漏光。据此,因为减少了用于遮挡漏光的图形面积,所以可以提高孔径比。
为使用相对于摩擦方向具有大约90度角的横向电场形成全白亮度(white brightness),公共电极118和像素电极130相对于摩擦方向(也就是第一方向)以预定的角度倾斜。可在大约1度到45度的范围内确定该预定角度,从而液晶分子可很容易地向期望的方向旋转。
公共电极118和像素电极130之间的宽度W1大于或等于数据线126的第一侧和公共连接线116的内侧(即距离数据线126的第一侧较远的一侧)之间的距离d1,以形成横向电场。例如,宽度W1可以是10微米。例如,距离d1可以在3-8微米的范围内。
在第一实施例中,因为在施加电压时,数据线和公共连接线之间的液晶分子不旋转,所以可以防止漏光。因而,可以减小公共连接线的宽度,增大孔径比。
图5A和图5B是图4的区域D的放大图,并分别示出了OFF状态和ON状态的液晶分子的排列。
在图5A的OFF状态,也就是,未施加电压的状态,液晶分子140沿摩擦方向排列。因为在OFF状态没有电场,所以摩擦方向决定了液晶分子140的初始排列。在本实施例中,摩擦方向基本平行于图4所示的选通线110。因而,数据线126和公共连接线116之间的液晶分子140与数据线126基本垂直交叉。
在图5B所示的ON状态,也就是施加了电压的状态,液晶分子140沿电场的方向排列。横向电场144在公共电极118和像素电极130之间产生,使公共电极118和像素电极130倾斜以相对于选通线110具有预定的角度。因而,液晶分子140可以很容易地被旋转。同时,在数据线126和公共连接线116之间产生基本垂直于数据线126的电场142。也就是说,电场142基本平行于摩擦方向。因而,数据线126和公共连接线116之间的液晶分子140不旋转。
图6是依据本发明第二实施例的用于面内切换型液晶显示装置的阵列基板的平面图。
在图6中,在第一方向形成选通线210,在第二方向形成数据线226。选通线210和数据线226相互交叉以限定像素区P。在选通线和数据线210和226的交叉部分形成薄膜晶体管T。
在像素区P形成与薄膜晶体管T相连的多个像素电极230。在像素区P形成多个公共电极218,其与多个像素电极230以交替方式排列。
沿像素区P的外围形成像素连接线228。像素连接线228与薄膜晶体管T相连,并与选通线210和数据线226隔开。在像素连接线228内沿相对于第一方向倾斜的第三方向,形成多个像素电极230,像素电极230与像素连接线228连接。像素电极230和像素连接线228形成了多个开口227。
沿第二方向在像素区P中形成多个公共连接线216。公共连接线216与像素连接线228交叠。公共连接线216位于各数据线226附近。也就是说,在一个像素区P中形成两个公共连接线216。在公共连接线216之间形成公共电极218。公共电极218布置在开口227中,并与像素电极230相交替。相邻像素区P中的公共连接线216通过在第一方向形成的公共线214相互电连接。
像素连接线228和公共连接线216连同位于其间的绝缘层(未示出)一起形成存储电容器CST。在现有技术中,为形成存储电容器减少了开口区。而在本实施例中,与数据线226相邻的像素连接线228和公共连接线216形成了存储电容器CST,因而,可以增加存储电容器CST的电容,同时不减小孔径比。
图7示出了当施加了电压时,依据本发明的第二实施例的阵列基板中的电场的方向。
在图7中,向像素电极施加大约10V的电压,向公共电极施加大约5.4V的电压。在像素电极和公共电极之间形成了电场,因而,液晶分子(未示出)沿电场的方向排列。
在开口边缘(具体地说是在图中的右边缘E)的电场的方向与开口中间部分的电场方向不同。因而,存在着电场变形,并因此降低了图像质量。
图8是依据本发明的第三实施例的用于面内切换型液晶显示装置的阵列基板的平面图。此处省略了对与图6相同的部件的描述。
在图8中,各公共电极318的一端具有凸起F,其交叠于与公共电极318相邻的像素电极330。各公共电极318的一端比各公共电极318的另一端距选通线310更远。在各公共电极318的面向限定了对应像素区P的选通线310的一侧形成凸起F。
通过形成凸起F,在各个开口部分G中一致地排列液晶分子(未示出)。
在本发明中,公共电极、像素电极和摩擦方向具有与选通线相同的方向。因而,即使施加了电压,与数据线相邻的液晶分子也不旋转。可以防止数据线周围漏光。另外,因为公共电极和像素电极的方向与数据线的方向不同,所以数据线对公共电极和像素电极之间的电场的影响最小,因此改善了图像。
对本领域的技术人员来说,显然可以不脱离本发明的精神和范围对本发明进行各种修改和变化。因而可以认为,只要对本发明的这些修改和变化在所附权利要求及其等同物的范围内,本发明就覆盖了它们。
本申请要求2003年10月13日提交的韩国专利申请No.2003-0071060的优先权,以引用的方式将其并入本文,就如同其全部在本文阐明一样。

Claims (22)

1、一种用于面内切换型液晶显示装置的基板,包括:
沿第一方向的选通线;
沿第二方向的数据线,所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区;
位于所述选通线和所述数据线的交叉处的薄膜晶体管;
位于所述像素区中的沿第三方向的多个像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管连接;
沿所述第三方向的多个公共电极,所述公共电极与所述像素电极以交替方式排列;以及
覆盖所述公共电极和所述像素电极的配向层,所述配向层具有沿所述第一方向的配向方向。
2、根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述第三方向相对于所述第一方向倾斜预定的角度。
3、根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述预定的角度在大约1度到45度的范围内。
4、根据权利要求1所述的基板,进一步包括沿所述第二方向的公共连接线,其中,所述公共连接线在所述数据线附近,并与所述公共电极连接。
5、根据权利要求4所述的基板,进一步包括沿所述第一方向的公共线,所述公共线连接到相邻像素区的公共连接线。
6、根据权利要求4所述的基板,其特征在于,所述像素电极和所述公共电极之间的宽度大于或等于所述数据线的第一侧和所述公共连接线的内侧之间的距离。
7、根据权利要求6所述的基板,其特征在于,所述像素和所述公共电极之间的宽度为大约10微米。
8、根据权利要求6所述的基板,其特征在于,所述数据线的所述第一侧和所述公共连接线的所述内侧之间的距离大约在3到8微米的范围内。
9、根据权利要求1所述的基板,进一步包括将所述薄膜晶体管连接到所述像素电极的像素连接线。
10、根据权利要求9所述的基板,其特征在于,所述像素连接线为反L形。
11、根据权利要求9所述的基板,其特征在于,所述像素连接线沿所述像素区的外围形成。
12、根据权利要求11所述的基板,其特征在于,所述像素连接线和所述像素电极形成多个开口。
13、根据权利要求12所述的基板,其特征在于,所述公共电极布置在所述开口中。
14、根据权利要求11所述的基板,进一步包括沿所述第二方向的公共连接线,其中,所述公共连接线连接到所述公共电极,并与所述像素连接线的一部分相重叠。
15、根据权利要求14所述的基板,其特征在于,所述公共连接线和所述像素连接线的交叠部分连同其间的绝缘层一起形成存储电容器。
16、根据权利要求14所述的基板,进一步包括连接相邻像素区的公共连接线的公共线。
17、根据权利要求11所述的基板,其特征在于,各公共电极在第一端具有凸起。
18、根据权利要求17所述的基板,其特征在于,在所述第一端的所述凸起比所述公共电极的第二端距所述选通线更远。
19、根据权利要求17所述的基板,其特征在于,所述凸起与相邻的像素电极交叠。
20、根据权利要求17所述的基板,其特征在于,所述凸起在所述公共电极的离所述选通线更近的一侧形成。
21根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述像素电极由铟锡氧化物(ITO)形成。
22、根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述公共电极由与所述选通电极相同的材料制成。
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