CN1577654A - 磁耦合器件和采用磁耦合器件的电子设备 - Google Patents

磁耦合器件和采用磁耦合器件的电子设备 Download PDF

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CN1577654A CN200410055750.5A CN200410055750A CN1577654A CN 1577654 A CN1577654 A CN 1577654A CN 200410055750 A CN200410055750 A CN 200410055750A CN 1577654 A CN1577654 A CN 1577654A
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长谷川也寸志
前田泰志
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Abstract

如果存在着外磁场(外部噪声),就有可能在接收线圈和虚拟线圈上产生等效的噪声分量,接收线圈和虚拟线圈的各自噪声可以在差分放大器上相互至少部分抵消,基本上只将发射线圈的磁场所产生的信号分量通过差分放大器施加至比较器,信号由比较器进行二进制化且通过输出控制电路和各个晶体管输出。

Description

磁耦合器件和采用磁耦合器件的电子设备
                            发明背景
本申请享有代理35USC 119(a)于2003年7月28提交的日本专利申请号No.2003-281029的优先权,其内容整体合并与此供参考。
本发明提出了一种磁耦合器件,在该器件中,绝缘层可以介入在相互磁耦合的发射线圈和接收线圈之间,在发射线圈上输入的信号使得在接收线圈上输出信号,该信号至少部分是由于在两线圈之间的磁耦合感应所产生的;并且还提出一种使用该磁耦合器件的电子设备。
正如众所周知的,广泛应用于电子设备的光耦合器件在其输入端具有一个光发射元件以及在其输出端具有一个光接收元件,在输入端所产生的信号发射与输出端是电绝缘的。
近年来出现了具有较快通讯速率的磁耦合器件,随着发射速度的提高(在50Mb/s和100Mb/s的等级上),特别是在工厂自动化设备的现场总线网络以及其它等相关场合的典型状态下,磁耦合器件比光耦合器件更具有吸引力。
在这类磁耦合器件中,例如,在美国专利No.6,376,933中所披露的器件。在该磁耦合器件中,它由电桥电路所组成,该桥路包括磁阻传感器,磁阻传感器的磁阻随着磁场强度而变化,该磁阻传感器可用于检测输入的磁场,从桥路中可提取磁阻传感器的输出信号,该输出信号反馈至其中,产生输出磁场,将磁阻传感器信号输出至外部,同时进行控制,使得输入磁场和输出磁场能够相互抵消。这里,因为输出信号反馈至其中,从而使得输入磁场和输出磁场可以相互抵消,在输出信号端电路中所产生的内部噪声予以删除。
然而,上述常规的磁阻器件存在着一些问题,即使它有可能减小内部噪声,但没有考虑减小地磁和其它这类外部噪声,还一直存在着输出信号波形的失真和/或诸如在输出信号通讯的过程中信息(比特)丢失、妨碍正常通讯的现象
本发明构想是针对上述普遍问题,因此,本发明的一个目的是提供一种磁耦合器件,该器件能够减小外部噪声的影响并能够稳定的进行高速通讯。
                        发明内容
为了能够获得上述目的和/或其它目的,根据本发明的一个或多个实施例的磁阻耦合器件包括:一个或多个发射线圈;一个或多个接收线圈;一层或多层绝缘层;一个或多个虚拟线圈;以及一个或多个逻辑元件;其中至少一个或多个发射线圈和至少一个或多个接收线圈是相互磁耦合的,且至少一层或多层绝缘层介入在上述两者之间;在至少一个或多个发射线圈所输入的至少一个信号使得在至少一个或多个接收线圈上输出至少一个信号,该信号至少是由于相互之间的磁耦合的感应部分产生的;至少一个或多个虚拟线圈可以或多或少地设置在至少一个或多个接收线圈的附近;以及至少一个或多个逻辑元件确定在至少一个或多个接收线圈的至少一个信号和至少一个或多个虚拟线圈的至少一个信号之间的至少一个差值。
根据本发明这类实施例的磁耦合器件,其发射线圈和接收线圈是相互磁耦合的,由发射线圈将信号发射至接收线圈。此外,虚拟线圈可以或多或少地设置在至少一个或多个接收线圈的附近,并且可以确定在接收线圈的信号和虚拟线圈的信号之间的差值。这种虚拟线圈的结构可以允许减弱在虚拟线圈和发射线圈之间的磁耦合,并且可以允许检测在接收线圈和虚拟线圈的等效外部磁场。因此,虚拟线圈的输出几乎不包含任何由发射线圈的磁场所产生的信号分量,但是会包含着由外部磁场所产生的噪声分量。另一方面,接收线圈输出将包含由发射线圈的磁场所产生的高电平信号分量,并且会包含由外部磁场以与虚拟线圈相比较或多或少等效的方式所产生的噪声分量。这种情况是,通过确定在接收线圈信号和虚拟线圈信号之间的差值,就有可能至少部分抵消由外部磁场所产生的噪声分量,以及以几乎没有损耗的方式提取由发射线圈磁场所产生的信号分量。其结果是,有可能减小外部噪声的影响并且稳定地进行在发射线圈和接收线圈之间的高速通讯。
此外,本发明的一个或多个实施例可以包括一个或多个第一虚拟线圈;和一个或多个第二虚拟线圈;其中至少一个或多个虚拟线圈或至少一个或多个第二虚拟线圈是设置在至少一个屏蔽部件上的,用于至少能够部分屏蔽至少一个外部磁场。
于是,根据本发明这一实施例的磁耦合器件可以具有一个或多个第一虚拟线圈;以及一个或多个第二虚拟线圈;其中,至少一个或多个第一虚拟线圈或至少一个或多个第二虚拟线圈是这时在至少一个屏蔽部件上的,用于至少能够部分屏蔽至少一个外部磁场。屏蔽部件可以是,例如,设置在第二虚拟线圈上的。在这种情况下,第二虚拟线圈的输出将几乎不包含由外部磁场所产生的噪声分量,并且几乎不包含由发射线圈的磁场所产生的噪声分量,但是将基本上只包含内部噪声分量。对于这种情况,通过确定在接收线圈信号和第二虚拟线圈信号之间的差值,就有可能基本消除在接收线圈信号中所包含的内部噪声分量。另外和除此之外,通过确定在接收线圈信号和第一虚拟线圈信号之间的差值,正如以上所提及的,就有可能基本消除在接收线圈信号中所包含的外部噪声分量。通过对各个接收线圈进行适当的逻辑运算,接收线圈中的内部噪声分量和/或由外部磁场所产生的噪声分量就能够以这种方式基本消除,就有可能减小内部噪声分量和由外部磁场所产生的噪声分量,并且满意地提取由发射线圈磁场所产生的信号分量。
此外,在本发明的一个和多个实施例中,至少一个或多个接收线圈可以设置在至少一个或多个第一虚拟线圈和至少一个或多个第二虚拟线圈之间。此外,本发明的一个或多个实施例可以包括多个虚拟线圈;其中各个虚拟线圈和接收线圈的排列使得各个虚拟线圈和接收线圈分开的各自距离都是基本相同的。
于是,在根据本发明实施例的磁耦合器件中,接收线圈可以设置在第一虚拟线圈和第二虚拟线圈之间。另外和除此之外,本发明的一个或多个实施例可以包括多个虚拟线圈;其中各个虚拟线圈和接收线圈可以设置成在各个虚拟线圈和接收线圈之间的各个间距都是基本相等的。在这种情况下,各个虚拟线圈就允许由接收线圈检测外部磁场的或多或少精确检测。
此外,在本发明的一个或多个实施例中,至少一个或多个接收线圈的至少一匝或多匝的数量和至少一个和多个虚拟线圈的至少一匝或多匝的数量可以是基本相同的。
于是,在根据本发明实施例的磁耦合器件中,接收线圈的匝数数量和虚拟线圈的匝数数量可以是基本相同的。这就有可能使得由外部磁场所产生的接收线圈噪声分量和由外部磁场所产生的虚拟线圈噪声分量设置在等效的电平上,就有可能最终通过确定在接收线圈输出和虚拟线圈输出之间的差值来抵消有外部磁场所产生的噪声分量。
此外,在本发明的一个或多个实施例中,至少一个抗磁化部件用于至少部分屏蔽至少一个或多个虚拟线圈免受至少一个发射线圈的至少一个磁场,该部件可以设置在至少一个或多个接收线圈和至少一个或多个虚拟线圈之间。
于是,在根据本发明实施例的磁耦合器件中,因为在接收线圈和虚拟线圈之间设置了抗磁化部件,所以虚拟线圈可以至少部分屏蔽发射线圈的磁场,在这种情况下,就有可能充分地减小由发射线圈的磁场所产生的虚拟线圈信号分量;并且通过确定在接收线圈输出和第一虚拟线圈输出之间的差值,就有可能在几乎没有损失的条件下提取由发射线圈磁场所产生的信号分量。
此外,本发明的一个或多个实施例可以包括多组接收线圈和虚拟线圈;其中至少一个屏蔽组件可用于至少部分阻滞在至少部分各组之间以相互方式起作用的至少一个磁场。
于是,因为在根据本发明实施例中的磁耦合器件是以上述多组接收线圈和虚拟线圈为基础的,所以屏蔽部件就可设置在至少一部分各组之间,至少可以部分阻滞在各组之间以相互方式起作用的磁场。
此外,根据本发明的一个或多个实施例的电子设备可以采用一个或多个根据本发明上述实施例中任一实施例的磁耦合器件。
于是,本发明并不限制于磁耦合器件,并且包括采用这类磁耦合器件的电子设备。这类电子设备不仅可以包括工厂自动化设备一起其它等等,还可以包括DVD,CD,MD,和/或其它这类播放类型设备,图像接收设备,电源,逆变器,和/或其它类型设备,只要它包含在进行信号发射需要在输入和输出之间绝缘的电路即可。
                        附图简要说明
图1以示意图方式显示了根据本发明的磁耦合器件的第一实施例的侧视图。
图2是显示图1所示磁耦合器件的底视图。
图3是显示用于处理图1所示磁耦合器件输出信号的信号处理单元的方框图。
图4是显示图1所示磁耦合器件变型的底视图。
图5以示意图方式显示了根据本发明的磁耦合器件的第一实施例的侧视图。
图6是显示图5所示磁耦合器件的底视图。
图7是显示用于处理图5所示磁耦合器件输出信号的信号处理单元的方框图。
图8是显示图5所示磁耦合器件变型的底视图。
图9是显示图5所示磁耦合器件另一变型的底视图。
                            较佳实施方式
以下将参考附图详细讨论本发明的实施例。
(实施例1)
图1和图2是以示意图方式显示了根据本发明的磁耦合器件的第一实施例的侧视图和底视图。本实施例的磁耦合器件1包括:设置在接收芯片6上的绝缘层2;设置在绝缘层2上的发射线圈3,以及分别设置在绝缘层2下面的接收线圈4和虚拟线圈5。
发射线圈3和接收线圈4相互层叠将绝缘层2夹在中间,并且相互间磁耦合。由于虚拟线圈5设置在接收线圈4的附近且与发射线圈3相错开,因此就不能磁耦合发射线圈3。接收线圈4和虚拟线圈5具有相同数量的匝数。
绝缘层2可以采用旋涂或类似的方法来形成,以此涂覆一层聚酰亚胺或者其它类似绝缘材料的薄膜。有关绝缘层2的上下表面,要求能够为各个线圈3,4,5的制成和排列提供一个充分宽于各个线圈3,4,5的平坦区域的表面。此外,由于在使用旋涂和其它这类方法制成绝缘层2的过程中,绝缘层2会在其端面区域附近溢出,在这种情况下,必须将绝缘层的尺寸设置成各个线圈3,4,5不会占据这类溢出区域。此外,在磁耦合器件1的情况如同光耦合器件的情况下,绝缘层2必须具有一个适当的厚度,以便于满足国外安全标准的电气绝缘特性。一般来说,指定绝缘层2的最小厚度温0.15mm。并且在可能的场合下,它的厚度不小于0.4mm。
图3显示了信号处理电路11,它适用于处理磁耦合器件1的接收线圈4和虚拟线圈5各自输出的信号。该信号处理电路11包括:放大器12和13,用于放大接收线圈4和虚拟线圈5的各自输出信号;差分放大器14,用于确定放大器12和13各自输出信号之间的差值;比较器15,用于将差分放大器14的输出信号转变成二进制化信号;晶体管16和17,分别用于输出二进制化信号;输出控制电路18,用于根据比较器15输出的二进制化信号来控制各个晶体管16和17;以及低电压电路19,作为功率电源向各个放大器12至14和比较器15提供电源。
这里,首先假定不存在外部磁场(外部噪声)。在这种情况下,应用于发射线圈3的输入信号引起信号电流在发射线圈3中流动,从而根据安培右手法则产生了垂直于发射线圈3穿过发射线圈3中心的磁场,这一磁场籍助于插入的绝缘层2通过接收线圈4的中心,在接收线圈4中产生感应电流,并且这一感应电流形成输出信号施加至信号处理电路11。此外,因为通过发射线圈3中心的磁场不能通过虚拟线圈5的中心,所以在虚拟线圈5上几乎不会产生由发射线圈3的磁场所产生的感应电流,以及虚拟线圈5就不会存在输出信号。
在信号处理电路11中,接收线圈4的输出信号可以由放大器12放大,并随后施加至差分放大器14的反相输入端。此外,因为虚拟线圈5没有输出信号,放大器13就没有输出信号,以及在差分放大器14的同相输入端就没有输入信号。在这种情况下,差分放大器14反相和放大接收线圈的输出信号,并随后施加至比较器15。比较起15将差分放大器14的输出与预先所设置的阈值相比较,使输出为二进制化,并将二进制化的信号施加至输出控制电路18。输出控制电路18根据二进制化信号来控制各个晶体管16和17,使得二进制化信号能够从各个晶体管16和17输出。
因此,在不存在外部磁场(外部噪声)的情况下,在发射线圈3上所施加的输入信号将使接收线圈3输出一个输出信号。该输出信号通过放大器12和差分放大器14施加至比较器15,比较器15将此信号二进制化;并通过输出控制电路18以及各个晶体管16和17输出。
接着,假定存在着外部噪声。在这种情况下,在发射线圈3上所施加的输入信号使得发射线圈3产生磁场,在接收线圈4上感应信号。然而,此时,外部磁场使得噪声也能在接收线圈4上感应。在这种情况下,接收线圈4所输出的信号包含着由发射线圈3的磁场所产生的信号分量,以及由外部磁场所产生的噪声分量。
此外,外部噪声在接收线圈4周围一个较宽广的区域内均匀产生。同样,接收线圈4和虚拟线圈5具有相同的匝数。在这种情况下,由外部磁场在虚拟线圈5上也会感应等效于接收线圈4的噪声。然而,正如以上所提及的,在虚拟线圈5上几乎不会感应出由发射线圈3的磁场所产生的电流。在这种情况下,虚拟线圈5的输出将至包含着由外部磁场所产生的噪声分量。
在信号处理电路11,放大器12放大接收线圈4的输出信号,并随后施加至差分放大器14的反相输入端;此外,放大器13放大虚拟线圈5的输出信号,并随后施加至差分放大器14的同相输入端。又,虚拟线圈5的输出由放大器13放大,然后,施加至差分放大器14的同相输入端。差分放大器14输出在接收线圈4的输出和虚拟线圈5的输出之间的差值。正如以上所提及的,因为接收线圈4的输出包含由发射线圈3的磁场所产生的信号分量,而虚拟线圈5的输出只包含由外部磁场所产生的噪声分量,所以接收线圈4的输出和虚拟线圈5的输出之间的差值只是由发射线圈3的磁场所产生的信号分量,由外部磁场所产生的噪声分量已经相互抵消。因此,只有发射线圈3磁场所产生的信号分量可以由差分放大器14放大并施加至比较器15。比较器15二进制化由发射线圈3的磁场所产生的信号分量,并且将二进制化的信号施加至输出控制电路18。输出控制电路18使得二进制化的信号从晶体管16和17输出。
因此,在存在着外部磁场(外部噪声)的场合中,因为在接收线圈4和虚拟线圈5上产生等效的噪声分量,以及来自接收线圈4和虚拟线圈5各自所产生的噪声分量在差分放大器14就相互抵消,只有发射线圈3所产生的信号分量通过差分放大器14施加至比较器15,比较器15同样进行二进制化,并通过输出控制电路18和各个晶体管16和17输出。
于是,在本发明中,与是否存在着外部磁场无关,只有来自接收线圈4的信号分量由于发射线圈3的磁场可以通过差分放大器14施加至比较器15,这类信号分量可以二进制化且输出。
值得注意的是,当接收线圈4的匝数和虚拟线圈5的匝数相同时,而因外部磁场的方向和/或其它等等原因,使得在接收线圈4和虚拟线圈5上由外部磁场所产生噪声电平不同,则可以通过接收线圈4的匝数不同于虚拟线圈5的匝数,使得在接收线圈4和虚拟线圈5上由外部磁场所产生的噪声电平相同。
此外,在发射线圈3影响虚拟线圈5的情况下,使得虚拟线圈5产生高电平的信号,这时接地的抗磁化壁7可以设置在接收线圈4和发射线圈5之间,正如图4所示。这类抗磁化壁7将允许虚拟线圈5能够至少屏蔽发射线圈3的磁场,可显著地减小在虚拟线圈5上由发射线圈3磁场所产生的信号电平。在这种情况下,通过确定在接收线圈4的信号和虚拟线圈5的信号之间的差值,就有可能在接收线圈4上毫无损失地提取出由发射线圈3的磁场所产生的信号。
(实施例2)
图5和图6是以示意图方式显示了根据本发明的磁耦合器件的第二实施例的侧视图和底视图。本发明的磁耦合器件21包括:设置在接收芯片30上的绝缘层22;设置在绝缘层22上的发射线圈23和屏蔽片24;设置在绝缘层22下面的接收线圈23,同样设置在绝缘层22下的第一和第二虚拟线圈26和27;以及各自接地且设置在接收线圈25与第一和第二虚拟线圈26和27之间的抗磁化壁28和29。
发射线圈23和接收线圈25相互层叠,绝缘层22夹在它们中间,并且相互磁耦合。因为第一和第二虚拟线圈26和27设置在接收线圈25的附近和两边,其设置相对于发射线圈23,它没有与发射线圈23磁耦合。接收线圈25与第一和第二虚拟线圈26和27都具有相同的匝数。接收线圈25与第一和第二虚拟线圈26和27各自分开距离都是相同的。在接收线圈25与第一和第二虚拟线圈26和27之间的各个抗磁化壁28和29至少部分屏蔽第一和第二虚拟线圈26和27受发射线圈23磁场的影响,以及显著减小在第一和第二虚拟线圈26和27上由发射线圈23磁场所产生的信号。
屏蔽片24层叠在第二虚拟线圈27上,采用绝缘层22夹在其中,屏蔽片是接地的,且能够至少部分屏蔽外部磁场对第二虚拟线圈27的影响。
图7显示信号处理电路31,它用于处理磁耦合器件的接收线圈25与第一和第二虚拟线圈26和27各自输出的信号。这一信号处理单元31包括:放大器32,33和34,用于各自放大由接收线圈25与第一和第二虚拟线圈26和27所输出的信号;第一差分放大器35,用于确定在各个放大器32和33输出信号之间的差值;第二差分放大器36,用于确定在各个放大器32和34输出信号之间的差值;第一比较器37,用于将第一差分放大器35的输出信号转换成二进制化信号;第二比较器38,用于将第二差分放大器36的输出信号转换成二进制化信号;晶体管39和40,用于各自输出二进制化信号;输出控制电路41,用于根据第一和第二比较器37和38的输出二进制化信号来控制各个晶体管39和40;以及低电压电路42作为电源或向各个放大器32至36和各个比较器37和38提供电源。
这里,假定接收线圈25的输出不仅包含由发射线圈23磁场所产生的信号分量和由外磁场所产生的噪声分量,而且还包含由磁耦合器件21内部所产生的噪声分量。
此外,因为在第一虚拟线圈26上几乎没有产生由发射线圈23磁场所产生的信号分量,所以第一虚拟线圈26的输出将包含由外部磁场所产生的噪声分量。
此外,因为在第二虚拟线圈27上几乎没有产生由发射线圈23磁场所产生的信号,以及因为屏蔽片24至少部分屏蔽了第二虚拟线圈27受外部磁场的影响,所以该第二虚拟线圈27的输出将包含在信号处理电路31内部所产生的噪声分量。
现在,在信号处理电路31,接收线圈25输出通过放大器32施加至第一差分放大器35的反相输入端;而第一虚拟线圈26的输出信号则通过放大器33施加至第一差分放大器35的同相输入端。第一差分放大器35输出在接收线圈25输出和第一虚拟线圈26输出之间的差值。该差值是接收线圈25的输出但已经基本消除了由外部磁场所产生的噪声分量,它由第一比较器37进行二进制化并随后施加至输出控制电路41。此外,接收线圈25的输出通过放大器32施加至第二差分放大器36的反相输入端;而第二虚拟线圈27的输出信号则通过放大器34施加至第二差分放大器36的同相输入端。第二差分放大器36输出在接收线圈25的输出和第二虚拟线圈27的输出之间的差值。该差值是接收线圈25的输出但已经基本消除了由信号处理电路31内部所产生的噪声分量,它由第二比较器38进行二进制化,并随后施加至输出控制电路41。
输出控制电路41接收由第一和第二比较器37和38输入的各自二进制化信号,并通过对二进制化信号进行逻辑操作处理,减小内部噪声分量和/或由外部磁场所产生的噪声分量,使得基本只包含由发射线圈23磁场所产生的信号分量的二进制化信号可以由各个晶体管39和40输出。作为一例由输出控制电路41进行逻辑操作处理的实例,处理可以用于确定第一和第二比较器37和38输出各个二进制化信号的逻辑和。
值得注意的是,无论本发明是否采用第一和第二虚拟线圈,采用三个或多个虚拟线圈并不是目标。在这种情况下,如图8所示,接收线圈25与各个虚拟线圈51相间隔的距离基本是相同的,随后平均各个虚拟线圈51的输出,就有可能或多或少地进行接收线圈25所检测到的外部磁场的精确检测。在这种情况下,通过确定在接收线圈25的输出和各个虚拟线圈51的平均输出之间的差值,就有可能从接收线圈25输出的信号中基本消除由外部磁场所产生的噪声分量。尽管针对接收芯片30的尺寸以及有关在芯片上保持虚拟线圈的数量为三个量级的其它考虑,但是仍有可能在芯片上排列四个或多个个虚拟线圈。
此外,在图9所示的情况下,多组接收线圈52和虚拟线圈53可以与一个和多个发射线圈(未显示)组合提供,抗磁化壁54(在本发明中作为“屏蔽组件”)可以设置在各组之间,至少能够部分阻滞在各组之间以相互方式起作用的磁场并且可减小在各组之间的串扰。此外,在接收芯片30允许的情况下,就没有必要在各个单独的组的接收线圈52和虚拟线圈53之间设置抗磁化壁。
此外,本发明可以在不背离其精神或基本特性的条件下可具体表现在不是上述讨论的广泛的多种的方式中。上述的实施例和工作实例都是所说明的各个方面,并不构成任何限制。本发明范围将由权利要求所表示,它并不以任何方式构成说明书的主体内容。此外,任何在权利要求所等效范围内的改进和变更都在本发明的范围内。

Claims (8)

1.一种磁耦合器件,其特征在于,它包括:
一个或多个发射线圈;
一个或多个接收线圈;
一层或多层绝缘层;
一个或多个虚拟线圈;以及,
一个或多个逻辑元件;
其中,至少一个或多个发射线圈和至少一个和多个接收线圈是相互磁耦合的,并且至少一层或多层绝缘层介入在两者之间;
至少一个或多个发射线圈的至少一个信号输入使得至少一个或多个接收线圈输出至少一个部分是由相互之间磁耦合所感应产生的信号;
至少一个或多个虚拟线圈设置在或多或少接近至少一个或多个接收线圈的附近;以及,
至少一个或多个逻辑元件确定在至少一个或多个接收线圈的至少一个信号和至少一个或多和虚拟线圈的至少一个信号之间的差值。
2.如权利要求1所述磁耦合器件,其特征在于,还包括:
一个或多个第一虚拟线圈;以及,
一个或多个第二虚拟线圈;
其中,至少一个或多个第一虚拟线圈和至少一个或多个第二虚拟线圈设置了至少一个屏蔽部件,用于至少部分阻滞至少一个外部磁场。
3.如权利要求2所述磁耦合器件,其特征在于,至少一个或多个接收线圈是设置在至少一个或多个第一虚拟线圈和至少一个或多个第二虚拟线圈之间。
4.如权利要求1所述磁耦合器件,其特征在于,还包括:
多个虚拟线圈;
其中,各个虚拟线圈和一个或多个接收线圈可排列成各个虚拟线圈和一个和多个接收线圈相隔开的各自距离都是基本相同的。
5,如权利要求1所述磁耦合器件,其特征在于,至少一个或多个接收线圈的至少一匝或多匝的数量和至少一个或多个虚拟线圈的至少一匝或多匝的数量的基本相同的。
6.如权利要求1所述磁耦合器件,其特征在于,至少一个抗磁化部件可用于至少部分屏蔽至少一个或多个虚拟线圈免受至少一个或多个发射线圈的至少一个磁场的影响,它设置在至少一个或多个接收线圈和至少一个或多个虚拟线圈之间。
7.如权利要求1所述磁耦合器件,其特征在于,还包括:
多组接收线圈和虚拟线圈;
其中,至少一个屏蔽部件可用于至少部分阻滞在各个组中至少一部分之间以相互方式起作用的至少一个磁场,它设置在各个组的至少一部分之间。
8.采用一个或多个根据权利要求1至7所述磁耦合器件的电子设备。
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