CN1574372A - 固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置 - Google Patents

固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1574372A
CN1574372A CNA2004100473247A CN200410047324A CN1574372A CN 1574372 A CN1574372 A CN 1574372A CN A2004100473247 A CNA2004100473247 A CN A2004100473247A CN 200410047324 A CN200410047324 A CN 200410047324A CN 1574372 A CN1574372 A CN 1574372A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
photomask
hyaline membrane
film
camera head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100473247A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100463194C (zh
Inventor
酒勾宏
冈本博
永吉良一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1574372A publication Critical patent/CN1574372A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100463194C publication Critical patent/CN100463194C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

在本发明的固体摄像装置中,在布线区域(3)上形成遮光膜(防光斑用的防反射膜)(4),在摄像区域(2)上,由可构图材料形成透明膜(10),形成透明膜(8),所述透明膜(8)在透明膜(10)的上面形成微型透镜,将透明膜(10)的上表面和遮光膜(4)的上表面形成为一个平面。

Description

固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置
技术领域
本发明涉及具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域的固体摄像装置的制造方法和固体摄像装置,特别涉及成荫(shading)特性的改良。
背景技术
近年,在固体摄像装置中,在各象素的上面形成微型透镜,以谋求将入射光聚光在象素部上来提高灵敏度。
图1示出固体摄像装置的概略俯视图。在该图中,固体摄像装置具有包括多个象素部(光电二极管)的摄像区域2、其周围的布线区域3、防反射膜4。防反射膜4是具有遮光性(例如黑色)的低透射率滤光器,在布线区域3的上面,形成在摄像区域2的周围,为防止因入射光的反射而产生光斑而设置。在此,所述的光斑是指在象素部的表面和入射光的路径中产生的反射光和散射光等对被摄体的摄像无用的光到达光电二极管,而使得被摄体图像的对比度降低或使颜色浑浊。
在特开平9-293848公报中公开的技术中,通过在防反射膜4的上面还形成漫反射膜,使摄像区域2周边的反射率降低,而且降低光斑的产生。
但是,根据现有技术,在具有防光斑用防反射膜4的布线部3上的区域和摄像区域2的区域中产生了阶差,特别是在摄像区域的周边部分产生阶差,成为灵敏度不均(称作成荫)的原因,从而有图像质量劣化的问题。
用图2进一步详细说明该问题。图2是现有技术中的固体摄像装置的摄像区域周边的剖面图。如该图所示,在具有多个象素部(光电二极管5)的摄像区域2的周围存在布线部3。在其制造工序中,在实施了布线部3的平坦化后,在布线部3上形成低透射率的防光斑图形(防反射膜、遮光膜),涂覆必要膜厚的丙烯酸树脂(アクリル)等透明膜8,在其上面形成聚光用微型透镜。
在该结构中,在从摄像区域2至布线部3的周边部分(图中8a)产生阶差。即,在摄像区域2的中央部和端部,光电二极管5与微型透镜间的距离上产生差,由于在端部,微型透镜与光电二极管5之间的距离偏离最佳设计值,因此,在光电二极管中得不到适当的入射光。其结果,就成为灵敏度不均的原因,使图像质量劣化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低成荫的固体摄像装置及其制造方法,尽管具有防光斑用的防反射膜,但消除了灵敏度不均。
为了达到上述目的,本发明的固体摄像装置的制造方法,所述固体摄像装置具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,所述方法的特征在于,具有:第一步骤,在布线区域上面形成遮光膜,在摄像区域上面通过构图(patterning)来形成透明膜;第二步骤,在上述透明膜的上面形成平坦膜,在该平坦膜上部形成有微型透镜,在上述第一步骤中,将上述透明膜的上表面和上述遮光膜的上表面形成为一个平面。在此,透明膜形成用的可构图的材料,例如为酚醛(phenol)树脂等。
根据该结构,由于能够分别形成布线区域上面的遮光膜和摄像区域上面的透明膜的图形,因此,能够将上述透明膜的上表面和上述遮光膜的上表面形成没有阶差的一个平面,其结果,能够制造尽管具有防光斑用的防反射膜(即遮光膜),但消除了灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。
在此,在上述第一步骤中,也可以按照上述遮光膜、上述透明膜的顺序,分别通过构图来形成上述遮光膜和上述透明膜,此时,各膜的膜厚设定为各膜形成一个平面。此外,也可以反之,按照上述透明膜、上述遮光膜的顺序,分别通过构图来形成上述透明膜和上述遮光膜。
此外,在上述第一步骤中,也可以构成为,在上述遮光膜的形成和透明膜的形成中,使用负型和正型中的具有相互不同感光特性的抗蚀剂。
根据该结构,能够将包括抗蚀剂涂覆、曝光、显影的工序的构图中所需要的曝光用的掩膜图形,使用于遮光膜的形成和透明膜的形成。换言之,能够将一片掩膜图形兼用于遮光膜的构图和透明膜的构图中。
此外,本发明的固体摄像装置的制造方法,所述固体摄像装置具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,所述方法的特征在于,具有:形成平坦膜的步骤,在该平坦膜上部形成有微型透镜,所述平坦膜在摄像区域上面或者摄像区域上面和布线区域上面形成一个平面;在布线区域上面形成遮光膜的步骤,上述遮光膜形成在上述平坦膜的上面或下面。
根据该结构,有在上述平坦膜的上面形成上述遮光膜的情况和在下面形成的情况,但由于任一种情况中,在平坦膜的内部都不存在遮光膜,因此,在摄像区域的中心部和周边部,能够使平坦膜的厚度保持一定,在该平坦膜上部形成有微型透镜。前者的情况(在上面形成的情况)下,在形成平坦膜之后形成遮光膜。后者的情况(在下面形成的情况)下,在布线区域上面形成遮光膜后,进一步将遮光膜和摄像区域形成为一个平面之后,形成上述平坦膜和微型透镜。其结果,由于任一种情况下,在平坦膜的内部都不存在遮光膜,因此,在摄像区域的中心部和周边部,能够使在上部形成有微型透镜的平坦膜的厚度保持一定。这样,能够制造尽管具有防光斑用的防反射膜(即遮光膜),但消除了灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。
此外,本发明的固体摄像装置,具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,其特征在于,具有:形成在布线区域上面的遮光膜;形成在摄像区域上面的透明膜;在上述透明膜的上面设置了平坦膜,在该平坦膜上部形成有微型透镜,将上述透明膜的上表面和上述遮光膜的上表面形成为一个平面面。
此外,本发明的固体摄像装置,具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,其特征在于,具有:上部形成有微型透镜的平坦膜,所述平坦膜在摄像区域上面或者摄像区域和布线区域上面形成为一个平面;形成在布线区域上面的遮光膜,上述遮光膜形成在上述平坦膜的上面或下面。
根据该结构,能够得到与上述同样的效果。
根据本发明中的固体摄像装置的制造方法和固体摄像装置,能够制造尽管具有防光斑用的防反射膜(即遮光膜),但消除了灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。此外,能够将一片掩膜图形兼用于遮光膜的构图和透明膜的构图。
从接下来的结合附图对本发明进行的详细说明中,将使本发明的上述和其它目的、优点和特征变得更明显,其中,附图示出了本发明的特定实施例。
附图说明
在附图中:
图1示出固体摄像装置的概略俯视图。
图2是现有技术中的具有防光斑图形的固体摄像装置的剖面图。
图3A~图3C是按照制造工序的顺序示出本实施方式1中的固体摄像装置的剖面图。
图4A~图4C是按照制造工序的顺序示出本实施方式2中的固体摄像装置的剖面图。
图5A、图5B是按照制造工序的顺序示出本实施方式3中的固体摄像装置的剖面图。
图6A、图6B是按照其他的制造工序的顺序示出本实施方式3中的固体摄像装置的剖面图。
图7A、图7B是按照制造工序的顺序示出本实施方式4中的固体摄像装置的剖面图。
具体实施方式
(实施方式1)
本发明的实施方式1中的固体摄像装置的概略俯视图如图1,包括具有多个象素部(光电二极管5)的摄像区域2、布线部3、在布线部(以下称作布线区域)3上面设置的遮光膜4。
实施方式1中的固体摄像装置的制造方法为:在布线区域3上形成低透射率的防光斑图形(遮光膜4)之前或之后,用与防光斑图形相同膜厚的可构图的材料,在摄像区域2的上面形成透明膜10。在形成该遮光膜4和透明膜10时,使透明膜10的上表面和上述遮光膜4的上表面形成一个平面。之后,涂覆必要膜厚的丙烯酸树脂等的透明膜,形成微型透镜。其结果,能够消除因防光斑图形(遮光膜4)而产生的阶差,制造低成荫的固体摄像装置。
图3A~图3C按照制造工序的顺序示出了实施方式1中的固体摄像装置的剖面图。以下,按照(101)~(106)的顺序说明本实施方式中的制造工序。
(101)在形成布线区域3和摄像区域2的阶段中,通过在布线区域3和摄像区域2的上面形成透明膜,使其平坦成一个平面。该形成通过例如透明膜的涂覆、曝光、显影来实施。
(102)如图3A所示,在布线区域3上,按与上述透明膜相同膜厚(0.3~0.9μm),形成可染色的抗蚀剂4。其形成也可以通过构图,即涂覆0.3~0.9μm厚度的可染色抗蚀剂,并对其进行曝光、显影来形成。
(103)如图3B所示,将形成在布线区域3上的可染色抗蚀剂4染色成黑色(Black)。这样,抗蚀剂4形成为遮光膜4(防反射膜)。
(104)在平坦后的透明膜中的摄像区域2的上面,用可构图的材料形成透明膜10。作为可构图的材料,例如有酚醛类树脂。由于丙烯酸类树脂一般不能构图,故在此不使用。通过对可构图的材料进行涂覆、曝光、显影,来形成该透明膜10。即,在全面涂覆(0.3~0.9μm)可构图的材料后,在可构图的材料是负型的情况下,用覆盖摄像区域且不覆盖布线区域的掩膜进行曝光,通过显影去除掩膜以外的部分(曝光后的部分)。再有,在正型的情况下,用不覆盖摄像区域且覆盖布线区域的掩膜进行曝光,通过显影去除掩膜部分(不曝光的部分)。若在上述(102)工序和(104)工序中,使用相反特性的抗蚀剂,则具有能用一片掩膜处理两个工序的优点。
(105)如图3C所示,涂覆平坦膜(透明膜8)(0.3~5.0μm),在平坦膜上部形成微型透镜。该透明膜最好是丙烯酸树脂等。
(106)如图3C所示,形成微型透镜9。
利用这样的工序制造的固体摄像装置,由于能够使布线区域3上的遮光膜4和摄像区域2上的透明膜10各自构图,因此,能够使透明膜10上表面和遮光膜4上表面形成没有阶差的一个平面。其结果,能够制造尽管具有防光斑用的防反射膜(即遮光膜4),但消除了灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。
(变形例1)
下面,按照(201)~(205)的顺序说明上述制造方法的变形例中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(201)平坦化布线区域3。与上述(101)相同。
(202)如图3A所示,在布线区域3上,通过将抑制反射的Black的彩色抗蚀剂4涂覆0.3~0.9μm厚度,并对其进行曝光、显影来形成。这样,抗蚀剂4形成为遮光膜4。抗蚀剂可以是阴或正型的某一种。
(203)如图3B所示,在没有Black的区域,以与Black的膜厚相同膜厚(0.3~0.9μm)涂覆可构图的透明膜10,并对其进行曝光、显影,来构图。涂覆的透明膜10的感光特性可以是负或正型的某一种。其中,若Black抗蚀剂是正型抗蚀剂,对Black进行平坦的透明膜10是负型抗蚀剂,则有能够用一片掩膜处理两个工序的优点。反之也相同。
(204)涂覆平坦膜(透明膜8)(0.3~5.0μm),在其上部形成微型透镜。
(205)形成微型透镜9。
(变形例2)
另外,按照(301)~(306)的顺序说明上述制造方法的变形例2的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同工序为中心进行说明。
(301)对布线区域3进行平坦化。与上述(101)相同。
(302)在布线区域3上,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,来形成蓝(Blue)(或者红(Red))的彩色抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。这样,形成图3A中的遮光膜4的下半部分。
(303)另外,在该图形的上面,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,来形成Red(或者Blue)的彩色抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。这样,形成图3A中的遮光膜4的上半部分。
(304)在布线区域3上,以与叠加Red和Blue的膜厚相同的膜厚,通过涂覆、曝光、显影,通过构图来形成可构图的透明膜10。抗蚀剂可以是阴或正型的某一种。其中,若Red、Blue抗蚀剂是正型抗蚀剂,则平坦重叠了Red和Blue膜的膜是负型抗蚀剂,就有能够用一片掩膜处理两个工序的优点。反之也相同。
(305)涂覆平坦膜(透明膜8)(0.3~5.0μm),在其上部形成微型透镜。
(306)形成微型透镜9。
(变形例3)
接着,按照(401)~(408)的顺序说明上述制造方法的变形例3中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(401)对布线区域3进行平坦化。与上述(101)相同。
(402)在布线区域3上,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,来形成可染色的抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。这样,形成图3A中的遮光膜4的下半部分。
(403)将可染色抗蚀剂染色成Blue(或者Red)。
(404)另外,在该图形的上面,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,来形成可染色抗蚀剂。抗蚀剂可以是负型或正型的某一种。
(405)将可染色抗蚀剂染色成Red(或者Blue)。这样,形成图3A中的遮光膜4的上半部分。
(406)以与叠加了Red和Blue的膜厚(0.6~1.8μm)相同的膜厚进行涂覆可构图的材料,并对其进行曝光、显影来构图,从而在摄像区域2上形成透明膜10。抗蚀剂可以是负型或正型的某一种。其中,若Red、Blue抗蚀剂是正型抗蚀剂,平坦重叠了Red和Blue膜的膜是负型抗蚀剂,则有能够用一片掩膜处理两个工序的优点。反之也相同。
(407)涂覆平坦膜(透明膜8)(0.3~5.0μm),在其上部形成微型透镜。
(408)形成微型透镜9。
(实施方式2)
图4A~图4C按制造工序的顺序示出了实施方式2中的固体摄像装置的剖面图。在图3中示出的制造方法中,在形成了遮光膜4之后形成透明膜10,对此,在图4中,其不同点在于,用相反的顺序来形成。
以下,按照(101a)~(106a)的顺序说明本实施方式中的制造工序。与实施方式1相同的工序省略说明,以不同点为中心进行说明。
(101a)与上述(101)同样地,平坦化布线区域3。
(102a)与上述(104)同样地,在摄像区域2的上面形成透明膜10。图4A示出此时的剖面图。
(103a)与上述(102)同样地,在布线区域3上,以与上述透明膜相同的膜厚(0.3~0.9μm),形成可染色的抗蚀剂4。
(104a)与上述(103)同样地,将可染色抗蚀剂4染色成黑色
(Black)。图4B示出此时的剖面。这样,形成遮光膜4(防反射膜)。
(105a)与上述(105)同样地,涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在平坦膜上部形成微型透镜。
(106a)与上述(106)同样地,形成微型透镜9。图4C示出此时的剖面。
利用这样的工序制造的固体摄像装置,由于能够分别形成布线区域3上的遮光膜4的图形和摄像区域2上的透明膜10的图形,因此,能够将透明膜10的上表面和遮光膜4的上表面形成为没有阶差的平坦面。其结果,能够制造尽管具有防光斑用的防反射膜(即遮光膜4),但消除了灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。
下面,关于本实施方式中的制造方法的变形例4~6进行说明。变形例4~6是在上述实施方式1中的变形例1~变形例3中,将遮光膜4和透明膜10的形成顺序反过来的制造方法。即,也可以在变形例1~3中,改变按照透明膜10和遮光膜4的顺序形成的工序的顺序。
(实施方式3)
图5A~图5B按制造工序的顺序示出了实施方式3中的固体摄像装置的剖面图。
以下,按照(901)~(905)的顺序说明本实施方式中的制造工序。
(901)与上述(101)同样,对布线区域3进行平坦化。
(902)涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在其上部形成微型透镜。
(903)形成微型透镜9。图5A示出此时的剖面图。
(904)用可染色抗蚀剂,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成布线区域3的图形。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(905)用Black对可染色抗蚀剂进行染色。这样,形成遮光膜4。图5B中示出此时的剖面图。
这样,由于在上部形成微型透镜的平坦膜(透明膜)8的上面形成遮光膜4,因此,能够消除因遮光膜4而在微型透镜上产生阶差。即,在摄像区域2上和布线区域3上,将具有微型透镜的平坦膜形成在一个平面上。其结果,能够制造没有灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。
再有,在摄像区域2上和布线区域3上,将在上部形成微型透镜的平坦膜(透明膜8)形成在一个平面上,但若至少在摄像区域2上形成为一个平面(平坦),也能得到同样的效果。
下面,按照(111)~(114)的顺序说明实施方式3中的制造方法的变形例1中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(111)与上述(101)同样地,对布线区域3进行平坦化。
(112)涂覆(0.3~5.0μm;根据单元尺寸而不同)平坦膜(透明膜8),在其上部形成微型透镜。
(113)形成微型透镜9。图5A示出此时的剖面图。
(114)用Black的彩色抗蚀剂,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成布线区域3。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。这样,形成遮光膜4。图5B示出此时的剖面图。
另外,按照(121)~(124)的顺序说明实施方式3中的制造方法的变形例2中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(121)与上述(101)同样地,对布线区域3进行平坦化。
(122)与上述(112)同样地,涂覆平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。
(123)与上述(113)同样地,形成微型透镜9。图5A示出此时的剖面图。
(124)用Red的彩色抗蚀剂,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成布线区域3。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(125)将Blue的彩色抗蚀剂,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成在上述布线区域3上面。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。图5B示出此时的剖面图。
接着,按照(131)~(134)的顺序说明实施方式3中的制造方法的变形例3中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(131)与上述(101)同样地,对布线区域3进行平坦化。
(132)与上述(112)同样地,涂覆平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。
(133)与上述(113)同样地,形成微型透镜9。图5A示出此时的剖面图。
(134)通过将可染色抗蚀剂涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成布线区域3。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(135)将可染色抗蚀剂染色成Red(或者Blue)。
(136)将可染色抗蚀剂经过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成在布线区域3上面。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(137)将可染色抗蚀剂染色成Blue(或者Red)。
根据这样的变形例,能够制造图5B中示出的固体摄像装置。
下面,关于由图6A和图6B中示出的工序制造图5B中示出的固体摄像装置的方法进行说明。在图5的制造方法中,在形成微型透镜之后形成遮光膜4,对此,在图6A和图6B的制造工序中,其不同点在于,在形成微型透镜之前形成遮光膜4。
按照(901a)~(905a)的顺序说明图6A和图6B的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(901a)与上述(901)同样地,对布线区域3进行平坦化。
(902a)与上述(902)同样地,涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。
(903a)与上述(904)同样地,通过将可染色的抗蚀剂涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成布线区域3的图形。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(904a)与上述(905)同样地,用Black对可染色抗蚀剂进行染色。这样,形成遮光膜4。图6A中示出此时的剖面图。
(905a)与上述(903)同样地,形成微型透镜9。图6B(与图5B相同)示出此时的剖面图。
这样地,在图5A、图5B的制造工序和图6A、图6B的制造工序中,将微型透镜的形成和遮光膜4的形成的顺序反过来,但怎样都能制造在上部形成微型透镜的平坦膜(透明膜8)平坦的固体摄像装置。
另外,关于实施方式3中的变形例4~6进行说明。该变形例4~6是在实施方式3中的变形例1~3中,将形成微型透镜和形成遮光膜4的顺序反过来即可。
(实施方式4)
图7A~图7B按制造工序的顺序示出了实施方式4中的固体摄像装置的剖面图。
以下,按照(501)~(505)的顺序说明本实施方式中的制造工序。
(501)在布线区域3的布线部自身的上面,用可染色抗蚀剂,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影进行平坦化。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(502)用Black对可染色抗蚀剂进行染色。这样,形成遮光膜4。图7A中示出此时的剖面图。
(503)涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。
(504)形成微型透镜9。图7B示出此时的剖面图。
这样地,根据本实施方式中的固体摄像装置,将遮光膜4埋进摄像区域2的象素部自身和布线区域的布线部自身的阶差中,用透明膜8进行平坦化之后形成微型透镜9。这样,就能够容易地平坦化在上部形成微型透镜的平坦膜(透明膜8)。其结果,能够制造没有灵敏度不均的低成荫的固体摄像装置。
下面,按照(601)~(603)的顺序说明本实施方式中的制造方法的变形例1中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(601)在布线区域3的布线部自身的上面,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,对抑制反射的Black彩色抗蚀剂进行平坦化。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(602)在摄像区域2和布线区域3的上面,涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。图7A示出此时的剖面图。
(603)形成微型透镜9。图7B示出此时的剖面图。
另外,按照(701)~(704)的顺序说明实施方式4中的制造方法的变形例2中的制造工序。其中,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(701)在布线区域3的布线部自身的上面,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成Red(或者Blue)的彩色抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(702)在其上面,通过(0.3~0.9μm)涂覆、曝光、显影,形成Blue(或者Red)的彩色抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(703)在摄像区域2和布线区域3的上面,涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。图7A示出此时的剖面图。
(704)形成微型透镜9。图7B示出此时的剖面图。
接着,按照(801)~(806)的顺序说明实施方式4中的制造方法的变形例3中的制造工序。q,相同的工序省略说明,以不同的工序为中心进行说明。
(801)在布线区域3的布线部自身的上面,通过涂覆(0.3~0.9μm)、曝光、显影,形成可染色的抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(802)将可染色抗蚀剂染色成Red(或者Blue染色)。
(803)在其上面,还通过(0.3~0.9μm)涂覆、曝光、显影,形成可染色抗蚀剂。抗蚀剂可以是负或正型的某一种。
(804)将可染色抗蚀剂染色成Blue(或者Red染色)。
(805)涂覆(0.3~5.0μm)平坦膜(透明膜8),在该平坦膜上部形成微型透镜。图7A示出此时的剖面图。
(806)形成微型透镜9。图7B示出此时的剖面图。
根据这样的变形例,能够制造图7B中示出的固体摄像装置。
尽管已经参考附图通过实施例完整地描述了本发明,但应该注意的是,对本领域的技术人员来说,各种改变和修改都将是很显然的。因此,除非这种改变和修改脱离了本发明的范围,否则他们都应该被包含在本文中。

Claims (9)

1.一种固体摄像装置的制造方法,所述固体摄像装置具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,所述方法的特征在于,包括:
第一步骤,在布线区域上面形成遮光膜,在摄像区域上面通过构图来形成透明膜;
第二步骤,在上述透明膜的上面形成平坦膜,在该平坦膜上部形成有微型透镜,
在上述第一步骤中,将上述透明膜的上表面和上述遮光膜的上表面形成为一个平面。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,在上述第一步骤中,按照上述遮光膜、上述透明膜的顺序,分别通过构图来形成上述遮光膜和上述透明膜,此时,各膜的膜厚设定为各膜形成一个平面。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,在上述第一步骤中,按照上述透明膜、上述遮光膜的顺序,分别通过构图来形成上述透明膜和上述遮光膜,此时,各膜的膜厚设定为各膜形成一个平面。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,在上述第一步骤中,在上述遮光膜的形成和透明膜的形成中,使用负型和正型中的、具有不同感光特性的抗蚀剂。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,在上述第一步骤中,按照上述遮光膜、上述透明膜的顺序,分别通过构图来形成上述遮光膜和上述透明膜,此时,各膜的膜厚设定为各膜形成一个平面。
6.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于,在上述第一步骤中,按照上述透明膜、上述遮光膜的顺序,分别通过构图来形成上述透明膜和上述遮光膜,此时,各膜的膜厚设定为各膜形成一个平面。
7.一种固体摄像装置的制造方法,所述固体摄像装置具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,所述方法的特征在于,具有:
形成平坦膜的步骤,在该平坦膜上部形成有微型透镜,所述平坦膜在摄像区域上面或者摄像区域上面和布线区域上面形成一个平面;
在布线区域上面形成遮光膜的步骤,
上述遮光膜形成在上述平坦膜的上面或下面。
8.一种固体摄像装置,具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,其特征在于,具有:
形成在布线区域上面的遮光膜;
形成在摄像区域上面的透明膜;
在上述透明膜的上面形成平坦膜,在该平坦膜上部形成有微型透镜,
将上述透明膜的上表面和上述遮光膜的上表面形成为一个平面。
9.一种固体摄像装置,具有包括多个象素部的摄像区域和其周围的布线区域,其特征在于,具有:在上部形成有微型透镜的平坦膜,所述平坦膜在摄像区域上面或者摄像区域和布线区域上面形成为一个平面;形成在布线区域上面的遮光膜,
上述遮光膜形成在上述平坦膜的上面或下面。
CNB2004100473247A 2003-05-30 2004-05-31 固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置 Expired - Fee Related CN100463194C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP155623/2003 2003-05-30
JP2003155623A JP4485151B2 (ja) 2003-05-30 2003-05-30 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置。

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1574372A true CN1574372A (zh) 2005-02-02
CN100463194C CN100463194C (zh) 2009-02-18

Family

ID=33296760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100473247A Expired - Fee Related CN100463194C (zh) 2003-05-30 2004-05-31 固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7078258B2 (zh)
EP (1) EP1487020A2 (zh)
JP (1) JP4485151B2 (zh)
CN (1) CN100463194C (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102412256A (zh) * 2011-10-28 2012-04-11 格科微电子(上海)有限公司 封装的图像传感器及形成方法、降低其眩光现象的方法
CN107275353A (zh) * 2011-02-18 2017-10-20 索尼公司 固态成像装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7608875B2 (en) * 2005-11-30 2009-10-27 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus for blocking light to peripheral circuitry of an imager device
US9212812B2 (en) 2013-02-11 2015-12-15 Cree, Inc. LED light fixture with integrated light shielding
US9222632B2 (en) 2013-01-31 2015-12-29 Cree, Inc. LED lighting fixture
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US7686469B2 (en) 2006-09-30 2010-03-30 Ruud Lighting, Inc. LED lighting fixture
US20090086491A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Ruud Lighting, Inc. Aerodynamic LED Floodlight Fixture
US8092042B2 (en) 2007-05-03 2012-01-10 Ruud Lighting, Inc. Shield member in LED apparatus
JP4735643B2 (ja) 2007-12-28 2011-07-27 ソニー株式会社 固体撮像装置、カメラ及び電子機器
US7637630B2 (en) * 2008-04-22 2009-12-29 Ruud Lighting, Inc. Integrated shield-gasket member in LED apparatus
JP5493461B2 (ja) * 2009-05-12 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器及び固体撮像装置の製造方法
US9435519B2 (en) 2013-01-31 2016-09-06 Cree, Inc. Light-fixture support assembly
KR102149772B1 (ko) 2013-11-14 2020-08-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법
US11069729B2 (en) * 2018-05-01 2021-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, and equipment

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61292960A (ja) * 1985-06-21 1986-12-23 Toshiba Corp 固体撮像装置
US5994721A (en) * 1995-06-06 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate
JPH09293848A (ja) 1996-04-26 1997-11-11 Sony Corp 固体撮像素子
TW369726B (en) * 1998-05-04 1999-09-11 United Microelectronics Corp Structure and producing method of microlens on color filter of sensor device
US6261881B1 (en) * 1998-08-21 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device provided with semiconductor circuit consisting of semiconductor element and method of manufacturing the same
JP2001188107A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Seiko Epson Corp マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
US6743645B2 (en) * 2001-03-30 2004-06-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of inspecting process for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP4041336B2 (ja) * 2001-06-29 2008-01-30 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
US7088511B2 (en) * 2003-02-12 2006-08-08 3M Innovative Properties Company Light polarizing film and method of making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275353A (zh) * 2011-02-18 2017-10-20 索尼公司 固态成像装置
CN102412256A (zh) * 2011-10-28 2012-04-11 格科微电子(上海)有限公司 封装的图像传感器及形成方法、降低其眩光现象的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004356585A (ja) 2004-12-16
US7466001B2 (en) 2008-12-16
US20060172453A1 (en) 2006-08-03
CN100463194C (zh) 2009-02-18
US20040241898A1 (en) 2004-12-02
JP4485151B2 (ja) 2010-06-16
EP1487020A2 (en) 2004-12-15
US7078258B2 (en) 2006-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1574372A (zh) 固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置
CN1303439C (zh) 微透镜阵列基板及其制造方法以及使用该基板的投影液晶显示装置
CN1268984C (zh) 固体摄像元件的制造方法
CN1249455C (zh) 制造微透镜矩阵和投影类液晶显示设备的方法
CN1747176A (zh) 固体摄像器件及其制造方法
CN1284009C (zh) 微透镜阵列的曝光装置和曝光方法
CN1599073A (zh) 固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法、摄影机
CN1881605A (zh) 固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法
CN1258105C (zh) 微透镜阵列基板的制造方法及制造装置
CN1866054A (zh) 晶片级透镜和具有该透镜的光学系统
CN1873527A (zh) 背投型屏幕
CN1950724A (zh) 光学元件及其制造方法
CN1811599A (zh) 在基材上制造图案的方法及系统
CN1825608A (zh) 固态摄像器件及其制造方法
CN1862290A (zh) 微透镜及其微透镜的制造方法、光学片、漫射片
CN1825607A (zh) 固态成像器件及其制造方法和配置有固态成像器件的相机
CN1223896C (zh) 双凸透镜片
CN101076754A (zh) 显示板的制造方法和显示板的制造装置
CN1790158A (zh) 透镜衬底、透镜衬底的制造方法、透射屏以及背面投影装置
CN1192543A (zh) 曝光用光掩模及其制造方法
CN1910754A (zh) 固体摄像装置及其制造方法以及照相机
CN1100271C (zh) 双凸透镜片和透镜型投影屏
CN1920637A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1941391A (zh) 固体摄像元件及其制造方法
CN1591886A (zh) 固体摄像器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090218

Termination date: 20120531