CN1574165A - 交流型等离子体显示板和形成地址电极的方法 - Google Patents
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Abstract
一种交流型等离子体显示板和形成地址电极的方法。在该交流型等离子体显示板中，相互面对安装后衬底和前衬底。在后衬底和前衬底之间形成放电单元。在后衬底上以条状形成多个地址电极。在后衬底上形成第一电介质层，并且第一电介质层隐埋了地址电极。在后衬底上以条状形成并成对排列多个维持电极，从而多个维持电极与地址电极交叉成直角。在后衬底上形成第二电介质层，并且第一电介质层隐埋了维持电极。在第二电介质层的下表面上形成保护层。在前和后衬底之间安置多个阻挡条，用于限定放电单元。每个阻挡条侧边用荧光层涂覆。每个放电电极包括在放电单元正下方放置的厚部分和位于相邻厚部分之间的薄部分，厚部分比薄部分厚。
Description
技术领域
本发明涉及交流(AC)型等离子体显示板(PDP)，尤其涉及具有成型的地址电极的AC型PDP，以便在不增加驱动电压和放电延迟时间的情况下能够增加光效能，以及尤其涉及一种在后衬底上形成地址电极的方法。
背景技术
通过使用放电来形成图像的PDP提供优良的显示性能，例如亮度或视角，因此，PDP的使用日益增加。在PDP中，将直流电压或交流电压施加给电极，并且直流电压或交流电压使电极之间的气体发生放电。在气体放电期间辐射出紫外线，导致荧光物质的激发。该激发的荧光物质辐射出可见光。
根据放电类型，PDP可以分为直流(DC)型PDP或交流(AC)型PDP。DC型PDP包括完全暴露于放电空间的电极。在DC型PDP中，电荷直接从一个电极移动到相对的电极。在AC型PDP中，至少一个电极被电介质层覆盖，并且通过壁(wall)电荷而不是相对电荷之间的电荷的直接移动来产生放电。
根据电极的排列，PDP也可以分为相对放电型PDP或表面放电型PDP。在相对放电型PDP中，在前衬底上形成一对维持电极中的一个，在后衬底上形成一对维持电极中的另一个，并且在垂直轴方向上发生放电。在表面放电型PDP中，在同一衬底上形成一对维持电极，并且在该衬底的一个平面上发生放电。
相对放电型PDP提供高光效能，但是缺点在于荧光层容易被等离子体损坏并且对于放电需要高电压。因此，近来广泛使用表面放电型PDP。
图1和2示出了传统的AC型PDP。在图2中，仅将前衬底旋转90°，以更好理解传统AC型PDP的内部结构。
参考图1和2，传统的AC型PDP包括彼此面对的后衬底10和前衬底20。
在后衬底10的上表面上以条状排列多个地址电极11，并且用白色的第一电介质层12掩盖该多个地址电极11。在第一电介质12的上表面上形成多个阻挡条13，用于防止放电单元14之间的电、光干扰。在由阻挡条13限定的放电单元14的内表面上分别形成预定厚度的红(R)、绿(G)和蓝(B)色荧光层15。将放电气体，例如Ne、Xe、或Ne和Xe的混合体注入放电单元14。
前衬底20足够透明来发送可见光，通常由玻璃制成，并且与具有阻挡条13的后衬底10结合。在前衬底20的下表面上以条状形成成对的维持电极21a和21b，从而维持电极与地址电极11成直角。维持电极21a和21b通常由透明的电导材料形成，例如铟锡氧化物(ITO)，从而它们能够发送可见光。为了减小维持电极21a和21b的线性电阻，在维持电极21a和21b的下表面分别形成由金属制成的总线电极22a和22b，例如总线电极22a和22b比维持电极21a和21b窄。维持电极21a和21b以及总线电极22a和22b隐埋在透明的第二电介质层23中。第二电介质层23的下表面被保护层24覆盖，保护层24使第二电介质层23避免了由于等离子体粒子的溅射引起的损坏，并发射二次电子来降低放电电压和维持电压。保护层24通常由氧化镁(MgO)来制成。
用于驱动具有这种结构的传统等离子体显示板的定时可以分为复位周期、地址周期、和维持周期。在复位周期期间，复位每个放电单元14的充电状态，从而简单地寻址充电单元14。在地址周期期间，在选择的放电单元14中，在地址电极11和一个维持电极21b(也就是Y电极)之间发生地址放电。这时，在选择的放电单元14中累积壁电荷。在维持周期期间，在所选择的其中形成壁电荷的放电单元14中，在Y电极21b与另一个维持电极21a(也就是X电极)之间发生维持放电。在维持放电期间，通过从放电气体产生的紫外线来激发所选择的放电单元14的荧光层15，并且该荧光层15辐射可见光。当通过前衬底20辐射可见光时，形成用户可以识别的图像。
在上述的传统PDP中，每个阻挡条13的高度(H)极大地影响着光效能。换句话说，当每个阻挡条13的高度(H)增加时，每个放电单元14中的放电空间增大，从而增加了光效能。相反，当每个阻挡条13的高度(H)减少时，一对维持电极21a和21b与地址电极11之间的间隔变窄。因此，地址电极11的电场干扰在维持电极21a和21b之间发生的维持放电，并且诸如电子或离子的带电粒子被容易地吸附到阻挡条13，从而降低了光效能。如上所述，在传统的PDP中，随着每个阻挡条13的高度(H)增加，光效能增加。
然而，如果每个阻挡条13的高度(H)等于或大于180微米，则由于放电单元14的深度的增加，会出现阴影效应和陷入谐振，并且与第一电介质层12接触的荧光层15的一部分会变薄。从而光效能降低许多。
因此，最好是每个阻挡条13的高度(H)尽可能在180微米的限制之内。
而且，当每个阻挡条13的高度(H)增加时，每个地址电极11与一对维持电极21a和21b之间的间隔增加，从而地址电压增加。因此，向PDP的驱动器IC施加了额外负载，从而阻碍了PDP的稳定工作。具体地，如果每个阻挡条13的高度(H)增加10微米，则地址电压增加大约5V，地址放电延迟时间约增加7％，并且地址电压的裕量(margin)略微降低。
考虑上述问题，通常将传统PDP的每个阻挡条13的高度(H)设定为约120微米，并且不能再高。
发明内容
本发明提供一种交流型等离子体显示板(PDP)，其中成型地址电极，使得即使当阻挡条的高度增加，驱动电压也不会增加，从而提高了光效能。
本发明也提供一种在后衬底上形成AC型PDP的地址电极的方法。
根据本发明的一方面，提供一种等离子体显示板，包括后衬底和前衬底、多个地址电极、第一和第二电介质层、多个维持电极、保护层、以及多个阻挡条。相互面对安装后衬底和前衬底，在所述后衬底和前衬底之间形成放电单元。在所述后衬底上以条状形成地址电极。在所述后衬底上形成第一电介质层，并且所述第一电介质层隐埋了所述地址电极。在所述后衬底上以条状形成并成对排列多个维持电极，从而所述多个维持电极与所述地址电极交叉成直角。在所述后衬底上形成第二电介质层，并且所述第二电介质层隐埋了所述维持电极。在所述第二电介质层的下表面上形成保护层。在所述前和后衬底之间安置多个阻挡条，用于限定所述放电单元。每个阻挡条的侧边用荧光层覆盖。每个所述地址电极包括在所述放电单元正下方放置的厚部分和位于相邻厚部分之间的薄部分，所述厚部分比所述薄部分厚。
根据本发明的一方面，所述地址电极的每个厚部分的厚度为5到7微米。
根据本发明的一方面，所述地址电极的厚部分比所述薄部分厚10到30微米。在这种情况下，每个阻挡条的高度在130到160微米的范围内。
更好地，所述地址电极的厚部分比所述薄部分实质厚20微米。在这种情况下，每个所述阻挡条的厚度实质是140微米。
根据本发明的一方面，所述厚部分等于或大于所述薄部分的宽度。
根据本发明的另一方面，提供一种形成地址电极的方法，在等离子体显示板的后衬底上交替排列着每个地址电极中的，厚和薄部分。在所述方法中，在所述后衬底上放置第一掩屏，所述第一掩屏具有条状的第一开口。通过使用所述第一掩屏将金属浆印在所述衬底上，来形成第一金属层。干燥所述第一金属层。将第二掩屏放置在所述后衬底上，所述第二掩屏具有在对应于所述厚部分的位置上形成的第二开口。通过使用所述第二掩模将金属浆印在所述第一金属层上，来形成第二金属层。干燥所述第二金属成，并且对所述第一和第二金属层塑化。
所述第一掩屏是#325网孔网，并且在第一金属层形成步骤将所述第一金属层形成为大约10微米的厚度，所述第二掩屏是#80-#100网孔网。
根据本发明的再一方面，还提供一种形成地址电极的方法，在等离子体显示板的后衬底上交替排列着每个地址电极中的厚和薄部分。在所述方法中，将掩屏放置在所述后衬底上。所述掩屏具有在对应于所述薄部分的位置上形成的第一开口和在对应于所述厚部分的位置上形成的第二开口。通过使用所述掩模将金属浆印在所述后衬底上，来形成金属层。干燥和塑化所述金属层。
其中形成所述第一开口的掩屏的部分是#325网孔网，以及形成所述第二开口的掩屏的部分是#80-#100网孔网。
在上述的两种方法中，将所述第二开口形成得比所述第一开口宽，从而所述厚部分的宽度比所述薄部分的宽度大。
所述金属浆由银、金、和铜中的一种形成。
根据如上所述的本发明，光效能随着阻挡条的高度的增加而增加。即使当阻挡条变得更高时，地址电极和维持电极之间的间隔也不会增加，因此地址电压不增加。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点将变得明显，其中：
图1示出了传统交流(AC)型等离子体显示板(PDP)的部分透视图；
图2示出了图1的传统AC型PDP的内部结构的垂直截面；
图3示出了根据本发明优选实施例的AC型PDP的部分透视图；
图4和5示出了图3的AC型PDP的部分垂直截面；
图6示出了图3的地址电极的透视图；
图7示出了图3的地址电极的修改示例的透视图；
图8示出了阻挡条处于不同高度时的光效能和亮度相对于维持电压的图；
图9示出了阻挡条处于不同高度时的光效能和放电功率相对于维持电压的图；
图10示出了维持电压和点火(firing)电压相对于阻挡条的高度的图；
图11示出了当阻挡条的高度变化时地址放电延迟时间的变化图；
图12示出了当阻挡条的高度变化时地址电压裕量的变化图；
图13A到13G示出了用于对在后衬底上形成地址电极的第一方法的步骤进行说明的横截面视图；
图14A和14B分别示出了在第一方法中使用的第一和第二掩屏(screenmask)的部分透视图；和
图15示出了在后衬底上形成地址电极的第二方法中使用的掩屏的部分透视图。
具体实施方式
现在将参考附图来更全面地描述根据本发明的交流(AC)型等离子体显示板(PDP)，在附图中示出了本发明的优选实施例。在附图中，相同的参考标记表示相同的组件。
图3、4和5分别是根据本发明的优选实施例的AC型PDP的垂直截面的透视图。图6是图3的地址电极的透视图。
参考图3到6，根据本发明的AC型PDP包括相互面对安装的后衬底110和前衬底120。后衬底110和前衬底120相互以预定间隔分离，并且在它们之间具有多个放电单元114。
后衬底110可以由玻璃制成。在后衬底110的上表面以条状来形成多个地址电极111。地址电极111可以由高电导率和低电阻率的金属材料制成，例如银、铝、或铜。每个地址电极111包括薄部分111a和厚部分111b，这将在后面详细描述。
在后衬底110的上表面上形成的第一电介质层112中隐埋地址电极111。第一电介质层112由白色的电介质材料形成，从而反射从放电单元114辐射的可见光。
在第一电介质层112的上表面上形成多个阻挡条113，从而限定放电单元114，以便防止相邻放电单元114之间的电学、光学干扰的出现。将诸如氖气、氙气、或氖和氙的混合气的放电气体注入由阻挡条113限定的放电单元114中。在相邻的阻挡条113的相对侧、以及位于阻挡条113之间的第一电介质层112的上表面的一部分上形成预定厚度的红(R)、绿(G)、或蓝(B)色荧光层115。
前衬底120足够透明来发送可见光，因此通常由玻璃制成。在前衬底120的下表面上以条状形成维持电极对121a和121b，从而它们与地址电极111交叉成直角。维持电极121a和121b由诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料形成，因此它们可以传送从放电单元114辐射的可见光。因为ITO具有相对高的阻抗，因此维持电极121a和121b具有高的线性阻抗。为了减少维持电极121a和121b的高线性阻抗，在维持电极121a和121b的下表面上分别形成由具有优良电导率的金属材料组成的总线电极122a和122b，以这样的方式在每个维持电极121a和121b下表面的一条边缘上形成每个总线电极。总线电极122a和122b比维持电极121a和121b窄。
维持电极121a和121b以及总线电极122a和122b被隐埋于在前衬底120的下表面上形成的第二电介质层123中。第二电介质层123由可以传送可见光的透明电介质材料形成。第二电介质层123的下表面被保护层124覆盖，该保护层防止第二电介质层123和维持电极121a和121b由于等离子体粒子的溅射引起的损坏，并辐射出二次电子来降低放电电压和维持电压。保护层124可以由一氧化镁(MgO)形成。
本发明中的每个阻挡条113的高度(HB)比传统PDP的每个阻挡条的高度要高。更具体地，可以将每个阻挡条113的高度(HB)设定为比传统PDP的大10微米到40微米，也就是每个阻挡条113的高度(HB)大约是130到160微米。最好是，将每个阻挡条113的高度(HB)设定为大约140微米，比传统PDP的大几乎20微米。如上所述，当每个阻挡条113的高度增加时，光效能提高，维持电压下降。这将在后面通过参考图8、9和10来进行描述。
如上所述，每个地址电极111包括多个薄部分111a和多个厚部分111b。厚部分111b在对应于放电单元114的位置上排列。换句话说，按预定间隔以一个厚部分111b位于一对维持电极121a和121b之下的这种方式排列多个厚部分111b。每个薄部分111a位于相邻厚部分111b之间。因此，通过交替排列薄部分111a和厚部分111b来形成地址电极111。
可以将薄部分111a形成为与传统PDP相同的厚度，例如大约5到7微米的厚度。然而，厚部分111b最好比薄部分111a的厚度(Ta)厚大约10到30微米。根据每个阻挡条113的高度(HB)来合适地确定每个厚部分111b的厚度(Tb)。更具体地，当每个阻挡条113的高度(HB)增加时，厚部分111b变得更厚。如果每个阻挡条113的高度(HB)大约是140微米，其比传统PDP的厚度大20微米，则每个厚部分111b的厚度(Tb)比每个薄部分111a的厚度(Ta)厚大约20微米。每个厚部分111b可以比每个薄部分111a宽。
如上所述，如果地址电极111的厚部分111b比薄部分111a厚，则即使每个阻挡条113的高度(HB)增加，每对维持电极121a和121b与每个地址电极111之间的间隔可以保持常规间隔而不增加。因此，即使增加每个阻挡条113的高度(HB)来提高光效能，与传统地址电压相比，地址电压也不增加，从而防止了对PDP的驱动器IC施加额外负载。
在根据本发明的地址电极111的结构中，地址放电延迟时间不从常规时间增加。这将在后面参考图11来描述。
而且，因为具有薄部分111a和厚部分111b的地址电极111将放电单元114互相更精确地区分开来，因此能够更安全地防止相邻放电单元114之间的电、光干扰。
而且，如图4和5所示，荧光层115由于上面描述的地址电极111的结构而具有曲线，并且相应地荧光层115的表面积增加。因此，PDP的亮度提高。
图7示出了图3的地址电极111的修改示例的透视图。通过交替排列多个薄部分211a和多个厚部分211b来形成图7的地址电极211。薄部分211a和厚部分211b的厚度(Ta)和(Tb)等于薄部分111a和厚部分111b的厚度。然而，在图7的地址电极211中，每个厚部分211b具有与每个薄部分211a相同的宽度。具有这种结构的地址电极211也可以获得如上所述的相同的效果。
图8到12是从汉城国立大学的硕士论文(标题为“Study on the Effect ofBarrier Rib Height on the Discharge Characteristics of an AC PDP”，作者TaejuneKim，2002年2月公开)中摘取的图形。
图8示出了阻挡条处于不同高度时的光效能和亮度相对于维持电压的图。图9示出了阻挡条处于不同高度时的光效能和放电功率相对于维持电压的图。图8和9的图形示出了当复位电压为340V和地址电压为60V时光效能、亮度、和放电功率相对于阻挡条的高度和维持电压的关系。
参看图8的图形，光效能在阻挡条的高度(HB)是140微米或160微米时比在阻挡条的高度(HB)是120微米时高。特别是，当阻挡条的高度(HB)是140微米时，光效能最高。而且，亮度在阻挡条的高度(HB)是140微米或160微米时比在阻挡条的高度(HB)是120微米时高。
参看图9的图形，放电功率随着阻挡条的高度(HB)增加而增加，而当阻挡条的高度(HB)为140微米时，光效能最高。
因此，当将根据本发明的阻挡条形成比传统阻挡条要高时，最好大约是140微米时，能够达到具有高亮度的高效率PDP。
图10示出了当复位电压和地址电压分别是340V和60V时维持电压和点火电压相对于阻挡条的高度的关系图。参看图10的图形，点火电压和维持电压在阻挡条的高度(HB)是150微米或180微米时比在阻挡条的高度(HB)是120微米时低。点火电压和维持电压随着阻挡条的高度(HB)增加而降低的原因是放电单元内的放电空间随着阻挡条的高度(HB)增加而变大，从而降低了地址电极的电场与维持放电的干扰，并且减少了被吸收到阻挡条的诸如电子或离子的带电粒子的数量。
因此，在本发明中，如果将阻挡条的高度(HB)设定得比传统PDP的高度高时，即使用比传统PDP更低的电压，也能够发生维持放电。因此，减少了施加到驱动器IC的负载，这有助于PDP更稳定地工作。
图11示出了当阻挡条的高度变化时延迟地址放电所需时间的变化图。参考图11，当阻挡条的高度(HB)从120微米增加到140微米时，地址放电延迟时间通常增加大约150纳秒。然而，在本发明中，由于地址电极包括厚部分，所以即使阻挡条的高度(HB)从120微米增加到140微米，地址电极和维持电极之间的间隔也不会增加。因此，地址放电延迟时间不增加。
从而，在根据本发明的PDP中，即使阻挡条的高度(HB)增加到140微米，地址放电延迟时间与阻挡条的高度(HB)增加到120微米时的地址放电延迟时间相同。结果，可以实现快速寻址。
图12示出了当阻挡条的高度变化时地址电压裕量的变化图。参考图12，当阻挡条的高度(HB)从120微米增加到140微米时，地址电压(Va)的裕量通常从大约51.2V降低到大约48.2V，也就是，降低了大约3V。地址电压Va的裕量表示能够仅在期望的放电单元中出现地址放电的、而不影响相邻放电单元的地址电压Va的最大值与最小值之间的差。当地址电压Va的裕量降低时，需要更精确的控制来选择性地导通放电单元，这并不是最好的。然而，在本发明，由于地址电极包括厚部分，因此即使阻挡条的高度(HB)从120微米增加到140微米，地址电极与维持电极之间的间隔也不会增加。因此，地址电压Va的裕量不增加。
尤其是，在本发明中，由于通过具有薄和厚部分的地址电极将放电单元彼此更精确地区分开来，因此相邻放电单元上的地址电场的影响减少，所以，地址电压Va的裕量当然可能增加。
现在参考图13A到13G以及图14A和14B来描述根据本发明的在PDP的后衬底上形成上述地址电极的方法。图13A到13G是图解说明在后衬底上形成地址电极的第一方法的步骤的横截面视图。图14A和14B分别示出了在第一方法中使用的第一和第二掩屏的部分透视图。
参图13A，首先，准备后衬底110。可以将预定厚度的玻璃衬底用作后衬底110。在后衬底110之上放置第一掩屏150。如图14A所示，第一掩屏150可以是一种不锈钢网，其中以预定间隔形成条状的开口151，例如#325网孔的不锈钢网。这里，#号表示在1×1平方英寸面积中包含的网孔数量。当#号增加时，每个网孔的尺寸变小。相反，当#号减少时，每个网孔的尺寸变大。
如图13B所示，在第一掩屏150的上表面上涂覆具有优良导电性的金属材料，例如Ag浆(P)。可以使用Al或Cu来代替Ag用作金属材料。
如图13C所示，在一个方向上施加压力170，同时将第一掩屏150向下按在后衬底110上，从而将Ag浆(P)挤压在后衬底110上。然后，滑过第一掩屏150的开口151的Ag浆(P)以预定厚度被印在后衬底110的上表面上。因此，如图13D所示，在后衬底110的上表面以条状形成第一金属层181，每个金属成具有预定的厚度。
可以根据第一掩屏150的网孔来控制每个第一金属层181的厚度。换句话说，如果第一掩屏150的#号增加，则每个网孔的尺寸变小，从而印在后衬底110上的第一金属层181变薄。相反，如果第一掩屏150的#号减少，则每个网孔的尺寸变大，从而印在后衬底110上的第一金属层181变厚。如上所述，当使用#325网孔的不锈钢网作为第一掩屏150时，每个第一金属层181的厚度大约是10微米。
之后，浆状的第一金属层181变干燥。
接着，如图13E所示，在已经形成了第一金属层181的后衬底110之上放置第二掩屏160。如图14B所示，第二掩屏160可以是不锈钢网，其上形成多个矩形开口161，例如#80到#100网孔的不锈钢网。矩形开口161以预定间隔沿着第一金属层181排列。矩形开口161可以比第一金属层181宽。随后，用Ag浆(P)来涂覆第二掩屏160的上表面。
参考图13F，在第一金属层181上形成预定厚度的第二金属层182。可以以如图13C所示的相同方式来形成第二金属层182。根据第二掩屏160的网孔可以控制每个第二金属层182的厚度。如上所述，当#80网孔的不锈钢网被用作第二掩屏160时，每个第二金属层182的厚度大约为40微米。
之后，干燥浆状的第二金属层182，并且对第一和第二金属层181和182塑化。塑化将每个第一金属层181的厚度减少到大约5到7微米，并将每个第二金属层182的厚度减少到大约20微米。然后，如图13G所示，在后衬底110上形成了根据本发明的地址电极111。更具体地，只由第一金属层181组成的部分形成地址电极111的薄部分111a，由重叠的第一和第二金属层181和182组成的部分形成第一电极111的厚部分111b。
如果第二掩屏160的每个开口161的宽度与第一掩屏150的每个开口151的宽度相同，则可以形成图7的地址电极211，该地址电极具有相同宽度的薄部分211a和厚部分211b。如上所述，当第一和第二掩屏150和160的#号变化时，印在后衬底110上的每个第一和第二金属层181和182的厚度变化。因此，可以形成各种厚度的地址电极111的薄和厚部分111a和111b。
图15示出了在后衬底上形成地址电极的第二方法中使用的掩屏的部分透视图。参考图15，在后衬底上形成地址电极的第二方法中，通过使用单个掩屏250，将形成地址电极的薄和厚部分的金属层同时印在后衬底上。为了这样做，掩屏250包括第一和第二开口251和252。第一开口251比第二开口252要窄，第一和第二开口251和252是互相交替的。为了形成图7的地址电极211，第一开口251和第二开口252可以具有相同的宽度。其中形成了第一开口251的掩屏250的部分是具有较大#号的不锈钢网制成的，例如#325网孔，而形成了第二开口252的掩屏250的部分是具有较少#号的不锈钢网制成的，例如#80到#100网孔，因此，使用第一开口251印在后衬底上的每个金属层的厚度大约是10微米，并且使用第二开口252印在后衬底上的每个金属层的厚度大约是40微米。
除了使用掩屏来印出金属层的步骤，根据本发明形成地址电极的第二方法与上述的第一方法相同。换句话说，当使用掩屏250将Ag浆(P)印在后衬底上，干燥Ag浆(P)，并随后塑化Ag浆(P)时，形成具有如图6或7所示的薄和厚部分的地址电极。
如上所述，在根据本发明的PDP中，将地址电极部分地制成厚的，从而即使当阻挡条变得更高时，地址电极与维持电极之间的间隔也不会增加。因此，可以获得高光效能，而不会增加地址电压和地址放电延迟时间。
当阻挡条变得更高时，即使具有比在传统PDP中使用的维持电压更低的维持电压，也能够发生维持放电。因此，减少了施加到驱动器IC的负载，从而有利于PDP更稳定的工作。
而且，由于通过具有薄和厚部分的地址电极将放电单元彼此更精确地区分开来，所以能够安全地放置相邻放电单元之间的电、光干扰。特别是，减少了相邻放电单元上地址电场的影响，从而增加了地址电压的裕量。
而且，因为荧光层具有由于地址电极的结构引起的曲线，它的表面积增加，从而提高了PDP的亮度。
尽管参考本发明的示例性实施例特别示出和描述了本发明，但是本领域的技术人员将会理解在不背离由所附权利要求定义的本发明的原理和精神的情况下，可以在形式和细节上对本发明做出各种变化。
Claims (20)
1.一种等离子体显示板，包括：
相互面对安装的后衬底和前衬底，在所述后衬底和前衬底之间形成放电单元；
在所述后衬底上以条状形成的多个地址电极；
在所述后衬底上形成的第一电介质层，所述第一电介质层隐埋了所述地址电极；
在所述后衬底上以条状形成的并成对排列的多个维持电极，从而所述多个维持电极与所述地址电极交叉成直角；
在所述后衬底上形成的第二电介质层，所述第一电介质层隐埋了所述维持电极；
在所述第二电介质层的下表面上形成的保护层；和
安置在所述前和后衬底之间的多个阻挡条，所述多个阻挡条用于限定所述放电单元，并且具有用荧光层涂覆的侧边，
其中每个所述地址电极包括在所述放电单元的正下方放置的厚部分和位于相邻厚部分之间的薄部分，所述厚部分比所述薄部分厚。
2.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述地址电极的每个厚部分的厚度为5到7微米。
3.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述地址电极的厚部分比所述薄部分厚10到30微米。
4.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述地址电极的厚部分比所述薄部分实质厚20微米。
5.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中每个所述阻挡条的高度在130到160微米的范围内。
6.如权利要求5所述的等离子体显示板，其中每个所述阻挡条的高度实质是140微米。
7.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述厚部分比所述薄部分宽。
8.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述厚部分的宽度与所述薄部分的宽度相同。
9.一种形成地址电极的方法，在等离子体显示板的后衬底上交替排列着每个地址电极中的厚和薄部分，所述方法包括：
在所述后衬底上放置第一掩屏，所述第一掩屏具有条状的第一开口；
通过使用所述第一掩屏将金属浆印在所述衬底上，来形成第一金属层；
干燥所述第一金属层；
将第二掩屏放置在所述后衬底上，所述第二掩屏具有在对应于所述厚部分的位置上形成的第二开口；
通过使用所述第二掩模将金属浆印在所述第一金属层上，来形成第二金属层；和
干燥所述第二金属层，并且对所述第一和第二金属层塑化。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一掩屏是#325网孔网。
11.如权利要求10所述的方法，其中在第一金属层形成步骤将所述第一金属层形成为大约10微米的厚度，在第一和第二金属层塑化步骤将每个所述第一金属层的厚度减少到5到7微米。
12.如权利要求9所述的方法，其中所述第二掩屏是#80-#100网孔网。
13.如权利要求12所述的方法，其中在第二金属层形成步骤将所述第二金属层形成为大约40微米的厚度，在第一和第二金属层塑化步骤将每个所述第二金属层的厚度减少到大约20微米。
14.如权利要求9所述的方法，其中将所述第二开口形成得比所述第一开口宽，从而所述厚部分的宽度比所述薄部分的宽度大。
15.如权利要求9所述的方法，其中所述金属浆由银、金、和铜中的一种形成。
16.一种形成地址电极的方法，在等离子体显示板的后衬底上交替排列着每个地址电极中的厚和薄部分，所述方法包括：
将掩屏放置在所述后衬底上，所述掩屏具有在对应于所述薄部分的位置上形成的第一开口和在对应于所述厚部分的位置上形成的第二开口；
通过使用所述掩屏将金属浆印在所述后衬底上，来形成金属层；和
干燥和塑化所述金属层。
17.如权利要求16所述的方法，其中形成所述第一开口的掩屏的部分是#325网孔网，其中形成所述第二开口的掩屏的部分是#80-#100网孔网。
18.如权利要求17所述的方法，其中在金属层形成步骤中，通过所述第一开口将每个所述金属层部分地形成为大约10微米的厚度，通过所述第二开口将每个所述金属层的剩余部分形成为大约40微米的厚度，并且在金属层干燥和塑化步骤，将每个所述金属层的接近10微米厚的部分减少到5到7微米，并且将每个所述金属层的接近40微米厚的部分减少到大约10微米。
19.如权利要求16所述的方法，其中将所述第二开口形成得比所述第一开口宽，从而所述厚部分的宽度比所述薄部分的宽度大。
20.如权利要求16所述的方法，其中所述金属浆由银、金、和铜中的一种形成。
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