CN1737981A - 等离子体显示面板的放电电极及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有特殊布置和结构的放电电极的等离子体显示面板。一方面，该等离子体显示面板包括前基板；面向该前基板的后基板；设置在该前后基板之间并和该前后基板一起限定了放电室的介质墙；嵌入该介质墙内并设置成跨越一个放电室的第一角的X电极；嵌入所述介质墙内并设置成跨越一个放电室的与所述第一角相对设置的第二角的Y电极；嵌入所述介质墙并设置在越过该Y电极方向上的寻址电极；和涂敷在所述放电室内的红、绿或蓝荧光粉层。由于所述Y电极和寻址电极彼此相邻，所以电极之间的距离减小，并可以获得低电压操作和高速寻址。

Description

等离子体显示面板的放电电极及其制造方法

与相关申请的交叉引用

本申请要求2004年8月18日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请10-2004-0065037的优先权，在此将其公开全部引入作为参考。

技术领域

本发明涉及等离子体显示面板，更具体地说，涉及通过将产生寻址放电的放电电极嵌入介电层内的放电室来提高寻址速度的放电电极及其制造方法。

背景技术

总地来说，等离子体显示面板是平板显示设备，其中放电气体被注入具有多个放电电极的两个基板之间以产生放电，由于放电产生的紫外线激发荧光粉层，因此显示希望的数字、字符和图像。

图1(现有技术)示出了三电极表面放电型等离子体显示面板100。

参见图1，等离子体显示面板100包括前基板110、面向前基板110的后基板150、设置在前基板110内表面的X电极121和Y电极122、覆盖X电极121和Y电极122的前介电层130、涂敷在前介电层130上的保护层140、形成在后基板150内表面上的寻址电极160、覆盖寻址电极160的后介电层170、设置在前后基板110和150之间的障壁180，以及形成在障壁180内的红、绿或蓝荧光粉层190。X电极121包括第一透明电极线121a，以及形成在第一透明电极线121a上的第一汇流电极线121b。Y电极122包括第二透明电极线122a，以及形成在第二透明电极线122a上的第二汇流电极线122b。

在包括以上结构的等离子体显示面板100中，电信号施加到Y电极122和寻址电极160，以选择放电室，电信号交替施加到X和Y电极121和122上，以从前基板110的内表面产生表面放电并产生紫外线。可见光从所选择的放电室内的荧光粉层190被发射，以显示静止图像或活动图片。

然而，常规的等离子体显示面板100包括以下问题。

首先，放电从X电极121和Y电极122之间的放电间隙开始，其分布于X和Y电极121和122的外部。由于放电扩散到前基板110的表面，所以放电室的空间利用率低。

其次，当高浓度的Xe气(体积约10％或更多)被注入放电室时，电子的离子化和激发引起激子的产生，因此，明度和放电效率都增加。然而，由于使用高浓度的Xe气，初始放电点火电压变高。

第三，由于X电极121、Y电极122、汇流电极123和保护层140都形成在前基板110的内表面上，所以可见光的能见度典型地约小于60％。因此，明度低。

第四，如果等离子体显示面板100长时间运转，放电就向荧光粉层190扩散。因此，放电气体的充电粒子就喷到荧光粉层上，引起持久的残留图像显示。

发明内容

本发明的一个方面是包括改进结构的放电电极的等离子体显示面板，其中该面板包括：前基板、面向该前基板的后基板、位于前后基板之间并和前后基板一起限定放电室的介质墙、嵌入该介质墙内并位于跨越一个放电室的第一角的X电极、嵌入该介质墙内并位于跨越一个放电室的第二角的Y电极，该第二角与第一角相对设置，嵌入该介质墙内并位于越过该Y电极的寻址电极，以及涂敷在每个放电室内的红、绿或蓝荧光粉层。

所述X电极可以沿着预定方向延伸，所述Y电极可沿着平行于所述放电室的一侧并平行所述X电极的方向延伸。

所述X电极可以包括X电极线和从该X电极线向所述Y电极突出的X电极突起。

所述Y电极可以包括Y电极线和从该Y电极线向所述X电极突出的Y电极突起。

所述的每个X电极和Y电极都可以充分地形成梳状，并且所述各自的突起都可以与所述另一突起交错。

所述寻址电极可以平行于所述Y电极突起。

所述寻址电极可以包括平行于所述Y电极线的寻址电极突起。

所述寻址电极可以是大致梳状并可以越过所述Y电极。

所述X电极和Y电极可以实质上位于同一平面内，所述寻址电极可以实质上位于与第一平面分离且平行的第二平面内，并且所述寻址电极可以位于与所述X电极和Y电极充分相邻。

所述寻址电极的第一部分可以具有比另一部分大的体积。

所述寻址电极可以被形成为该寻址电极的横截面积在所述面板的中心比边缘大。

障壁可以形成在所述介质墙和后基板之间对应于所述介质墙的形状，其中在所述障壁内可以有所述荧光粉层。

保护层可以进一步形成在所述介质墙的内表面上，以增加二次电子的发射。

另一方面是制造所述等离子体显示面板的方法，该方法包括：形成前基板；形成面向该前基板的后基板；形成所述前后基板之间的介质墙，其中限定放电室；将X电极嵌入所述介质墙，其中该X电极跨越一个放电室的第一角；并将Y电极嵌入所述介质墙，其中该Y电极跨越一个放电室的第二角，该第二角与所述第一角相对。

该方法还可以包括将寻址电极嵌入介质墙，其中该寻址电极越过所述Y电极。

该方法还可以包括将所述的每个X电极和Y电极形成大致梳状，每一个的突起和另一个的突起交错。

该方法还可以包括将所述X电极和Y电极实质上位于同一平面内。

该方法还可以包括形成实质上在与所述第一平面分离且平行的第二平面内的寻址电极，其中该寻址电极实质上与所述X电极和Y电极相邻。

该方法还可以包括形成寻址电极，其中该寻址电极的横截面积在所述面板的中心比边缘大。

该方法还可以包括形成寻址电极，其中该寻址电极的第一部分具有比另一部分大的体积。

附图说明

下面用更详细的示例性实施例并参照附图讨论本发明的以上和其它特征和优点，在附图中：

图1(现有技术)是常规等离子体显示面板的分解透视图；

图2是根据一个实施例的等离子体显示面板的分解透视图；

图3是图2所示的放电电极的布置平面图；

图4是图2所示的放电电极的分解透视图；

图5是沿着图2的面板没有被分解处的I-I线得到的面板横截面图；

图6是根据另一实施例的等离子体显示面板的横截面图；和

图7是根据又一实施例的等离子体显示面板的横截面图。

具体实施方式

下面参照显示了示例性实施例的附图更加全面地描述本发明的实施例。

图2是根据一个实施例的等离子体显示面板200的一部分的分解透视图。

参见图2，等离子体显示面板包括前基板210和平行前基板210设置的后基板220。在前基板210和后基板220彼此面对的内表面上，沿着外部边缘涂敷玻璃熔剂以密封内部空间。

前基板210由例如钠钙玻璃的透明材料形成。后基板220可以由与前基板210的材料相同的材料形成。

介质墙230设置在前基板210和后基板220之间，和前基板210以及后基板220一起限定放电室。介质墙230通过将各种装填物添加到玻璃浆内形成。

介质墙230包括如沿着面板200的X方向设置的介质墙231的第一组介质墙，和如沿着面板200的Y方向设置的介质墙232的第二组介质墙。第一组和第二组介质墙相交，限定了格子状的放电室。

可替代地，介质墙230可以形成多种其它的形状，例如但不局限于不规则形、△形、六角形或蜂窝形。此外，被介质墙230限定的放电室可以形成其它多边形或圆形。X电极240、Y电极250和寻址电极260嵌入在介质墙230内。X电极240、Y电极250和寻址电极260沿着放电室的周边设置。此外，由于X电极240、Y电极250和寻址电极260彼此电绝缘，所以可以对它们施加不同的电压。

可以由MgO形成的保护层270沉积在介质墙230的内表面，以发射二次电子。保护层270涂敷到每个放电室。

障壁280形成在介质墙230和后基板220之间。不同于介质墙230，障壁280由低介电性材料形成。障壁280在相应于介质墙230的位置上形成与介质墙230相同的形状。

障壁280包括如对应于第一组介质墙(X方向)的障壁281的第一组障壁和如对应于第二组介质墙(Y方向)的障壁282的第二组障壁。第一组障壁和第二组障壁彼此整体连接，从而形成格子。

如果只有介质墙230形成在前后基板210和220之间，那么放电室就只被介质墙限定。如果介质墙230和障壁280都形成在前后基板210和220之间，那么放电室就被由具有不同介电性质的材料形成的二者限定。

例如Ne-Xe或He-Xe的放电气体被注入前基板210、后基板220、介质墙230和障壁280所限定的放电室里。

此外，被由于放电气体产生的紫外线所激发的红、绿或蓝荧光粉层290形成在放电室里。荧光粉层290可以涂敷在放电室的任何地方。在一些实施例里，荧光粉层290涂敷在障壁280的内壁以及以预定厚度涂敷在放电室的上表面。

红、绿或蓝荧光粉层290涂覆在每个放电室上。红荧光粉层可以由(Y，Gd)BO₃:Eu³⁺形成，绿荧光粉层可以由Zn₂SiO₄:Mn²⁺形成，而蓝荧光粉层可以由BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺形成。

在关于单一放电室的图2的实施例中，X电极240和Y电极250位于放电室的相对侧，而寻址电极260位于放电室中与Y电极250相同的一侧并接近前基板210。

下面更加详细地描述电极的布置。

图3是图2中放电电极的平面图，图4是图3中放电电极的透视图。

参见图3和图4，在等离子体显示面板200上，介质墙231设置在X方向上，介质墙232设置在Y方向上。通过连接介质墙231和232形成的放电室310形成方形，并且放电室310沿着X方向和Y方向连续地彼此以预定间隔设置。

X电极240嵌入介质墙230内。X电极240被设置成跨越放电室310的第一角311。此外，X电极240包括设置在放电室310的X方向上的X电极线241。X电极线241形成带状，并且一条带设置在每个第一介质墙231处。

X电极突起242在放电室310的Y方向上连接到X电极线241上。X电极突起242的长度在Y方向上与放电室310的一侧一致。一个或多个X电极突起242设置在每个第二介质墙232处。根据这种设置，X电极240是大致的梳状。其它形状也可以被使用。

Y电极250嵌入介质墙230内。Y电极250被设置成跨越第二角312，对于单个的放电室来说，第二角312与第一角311相对。Y电极250包括设置在放电室310的X方向上的Y电极线251。Y电极线251形成带状，并且一条带设置在每个第一介质墙231处。

Y电极突起252在放电室310的Y方向上连接到Y电极线251上。Y电极突起252的长度在Y方向上与放电室310的一侧一致。一个或多个Y电极突起252设置在每个第二介质墙232处。根据这种设置，Y电极250是大致的梳状。其它形状也可以被使用。

此外，X电极240和Y电极250被设置成X电极突起242和Y电极突起252在放电室310的各自一侧。这是由于X电极和Y电极大体上形成梳状，而突起相互交错。

参照单个的放电室，Y电极线251跨越与X电极线241相对的角。这种布置允许电极线241和251在每一个放电室310处持续放电。寻址电极260也嵌入到介质墙230内。寻址电极260一般位于Y电极250之上。寻址电极线261形成带状。一条寻址电极线261设置在第二介质墙232处。

寻址电极突起262整体连接到寻址电极线261上。寻址电极突起262与Y电极线251平行设置，并处于与Y电极线251相一致的位置。寻址电极线261和从寻址电极线261的侧壁延伸出来的寻址电极突起262具有大致的梳状，但是可以使用其它形状。

X电极240、Y电极250和寻址电极260沿着放电室310的周边设置。因此，X电极240、Y电极250和寻址电极260不影响面板200的开口率，并且这些电极240、250和260可以由具有高导电性例如Ag胶或Cr-Cu-Cr的不透明材料制成。

具有上述结构的等离子体显示面板200的操作将参照图5进行描述，图5示出了沿图2和图3的I-I线的等离子体显示面板。

当预定的脉冲电压从外部电源施加到寻址电极260和Y电极250之间时，放电室310被选择。壁电荷被累积到寻址电极260和Y电极250之间的被选择的放电室310的内侧表面上。

因为寻址电极260和Y电极250之间的距离比常规技术的短，所以施加到寻址电极260和Y电极250之间以产生放电的脉冲电压就比常规技术的低。此外，寻址电极260和Y电极250之间的寻址速度增加。

此外，当正电压施加到X电极240并且更高的电压施加到Y电极250上时，壁电荷由于施加到X电极240和Y电极250之间的电压差而移动。壁电荷与放电室310中的放电气体原子碰撞，产生放电并产生等离子体。放电从第一角311和第二角312开始，并移向放电室310的中心。

在产生放电以后，当X电极240和Y电极250之间的电压差变得低于放电电压时，放电停止，而且空间电荷和壁电荷形成在放电室310内。如果施加到X电极240和Y电极250的电压的极性变化，那么在壁电荷的帮助下放电会再次发生。当上述过程连续重复时，放电可以稳定地发生。

通过放电产生的紫外辐射激发涂敷在放电室310内的荧光粉层290的荧光物质。通过这个过程，产生可见光。可见光从放电室310发射，以显示静止的图像或活动的图片图像。

图6示出了根据另一实施例的等离子体显示面板600。

参见图6，等离子体显示面板600包括前基板610和后基板620。介质墙630设置在前基板610和后基板620之间。保护层670设置在介质墙630的侧壁上。具有与介质墙630相应形状的障壁680设置在介质墙630和后基板620之间。红、绿或蓝荧光粉层690涂覆在放电室里。

此外，诸如Ne-Xe或He-Xe的放电气体被注入前基板610、后基板620、介质墙630和障壁680限定的放电室(D)。

多个放电电极沿着放电室(D)的周边嵌入介质墙630。Y电极650和寻址电极660上下设置，并且寻址电极660具有为减少电阻而设计的结构。

寻址电极660的至少一部分形成为具有比另一部分大的体积，以减少带状电极的线阻抗。寻址电极660包括第一寻址电极部分661、与第一寻址电极部分661分离出预定距离的第二寻址电极部分662，和整体连接第一寻址电极部分661和第二寻址电极部分662的连接部分663。

第一和第二寻址电极部分661和662形成为具有相同的宽度和长度，因此具有相同的体积。连接部分663连接第一寻址电极部分661的中心部分和第二寻址电极部分662的中心部分。寻址电极660具有第一和第二寻址电极部分661和662以及连接这两个寻址电极部分661和662的连接部分663限定的“H”型的交叉部分。

寻址电极660也可以设计成多种其它的形状。横截面积可以变化越过面板的表面，例如，它可以在面板的中心比边缘大。

电极的相对位置可以改变。例如，图7示出了根据另一实施例的等离子体显示面板700。

参见图7，等离子体显示面板700包括前基板710和后基板720。介质墙730和障壁780设置在前后基板710和720之间的上下部分，以限定放电室(D)。红、绿或蓝荧光粉层790涂敷到障壁780内部。

X电极740和Y电极750沿着放电室(D)的相对侧嵌入介质墙730，并跨越放电室(D)相对的角。寻址电极760设置在Y电极750的下面。Y电极750与前基板710相邻，寻址电极760与后基板720相邻。

在具有上述结构的等离子体显示面板700中，脉冲电压施加到Y电极750和寻址电极760，以选择发生放电的放电室(D)。放电室的功能别样地类似于其它实施例的描述。

如上所述，具有改进结构的放电电极的等离子体显示面板至少能具有以下优点。

由于放电沿着放电室的侧表面发生，所以放电面积可以增加。

此外，放电电极、介电层和保护层不是形成在可见光穿过的基板的表面，因此，面板的开口率可以显著提高。

由于放电从放电室的角落开始并向中心移动，所以放电效率增加。因为在持续放电中离子的路径平行于荧光粉层，所以充分避免荧光粉层离子的喷溅。

此外，由于Y电极和寻址电极彼此相邻地设置嵌入介电层，所以可以减少电极间的距离，得到低电压操作和高速寻址。

尽管以上的描述应用实施例指出了本发明的新颖特征，但是技术人员应该理解所述的装置或方法的形式和细节上的不同删减、替换和改变都没有脱离本发明的范围。因此，本发明的范围通过附加的权利要求而不是上面的描述来限定。在权利要求的等效意义和范围内的所有变化都包括在它的范围内。

Claims (20)

1、一种等离子体显示面板，包括：

前基板；

面向该前基板的后基板；

位于该前后基板之间并和该前后基板一起限定放电室的介质墙；

嵌入该介质墙内并位于跨越一个放电室的第一角的X电极；

嵌入该介质墙内并位于跨越一个放电室的第二角的Y电极，该第二角与第一角相对设置；

嵌入所述介质墙并位于越过该Y电极的寻址电极；和

涂敷在每个所述放电室中的红、绿或蓝荧光粉层。

2、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述X电极沿着预定方向延伸，所述Y电极沿着平行于所述放电室的一侧并平行于所述X电极的方向延伸。

3、如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述X电极包括X电极线和从该X电极线向所述Y电极延伸的X电极突起。

4、如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述Y电极包括Y电极线和从该Y电极线向所述X电极突出的Y电极突起。

5、如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述的每个X电极和Y电极都大致形成梳状，并且所述各自的突起与所述另一个的突起交错。

6、如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中所述寻址电极平行于所述Y电极突起。

7、如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中所述寻址电极包括平行于所述Y电极线的寻址电极突起。

8、如权利要求7所述的等离子体显示面板，其中所述寻址电极具有大致的梳状并越过所述Y电极。

9、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述X电极和Y电极实质上位于同一平面内，所述寻址电极实质上位于与所述第一平面分离且平行的第二平面内，并且所述寻址电极实质上邻近所述X电极和Y电极。

10、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述寻址电极的第一部分具有比另一部分大的体积。

11、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述寻址电极被形成为该寻址电极的横截面积在所述面板的中心比边缘大。

12、如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括形成在所述介质墙和后基板之间对应于所述介质墙形状的障壁，其中所述荧光粉层涂敷在该障壁的内侧。

13、如权利要求12所述的等离子体显示面板，其中在所述介质墙的内表面上进一步形成有保护层，以增加二次电子的发射。

14、一种制造等离子体显示面板的方法，该方法包括：

形成前基板；

形成面向所述前基板的后基板；

形成所述前后基板之间的介质墙，其中放电室被限定；

将X电极嵌入所述介质墙，其中该X电极跨越一个放电室的第一角；和

将Y电极嵌入所述介质墙，其中该Y电极跨越一个放电室的第二角，该第二角与所述第一角相对。

15、如权利要求14所述的方法，进一步包括将寻址电极嵌入所述介质墙，其中该寻址电极越过所述Y电极。

16、如权利要求14所述的方法，其中形成所述X和Y电极进一步包括将所述的每个X和Y电极形成大致梳状，每一个的突起和另一个的突起交错。

17、如权利要求14所述的方法，其中形成所述X和Y电极进一步包括将所述X和Y电极实质上置于同一平面内。

18、如权利要求17所述的方法，进一步包括形成实质上在与所述第一平面分离且平行的第二平面内的寻址电极，其中该寻址电极实质上邻近所述X电极和Y电极。

19、如权利要求14所述的方法，进一步包括形成寻址电极，其中该寻址电极的横截面积在所述面板的中心比边缘大。

20、如权利要求14所述的方法，进一步包括形成寻址电极，其中该寻址电极的第一部分具有比另一部分大的体积。

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