CN1540727A - 一种金属线间介质膜的两步淀积工艺 - Google Patents
一种金属线间介质膜的两步淀积工艺 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属互连线间介质膜的两步淀积工艺。由于产品的不断更新和多样化，以及顾客的各种要求，需要对工艺中出现的各种新问题进行不断的研究，并加以解决。比如，为了提高高密度等离子体(HDP)化学气相淀积(CVD)设备的产额，需要对HDPCVD工艺进行优化处理。HDPCVD工艺主要用于填空。本发明针对金属线间槽深A，槽宽R，高宽比A/R≤2.3的介质填充，提出了一种两步淀积法工艺，使得淀积时间缩短了20－30％，从而提高HDPCVD设备的产额。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属互连线间介质膜的两步淀积工艺。
背景技术
从国际上来讲，现在已进入主流0.13μm的铜工艺，研发0.09μm或更先进的工艺；但国内IC大生产线技术的主流为0.25μm工艺，尽管少数厂家已经进入0.18μm或更先进的技术；从IC加工厂(Fountry)的要求而言，要建立稳定的0.25μm工艺平台，并不是一件容易的事，即：只要是0.25μm工艺的产品，IC加工厂都能生产。
然而，由于产品的不断更新和多样化，以及顾客的各种要求，需要对工艺中出现的各种新问题进行不断的研究，并加以解决。比如，在0.25μm工艺的产品中，为了提高高密度等离子体(HDP)化学气相淀积(CVD)设备的产额，需要对HDPCVD工艺进行优化处理，采用多步法来提高其产能。HDPCVD工艺主要用于填空(如：浅槽隔离---STI；金属线间介质膜填充等)。
通常情况下，HDPCVD工艺中采用一步淀积来完成，比如用D/S(淀积/溅射)为3.0的HDPCVD工艺，淀积厚度为1000nm，其缺点至少有二：淀积时间过长，HDPCVD设备的产额低；可能温度过高引起Al空洞。
发明内容
本发明的目的在于针对集成电路工艺中金属线间槽深A、槽宽R，高宽比A/R≤2.3的金属线结构，提出一种金属线间介质膜的HDPCVD淀积工艺，以便提高HDPCVD设备的产额，并避免由于温度过高引起的Al空洞。
本发明提出的金属线间介质膜的HDPCVD淀积工艺，是针对高宽比A/R≤2.3的金属线结构，具体工艺步骤如下：
将原来的一步淀积改为两步：1)D/S(淀积/溅射)为3.3-3.5，淀积厚度为400-500nm；2)D/S(淀积/溅射)为5.8-6.2，淀积厚度为350-450nm；其总厚度为800-900nm，与金属线间槽深基本相等，这两步淀积是一次性连续在淀积腔内完成。
本发明通过实验有效提高了原有HDPCVD工艺的产额，使得每片硅片的加工时间缩短了20-30％。本技术工艺简单，稳定，从而提高了产额，缩短了硅片加工周期。
具体实施方式
下面通过具体实施例进一步描述本发明：
例1，将已刻蚀并清洗后的硅片放入HDPCVD淀积腔内(比如应用材料公司生产的Ultima腔)，用两步法菜单来淀积：即，1)D/S(淀积/溅射)为3.4，淀积450nm；2)D/S(淀积/溅射)为6.0，淀积450nm；其总厚度为900nm。这两步淀积是一次性连续在腔内完成的。
例2，两步法淀积的条件：1)D/S(淀积/溅射)为3.3，淀积400nm；2)D/S(淀积/溅射)为5.2，淀积450nm；其总厚度为850nm。
例3，两步法淀积的条件：1)D/S(淀积/溅射)为3.5，淀积500nm；2)D/S(淀积/溅射)为5.8，淀积350nm；其总厚度为850nm。
例4，两步法淀积的条件：1)D/S(淀积/溅射)为3.4，淀积450nm；2)D/S(淀积/溅射)为6.0，淀积350nm；其总厚度为800nm。
以上实例，都能有效地提高HDPCVD工艺的产额，使得每片硅片的加工时间缩短20-30％。
Claims (1)
1.一种金属线间介质膜的HDPCVD淀积工艺，针对金属互连线间槽深A、槽宽R，高宽比A/R≤2.3的金属线结构，其特征在于采用两步淀积法：
第一步淀积D/S为3.3-3.4，厚度为400-500nm；
第二步淀积D/S为5.8-6.2，厚度为350-450nm；
其总厚度为800-900nm，与槽深基本相等；
这两步淀积是一次性连续在工作腔内完成。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN102446839A (zh) * | 2011-10-21 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种前金属介电质层的淀积方法 |
| CN106328582A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-01-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 金属层间介质膜层的形成方法及hdpcvd方法 |
| CN109346399A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-02-15 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 金属层间介质膜层的形成方法 |
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2003
- 2003-10-30 CN CNA2003101082797A patent/CN1540727A/zh active Pending
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