CN1529300A - 主动式有机发光二极管的画素结构 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一扫描配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。其中开关薄膜晶体管具有一第一浅掺杂汲极，而驱动薄膜晶体管具有一第二浅掺杂汲极，且第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。藉由该主动式有机发光二极管的画素结构可降低开关薄膜晶体管内的漏电流，并能够改善驱动薄膜晶体管的扭折效应，而可提供一较佳的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种主动式有机发光二极管的画素结构，特别是涉及一种应用具有浅掺杂汲极的薄膜晶体管，可有效降低开关薄膜晶体管的漏电流，而可稳定储存电容器的输出电压，并可改善驱动薄膜晶体管在进行电压电流操作时的扭折效应，而可提高驱动薄膜晶体管的可靠度，进而可使得有机发光二极管具有较佳显示效果的主动式有机发光二极管的画素结构。
背景技术
随着信息科技的发达，各式各样如计算机、行动电话、个人数字助理(PDA)及数字相机等信息设备，均不断地推陈出新。在这些信息设备中，显示器始终扮演着举足轻重的地位，而平面显示器(Flat Panel Display)由于具有薄型化、轻量化及省电的特性，乃逐渐地受到欢迎。在各种平面显示器中，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器因为具有视角广、色彩对比效果好、轻薄、响应速度快及成本低等优点，故十分适用于如电子时钟、行动电话、个人数字助理及数字相机等显示器的应用。有机发光二极管显示器初期阶段均以低阶的被动式驱动(PassiveDrive)为主，然而由于被动式驱动组件的发光效率和使用寿命会随着显示器尺寸和分辨率的增加而大幅度地降低，因而驱使有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器朝向主动式驱动(ActiveDrive)的方向发展。
请参阅图1所示，是现有习知的一种主动式有机发光二极管的画素结构的示意图。该主动式有机发光二极管的画素结构100，包括一扫描配线102、一资料(即数据)配线104、一开关薄膜晶体管110、一驱动薄膜晶体管120、一储存电容器130以及一有机发光二极管140。其中，主动式有机发光二极管的画素结构100的显示灰阶是由资料配线104上的电压所决定，当扫描配线102导通开关薄膜晶体管110时，资料配线104上的电压可通过开关薄膜晶体管110驱动薄膜晶体管120的闸极(图中未示)，以驱动所需电流流经有机发光二极管140，并藉由输入不同的电压值而产生不同的显示灰阶。另一方面，当开关薄膜晶体管110开启的同时，储存电容器130是进行一充电的动作，以储存输入的电压，而当开关薄膜晶体管110关闭时，储存电容器130便进行一放电的动作，以维持驱动薄膜晶体管120为导通的状态，使得有机发光二极管140得以保持原有的显示辉度。
请再参阅图1所示，开关薄膜晶体管110及驱动薄膜晶体管120通常可依通道区的材质分为非晶硅(amorphous-Silicon，简称a-Si)薄膜晶体管以及多晶硅(poly-Silocon，简称p-Si)薄膜晶体管，其中多晶硅薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有消耗功率小且电子迁移率大等优点，虽然早期的多晶硅薄膜晶体管的制程温度较高，而使得基材的选择受到大幅的限制，但随着近年来发展的低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管的制程技术，已使其逐渐成为主动式组件中的主流。
然而，采用多晶硅薄膜晶体管作为开关薄膜晶体管时，由于其通道区为一多晶硅材质，因此当开关薄膜晶体管关闭时，通道区仍可能发生漏电流的现象，使得储存电容器所储存的电压改变，进而影响有机发光二极管显示时的稳定性。此外，请参阅图2所示，是现有习知的多晶硅型态的驱动薄膜晶体管的驱动电压与传输电流的关系图。如图中所示的驱动电压(Vds)与传输电流(Id)的关系曲线，其在饱和区内具有一扭折效应(KinkEffect)的问题，亦即随着驱动电压的改变，通过驱动薄膜晶体管的传输电流无法维持一稳定的数值，使得驱动薄膜晶体管的可靠度(Reliability)变差，进而影响有机发光二极管的显示效果。
由此可见，上述现有的主动式有机发光二极管的画素结构仍存在有诸多的缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决主动式有机发光二极管的画素结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的主动式有机发光二极管的画素结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的主动式有机发光二极管的画素结构，能够改进现有的主动式有机发光二极管的画素结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的主动式有机发光二极管的画素结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的主动式有机发光二极管的画素结构，所要解决的技术问题是使其具有较高的发光稳定度及可靠度，而可提供较佳的显示效果，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
本发明的目的及解决其主要技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本发明提出的一种主动式有机发光二极管的画素结构，其至少包括：一有机发光二极管；一资料配线；一扫描配线；一开关薄膜晶体管，具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中该第一闸极是耦接至该扫瞄配线，而该第一源极是耦接至该资料配线；一驱动薄膜晶体管，具有一第二闸极、一第二源极、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极，其中该第二闸极是耦接至该第一汲极，而该第二汲极是耦接至该有机发光二极管，且该第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度与该第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度不同；以及一储存电容器，其是与该第一汲极及该第二闸极电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于该第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的开关薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的驱动薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的开关薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的驱动薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种主动式有机发光二极管的画素结构，其至少包括：一有机发光二极管；一资料配线；一扫描配线；一开关薄膜晶体管，具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中该第一闸极是耦接至该扫瞄配线，而该第一汲极是耦接至该资料配线；一驱动薄膜晶体管，具有一第二闸极、一第二源极、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极，其中该第二闸极是耦接至该第一源极，而该第二汲极是耦接至该有机发光二极管，且该第二浅掺杂汲极的长度与该第一浅掺杂汲极的长度不同；以及一储存电容器，其是与该第一汲极及该第二闸极电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的第一浅掺杂汲极的长度是大于该第二浅掺杂汲极的长度。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的开关薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的驱动薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的开关薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的驱动薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明的目的及解决其主要技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种主动式有机发光二极管的画素结构，其至少包括：一有机发光二极管；一资料配线；一扫描配线；一开关薄膜晶体管，具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中该第一闸极是耦接至该扫瞄配线，而该第一汲极是耦接至该资料配线；一驱动薄膜晶体管，具有一第二闸极、一第二源极及一第二汲极，其中该第二闸极是耦接至该第一源极，而该第二汲极是耦接至该有机发光二极管；以及一储存电容器，其是与该第一汲极及该第二闸极电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的开关薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的驱动薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的开关薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
前述的主动式有机发光二极管的画素结构，其中所述的驱动薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：
本发明提出一种主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一扫描配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。开关薄膜晶体管例如具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极(Light Doped Drain，LDD)，其中第一闸极是耦接至扫瞄配线，而第一源极是耦接至资料配线。此外，驱动薄膜晶体管例如具有一第二闸极、一第二源极、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极，其中第二闸极是耦接至第一汲极，而第二汲极是耦接至有机发光二极管，且第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是与第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度不同。另外，储存电容器是与第一汲极及第二闸极电性连接。
依照本发明的较佳实施例所述，上述的第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。此外，开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管例如可同为P型低温多晶硅薄膜晶体管或同为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
基于上述目的，本发明又提出了一种主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一扫描配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。开关薄膜晶体管例如具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中第一闸极是耦接至扫瞄配线，而第一源极是耦接至资料配线。此外，驱动薄膜晶体管例如具有一第二闸极、一第二源极、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极，其中第二闸极是耦接至第一汲极，而第二汲极是耦接至有机发光二极管，且第二浅掺杂汲极的长度是与第一浅掺杂汲极的长度不同。另外，储存电容器是与第一汲极及第二闸极电性连接。
依照本发明的较佳实施例所述，上述的第一浅掺杂汲极的长度是大于第二浅掺杂汲极的长度。此外，开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管例如可同为P型低温多晶硅薄膜晶体管或同为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
基于上述目的，本发明还提出了一种主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一扫描配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。开关薄膜晶体管例如具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中第一闸极是耦接至扫瞄配线，而第一源极是耦接至资料配线。此外，驱动薄膜晶体管例如具有一第二闸极、一第二源极及一第二汲极，其中第二闸极是耦接至第一汲极，而第二汲极是耦接至有机发光二极管。另外，储存电容器是与第一汲极及第二闸极电性连接。
依照本发明的较佳实施例所述，上述的开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管例如可同为P型低温多晶硅薄膜晶体管或同为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
基于上述，本发明主动式有机发光二极管的画素结构，是在开关薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管中形成一浅掺杂汲极，来解决现有习知技术显示不佳的问题。在本发明主动式有机发光二极管的画素结构中，该浅掺杂汲极例如可以具有下列几种配置方式：
(一)、开关薄膜晶体管的第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度小于驱动薄膜晶体管的第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。
(二)、开关薄膜晶体管的第一浅掺杂汲极的长度大于驱动薄膜晶体管的第二浅掺杂汲极的长度。
(三)、仅在开关薄膜晶体管内形成一第一浅掺杂汲极。
经由上述可知，本发明主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一扫描配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。其中开关薄膜晶体管具有一第一浅掺杂汲极，而驱动薄膜晶体管具有一第二浅掺杂汲极，且第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。藉由该主动式有机发光二极管的画素结构可降低开关薄膜晶体管内的漏电流，并能够改善驱动薄膜晶体管的扭折效应，而可提供一较佳的显示效果。
借由上述技术方案，本发明主动式有机发光二极管的画素结构至少具有以下优点：其可有效的降低开关薄膜晶体管的漏电流，而可稳定储存电容器的输出电压；此外，本发明主动式有机发光二极管的画素结构亦可改善驱动薄膜晶体管在进行电压电流操作时的扭折效应，而可提高驱动薄膜晶体管的可靠度，进而可以使得有机发光二极管具有较佳的显示效果。
综上所述，本发明特殊结构的主动式有机发光二极管的画素结构，具有较高的发光稳定度及可靠度，而可提供较佳的显示效果，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在结构上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的主动式有机发光二极管的画素结构具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是现有习知的一种主动式有机发光二极管的画素结构的示意图。
图2是现有习知的多晶硅型态的驱动薄膜晶体管的驱动电压与传输电流的关系图。
图3是本发明较佳实施例中一种主动式有机发光二极管的画素结构的示意图。
图4是上述的开关薄膜晶体管的剖面示意图。
图5是上述的驱动薄膜晶体管的剖面示意图。
图6是本发明的具有浅掺杂汲极的驱动薄膜晶体管的驱动电压与传输电流的关系图。
100：主动式有机发光二极管的画素结构 102：扫描配线
104：资料配线 110：开关薄膜晶体管
120：驱动薄膜晶体管 130：储存电容器
140：有机发光二极管
200：主动式有机发光二极管的画素结构 202：扫描配线
204：资料配线 210：开关薄膜晶体管
211：基板 212：第一闸极
214：第一源极 214a：第一源极区
214b：第一源极金属层 216：第一汲极
216a：第一汲极区 216b：第一汲极金属层
217：通道区 218：闸介电层
219：中间介电层 219a：接触窗
219b：接触窗 220：驱动薄膜晶体管
221：基板 222：第二闸极
224：第二源极 224a：第二源极区
224b：第二源极金属层 226：第二汲极
226a：第一汲极区 226b：第一汲极金属层
227：通道区 228：闸介电层
229：中间介电层 229a：接触窗
229b：接触窗 230：储存电容器
240：有机发光二极管 250：第一浅掺杂汲极
260：第二浅掺杂汲极 L1、L2：长度
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的主动式有机发光二极管的画素结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图3所示，是本发明的较佳实施例中一种主动式有机发光二极管的画素结构的示意图。该主动式有机发光二极管的画素结构200，例如是由一有机发光二极管240、一资料配线204、一扫描配线202、一开关薄膜晶体管210、一驱动薄膜晶体管220及一储存电容器230所构成。其中，开关薄膜晶体管210具有一第一闸极212、一第一源极214及一第一汲极216，且开关薄膜晶体管210例如藉由第一闸极212而与扫瞄配线202耦接，并例如藉由第一源极214而与资料配线204耦接。此外，驱动薄膜晶体管220具有一第二闸极222、一第二源极224及一第二汲极226，且驱动薄膜晶体管220例如藉由第二闸极222与开关薄膜晶体管210耦接，并藉由第二汲极226与有机发光二极管230耦接。另外，储存电容器230是与开关薄膜晶体管210的第一汲极216及驱动薄膜晶体管220的第二闸极222电性连接。
请参阅图4所示，是上述的开关薄膜晶体管的剖面示意图。该开关薄膜晶体管210，例如是为一P型低温多晶硅薄膜晶体管，其例如为包括一基板211、第一闸极212、第一源极(包含一第一源极区214a与一第一源极金属层214b)214、第一汲极(包含一第一汲极区216a与一第一汲极金属层216b)216、一通道区(即信道区)217、一闸介电层218、一中间介电层(inter-layerdielectric layer)219及一第一浅掺杂汲极250。其中，第一源极区214a、第一汲极区216a、第一浅掺杂汲极250及通道区217是配置在基板211上，第一源极区214a及第一汲极区216a是配置于通道区217的两侧，而第一浅掺杂汲极250是配置于第一源极区214a、第一汲极区216a及通道区217之间。此外，闸介电层218是覆盖第一源极区214a、第一汲极区216a、第一浅掺杂汲极250及通道区217，而第一闸极212是对应配置于通道区217上方的闸介电层218上。另外，中间介电层219是位于基板211的上方并覆盖第一闸极212，而第一源极金属层214b以及第一汲极金属层216b是配置于中间介电层219上，且第一源极金属层214b与第一汲极金属层216b是藉由中间介电层219的接触窗219a及接触窗219b而与第一源极区214a以及第一汲极区216a电性连接。
请参阅图5所示，是上述的驱动薄膜晶体管的剖面示意图。该驱动薄膜晶体管220，同样例如为一P型低温多晶硅薄膜晶体管，然而该驱动薄膜晶体管220的大部份构件及其配置关系皆与图4中所述的开关薄膜晶体管210相同，故在此仅给予不同的图号，而不再详细重复赘述。其中，值得注意的是，依照本发明的特征，开关薄膜晶体管210的第一浅掺杂汲极250与驱动薄膜晶体管220的第二浅掺杂汲极260是具有下列的关系：(一)、第一浅掺杂汲极250的离子掺杂浓度是小于第二浅掺杂汲极260的离子掺杂浓度。(二)、第一浅掺杂汲极250的长度L1是大于第二浅掺杂汲极260的长度L2。
此外，除了上述的具有浅掺杂汲极的驱动薄膜晶体管外，本发明主动式有机发光二极管的画素结构的驱动薄膜晶体管更可以为不具有浅掺杂汲极的结构型态，然而其相关图标与说明因与上述的驱动薄膜晶体管类似，故在此亦不再重复。
综上所述，本发明主动式有机发光二极管的画素结构是在开关薄膜晶体管中形成一浅掺杂汲极，而可加大源极区与汲极区的间距，如此一来，将可有效的降低源极区与汲极区之间产生漏电流的机会，而储存电容器的输出电压也将更为稳定。此外，本发明主动式有机发光二极管的画素结构亦可选择性地在驱动薄膜晶体管中形成一浅掺杂汲极，以改善驱动薄膜晶体管在进行电压电流操作时的扭折效应，如图6所示即为本发明的具有浅掺杂汲极的驱动薄膜晶体管的驱动电压与传输电流的关系图。
请参阅图6所示，从图中可明显见到，驱动电压(Vds)在进入饱和区之后，传输电流(Id)值是趋近于一定值，如此一来，当位于饱和区的驱动电压降低时，通过驱动薄膜晶体管而进入有机发光二极管的传输电流仍可几乎维持一恒常值，使得有机发光二极管的发光强度更为稳定。结合上述的开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管，本发明主动式有机发光二极管的画素结构可提供一稳定的显示效果。此外，虽然本发明的实施例所绘示的开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管皆为P型低温多晶硅薄膜晶体管，然而依照本发明的特征，亦可采用N型低温多晶硅薄膜晶体管作为本发明的主动式有机发光二极管的画素结构的开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (17)
1、一种主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其至少包括：
一有机发光二极管；
一资料配线；
一扫描配线；
一开关薄膜晶体管，具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中该第一闸极是耦接至该扫瞄配线，而该第一源极是耦接至该资料配线；
一驱动薄膜晶体管，具有一第二闸极、一第二源极、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极，其中该第二闸极是耦接至该第一汲极，而该第二汲极是耦接至该有机发光二极管，且该第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度与该第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度不同；以及
一储存电容器，其是与该第一汲极及该第二闸极电性连接。
2、根据权利要求1所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于该第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。
3、根据权利要求1所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的开关薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
4、根据权利要求3所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的驱动薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
5、根据权利要求1所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的开关薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
6、根据权利要求5所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的驱动薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
7、一种主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其至少包括：
一有机发光二极管；
一资料配线；
一扫描配线；
一开关薄膜晶体管，具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中该第一闸极是耦接至该扫瞄配线，而该第一汲极是耦接至该资料配线；
一驱动薄膜晶体管，具有一第二闸极、一第二源极、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极，其中该第二闸极是耦接至该第一源极，而该第二汲极是耦接至该有机发光二极管，且该第二浅掺杂汲极的长度与该第一浅掺杂汲极的长度不同；以及
一储存电容器，其是与该第一汲极及该第二闸极电性连接。
8、根据权利要求7所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的第一浅掺杂汲极的长度是大于该第二浅掺杂汲极的长度。
9、根据权利要求7所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的开关薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
10、根据权利要求9所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的驱动薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
11、根据权利要求7所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的开关薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
12、根据权利要求11所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的驱动薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
13、一种主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其至少包括：
一有机发光二极管；
一资料配线；
一扫描配线；
一开关薄膜晶体管，具有一第一闸极、一第一源极、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极，其中该第一闸极是耦接至该扫瞄配线，而该第一汲极是耦接至该资料配线；
一驱动薄膜晶体管，具有一第二闸极、一第二源极及一第二汲极，其中该第二闸极是耦接至该第一源极，而该第二汲极是耦接至该有机发光二极管；以及
一储存电容器，其是与该第一汲极及该第二闸极电性连接。
14、根据权利要求13所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的开关薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
15、根据权利要求14所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的驱动薄膜晶体管是为P型低温多晶硅薄膜晶体管。
16、根据权利要求13所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的开关薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
17、根据权利要求16所述的主动式有机发光二极管的画素结构，其特征在于其中所述的驱动薄膜晶体管是为N型低温多晶硅薄膜晶体管。
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