CN1193331C - 电光学装置的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

一种不需设置复位线而采用时间灰度等级法可得到电光学装置灰度等级的方法。与扫描线和数据线的交点相对应，设置电光学元件、驱动此电光学元件的激励晶体管、控制这个激励晶体管的开关晶体管和将激励晶体管复位为非导通状态的复位晶体管，使用这样的显示装置，经扫描线将接通信号输送给开关晶体管，与此相对应，对在将选择激励晶体管的导通或非导通的置位信号输送给激励晶体管的置位步骤，以及经扫描线通过输送复位晶体管的接通信号使激励晶体管成为非导通的复位步骤中所规定的置位-复位操作反复多次地进行，由此得到灰度等级。

Description

电光学装置的驱动方法及电光学装置和电子设备
技术领域
本发明涉及有机场致发光显示装置的驱动方法，有机场致发光显示装置等的适合于显示装置的电光学装置的驱动方法和电光学装置，以及具有电光学装置的电子设备。
现有技术
把有机材料作为发光器件的发光材料而使用的有机场致发光显示装置，具有能对市场所提要求即良好的宽视野性，显示装置的薄型化、轻量化、小型化及低能耗进行充分对应的能力，因此最近倍受关注。
有机场致发光显示装置与以往的液晶显示装置等有所不同，它需要用电流控制发光元件的发光状态。其方法之一是ConductanceControl法(导电控制法)，(T.Shimoda，M.Kimura，et al.，Proc.Asia Display 98，217，M.Kimura，et al.，IEEE Trans.Elec.Dev.46，2282(1999)，M.Kimura，et al.，Proc.IDW99，171，M.Kimura，et al.，Dig.AM-LCD 2000，to be published)这种方法是采用电流值模拟地控制电子元件的发光状态的方法，具体的是：激励晶体管栅电极参与驱动发光元件，使激励晶体管栅电极上的电位发生变化。但是，当使用电流特性容易发生偏差的薄膜晶体管的时候，各个晶体管的电流特性不同，有时直接出现发光元件的发光状态的不均匀性。
因此又研究出面积灰度等级法，(M.Kimura，el al.，Proc，EuroDisplay’99 Late-News Papers，71，特开平9-233107.M.Kimura，et al.，Proc.IDW99，171，M.Kimura，et al.，J.SID，to bepublished，M.Kimura，et al.，Dig.AM-LCD 2000，to bepublished)面积灰度等级法与上述导电控制法不同，不采用中间亮度的发光状态，而是控制发光元件的发光状态的方法。也就是把配置成矩阵状的像素分割成复数的副像素，选择这些副像素中所含有的发光元件的完全发光状态，或者完全的非发光状态。可选择2个状态中的任何一个，在复数的副像素中，使发光状态中的副像素的总面积发生变化，而进行灰度等级显示的方法。面积灰度等级法由于不需要设定相应的中间亮度的中间电流值，这样驱动发光元件的晶体管的电流特性的影响降低，达到提高图象质量均匀性目的，但是这种方法，灰度等级数受到副像素的限制，为了提更多的灰度等级数，需要把像素分割成更多的副像素，这样像素结构复杂是个问题。
为此又研究出时间灰度等级法，(M.Kimura，et al.，proc，IDW99，171，M.Kimura，et al.，Dig.AM-LCD2000，to be published，M.Mizukami，et al.，Dig.SID 2000，912，K.Inukai，et al.，Dig，SID2000，924)。时间灰度等级法是使在一个帧上的发光元件的完全发光状态的期间发生变化而得到灰度等级的方法。因此如面积灰度等级法那样，为了增加灰度等级数，不需要设置很多的副像素，因此能与面积灰度等级法并用，所以在数字上进行灰度等级显示是很有希望的方法。
发明内容
然而采用“K.Inukai，et al.，Dig.SID2000，924”报告的SES(Simultaneous-Erasing-Scan)所谓时间灰度等级法，进一步需要扫描线和复位线，存在的问题是发光面积缩小。
因此本发明的第一个目的是，提供不设定复位线而得到电光学装置的灰度等级的方法，尤其是，提供由时间灰度等级法而得到有机场致发光显示装置等显示装置的灰度等级的方法。而且，本发明的第二个目的是提供由此驱动方法所驱动的电光学装置。
为了达到上述第一个目的，本发明的第1种电光学装置的驱动方法是具有下述部件的电光学装置的驱动方法，即与扫描线和数据线的交点相对应的电光学元件、驱动此电光学元件的激励晶体管、控制此激励晶体管的开关晶体管、将此激励晶体管复位至非导通状态的复位晶体管，其特征在于包括以下步骤，即将使上述开关晶体管成为接通状态同时使上述复位晶体管为断开状态的信号，通过上述扫描线输送给上述开关晶体管及上述复位晶体管，对应输送接通信号的期间，将选择激励晶体管的导通或者非导通的置位信号通过上述数据线以及上述开关晶体管输送给上述激励晶体管的置位步骤，通过将使上述复位晶体管成为接通状态同时使上述开关晶体管为断开状态的信号，通过上述扫描线输送给上述复位晶体管及上述开关晶体管，而将上述激励晶体管复位为非导通状态的复位步骤。也就是说，通过相同的扫描线，根据输送开关晶体管的接通信号以及复位晶体管的接通信号，不需要设定复位线就能够恰当地设定发光期间。这里的电光学元件以及电光学装置，分别意味着用电控制发光状态和光学特性的元件以及装置。作为电光学装置的具体例子，比如可以有发光显示装置，液晶显示装置，或是电泳显示装置等的显示装置。
另外，通过本说明书，“将接通信号通过上述扫描线，输送给开关晶体管，并与此相应地将选择上述激励晶体管导通或非导通的置位信号通过上述数据线以及上述开关晶体管，输送给上述激励晶体管的步骤”，定义为“置位步骤”，“通过将使上述复位晶体管变成接通状态的接通信号，通过上述扫描线输送给上述复位晶体管，而将上述激励晶体管复位为非导通状态的步骤”，定义为“复位步骤”。
本发明的第2种电光学装置的驱动方法。其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，使上述开关晶体管变为接通状态的接通信号的相应电压值VS，使上述复位晶体管变为接通状态的接通信号的相应电压值VR，使上述开关晶体管和上述复位晶体管同时变为断开状态的断开信号的相应电压值VO，满足VS＞VO＞VR的关系式。
本发明的第3种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，满足VO＝0V(伏特)的关系式。根据本发明第2种和第3种有关的电光学装置的驱动方法，只要设定VS，VO以及VR这3个电压值，就能够进行开关晶体管的接通-断开操作和复位晶体管的接通-断开操作。
本发明的第4种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，通过设定上述置位步骤和复位步骤之间的时间间隔而得到灰度等级。也就是因为置位步骤和复位步骤之间的时间间隔对应着电光学元件的被选择的状态的保持期间，因而通过恰当地设定这个时间间隔，可以得到灰度等级。
本发明的第5种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，通过将上述置位步骤和上述复位步骤所规定的置位-复位操作反复多次进行可得到灰度等级。在上述置位步骤选择电光学元件的状态，在复位步骤确定其已被选择的状态的保持期间，因此通过此将置位-复位操作反复多次进行，可以得到多种灰度等级。另外，通过本说明书，置位-复位操作定义为由在先定义的置位步骤和复位步骤所规定的操作。
本发明的第6种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，在多次反复进行的上述置位-复位操作中的上述置位步骤和上述复位步骤之间的时间间隔各不相同。
本发明的第7种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，多次反复的上述置位-复位操作的上述置位步骤与上述复位步骤之间的时间间隔都不相同，这些时间间隔的比，以上述时间间隔中的最小时间间隔为基准大致设定为1∶2∶……∶2n(n是1以上的整数)。例如，在进行上述时间间隔的比为1∶2的2次置位-复位操作时，能够显示0、1、2、3的4灰度等级。另一方面，在进行上述时间间隔比为1∶1的2次置位-复位操作时，变为0、1、2的3灰度等级。总之，在这种电光学装置的驱动方法中，用置位-复位操作的最小限度的反复可以获得最大限度的灰度等级数。另外，上述时间间隔比并不需要准确的1∶2∶…2n(n为1以上整数)，只要精确到所需要的灰度等级精度程度即可。
本发明的第8种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，上述置位信号是代替选择上述激励晶体管的导通或者非导通，而决定上述激励晶体管的导通状态的信号。这就意味着，在激励晶体管的导通及非导通2个状态以外还能够选择中间的导通状态，而且可通过使置位信号具有连续值或者3个以上不连续的值来实现。这个驱动方法是实现多种灰度等级的有效方法。
本发明的第9种电光学装置的驱动方法，其特征在于：在上述电光学装置的驱动方法中，上述电光学元件是有机场致发光元件。有机场致发光元件是将有机物质作为电场发光材料而使用的发光元件。
本发明的第1种电光学装置，其特征在于：是由上述电光学装置的驱动方法而被驱动。也就是用这种电光学装置，通过相同的扫描线，输送开关晶体管的接通信号以及复位晶体管的接通信号，由此，不需要设定复位线而能够恰当地设定由置位步骤所选择的电光学元件的状态的保持期间。
本发明的第2种电光学装置，包括与扫描线和数据线的交点相对应的电光学元件、驱动这个电光学元件的激励晶体管、控制激励晶体管的开关晶体管、将此激励晶体管复位至非导通状态的复位晶体管，其特征在于：至少包括一个发生使上述开关晶体管以及上述复位晶体管成为接通状态或者断开状态的信号，并且对应使上述开关晶体管成为接通状态的信号，发生置位上述激励晶体管的信号的驱动电路。在这里，没有必要只用一个驱动电路“发生使上述开关晶体管以及上述复位晶体管成为接通状态或者断开状态的信号，并且对应使上述开关晶体管成为接通状态的信号，发生置位上述激励晶体管的信号”，还可以用多个驱动电路来进行。
本发明的第3种电光学装置，包括与扫描线和数据线的交点相对应的电光学元件、驱动这个电光学元件的激励晶体管、控制激励晶体管的开关晶体管、将此激励晶体管复位至非导通状态的复位晶体管，其特征是包括下述2个激励器，即将使上述开关晶体管以及上述复位晶体管成为接通状态或者断开状态的信号输送给上述扫描线的扫描激励器、与上述扫描线激励器的操作相对应，将置位上述激励晶体管的信号输送给上述数据线的数据线激励器。
本发明的第4种电光学装置，包括与扫描线和数据线的交点相对应的电光学元件、驱动这个电光学元件的激励晶体管、控制激励晶体管的开关晶体管、将此激励晶体管复位至非导通状态的复位晶体管，其特征在于：将为进行置位上述电光学元件的显示状态的置位步骤的接通信号，通过上述扫描线输送到上述开关晶体管，以及将为进行复位上述显示状态的复位步骤的接通信号，通过上述扫描线输送到上述复位晶体管。这里的“置位步骤”及“复位步骤”的意思实质上分别与本发明第1种电光学装置的驱动方法1中的置位步骤及复位步骤相同。
本发明的第5种电光学装置，其特征在于：在上面记载的电光学装置中，上述电光学装置还包括通过上述激励晶体管向电光学元件供给电流的电源线，并且上述复位晶体管的一端连接到此电源线上。为此，本发明的第1种～第5种的电光学装置，不需要为进行时间灰度等级法的复位线。因此，有可以确保足够的显示面积的优点。另外，为了进一步得到更多的灰度等级数，可以在此电光学装置的像素内设置副像素，这样就能够与面积灰度等级法并用。
本发明的第6种电光学装置，其特征在于：在上面记载的电光学装置中，上述电光学元件是有机场致发光元件。
本发明的第1种电子设备，其特征在于：安装上面记载的电光学装置。
附图说明
图1表示本发明实施例有关的电光学装置的像素等效电路图。
图2表示本发明实施例有关的电光学装置的像素配置图。
图3表示本发明实施例有关的电光学装置的驱动方法图。
图4表示本发明实施例有关的发光元件的电流特性图。
图5表示本发明实施例有关的电光学装置的部分制造工序图。
图6表示本发明实施例有关的电光学装置的部分制造工序图。
图7表示将本发明的实施例的电光学装置应用于移动型专用电脑(PC)时的一个例图。
图8表示将本发明的实施例的电光学装置应用于移动型专用电脑(PC)时的一个例图。
图9表示将本发明的实施例的电光学装置应用于取景器部分的数字照相机的斜视图的图。
符号说明
V电源线
A阴极
L11发光元件
DT11激励晶体管
ST11开关晶体管
C11 电容器
S1  第1个扫描线
S2  第2个扫描线
S3  第3个扫描线
D1  第1个数据线
D2  第2个数据线
SS(S1)  第1个扫描线的扫描信号
SS(S2)  第2个扫描线的扫描信号
SS(S3)  第3个扫描线的扫描信号
DS(D1)  第1个数据线的数据信号
DS(D2)  第2个数据线的数据信号
DS(D3)  第3个数据线的数据信号
E1(11)  像素11的第1发光期间
E2(11)  像素11的第2发光期间
E3(11)  像素11的第3发光期间
E1(21)  像素21的第1发光期间
E2(21)  像素21的第2发光期间
E3(21)  像素21的第3发光期间
E1(31)  像素31的第1发光期间
E2(31)  像素31的第2发光期间
E3(31)  像素31的第3发光期间
Vsig控制电位
Iiep电流值
1玻璃基片
2多晶硅层
3栅绝缘膜
4栅电极
5a  p型晶体管
5b  n型晶体管
6第1层间绝缘膜
7源电极和漏电电极
8第2层间绝缘膜
9像素电极
10  粘着层
11  层间层
12  正孔注入层
13  发光层
14  阴极
15  密封层
实施方式
以下说明本发明的理想实施例。
有关本发明实施例的基本电路，配置摄氏600度以下低温工艺形成的多晶硅薄膜晶体管(低温poly-Si TFT)。低温poly-Si TFT在廉价的玻璃基片上能够大面积形成，由于面板上能内装驱动电路，所以适用于光显示装置等的电光学装置的制造。并且虽然尺寸小，但因为电流供给能力高，也适应于高精细电流发光显示元件。而在低温poly-Si TFT以外，对于使用非晶体硅薄膜晶体管(a-Si TFT)，硅基片晶体管或者有机半导体，即由有机薄膜晶体管所驱动的电光学装置，本发明也适用。
有关本发明实施例的电光学装置的像素等效电路如图1所示。在本实施例的电光学装置中，形成扫描线(S1)、数据线(D1)以及电源线(V)，包括与扫描线(S1)和数据线(D1)的交点相对应的发光元件(L11)、驱动发光元件(L11)的激励晶体管(DT11)、控制此激励晶体管(DT11)的开关晶体管(ST11)、复位此激励晶体管(DT11)的复位晶体管(RT11)、电容器(C11)，发光元件(L11)的一端连接在阴级(A)上。这里的激励晶体管(DT11)因为是p型，所以由低电位的数据信号激励晶体管(DT11)的导通被选择，发光元件(L11)成为发光状态。另一方面，由高电位的数据信号激励晶体管(DT11)的非导通被选择，发光元件成为非发光状态。另外，在此图所示的像素等效电路中，开关晶体管(ST11)、激励晶体管(DT11)、以及复位晶体管(RT11)分别是n型、p型、以及p型，但不受此限制。
图2是有关本发明实施例的电光学装置的配线以及像数配置的图。通过多条扫描线(S1，S2，……)以及多条数据线(D1，D2，……)，像素形成矩阵状，与各扫描线和数据线的交点相对应，形成像素。例如，与S1和D1的交点相对应，设置像素11。像素如图1所示的那样，基本上包括开关晶体管(ST11)、复位晶体管(RT11)、电容器(C11)、激励晶体管(DT11)、以及发光元件(L11)，在像素内也可以包括多个副像素。另外，在这个图中省略了电源线(V)。
图3表示有关本发明实施例的具有图1和图2所示的电路以及像素配置的电光学装置的驱动方法。第1扫描信号SS(S1)供给扫描线(S1)，第2扫描信号SS(S2)供给第2扫描线(S2)，扫描信号SS(S3)供给第3扫描线(S3)。第1数据信号DS(D1)供给第1数据线D1，第2数据信号DS(D2)供给第2数据线D2，第3数据信号DS(D3)供给第3数据线D3。
本实施例中，开关晶体管(ST11)，激励晶体管(DT11)，以及复位晶体管(RT11)分别是n型，p型，以及p型，因此，高电位的扫描信号作为开关晶体管的接通信号工作，将开关晶体管变为导通状态。与此开关晶体管的接通信号相对应，基于输送斜线部所示的低电位的置位信号的置位步骤，激励晶体管成为导通状态且发光元件发光。另一方面低电位的扫描信号作为复位晶体管的接通信号工作，基于此复位步骤，通过复位晶体管可把高电位从电源线输送给p型的激励晶体管，因而激励晶体管成为非导通状态，且发光元件成为非发光状态。
根据上述置位步骤和复位步骤之间的时间间隔，规定发光元件的发光期间E1、E2和E3。这里发光期间E1、E2和E3的长度比大约设定为1∶2∶4，由此可得到0，1，2，3，4，5，6，7的8种灰度等级。另外，本实例中，是从置位步骤和复位步骤的时间间隔短的置位-复位操作开始按顺序进行，但是时间间隔短的置位-复位操作不一定需要在最初进行，关于以怎样的顺序来进行时间间隔不同的置位-复位操作可以根据使用情况或规格说明进行选择。另外，晶体管或者发光元件对于信号的响应，有时需要一定的时间，因而发光期间的开始时间和结束时间如此图所示分别与置位步骤的开始时间和复位步骤的开始时间相偏离。而且，在该图中，输送开关晶体管的接通信号期间与输送置位信号的期间完全重叠，根据使用情况和规格说明，有时不一定需要完全重叠。
图4表示本发明实施例的发光元件的电流特性图。横轴是表示输送给激励晶体管的栅电极的控制电位(Vsig)，纵轴是表示有机场致发光元件上的电流值(IIep)。由于有机场致发光元件上的电流值和发光亮度大致为比例关系，所以考虑纵轴与发光亮度相对应就可以了。本实施例中将有机场致发光元件控制在完全接通状态或者完全断开状态之中的任何一个状态是最理想的。因此，完全接通状态或者完全断开状态，即使晶体管特性发生变动，因为电流值(IIep)基本一定，所以发光元件上的电流值几乎不变化，发光亮度也基本一定。由此能够实现图像质量的均一性。
图5是本发明实施例有关的电光学装置的薄膜晶体管的制造工序示意图。首先在玻璃基片1上，使用已采纳SiH4的PECVD和已采纳Si2H6的LPCVD，形成非晶硅。利用受激准分子激光器的照射和固相生长，使非晶硅变成多晶化，形成多晶硅层2(图5(a))。多晶硅层2形成图案以后，形成栅绝缘膜3，再进一步形成栅电极4(图5(b))。使用栅电极4自调整地将磷和硼等杂质掺入多晶硅层2内，进而形成MOS晶体管5a以及5b。另外，这里的5a和5b分别是p型激励晶体管和n型开关晶体管。并且在图5中复位晶体管被省略。形成第1层间绝缘膜6以后，接触点开孔，进一步形成源电极以及漏电电极7(图5(c))。接着形成第2层间绝缘膜8以后，接触点开孔，进一步形成由ITO组成的像素电极9(图5(d))。
图6是本发明实施例有关的电光学装置像素的制造工序图。首先形成粘着层10，与发光区域相对应，形成孔口。形成层间层11之后，形成孔口(图6(a))。接着进行氧等离子和CF4等离子等的等离子处理，由此控制基片表面的润湿性。其后，再经过旋转涂染，涂浆，墨水喷射等的液相工艺，喷射，真空镀膜等的真空工艺，形成正孔注入层12和发光层13，进一步形成含有铝等金属的阴极14。最后形成密封层15，完成有机场致发光元件(图6(b))。粘着层10的作用是：提高基片和层间层的粘着性，并且得到准确的发光面积。层间层11的作用是：使栅电极4和源电极以及漏电电极7避开阴极14，降低寄生容量，并且在采用液相工艺形成正孔注入层12和发光层13的时候，控制表面的润湿性，进行准确的图案制作。
下面，对以上说明的应用于电光学装置的电子设备的几个事例进行说明。图7是表示应用上述电光学装置的移动型专用电脑(PC)的结构斜视图。此图中专用电脑(PC)1100由配置电键盘1102的主体1104和显示器1106构成，这个显示器1106配置上述电光学装置100。
图8是表示上述电光学装置100应用于其显示部的便携式电话的结构斜视图。本图中便携式电话1200配置多个操作键1202，此外配置接收口1204，通话口1206以及上述电光学装置100。
图9是表示电光学装置100应用于其取景器的数字照相机的结构斜视图。而且本图中也简单标明了关于照相机与外部部件的连接。这里，普通的照相机是采用拍照景体的光像使胶卷感光，对此数字照相机1300是采用CCD(Charge Coupled Device)等的摄像元件，对拍照景体的光像进行光电变换进而产生摄像信号。在数字照相机1300的机身1302的背面，配置上述电光学装置100，通过CCD的摄像信号进行显示，电光学装置100具有显示拍照景体的取景器的功能。并且在像机机身1302的观察一侧(图中内侧)，配置包括光学透镜和CCD等的光接收部件1304。
摄像者确认电光学装置100上显示的拍照景体像，按动1306快门按钮，此时的CCD摄像信号被传送到电路基片1308的存储器内存储。并且在这个数字照相机1300的机身1302的侧面，配置视频信号输出端子1312和数字通信用的输入输出端子1314。而且如图所示，根据需要，可以分别在前者视频信号输出端子1312上连接电视监视器1430，而且在后者的数字通信用的输入输出端子1314上连接专用电脑(PC)1430。再按照所规定的操作，电路基片1308的存储器内所存储的摄像信号，输出到电视监视器1430和专用电脑(PC)1440。
另外，作为本发明的电光学装置100所适用的电子设备，可以是图7的专用电脑(PC)，图8的便携式电话，图9的数字照相机，此外，液晶电视，取景器型、监视器直视型的磁带录像机，汽车驾驶导向装置，寻呼机，电子记事本，计算器，字处理机，工作站，电视电话，POS终端，具有触感屏的设备等。不言而喻，这些各种电子设备的显示部位都适用于上述的电光学装置100。

Claims (9)

1.一种电光学装置的驱动方法，其电光学装置对应扫描线和数据线的交点，具有电光学器件、驱动该电光学器件的激励晶体管、控制该激励晶体管的开关晶体管、将该激励晶体管复位为非导通状态的复位晶体管，其特征包括下述步骤：
置位步骤，通过所述扫描线将使所述开关晶体管呈接通状态同时使所述复位晶体管呈断开状态的信号提供给所述开关晶体管及所述复位晶体管，与提供所述信号期间相对应，通过所述数据线及所述开关晶体管将选择所述激励晶体管为导通还是非导通状态的置位信号提供给所述激励晶体管；
复位步骤，通过所述扫描线将使所述复位晶体管呈接通状态同时使所述开关晶体管呈断开状态的信号提供给所述复位晶体管及所述开关晶体管，由此，将所述激励晶体管复位为非导通状态。
2.一种电光学装置的驱动方法，其电光学装置对应扫描线和数据线的交点，具有电光学器件、驱动该电光学器件的激励晶体管、控制该激励晶体管的开关晶体管、将该激励晶体管复位为非导通状态的复位晶体管，所述开关晶体管、所述激励晶体管及所述复位晶体管的导电型分别为n型、p型及p型，该驱动方法的特征在于：包括
置位步骤，通过所述扫描线将使所述开关晶体管呈接通状态的接通信号提供给所述开关晶体管，与提供所述接通信号期间相对应，通过所述数据线及所述开关晶体管将选择所述激励晶体管为导通还是非导通状态的置位信号提供给所述激励晶体管；
复位步骤，通过所述扫描线将使所述复位晶体管呈接通状态的接通信号提供给所述复位晶体管，由此，将所述激励晶体管复位为非导通状态，
与使所述开关晶体管呈接通状态的接通信号相对应的电压值VS、与使所述复位晶体管呈接通状态的接通信号相对应的电压值VR、与使所述开关晶体管及所述复位晶体管都呈断开状态的断开信号相对应的电压值VO，满足VS＞VO＞VR的关系式。
3.权利要求2所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
VO＝0V(伏特)。
4.权利要求1所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
通过设定所述置位步骤与所述复位步骤之间的时间间隙而得到灰度等级等级。
5.权利要求1所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
通过多次反复进行在所述置位步骤和所述复位步骤中所规定的置位-复位操作而得到灰度等级等级。
6.权利要求5所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
在多次反复进行的所述置位-复位操作中，所述置位步骤和所述复位步骤之间的时间间隔各不相同。
7.权利要求5所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
在多次反复进行的所述置位-复位操作的所述置位步骤和所述复位步骤之间的时间间隔各不相同，并以所述时间间隔中的最小时间间隔为基准，设定这些时间间隔的比大约为1∶2∶……∶2n(n为大于1的整数)。
8.权利要求1所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
所述置位信号不是选择所述激励晶体管的导通或非导通的信号，而是决定所述激励晶体管的导通状态的信号。
9.权利要求1所记载的电光学装置的驱动方法，其特征还在于：
以所述电光学器件是有机场致发光器件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9043409B2 (en) 2009-06-11 2015-05-26 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for a plug-in model for publishing structured meta-data based discovery

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7315295B2 (en) * 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US6624501B2 (en) * 2001-01-26 2003-09-23 Fujitsu Limited Capacitor and semiconductor device
TW594150B (en) * 2001-09-25 2004-06-21 Sanyo Electric Co Display device
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2004070293A (ja) * 2002-06-12 2004-03-04 Seiko Epson Corp 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器
JP2004139042A (ja) * 2002-09-24 2004-05-13 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
WO2004040543A2 (en) * 2002-10-31 2004-05-13 Casio Computer Co., Ltd. Display device and method for driving display device
JP4172250B2 (ja) * 2002-11-01 2008-10-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP4048969B2 (ja) * 2003-02-12 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法及び電子機器
KR100947702B1 (ko) 2003-02-26 2010-03-16 삼성전자주식회사 경화성 작용기로 표면수식된 탄소나노튜브를 이용한패턴박막 형성방법 및 고분자 복합체의 제조방법
US7928945B2 (en) 2003-05-16 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR100742063B1 (ko) * 2003-05-26 2007-07-23 가시오게산키 가부시키가이샤 전류생성공급회로 및 표시장치
US20040257352A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-23 Nuelight Corporation Method and apparatus for controlling
JP4304585B2 (ja) * 2003-06-30 2009-07-29 カシオ計算機株式会社 電流生成供給回路及びその制御方法並びに該電流生成供給回路を備えた表示装置
JP4103079B2 (ja) * 2003-07-16 2008-06-18 カシオ計算機株式会社 電流生成供給回路及びその制御方法並びに電流生成供給回路を備えた表示装置
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
US6937215B2 (en) * 2003-11-03 2005-08-30 Wintek Corporation Pixel driving circuit of an organic light emitting diode display panel
TWI286654B (en) * 2003-11-13 2007-09-11 Hannstar Display Corp Pixel structure in a matrix display and driving method thereof
US20050200292A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
US20050200294A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device
CN1957471A (zh) * 2004-04-06 2007-05-02 彩光公司 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器
US7129938B2 (en) * 2004-04-12 2006-10-31 Nuelight Corporation Low power circuits for active matrix emissive displays and methods of operating the same
US20050248515A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Naugler W E Jr Stabilized active matrix emissive display
KR100659054B1 (ko) * 2004-06-23 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형 유기전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
US20050285822A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Damoder Reddy High-performance emissive display device for computers, information appliances, and entertainment systems
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
EP2688058A3 (en) 2004-12-15 2014-12-10 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US7733316B2 (en) * 2005-01-31 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method thereof and electronic appliance
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
US7595778B2 (en) 2005-04-15 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device using the same
TW200707376A (en) 2005-06-08 2007-02-16 Ignis Innovation Inc Method and system for driving a light emitting device display
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
JP5164857B2 (ja) 2006-01-09 2013-03-21 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド アクティブマトリクスディスプレイ回路の駆動方法および表示システム
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
TWI344133B (en) * 2006-02-24 2011-06-21 Prime View Int Co Ltd Thin film transistor array substrate and electronic ink display device
TW200746022A (en) 2006-04-19 2007-12-16 Ignis Innovation Inc Stable driving scheme for active matrix displays
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
KR20080033780A (ko) * 2006-10-13 2008-04-17 삼성전자주식회사 다성분계 탄소나노튜브-고분자 복합체, 이를 형성하기 위한조성물 및 그 제조방법
JP5250984B2 (ja) * 2007-03-07 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 電気泳動表示装置、電気泳動表示装置の駆動方法、及び電子機器
WO2008120314A1 (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Pioneer Corporation 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法
CN102057418B (zh) 2008-04-18 2014-11-12 伊格尼斯创新公司 用于发光器件显示器的系统和驱动方法
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
EP3547301A1 (en) 2011-05-27 2019-10-02 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
JP2014522506A (ja) 2011-05-28 2014-09-04 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド ディスプレイのピクセルの速い補償プログラミングためのシステムと方法
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP2779147B1 (en) 2013-03-14 2016-03-02 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays
CN105144361B (zh) 2013-04-22 2019-09-27 伊格尼斯创新公司 用于oled显示面板的检测系统
CN107452314B (zh) 2013-08-12 2021-08-24 伊格尼斯创新公司 用于要被显示器显示的图像的补偿图像数据的方法和装置
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0845900B1 (en) * 1995-08-11 2002-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Image system, solid-state imaging device semiconductor integrated circuit
JPH09233107A (ja) 1996-02-21 1997-09-05 Yamatake Honeywell Co Ltd 通信システム
US5903248A (en) * 1997-04-11 1999-05-11 Spatialight, Inc. Active matrix display having pixel driving circuits with integrated charge pumps
US6489952B1 (en) 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
US7193594B1 (en) 1999-03-18 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US6528950B2 (en) * 2000-04-06 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method
JP3838063B2 (ja) 2000-09-29 2006-10-25 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の駆動方法
KR100940342B1 (ko) * 2001-11-13 2010-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 구동방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9043409B2 (en) 2009-06-11 2015-05-26 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for a plug-in model for publishing structured meta-data based discovery

Also Published As

Publication number Publication date
CN1347071A (zh) 2002-05-01
US6781567B2 (en) 2004-08-24
US20020041276A1 (en) 2002-04-11

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