CN1529175A - 量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构，该量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构，其包括晶片与平面显示器，其中晶片上具有第一/第二/第三拟凸块，且第一/第二/第三拟凸块之间彼此电性连接。另外，平面显示器上具有第一/第二/第三拟接点以及第一/第二/第三/第四测试垫，且第一拟接点与第一测试垫电性连接，第二拟接点与第二/第三测试垫电性连接，第三拟接点与第四测试垫电性连接，此外，晶片上的第一/第二/第三拟凸块是分别与平面显示器上的第一/第二/第三拟接点接合。由于可以直接在平面显示器与晶片之间量测接触阻抗值，因此可以提高质量管理分析的效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种接触阻抗的量测方法及其结构，特别是涉及一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构。
背景技术
近年来，由于平面显示器兼具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此，已被广泛的应用在中、小型可携式电视、行动电话、摄录放影机、笔记型计算机、桌上型显示器以及投影电视等消费性电子或计算机产品，并且更逐渐取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)而成为显示器的主流。一般平面显示器在制作完成之后，必须进行COG(Chip on Glass)制程，以使平面显示器可藉由一些晶片与外界系统作连结，以供应电源或驱动平面显示器的显示。
图1是现有习知一种平面显示器与晶片的COG制程的剖面示意图。请参阅图1所示，一般平面显示器与晶片的COG制程是在晶片104上形成设有数个锡凸块(bump)106，然后将晶片104置于平面显示器100上方，并且使晶片104上的锡凸块106对应于平面显示器100上的块垫(pad)102上。之后在晶片(即芯片)104上施予适度的压力以及温度使得锡凸块106成熔融状，以使块垫102与锡凸块106彼此接合。
对于COG制程来说，是以平面显示器与晶片之间接触阻抗值来评估COG制程的良好与否，且接触阻抗值会受到制程的温度、压力以及时间所影响。若所测得的接触阻抗值过高，则表示COG制程不佳，如此将影响显示元件的优良率。目前评估接触阻抗值的方式例如是以目侧方式观察晶片压痕的情况，或者利用拉力测试的方式来测试晶片与平面显示器之间二者接合的情况。然而，上述这些方式皆无法直接量测平面显示器与晶片之间接触阻抗值，因此所得到的阻抗值的正确性有待商榷。此外，如此的评估方式亦会影响质量管理分析的结果，例如当元件优良率不佳时，由于现有习知的方法并无法直接量测晶片与平面显示器的接触阻抗值，而只能粗略的由压痕来判断COG制程的优劣与否，所以质量管理人员无法准确判定元件不良的因素是否来自COG制程不佳所导致，因此势必花费更多的时间进行分析与检测。
由此可见，上述现有的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构仍存在有缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构的缺陷，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构，能够改进一般现有的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构存在的缺陷，而提供一种新的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构，所要解决的技术问题是使得平面显示器与晶片之间的接触阻抗可以直接量测，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，所要解决的技术问题是使其藉由此方法可以精准地量测出平面显示器与晶片之间的接触阻抗值，使得质量管理的分析更有效率，而具有产业上的利用价值。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，其包括以下步骤：在一晶片上定义出一第一/第二/第三拟凸块，且该第一/第二/第三拟凸块之间是彼此电性连接；在一平面显示器上定义出一第一/第二/第三拟接点并且定义出一第一/第二/第三/第四测试垫，其中该第一拟接点是与该第一测试垫电性连接，该第二拟接点是与该第二测试垫以及该第三测试垫电性连接，该第三拟接点是与该第四测试垫电性连接；进行一接合步骤，以使该晶片上的该第一/第二/第三拟凸块分别与该平面显示器上的该第一/第二/第三拟接点接合在一起；以及在该第一/第四测试垫其中之一以及该第二/第三测试垫其中之一之间通入电流，并在另外二测试垫之间量测电压，进而取得一接触阻抗值。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，其更包括进行多次通入电流以及量测电压的步骤，以取得复数个接触阻抗值，进而计算出一平均接触阻抗值。
前述的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，其中所述的进行多次通入电流以及量测电压的步骤包括：在该第一测试垫以及该第二测试垫之间通入电流，并在该第三测试垫以及该第四测试垫量测电压，以取得一第一接触阻抗值；在该第一测试垫以及该第三测试垫之间通入电流，并在该第二测试垫以及该第四测试垫量测电压，以取得一第二接触阻抗值；在该第二测试垫以及该第四测试垫之间通入电流，并在该第一测试垫以及该第三测试垫量测电压，以取得一第三接触阻抗值；以及在该第三测试垫以及该第四测试垫之间通入电流，并在该第一测试垫以及该第二测试垫量测电压，以取得一第四接触阻抗值。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构，其包括：一晶片，该晶片上具有一第一/第二/第三拟凸块，且该第一/第二/第三拟凸块之间是彼此电性连接；以及一平面显示器，该平面显示器上具有一第一/第二/第三拟接点以及一第一/第二/第三/第四测试垫，且该第一拟接点是与该第一测试垫电性连接，该第二拟接点是与该第二/第三测试垫电性连接，该第三拟接点是与该第四测试垫电性连接，其中该晶片上的该第一/第二/第三拟凸块是分别与该平面显示器上的该第一/第二/第三拟接点接合在一起。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：
本发明提出一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构，该结构包括一晶片以及一平面显示器，其中该晶片上具有第一/第二/第三拟凸块，且第一/第二/第三拟凸块之间是彼此电性连接。另外，平面显示器上具有第一/第二/第三拟接点以及第一/第二/第三/第四测试垫，且第一拟接点是与第一测试垫电性连接，第二拟接点是与第二测试垫以及第三测试垫电性连接，第三拟接点是与第四测试垫电性连接，除此之外，晶片上的第一/第二/第三拟凸块是分别与平面显示器上的第一/第二/第三拟接点接合在一起。后续仅需在平面显示器上的第一/第二/第三/第四测试垫进行四点量测法，即可准确的得知晶片与平面显示器之间的接触阻抗。
因此由上述可知，本发明在晶片上额外配置数个拟凸块并且在平面显示器配置数个拟接点与测试垫，且藉由适当地电性连接，使得平面显示器与晶片之间的接触阻抗可以直接被量测。
本发明还提出一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，该方法是在晶片上定义出第一/第二/第三拟凸块，且该第一/第二/第三拟凸块之间是彼此电性连接。之后，在平面显示器上定义出第一/第二/第三拟接点并且定义出第一/第二/第三/第四测试垫，其中第一拟接点是与第一测试垫电性连接，第二拟接点是与第二测试垫以及第三测试垫电性连接，第三拟接点是与第四测试垫电性连接。然后，进行接合步骤，以使晶片上的第一/第二/第三拟凸块分别与平面显示器上的第一/第二/第三拟接点接合在一起。接着，在第一/第四测试垫其中之一以及第二/第三测试垫其中之一之间通入电流，并在另外二测试垫之间量测电压，进而取得一接触阻抗值。除此之外，亦可包括进行多次通入电流以及量测电压的步骤，以取得复数个接触阻抗值，进而计算出一平均接触阻抗值。
由上述可知，本发明在晶片上配置三个拟凸块并且在平面显示器配置三个拟接点与四个测试垫，且藉由适当地电性连接，如此一来仅需由其中二测试垫通电流，并量测另二测试垫之间的跨压，就可快速地得知平面显示器与晶片之间的接触阻抗。
此外，本发明可以进行多次的量测步骤以取得数组接触阻抗值，进而取得其平均值，其中又以在不同的测试垫进行四次量测以取得平均接触阻抗值为最佳，如此将可提升质量管理分析的效率。
综上所述，本发明特殊的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构，使得平面显示器与晶片之间的接触阻抗可以直接量测，从而更加适于实用；藉此方法可以精准地量测出平面显示器与晶片之间的接触阻抗值，使得质量管理的分析更有效率，而具有产业上的利用价值。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类方法及产品中未见有类似的方法及结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在方法、产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是现有习知的一种平面显示器与晶片的COG制程的剖面示意图。
图2是依照本发明一较佳实施例的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构中晶片的上视示意图。
图3是图2中量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构中平面显示器的上视示意图。
图4是图2的晶片以及图3的平面显示器接合之后的结构剖面示意图，其为对应于图2以及图3由a-a’位置的剖面示意图。
图5是图4中量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构的等效电路示意图。
100、204：平面显示器 102：块垫
104、202：晶片 106：锡凸块
200：量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构
206a、206b、206c：拟凸块 208、209a、209b、209c：导线
210a、210b、210c：拟接点 212a、212b、212c、212d：测试垫
R、r1、r2、r3、r4：阻抗值
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法及其结构其具体方法、步骤、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图2是依照本发明一较佳实施例的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构中晶片的上视示意图；图3是图2中量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构中平面显示器的上视示意图；图4是图2的晶片以及图3的平面显示器接合之后的结构剖面示意图，其为对应于图2及图3由a-a’位置的剖面示意图。
请同时参阅图2、图3及图4所示，该用以量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构200，是包括晶片202以及平面显示器204，其中晶片202上具有三个拟凸块(206a、206b与206c)，且该三个拟凸块(206a、206b与206c)之间彼此藉由导线208电性连接，其中拟凸块(206a、206b与206c)的材质例如是锡或是锡合金，而导线208的材质例如是金属。
另外，平面显示器204上具有三个拟接点(210a、210b与210c)以及四个测试垫(212a、212b、212c与212d)，且拟接点210a是藉由导线209a与测试垫212a电性连接，拟接点210b是藉由导线209b与二测试垫(212b与212c)电性连接，拟接点210c是藉由导线209c与测试垫212d电性连接，其中导线(209a、209b、209c)的材质例如是金属，而这些拟接点(210a、210b与210c)与测试垫(212a、212b、212c与212d)是构成一“四点量测法”的布局方式。
除此之外，晶片202上的三个拟凸块(206a、206b与206c)是分别与平面显示器204上的三个拟接点(210a、210b与210c)接合在一起，意即拟凸块206a是与拟接点210a接合，拟凸块206b是与拟接点210b接合，拟凸块206c是与拟接点210c接合，其中接合的方式例如是利用热压头给予晶片202适度的压力以及温度使得拟凸块(206a、206b与206c)成熔融状，以将拟接点(210a、210b与210c)与拟凸块(206a、206b与206c)彼此接合。
因此由上述可知，本发明在晶片上额外配置拟凸块并且在平面显示器配置拟接点与测试垫，藉由适当地电性连接以及接合，便能使得平面显示器与晶片之间的接触阻抗可以直接被量测。
为了论证本发明的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构确实可行，以下特举一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法加以说明。
当晶片202上的拟凸块(206a、206b与206c)分别与平面显示器204上的拟接点(210a、210b与210c)彼此接合在一起之后其等效电路如图5所示。其中，拟凸块(206a、206b与206c)内部两两之间是为短路，且拟凸块(206a、206b与206c)是分别与拟接点(210a、210b与210c)电性连接。此外，拟凸块206a阻抗值与连接测试垫212a的导线209a的阻抗值是构成阻抗值r1。拟凸块206c阻抗值与连接测试垫212d的导线209c的阻抗值是构成形成阻抗值r4。而连接测试垫(212b与212c)的导线209b上则具有另二阻抗值(r2与r3)。另外，平面显示器204与晶片202之间接触阻抗值是为R，且其亦为评估COG制程的参阅依据。
接着，请继续参阅图5所示，量测平面显示器204与晶片202之间接触阻抗值R的方式例如是在测试垫212a以及测试垫212b之间通入电流I，并在测试垫(212c与212d)之间量测跨压值V，进而取得接触阻抗值R，其中R是为电压V除以电流I所得的商数。此外，亦可以选择在测试垫212a以及测试垫212c之间通入电流I，在测试垫(212b与212d)之间量测电压V，进而取得接触阻抗值R。另外，亦可选择在测试垫212d以及测试垫212c之间通入电流I，在测试垫(212a与212b)之间量测电压V，进而取得接触阻抗值R。当然，还可选择在测试垫212d以及测试垫212b之间通入电流I，而在测试垫(212a与212c)之间量测电压V，进而取得接触阻抗值R。
在本发明一较佳实施例中，是进行一次以上的量测步骤，以取得数个接触阻抗值R，进而计算出一平均接触阻抗值。现将进行多次的量测步骤详细说明如下：
首先在测试垫212a以及测试垫212b之间通入电流I1，并在测试垫212c以及测试垫212d之间量测其跨压值V1，以取得接触阻抗值R1。
之后，进行第二次的量测，在测试垫212a以及测试垫212c之间再次通入电流I2，并在测试垫212b以及测试垫212d之间量测其跨压值量V2测电压，以取得另一接触阻抗值R2，如此即可以利用所测得二接触阻抗值(R1与R2)而求得一平均接触阻抗值。
当然，为了增加平均接触阻抗值的可信度，更可进行第三次的量测，即在进行上述两次量测步骤之后，再在测试垫212b以及测试垫212d之间通入电流I3，并在测试垫212a以及测试垫212c量测其跨压V3，以取得接触阻抗值R3。之后，利用所测得的三接触阻抗值(R1、R2与R3)，以求得平均接触阻抗值。
此外，更佳的是进行第四次的接触阻抗的量测，即在进行上述三次量测步骤之后，再在测试垫212c以及测试垫212d之间通入电流I4，并在测试垫212a以及测试垫212b之间量测跨压V4，以取得另一接触阻抗值R4，之后，再将所测得的四个接触阻抗值(R1、R2、R3与R4)平均，以求得平均接触阻抗值。
因此由上述可知，本发明在晶片上设置拟凸块(206a、206b与206c)，并且在平面显示器设置拟接点(210a、210b与210c)与测试垫(212a、212b、212c与212d)，以构成“四点量测法”的布局，可以达到量测晶片与平面显示器的接触阻抗。
利用本发明的方法可以直接在二测试垫之间通入电流，并在另二测试垫测试垫量测其跨压，以取得接触阻抗值，故该量测方法非常简便而且所得的阻抗值较现有习知方法精确，如此有助于正确评估COG制程的良好与否。
另外，本发明可以进行多次的量测，以取得数个接触阻抗值，并求其平均值，如此使得所得的平均的接触阻抗值更具有可信度，如此将可提升助质量管理分析的效率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (4)
1、一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，其特征在于其包括以下步骤：
在一晶片上定义出一第一/第二/第三拟凸块，且该第一/第二/第三拟凸块之间是彼此电性连接；
在一平面显示器上定义出一第一/第二/第三拟接点并且定义出一第一/第二/第三/第四测试垫，其中该第一拟接点是与该第一测试垫电性连接，该第二拟接点是与该第二测试垫以及该第三测试垫电性连接，该第三拟接点是与该第四测试垫电性连接；
进行一接合步骤，以使该晶片上的该第一/第二/第三拟凸块分别与该平面显示器上的该第一/第二/第三拟接点接合在一起；以及
在该第一/第四测试垫其中之一以及该第二/第三测试垫其中之一之间通入电流，并在另外二测试垫之间量测电压，进而取得一接触阻抗值。
2、根据权利要求1所述的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，其特征在于其更包括进行多次通入电流以及量测电压的步骤，以取得复数个接触阻抗值，进而计算出一平均接触阻抗值。
3、根据权利要求2所述的量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的方法，其特征在于其中所述的进行多次通入电流以及量测电压的步骤包括：
在该第一测试垫以及该第二测试垫之间通入电流，并在该第三测试垫以及该第四测试垫量测电压，以取得一第一接触阻抗值；
在该第一测试垫以及该第三测试垫之间通入电流，并在该第二测试垫以及该第四测试垫量测电压，以取得一第二接触阻抗值；
在该第二测试垫以及该第四测试垫之间通入电流，并在该第一测试垫以及该第三测试垫量测电压，以取得一第三接触阻抗值；以及
在该第三测试垫以及该第四测试垫之间通入电流，并在该第一测试垫以及该第二测试垫量测电压，以取得一第四接触阻抗值。
4、一种量测平面显示器与晶片之间接触阻抗的结构，其特征在于包括：
一晶片，该晶片上具有一第一/第二/第三拟凸块，且该第一/第二/第三拟凸块之间是彼此电性连接；以及
一平面显示器，该平面显示器上具有一第一/第二/第三拟接点以及一第一/第二/第三/第四测试垫，且该第一拟接点是与该第一测试垫电性连接，该第二拟接点是与该第二/第三测试垫电性连接，该第三拟接点是与该第四测试垫电性连接，
其中该晶片上的该第一/第二/第三拟凸块是分别与该平面显示器上的该第一/第二/第三拟接点接合在一起。
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