CN1512491A

CN1512491A - 跟踪信号处理电路

Info

Publication number: CN1512491A
Application number: CNA2003101156396A
Authority: CN
Inventors: 井上英和
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2003-11-10
Publication date: 2004-07-14
Anticipated expiration: 2023-11-10
Also published as: JP2004213754A; KR20040060790A; US7318081B2; US20040135625A1; KR100608189B1; CN1246830C

Abstract

本发明提供一种跟踪信号处理电路。该电路适当调整带通滤波器的gm。带通滤波器(30(或32))有2个运算放大器(OP1、OP2)。这些运算放大器(OP1、OP2)的gm由晶体管(Q41、Q42)中流过的电流来决定，该晶体管(Q41、Q42)与晶体管(Q43)构成电流镜，由该晶体管(Q43)中流过的电流来决定。通过烧断来调整该晶体管(Q43)中流过的电流。

Description

跟踪信号处理电路

技术领域

本发明涉及得到视频的跟踪信号的跟踪信号处理电路。

背景技术

图5示出数字摄录机(デジタルビデオカム)(DVC)中的记录的说明图。磁带1沿旋转头2的周边行走，旋转头2沿与该磁带1的行进方向相同的方向旋转。旋转头2斜着横穿磁带来旋转，所以在磁带1上以规定的方位角形成斜向的磁道。在旋转头2上，设有与磁带1成2个不同的方位角的Lch-Head、Hch-Head这2个磁头，用磁头切换脉冲(HEAD-SW PULSE)来切换这些磁头，交替进行写入。

在该写入时在Hch或Lch侧(在图6上，为了方便，为Hch侧)交替记录了F1＝465kHz、F2＝697.5kHz这2个不同频率的导频信号。

在再生时，用2个磁头来跟踪所记录的磁信号，在用Lch-HEAD来跟踪的情况下，如果磁头位置偏离，则两侧的用Hch-HEAD记录的信号会作为串扰分量而泄漏。

因此，作为将磁头传送到正确点的操作，对两侧记录的F1、F2的信号分量的大小进行检波，将没有信号分量的点送至伺服微机，进行磁头的跟踪控制。

DVC用的跟踪电路-ATF电路有图5所示的结构，分别用465K-BPF、697.4K-BPF来取出磁带(TAPE)上用2个磁头(H/Lch)记录的再生信号中包含的465KHz和697.5KHz分量，用比较器COMP比较这些电平。然后，将比较结果的信号作为ATF输出。即，伺服微机控制跟踪，使得ATF输出为0。

这里，为了使ATF电路的输出正确，需要正确地设定2个带通滤波器465K-BPF、697.4K-BPF的通带中心频率F0。因此，在通常的情况下，设置能够从外部操作的调节器(ボリユ-ム)等，进行该调整。特别是，该调整是在摄像机的生产工序中对每一台必须分别进行的作业，有该作业麻烦这一问题。

发明内容

本发明包含从用视频头得到的读取信号中提取2个不同的特定频率的导频信号的一对带通滤波器、和比较该一对带通滤波器的输出电平的比较器，根据比较器的输出来得到用于跟踪视频磁道的信号，其特征在于，上述带通滤波器有配置在输入信号的路径上的高通电容器、配置在输入信号的路径和地之间的低通电容器、以及进行信号的放大的运算放大器；可通过变更运算放大器的gm来调整滤波特性；用于调整该运算放大器的gm的电流可利用烧断电路通过烧断来设定。

这样，能够通过烧断来调整运算放大器的gm，所以其调整作业很容易。

最好上述烧断电路具有：基准晶体管，流过决定恒流源的电流量的基准电流；调整电流晶体管，流过构成该基准晶体管中流过的基准电流的至少一部分的调整电流；电流量决定晶体管，被连接成二极管，与该调整电流晶体管构成电流镜，决定调整电流晶体管中流过的调整电流的大小；以及开关晶体管，与该电流量决定晶体管并联连接，在导通的情况下取代电流量决定晶体管而流过电流，切断电流量决定晶体管的电流；在截止的情况下使电流量决定晶体管流过电流；通过对烧断端子进行烧断操作而将上述开关晶体管设定为开或关，由此调整基准电流量。

如果利用该烧断电路，则能够提高调整电流的精度。

附图说明

图1是实施形态的跟踪信号处理电路的结构图。

图2是带通滤波器的结构图。

图3是烧断(ザツピング)电路的示例图。

图4是烧断电路的另一示例图。

图5是向磁带中写入导频信号的说明图。

具体实施方式

以下，根据附图来说明本发明的实施形态。

图1是实施形态的用于输出跟踪信号-ATF信号的电路的结构图。

这样，用旋转头上所设的2个磁头(HEAD：Lch、HEAD：Hch)20、22取出的再生信号由2个独立的放大器(PB：Lch、PB：Hch)24、26放大。来自该放大器的放大信号经根据磁头切换脉冲来切换的开关28输入到带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)。由此，分别提取出再生信号中的2个导频信号。

接着，两个带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)30、32的输出信号被输入到比较器(COMP)34，在这里比较2个导频信号的电平。即，比较器(COMP)34对输入信号进行检波，比较它们的直流电平。然后，得到的比较结果作为ATF信号来输出。其中，该导频信号被记录在磁带的Hch或Lch中的某一个磁道上，在再生未记录它的磁道时，2个导频信号的大小按照磁头的偏离来变化。因此，ATF信号为表示磁头向哪边偏移多少的信号。然后，ATF信号被供给到伺服微机，伺服微机根据ATF信号来控制旋转头相对于磁带的跟踪位置。

在上述ATF动作中，2个带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)30、32的通带中心频率F0的偏差对检波误差影响很大。因此，需要对各电路分别调整F0。

图2示出带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)的结构。虽然电容器的大小、运算放大器的参数不同，但是2个带通滤波器具有相同的结构。

来自放大器的再生信号经电容器C1来输出。该电容器C1的输出被输入到运算放大器OP1的反相输入端。向该gm＝gm1的运算放大器OP1的正相输入端输入基准电压Vref。在运算放大器OP1输出端上连接有电容器C1的一端，电容器C1的另一端被接地。此外，运算放大器OP1的输出被输入到gm＝gm2的运算放大器OP2的正相输入端。向该运算放大器OP2的反相输入端反馈运算放大器OP2的输出。

在这种电路中，电容器C1作为高通滤波器来工作，电容器C2作为低通滤波器来工作。因此，通过设定这些电容器C1、C2的电容及运算放大器OP1、OP2的gm等规格，能够设定带通滤波器的通带带宽、通带中心频率F0等。

在该电路中，有用于调整运算放大器OP1、OP2的gm的电路。即，在运算放大器OP1、OP2上，连接有流过决定它们的gm的电流的晶体管Q41、Q42。该晶体管Q41、Q42是NPN型晶体管，集电极被连接在运算放大器OP1、OP2上，发射极被接地，基极被连接在电流镜输入端晶体管Q43的基极上。该晶体管Q43是流过调整电流的晶体管，集电极被连接在调整电流的电流源一烧断电路上，发射极被接地。此外，集电极发射极间由短路用的晶体管Q44连接。该晶体管Q44是NPN型，基极被连接在晶体管Q43的集电极上，集电极被连接在电源上，发射极被连接在晶体管Q43的基极上，将晶体管Q43的集电极基极间短路。

通过这种电路，与晶体管Q43中流过的电流大体相同的电流流过晶体管Q41、Q42。因此，通过调整晶体管Q43中流过的调整电流的大小来调整运算放大器OP1、OP2的gm，能够调整带通滤波器的中心频率。

在本实施形态中，作为产生该调整电流的电路，使用能够通过烧断来调整调整电流量的烧断电路。因此，说明本实施形态的烧断电路。

图3是实施形态的烧断电路的图。基准电源10是输出基准电压的电路，在本实施形态中，由配置在规定的电源Vreg和地之间的电阻R1、二极管D1、电阻R2的串联连接构成。由此，电源Vreg的电压、二极管D1上的电压降(1Vbe)、以及电阻R01、R02的电阻值决定二极管D1的上侧(阳极侧)电压，将其作为基准电压来输出。因此，基准电压带有与二极管D1的1Vbe有关的温度特性。

基准电压被输入到运算放大器OP1的正相输入端。该运算放大器OP1是输出端被短路到反相输入端的缓冲放大器。因此，运算放大器OP1的输出端稳定地输出基准电压。

在运算放大器OP1的输出端上，经电阻1连接有2个发射极被接地的NPN晶体管Q1、Q2的集电极。晶体管Q2的基极发射极间被短路(连接成二极管)，在该晶体管Q2的基极上，连接有发射极被接地的NPN晶体管Q3的基极。因此，晶体管Q2和Q3构成电流镜。大小为基准电压减去1Vbe所得的电压除以电阻R1的电阻值的调整电流I1流过晶体管Q2，相同电流也流过晶体管Q3。

在本例中，在运算放大器OP1的输出端上，还设有2个与由电阻R1、晶体管Q1、Q2、Q3构成的电路结构相同的电路。即，设有由电阻R2、晶体管Q4、Q5、Q6构成的电路、和由电阻R3、晶体管Q7、Q8、Q9构成的电路，晶体管Q6中流过由电阻R2决定的调整电流I2，晶体管Q6中流过由电阻R2决定的调整电流I3。

晶体管Q3、Q6、Q9的集电极被公共连接在PNP晶体管Q10的集电极上，该PNP晶体管Q10的发射极经电阻连接在电源Vreg上，其基极发射极间被短路。因此，晶体管Q3、Q6、Q9中流过的调整电流之和流过晶体管Q10。在该晶体管Q10上连接有PNP晶体管Q11的基极，该PNP晶体管Q11的发射极经电阻连接在电源Vreg上，晶体管Q11的发射极为电流输出端。

因此，晶体管Q10和晶体管Q11构成电流镜，与基准晶体管-晶体管Q11中流过的基准电流相同的基准电流流过晶体管Q11并被输出。其中，如果设置多个与晶体管Q10连接成电流镜的晶体管，则能够分别从它们那里输出基准电流。其中，如果变更输出晶体管的发射极面积，则能够将输出电流的大小设定为不同的值。

在晶体管Q1的基极上连接有配置在电源Vreg和地之间的3个电阻R11、R12、R1 3的串联连接的电阻R12、R13的连接点。设定电阻R11、R12、R13的电阻值，以便该电阻R12、R13的连接点的电压为使晶体管Q1充分导通的电压。此外，在电阻R11、R12、R13的串联连接的电阻R11、R12的连接点上，连接有阳极被接地的烧断二极管ZD1的阴极，并且连接有烧断端子PD1。

此外，在晶体管Q4、Q7的基极上，形成有与晶体管Q1的基极上连接的电路相同的电路。即，在晶体管Q2的基极上，连接有由电阻R21、R22、R23构成的电阻分压电路、其上连接的烧断二极管ZD2、及烧断端子PD2；在晶体管Q3的基极上，连接有由电阻R31、R32、R33构成的电阻分压电路、其上连接的烧断二极管ZD3、及烧断端子PD3。

在用烧断端子PD1、PD2、PD3进行烧断前，烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3，维持其阴极侧的电压。因此，晶体管Q1、Q4、Q7导通。这些晶体管Q1、Q4、Q7导通后，取代晶体管Q2、Q5、Q8而流过电流，在晶体管Q2、Q5、Q8中不流过电流。因此，在晶体管Q2、Q3、Q5、Q6、Q8、Q9中也不流过电流，调整电流I1＝I2＝I3＝0，它们之和的电流也为0，在晶体管Q10、晶体管Q11中也不流过电流。因此，烧断电路的输出电流为0。

在这种电路中，通过向烧断端子PD1、PD2、PD3分别施加足以破坏烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3的电压，能够分别破坏烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3。而烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3在被破坏的情况下，将烧断端子PD1、PD2、PD3接地。

例如，在向烧断端子PD1施加规定的电压、烧断二极管ZD1被破坏的情况下，晶体管Q1的基极被接地、截止。由此，晶体管Q1截止，调整电流I1流过晶体管Q2。因此，在晶体管Q3、晶体管Q10、晶体管Q11中也流过调整电流I1。

在用烧断端子PD2进行了烧断的情况下，调整电流I2也流过晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q10、晶体管Q11；在用烧断端子PD3进行了烧断的情况下，调整电流I3也流过晶体管Q8、晶体管Q9、晶体管Q10、晶体管Q11。因此，通过烧断，能够将晶体管Q11的电流设定为0、I1、I2、I3、I1+I2、I2+I3、I3+I1、I1+I2+I3这8种。例如，如果将调整电流I1、I2、I3设定为1∶2∶4，则能够得到0～7这7种电流。

其中，通过分别变更构成电流镜的2个晶体管(Q1、Q2)(Q4、Q5)(Q7、Q8)之间的发射极面积比，能够分别变更调整电流I1、I2、I3；而通过变更电阻R1、R2、R3的电阻值，能够分别变更调整电流I1、I2、I3。

在本实施形态中，在晶体管Q1、Q4、Q7导通的情况下，不流过对应的调整电流。因此，在调整电流的设定中，无需考虑这些晶体管Q1、Q4、Q7的导通电阻。此外，在晶体管Q1、Q4、Q7截止的情况下，在晶体管Q2、Q6、Q8中流过电流。但是，如上所述，晶体管Q2、Q6、Q8的集电极基极间被短路，其中的电压降恒定为1Vbe。因此，进行了烧断的情况下的调整电流I1、I2、I3取决于电阻R1、R2、R3，但是不取决于晶体管Q2、Q6、Q8的导通电阻。因此，调整电流I1、I2、I3不易受晶体管的偏差的影响。再者，调整电流I1、I2、I3受晶体管Q1、Q4、Q7的Vbe的温度特性的影响，但是来自基准电源10的基准电压受二极管D1的Vbe的温度特性的影响，所以两者的温度特性相抵销。因此，能得到调整电流I1、I2、I3基本上没有晶体管的温度特性的影响这一优点。

在上述实施形态中，调整电流用的晶体管Q2、Q3、Q5、Q6、Q8、Q9采用NPN晶体管，但是也可以代之以采用PNP晶体管。该情况下的电路例示于图4。

烧断端子PD1、PD2、PD3、其上连接的烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3及电阻R11、R12、R13、R21、R22、R23、R31、R32、R33的结构与上述情况相同。3个用于开关调整电流的电路相同，说明其中1个。

电阻R12、R13的连接点被连接在NPN晶体管Q21的基极上，该晶体管的发射极被接地，集电极经2个电阻连接在电源Vreg上。此外，该2个电阻的连接点被连接在PNP晶体管Q22的基极上。该晶体管Q22的发射极被连接在电源Vreg上，集电极被连接在PNP晶体管Q23的集电极上，该PNP晶体管Q23的发射极也被连接在电源Vreg上。晶体管Q23的集电极基极间被短路，其基极被连接在晶体管Q24的基极上。该晶体管Q24的发射极被连接在电源Vreg上，与晶体管Q23构成电流镜。

此外，在晶体管Q22和Q23的集电极上，经电阻R1连接有输出端和反相输入端被短路的运算放大器OP1的输出。在运算放大器OP1的正相输入端上，连接有基准电源12。该基准电源与基准电源10的相同点是在电源Vreg和地间有电阻R01、二极管D1、电阻R02的串联连接，但是二极管D1的阴极(下侧)被连接在运算放大器OP1的正相输入端上。

此外，晶体管Q24的集电极被连接在NPN晶体管Q25的集电极上，该NPN晶体管Q25的发射极被接地，其集电极基极间被短路；在该晶体管Q25的基极上连接有发射极被接地的晶体管Q26的基极。

因此，在不进行烧断的情况下，晶体管Q21导通，晶体管Q22导通，因此晶体管Q23、Q24截止，不流过调整电流。另一方面，在进行了烧断的情况下，晶体管Q21截止，晶体管Q22截止，因此晶体管Q23、Q24导通，流过调整电流。此外，在该结构中，在晶体管Q23导通的情况下，也固定为Vce＝Vbe，不受晶体管Q23的导通电阻的影响。此外，晶体管Q22的温度特性由二极管D1的温度特性来补偿。

这样，通过本实施形态的电路，能够进行电流值稳定的调整电流的调整。因此，能够利用该通过烧断而调整过的电流，来适当进行带通滤波器的中心频率的调整。

如上所述，根据本发明，能够通过烧断来调整运算放大器的gm，所以其调整作业很容易。

Claims

1、一种跟踪信号处理电路，包含从用视频头得到的读取信号中提取2个不同的特定频率的导频信号的一对带通滤波器、和比较该一对带通滤波器的输出电平的比较器，根据比较器的输出来得到用于跟踪视频磁道的信号，其中，

上述带通滤波器有配置在输入信号的路径上的高通电容器、配置在输入信号的路径和地之间的低通电容器、以及进行信号的放大的运算放大器；可通过变更运算放大器的gm来调整滤波特性；

用于调整该运算放大器的gm的电流可利用烧断电路通过烧断来设定。

2、如权利要求1所述的跟踪信号处理电路，其中，

上述烧断电路具有：

基准晶体管，流过决定恒流源的电流量的基准电流；

调整电流晶体管，流过构成该基准晶体管中流过的基准电流的至少一部分的调整电流；

电流量决定晶体管，被连接成二极管，与该调整电流晶体管构成电流镜，决定调整电流晶体管中流过的调整电流的大小；以及

开关晶体管，与该电流量决定晶体管并联连接，在导通的情况下取代电流量决定晶体管而流过电流，切断电流量决定晶体管的电流；在截止的情况下使电流量决定晶体管流过电流；

通过对烧断端子进行烧断操作而将上述开关晶体管设定为开或关，由此调整基准电流量。