CN1497649A - 偏转轭 - Google Patents

Abstract

本发明的偏转轭，用于具有玻璃管的阴极射线管(CRT)，该玻璃管具有管面和容纳电子枪的直部。该偏转轭包括：具有大致呈马鞍形的第1和第2水平偏转线圈以及第1和第2垂直偏转线圈的主偏转轭；设置于主偏转轭的CRT的电子枪侧的副偏转线圈。该第1和第2水平偏转线圈分别包括沿直部以与CRT的管轴相垂直的方向缠绕线的第1和第2线圈过线部；以及从第1和第2线圈过线部沿管面的方向定位的第1和第2水平偏转部。在该偏转轭中，从水平偏转线圈的电子枪侧的后端部射出的磁力线减少。由此，由于在副偏转轭中产生的感应电压减少，故可抑制由该感应电压产生的画面杂波。

Description

偏转轭

技术领域

本发明涉及投影型电视机、投影放映机等的阴极射线管(CRT)三管式投影仪用的偏转轭。

背景技术

偏转轭使从阴极射线管(CRT)的电子枪射出的电子束偏转，显示画面，其具有一对水平偏转线圈和一对垂直偏转线圈。

图1表示偏转轭的结构。副偏转轭1安装于由水平偏转线圈和垂直偏转线圈形成的主偏转轭2的电子枪侧后端部，一对对中磁体3安装于覆盖副偏转轭的罩4上。通过安装于罩4上的金属制的固定柄5，将偏转轭固定于CRT6上。CRT6由电子枪侧的直部分6a与管面侧的，基本呈圆锥状的部分6b构成。

图2表示偏转轭的工作。该偏转轭安装于CRT6上。在CRT的管面上，形成产生图像的水平和垂直偏转磁场。在投影型电视机、投影放映机等投影仪中，设置于CRT6的管面上的多个(在图2中，为1个)的透镜7对管面上的图像进行放大，将图像9投影于屏幕8上。

图3表示副偏转轭1所补偿的图像的变形。投影仪具有红、绿、兰的3种颜色的CRT，将3种颜色的图像在屏幕上重叠，获得彩色图像。于是，为了从不同的角度，在没有偏差的情况下将3个图像重合，副偏转线圈1对相应的图像的位置，图3所示的枕形变形进行补偿，使3色的图像相一致。

图4所示的，JP实开昭63-95160号公报和JP特开平3-257742号公报所公开的现有的副偏转轭，与图5所示的现有的副偏转轭由环状的铁氧体磁芯10，呈螺旋管形状缠绕于该磁芯10上的水平副偏转线圈11，垂直副偏转线圈12构成。CRT的玻璃管13通过磁芯10的中心。

图6表示使红、绿、兰3色的图像的中心在屏幕8上相一致的对中磁体3。受到N极、S极这两个极磁化的一对对中磁体3通过设于偏转轭的置4上的嵌合用的肋4a，安装于罩4上。

图7表示现有的对中磁体3。该对中磁体3在环形件3a上，具有翼部3b和翼部3c。按照翼部3b附近为N极，翼部3c附近为S极的方式，对该对中磁体3进行磁化，在环形件3a的内部，产生磁力线14。

图8表示现有的对中磁体3。在该对中磁体3中，通过将在环形件3a-1的内部产生的磁力线14-1与环形件3a-2的内部产生的磁力线14-2重合，磁力线的强度会发生变化，并且通过使一对对中磁体旋转，可改变磁力线的方向。

JP特开2002-75250号公报公开的对中磁体这样形成，对混合有强磁性体的粉末的塑料树脂进行注射成形，然后，对其进行磁化。该强磁性体采用磁力线的矫磁力与温度的特性的变化少的阿尔尼科合金系的金属。

图9表示现有的水平偏转线圈101与垂直偏转线圈102。该水平偏转线圈102包括铜线按照与CRT的管轴平行的方式，延伸的水平偏转部15、电子枪侧的后端部的线圈过线部16、以及屏幕侧前端的线圈过线部44。在该过线部16、44中，铜线沿与CRT的管轴相垂直的方向延伸。由于从过线部16、44产生的磁力线的方向与电子束的投射方向相平行，故无法对电子束偏转起作用。

图10表示主偏转线圈与现有的副偏转线圈。设置于主偏转轭的电子枪侧的后端的副偏转轭1接收从水平偏转线圈的电子枪侧的过线部16产生的磁力线17。由此，在副偏转轭1中，产生感应电压，由此，在图像中，产生杂波。

一般，在比如水平偏转线圈的电压为1200V的情况下，称为“CY串音”的上述的感应电压为19V。垂直偏转线圈31具有同样的过线部103，但是，垂直偏转线圈的电压的最大值为100V，无法通过来自垂直偏转线圈的磁力线，感应产生形成杂波这样的感应电压。

在现有的一对对中磁体3不必进行画面位置的补偿的情况下，如图8所示的那样，使在环形件3a-1的内部产生的磁力线14-1与在环形件3a-2的内部产生的磁力线14-2反向地重合，由此，将其消除，形成在环形件的内部，没有磁力线的状态。但是，实际上，即使在将2个对中磁体对合的情况下，仍难于完全消除环形件的内部的磁力线。其原因如下。

图11表示在对对中磁体进行注射成形时，树脂的流动的方向。图12表示现有的对中磁体产生的磁力线。如图11所示的那样，混合有强磁性体的粉末的塑料树脂从门孔18，沿箭头19的方向流动，到达门孔18的相反侧的翼部3c。阿尔尼科合金树脂的粉末的粒径较大而为90μm左右，并且其重量大于树脂，强磁性体粉末的密度较高的树脂的粘度较低，容易流动。由此，在门孔18的相反侧的翼部3c，强磁性体粉末高密度地聚集。在对这样的对中磁体进行磁化的情况下，如图12所述的那样，强磁性体粉末的密度较高的翼部3c侧的磁力线增强。

图13、图14表示现有的对中磁体所产生的磁力线。如上述那样，即使在按照如消除磁力线那样，翼部3b与翼部3c重合的方式，使磁力线的强度为非对称的磁体重合的情况下，仍无法完全使内部的磁力线抵消，残留4极磁场。由此，如图14所示的那样，通过对中磁体的电子束20因磁力线21，受到力22的作用，呈椭圆状变形。接着，该变形作为画面上的聚焦性变差而出现。

发明内容

本发明的偏转轭，用于具有玻璃管的阴极射线管(CRT)，该玻璃管具有管面和容纳电子枪的直部。该偏转轭具有：包括大致呈马鞍形的第1和第2水平偏转线圈以及第1和第2垂直偏转线圈的主偏转轭；设置于主偏转轭的CRT的电子枪侧的副偏转线圈。该第1和第2水平偏转线圈分别包括沿直部，以与CRT的管轴相垂直的方向缠绕线的第1和第2线圈过线部；以及从第1和第2线圈过线部沿管面的方向定位的第1和第2水平偏转部。

在该偏转轭中，从水平偏转线圈的电子枪侧的后端部射出的磁力线减少。由此，由于在副偏转轭中产生的感应电压减少，故可抑制由该感应电压产生的画面杂波。

附图说明：

图1表示偏转轭的结构；

图2表示偏转轭的工作；

图3表示副偏转轭进行补偿的画面的变形；

图4表示现有的副偏转轭；

图5表示现有的另一副偏转轭；

图6表示安装于偏转轭上的对中磁体；

图7表示现有的对中磁体；

图8表示现有的对中磁体；

图9表示现有的水平偏转线圈与垂直偏转线圈

图10表示现有的主偏转线圈与副偏转线圈；

图11表示生产现有的对中磁体时的树脂的流动方向；

图12表示现有的对中磁体所形成的磁力线；

图13表示现有的对中磁体所形成的磁力线；

图14表示现有的对中磁体所形成的磁力线；

图15为本发明的第1实施例的水平偏转线圈的立体图；

图16表示第1实施例的水平偏转线圈和副偏转线圈；

图17为本发明第第3实施例的水平偏转线圈的立体图；

图18为第3实施例的水平偏转线圈的平面图；

图19为现有的水平偏转线圈的侧视图；

图20为第3实施例的水平偏转线圈的侧视图；

图21为第3实施例的水平偏转线圈的剖视图；

图22为第3实施例的水平偏转线圈的剖视图；

图23为第4实施例的垂直偏转线圈的立体图；

图24为第4实施例的垂直偏转线圈的侧视图；

图25A与图25B为本发明的第4实施例的偏转轭的剖视图；

图26为第4实施例的偏转轭的剖视图；

图27为偏转轭的剖视图；

图28表示现有的偏转轭的铁氧体磁芯；

图29表示第5实施例的偏转轭的铁氧体磁芯；

图30表示本发明的第6实施例的水平偏转线圈的俯视图；

图31为第6实施例的水平偏转线圈的侧视图；

图32为第6实施例的水平偏转线圈的剖视图；

图33为表示第6实施例的偏转轭中的布线；

图34为第6实施例的偏转轭的绝缘架的立体图；

图35为第6实施例的偏转轭的绝缘架的立体图；

图36为第6实施例的偏转轭的绝缘架的立体图；

图37为第6实施例的偏转轭的绝缘架的立体图；

图38为本发明的第7实施例的偏转轭的对中磁体的平面图；

图39为第7实施例的偏转轭的对中磁体的侧视图；

图40为第7实施例的偏转轭的对中磁体的侧视图；

图41为第7实施例的偏转轭的对中磁体的平面图；

图42表示对对中磁体进行磁化的磁化轭；

图43为现有的对中磁体所形成的磁力线；

图44为本发明的第8实施例的偏转轭的对中磁体的平面图；

图45为第8实施例的偏转轭的对中磁体的平面图；

图46表示现有的水平偏转线圈与阴极射线管(CRT)；

图47表示第1实施例的水平偏转线圈与CRT；

图48A为现有的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图；

图48B为现有的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图；

图48C为第2实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图；

图48D为第2实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图；

图48E为另一水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图；

图48F为另一水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图；

图48G为第3实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图；

图48H为第3实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图；

图49为表示第2实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的过线部的绕线方向；

图50表示现有的偏转线圈的电子枪侧的过线部的绕线方向。

具体实施方式

(第1实施例)

图15为本发明的第1实施例的水平偏转线圈的立体图。图16表示第1实施例的主偏转线圈与副偏转线圈。图46表示现有的水平偏转线圈与阴极射线管(CRT)的位置。图47表示第1实施例的水平偏转线圈与CRT的位置。

为了减少因主偏转线圈的基本呈马鞍形的水平偏转线圈产生的磁力线，在副偏转轭中产生的感应电压(一般称为CY串音)，必须使副偏转轭远离主偏转轭。但是，扩大副偏转轭与主偏转轭之间的空间，就意味着使偏转轭本身的全长增加。由于与安装于偏转轭的电子枪侧的后方的速度调制线圈等的其它部件造成物理干扰，难于使偏转轭的全长增加，故不能够扩大副偏转轭与主偏转轭之间的空间。

在现有的水平偏转线圈15中，如图46所示的那样，电子枪侧的后端的过线部16，相对CRT的管轴50呈垂直折回的形状(弯起形状)。由此，过线部16将磁力线朝向后方射出。在第1实施例的偏转轭中，如图15和图47所示的那样，一对水平偏转线圈的电子枪侧的过线部116沿CRT的电子枪侧的直部的方向缠绕。由于没有图9所示的过线部16的折回部分，如图16所示的那样，可减小从水平偏转线圈的电子枪侧的后端部射出的磁力线17。于是，在与现有的偏转轭相同的全长范围内，可减少副偏转线圈1所接收的磁力线。

对于CY串音量(感应电压)，在水平偏转线圈的电压为1200V的情况下，现有的偏转轭的相应的值在17～19V的范围内，相对该情况，在第1实施例的偏转轭中，相应的值在2V～4V的范围内，小于现有的偏转轭。于是，第1实施例的偏转轭抑制感应电压造成的画面的杂波。

(第2实施例)

图49表示本发明的第2实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的过线部117。图50表示现有的水平偏转线圈的电子枪侧的过线部16。

如图50所示的那样，现有的水平偏转线圈的过线部16这样形成，即，按照基本呈以与CRT的管轴平行的轴45为中心的半圆形，沿与管轴相垂直的轴35的方向重叠的方式，沿方向46缠绕线。

在第2实施例的水平偏转线圈中，过线部117这样形成，如图49所示的那样，按照基本呈以与CRT的管轴垂直的轴35为中心的半圆形，沿与管轴平行的轴45的方向重叠的方式，沿方向47缠绕线。

(第3实施例)

图17为本发明的第3实施例的一对水平偏转线圈的立体图。图18为第3实施例的水平偏转线圈的侧视图。图9表示现有的水平偏转线圈与垂直偏转线圈。图19为现有的水平偏转线圈的侧视图。图20为第2实施例的水平偏转线圈的侧视图。

如图9所示的那样，现有的水平偏转线圈15在电子枪侧，具有过线部16。如图19所示的那样，该水平偏转线圈15具有有助于偏转的有效长度A和线圈总长B1。在这里，有效长度指偏转轭的铜线沿与CRT的管轴方向平行的方向缠绕的部分的长度。由于具有图20的有效长度A的第3实施例的水平偏转线圈，按过线部117不突出的、直线的形状缠绕，故其总长B2大于现有的偏转轭的总长B1。

图48A为现有的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图。图48B为现有的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图。图48C为第2实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧面图。图48D为第2实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图。图48E为另一水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图。图48F为另一水平偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图。图48G为第3实施例的水平偏转线圈的电子枪侧的后端的侧视图。图48H为第3实施例的水平偏转线圈的后端的立体图。

如图48A和图48B所示的那样，现有的水平偏转线圈的过线部16呈弯起形状，其按照从有效长度的电子枪侧的后端部48弯曲的方式形成。在第1和第2实施例的水平偏转线圈中，如图48C和图48D所示的那样，水平偏转线圈按照其电子枪侧的过线部朝向电子枪侧的后方重叠的方式缠绕，由此，线圈总长较长。即，在第1、第2实施例的偏转线圈中，有效长度的后端部48的位置相对现有的偏转线圈，没有变化，而线圈的电子枪侧的后端朝向后方延伸。

如图48E与图48F所示的那样，通过使过线部的外形从偏转线圈突出，可使线圈的全长小于图48C和图48D所示的偏转线圈。但是，即使在图48E与图48F的偏转线圈中，不能够采用与图48A和图48B所示的现有的偏转线圈相同的全长，即，在图48E和图48F所示的偏转线圈中，由于水平偏转线圈的过线部的后端部的角部49呈圆弧状，故在具有与现有的线圈相同的有效长度的情况下，其全长大于现有的线圈。

图21为图18所示的第3实施例的水平偏转线圈的沿线21-21的剖视图，图22为该水平偏转线圈的沿线22-22的剖视图。

如图17、图18、图21、图22所示的那样，第3实施例的水平偏转线圈的过线部包括与CRT面对的曲面23，与其相反侧的面，即，与垂直偏转线圈面对的曲面24。一对水平偏转线圈通过夹持平面25而对合。曲面24在平面25上的直径26与图21所示的管面侧的水平偏转线圈与图22所示的过线部的相同。图22所示的水平偏转线圈的过线部中的与平面25相垂直的方向的外径27大于图21所示的水平偏转线圈的外径28，外径27在外径28的1.05～1.35倍的范围内。

按照该形状，如图48G与图48H所示的那样，水平偏转线圈的电子枪侧的后端部的角部49为较小的圆弧，线圈的有效长度的后端延伸到位置51处。由此，第3实施例的偏转线圈的全长不相对现有的水平偏转线圈延长，具有与水平偏转线圈相同的有效长度，可按照沿CRT的方向，在电子枪侧的过线部缠绕线。

(第4实施例)

图23为本发明的第4实施例的垂直偏转线圈的电子枪侧的后端的立体图。图24为垂直偏转线圈的侧视图。图25A和图25B为第4实施例的偏转轭的径向的剖视图。图26为偏转轭的长度方向的剖视图。

如图9、图25、图26所示的那样，垂直偏转线圈31安装于水平偏转线圈15的外侧，通过图25所示的绝缘架32，与水平偏转线圈15实现绝缘。

为了良好地保持偏转轭的偏转灵敏度，最好为水平偏转线圈、绝缘架、垂直偏转线圈、铁氧体磁芯在它们之间没有空间的情况下紧密贴合。如果将现有的垂直偏转线圈31，与其长度与图9所示的现有的水平偏转线圈相同的、图17和图18所示的第3实施例的水平偏转线圈15组合，则如图27所示的那样，在水平偏转线圈15和垂直偏转线圈31之间，产生空间33，其结果是，使偏转轭的灵敏度降低。

在第4实施例的偏转轭中，如图25A，图25B，图26所示的那样，垂直偏转线圈31中的，朝向CRT的曲面34的一对垂直偏转线圈对合平面35上的直径从CRT的管面，朝向电子枪，慢慢地减小，在垂直偏转线圈的电子枪侧后端附近的部分，该直径增加。该直径增加的部分通过绝缘架32，与第3实施例的水平偏转线圈15的过线部的外径增加的部分201组合。由此，在水平偏转线圈15和垂直偏转线圈31之间，不产生多余的空间，可实现偏转灵敏度良好的偏转轭。

(第5实施例)

图28表示现有的偏转轭中的铁氧体磁芯35的位置和剖面形状。图29表示本发明的第5实施例的偏转轭的铁氧体磁芯135的位置和剖面形状。

该铁氧体磁芯135(35)安装于垂直偏转线圈131(31)的外面上，以便将水平偏转线圈115(15)所形成的磁力线和垂直偏转线圈131(31)所形成的磁力线集中，使偏转轭内侧的磁力线增强。该铁氧体磁芯135(35)的内面形状为与垂直偏转线圈131(31)的外面相吻合的形状。

在现有的偏转轭中，如图28所示的那样，由于铁氧体磁芯的内面的约一半的部分呈曲线的形状，故在加压成型该铁氧体磁芯35时，在直部35B和曲线部35A，内部压力分布是不均匀的。于是，在对该铁氧体磁芯35减小烘焙时，产生微小裂缝，呈椭圆状变形，铁氧体磁芯35的生产合格率变差。另外，为了不使合格率变差，必须充分地增加铁氧体磁芯35的截面厚度，在此情况下，铁氧体磁芯的材料费用增加。

在本发明的第5实施例的偏转轭中，可通过采用在第3实施例、第4实施例中已描述的水平偏转线圈、垂直偏转线圈，如图29所示的那样，形成在磁芯的全长范围内使铁氧体磁芯135的内径均匀的直线磁芯。在该铁氧体磁芯135中，在铁氧体材料不增加的情况下，可使加压成形时的内部压力均匀，从而可提高生产性。

(第6实施例)

图30为本发明的第6实施例的水平偏转线圈的俯视图。图31为第6实施例的水平偏转线圈的侧视图。图32为第6实施例的偏转轭的剖视图。图33为第6实施例的布线的说明图。图34、图35、图36为第6实施例的绝缘架的立体图。

如图30、图31所示的那样，水平偏转线圈15具有卷绕起始线段36和卷绕终止线段37，该卷绕起始线段36必须是绝缘的，以便在朝向线圈外周方向抽出时，不与其和该卷绕起始线段36之间具有电位差的线，或线圈主体接触。

如图32所示的那样，第6实施例的偏转轭的水平偏转线圈15通过绝缘架32，与垂直偏转线圈31分隔开，在该绝缘架32上，设置有使水平偏转线圈15的卷绕起始线段36通过的筒部38。如图33所示的那样，水平偏转线圈15的卷绕起始线段36通过筒部38布线。

如图35和图36所示的那样，筒部38按照将分割的绝缘架32组合的方式形成。如图34所示的那样，在筒部38上，设置有凹部39，如图33所示的那样，该卷绕起始线段36通过凹部39，朝向筒部38抽出，朝向偏转轭的电子枪侧抽出。

筒部38和凹部39如图35和图36所示的那样，可通过将L形壁和I形壁组合而制作，但是，也可如图37所示的那样，通过将コ形的壁组合的制作。

(第7实施例)

图38为本发明的第7实施例的偏转轭中的对中磁体的平面图。图39为第7实施例的对中磁体的侧视图。图40为第7实施例的对中磁体的翼部切断时的侧视图。图41为第7实施例的对中磁体的平面图。

如图7所示的那样，对中磁体包括环形件3a，该环形件3a的内径约在31～33mm的范围内，外径约在37～42mm的范围内；翼部3b，3c，该翼部3b，3c设置于上述环形件3a的2个部位处，其宽度在4～10mm的范围内，长度在5～20mm的范围内。

对中磁体在翼部3b的前端部，具有用于树脂成型的门孔18，该对中磁体通过从该门孔18，使树脂流入的注射成型方式形成。对中磁体的厚度在1～1.5mm的范围内，成型所使用的树脂为混合有10～20％的阿尔尼科合金等强磁性体的粉末的尼龙等的塑料树脂。

在对混合有10％的阿尔尼科合金的塑料树脂进行注射成型的情况下，由于阿尔尼科合金的粒径大，为90μm，故阿尔尼科合金的混合比较高的部分的粘度降低。于是，在现有的对中磁体中，在注射成型时在门孔18的相反侧的翼部3c中，填充阿尔尼科合金树脂的含有率较高的部分。在于这样的成型件中，如图42所示的那样，通过磁化轭40，对N极、S极这两个极进行磁化的情况下，如图43所示的那样，门孔18的相反侧的翼部3c附近的磁化量增加，环形件3a的内部的磁力线在N极附近和S极附近不对称。

在第7实施例的偏转轭中的对中磁体中，如图38所示的那样，预先使门孔18的相反侧的翼部203c比翼部3b长15mm，另外，在翼部203c处，设置厚度较小部41。

厚度较小部41的厚度为对中磁体的厚度的1/2～2/3，在成形后，翼部3c可容易切断。如图41所示的那样，高密度地包含强磁性体粉末的前端部42-a通过厚度较小部41切断，然后，对对中磁体进行磁化，由此，可如图7所示的那样，使环形件3a的内部的磁力线保持对称。

(第8实施例)

图44为本发明的第8实施例的偏转轭的对中磁体的平面图。

强磁性体的密度的不均匀性在门孔18和其相反侧的翼部3c处最大，但是，门孔18侧的翼部3b与翼部3c相反，强磁化体的密度较低。低密度的翼部3b还造成磁力线的非对称。

在第7实施例的偏转轭的对中磁体中，如图44所示的那样，预先使门孔18相反侧的翼部203c的长度延长15mm，另外，在翼部203c，设置厚度较小部41，同时门孔18侧的翼部203b的长度也比现有的翼部，增加15mm，设置厚度较小部43。

通过使厚度较小部41和43的厚度为对中磁体的厚度的1/2～2/3，在成形后，可容易将翼部203b、203c切断。由此，如图45所示的那样，可将高密度地包含强磁性体粉末的前端部42-a与强磁性体粉末的密度较小的前端部42b，与对中磁体切开，然后，通过对该对中磁体进行磁化，环形件3a的内部的磁力线可如图7那样处于对称状态。

Claims (12)

1.一种偏转轭，用于具有玻璃管的阴极射线管(CRT)，该玻璃管具有管面和容纳电子枪的直部，其特征在于，包括：

具有大致呈马鞍形的第1和第2水平偏转线圈、以及第1和第2垂直偏转线圈的主偏转轭，该第1和第2水平偏转线圈分别具有沿所述直部以与所述CRT的管轴相垂直的方向缠绕线的第1和第2线圈过线部、以及从所述第1和第2线圈过线部位于所述管面的方向的第1和第2水平偏转部；以及

设置于所述主偏转轭的所述CRT的所述电子枪侧的副偏转线圈。

2.如权利要求1所述的偏转轭，其特征在于，所述线圈过线部以与所述管轴相垂直的轴为中心，沿所述直部，按照与所述管轴平行的方向重叠的方式缠绕线。

3.如权利要求1所述的偏转轭，其特征在于，

所述第1和第2垂直偏转线圈位于第1和第2水平偏转线圈的外侧；

在所述第1和第2水平偏转部的所述第1和第2垂直偏转线圈侧的曲面上，所述第1和第2水平偏转线圈对合的第1平面上的直径，与和所述第1平面和所述管轴相垂直的第2平面上的直径相同；

所述第1和第2过线部的直径在所述第1和第2水平偏转部的所述直径的1.05～1.35倍的范围内。

4.如权利要求3所述的偏转轭，其特征在于，

其还包括设置于所述第1和第2水平偏转线圈与所述第1和第2垂直偏转线圈之间的绝缘架；

所述第1和第2垂直偏转线圈中的朝向所述CRT一侧的曲面上的、所述第1和第2垂直偏转线圈对合的第3平面上的直径，从所述管面朝向所述电子枪减小，所述第1和第2垂直偏转线圈的所述电子枪侧的端部的直径增大；

将所述第1和第2垂直偏转线圈中的所述端部与所述第1和第2线圈过线部组合。

5.如权利要求1所述的偏转轭，其特征在于，其还包括铁氧体磁芯，在其全长范围内，其内径一致，该铁氧体磁芯安装于所述主偏转轭上。

6.如权利要求1所述的偏转轭，其特征在于，

所述水平偏转线圈具有引线；

所述绝缘架具有所述引线通过的、与所述管轴平行的筒部，并设置有所述引线通过的凹部；

所述引线从所述凹部，引出到所述筒部中。

7.如权利要求1所述的偏转轭，其特征在于，其还具有从在其周围具有第1和第2翼部的所述副偏转线圈、沿电子枪的方向设置的大致呈圆形的对中磁体。

8.如权利要求7所述的偏转轭，其特征在于，所述对中磁体具有设置于所述第1翼部的前端的用于注射成型的树脂门孔。

9.如权利要求8所述的偏转轭，其特征在于，在混合有磁性体的树脂从所述树脂门孔进入并进行成型后，将所述第2翼部的前端切断。

10.如权利要求8所述的偏转轭，其特征在于，在混合有磁性体的树脂从所述树脂门孔进入并进行成型后，将所述第1翼部的所述前端切断。

11.一种在其周围具有第1和第2翼部的大致呈圆形的对中磁体的制造方法，包括：

从设置于所述第1翼部的前端的用于注射成型的树脂门孔，注入混合有磁性体的树脂而形成成型件的工序；

切断所述第2翼部的前端的工序；

对所述成型件进行磁化的工序。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，其还包括将所述第1翼部的所述前端切断的工序。

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